JP2013074029A - チップ抵抗器 - Google Patents

Abstract

【課題】調整できる抵抗値の範囲を広くすることができ、かつ高精度のトリミングが行えるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】絶縁基板１、抵抗体４、および１対の電極２、３を備えている。電極２と電極３は離間し、かつ対向して配置されている。抵抗体４の形状は、長方形に形成されている。また、抵抗体４は、電極２から電極３に渡って形成される。電極２と電極３の離間領域を覆っている抵抗体４の形状は、台形である。電極２と電極３の離間領域は、電極２と電極３が形成される延伸方向に段階的に電極間の間隔が広がるように構成されている。すなわち、電極２と電極３との間の経路の抵抗値が、抵抗体４の２辺の一方の辺から他方の辺に向かって段階的に増加するように構成されている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、トリミングによる抵抗値の調整が可能なチップ抵抗器に関する。

図１２は、従来のチップ抵抗器の一例を示している。同図に示されたチップ抵抗器は、基板６１の一面側に、１対の電極６２および抵抗体６３が形成された構造を有する。基板６１は、絶縁材料からなり、平面視で矩形状である。１対の電極６２は、チップ抵抗器を実装するために用いられるものであり、互いに離間して配置されている。抵抗体６３は、たとえば酸化ルテニウムからなり、１対の電極９２の一部ずつを覆うように形成されている。

１対の電極６２および抵抗体６３は、一般的に印刷を用いた手法によって形成される。この印刷には、導電材料を含むペーストや抵抗体材料を含むペーストが用いられる。これらのペーストを１対の電極６２や抵抗体６３となるべき形状に印刷しても、これらのペーストのダレなどにより、その縁が局所的にずれることが避けられない。さらに、抵抗体６３の厚さ分布は、中央部分に比べて端部が顕著に薄い傾向となる。

このずれおよび厚さ分布の不均一に起因した抵抗値の誤差を修正する手法の一つとして、レーザトリミングが採用されている。この手法においては、１対の電極６２および抵抗体６３を形成した後に、１対の電極６２間の抵抗値を測定しながら、測定抵抗が目的の抵抗値に到達するように、抵抗体６３の一部をレーザによって、１対の電極６２の離間方向に対し、例えば直角方向にトリミングする。この結果、抵抗体６３には、スリット７０が形成される。このように、トリミングは、抵抗素子の抵抗値を測定しながら、抵抗体部分を切断して断面積を減少させ、目的の値まで抵抗値を上昇させるものである。以上より、チップ抵抗器の抵抗値を調整することができる。

しかし、図１２の構成では、抵抗値を上昇させるのには限度があり、抵抗値の調整範囲が狭いという欠点があった。そこで、特許文献１に示されるように、１対の電極の一方をＬ字型の電極とし、Ｌ字型電極の突出部に沿って抵抗体を切り離すことで、大きく抵抗値を上げることが提案されている。これにより、調整できる抵抗値の範囲が広いチップ抵抗器を得ることができる。

特開２００６−３５１９９１号公報

しかし、特許文献１の方法では、大きく抵抗値を上げることはできるが、微調整のトリミングについては、図１２と同じ方法になる。このため、比較的抵抗値の上昇率が大きくなり、抵抗体面積が小さいチップ抵抗器では、レーザ加工により精度良く微調整することができないという問題があった。

本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、調整できる抵抗値の範囲を広くすることができ、かつ高精度のトリミングが行えるチップ抵抗器を提供することを目的としている。

上記目的を達成するために、本発明のチップ抵抗器は、 第１の電極と、前記第１の電極とは離間し、かつ対向して配置された第２の電極と、前記第１の電極から第２の電極に渡って配置された第１の抵抗体とを備え、前記第１の電極及び第２の電極が延伸する方向に、前記第１の電極と第２の電極の間隔が段階的に拡大又は狭まる領域を有し、前記第１の電極と第２の電極との間の経路の抵抗値が段階的に増加又は減少する構成を有することを主要な特徴とする。

本発明のチップ抵抗器は、第１の電極と、第１の電極とは離間し、かつ対向して配置された第２の電極と、第１の電極から第２の電極に渡って配置された第１の抵抗体とを備えとおり、第１の電極及び第２の電極が延伸する方向に、第１の電極と第２の電極の間隔が段階的に拡大又は狭まる領域を有するとともに、第１の電極と第２の電極との間の経路の抵抗値が段階的に増加又は減少する構成を有している。

このため、トリミングを行う場合は、第１の電極と第２の電極との間の経路の抵抗値が大きい側、すなわち、第１の電極と第２の電極の間隔が大きい側からトリミング溝を作製することにより、抵抗値の微調整を行うことができる。また、第１の電極と第２の電極との間の経路の抵抗値が小さい側、すなわち、第１の電極と第２の電極の間隔が小さい側からからトリミング溝を作製することにより、抵抗値の粗調整を行うことができる。これにより、調整できる抵抗値の範囲を広くすることができるとともに、高精度のトリミングを行うことができる。

チップ抵抗器の構造例を示す平面図である。 図１の抵抗体にトリミング溝を作製した例を示す平面図である。 図１の抵抗体にトリミング溝を作製した例を示す平面図である。 図１の構成で電極の縁に沿って抵抗体を形成したチップ抵抗器の構造例を示す平面図である。 チップ抵抗器の構造例を示す平面図である。 チップ抵抗器の構造例を示す平面図である。 抵抗体を２つ備えたチップ抵抗器の構造例を示す平面図である。 抵抗体を２つ備えたチップ抵抗器の構造例を示す平面図である。 抵抗体を２つ備えたチップ抵抗器の構造例を示す平面図である。 図１の構成において、トリミング溝を作製した場合の抵抗値上昇率を算出するための模式図である。 図１の構成において、トリミング溝を作製した場合の抵抗値上昇率を算出するための模式図である。 従来のチップ抵抗器とトリミング溝を示す平面図である。

以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号を付している。図面は模式的なものであり、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。

図１は、本発明に係るチップ抵抗器の構成例を示す平面図である。図１のチップ抵抗器は、絶縁基板１、抵抗体４、および１対の電極２、３を備えている。電極２と電極３は離間し、かつ対向して配置されている。

絶縁基板１は、例えばＡｌ_２Ｏ_３などの絶縁材料からなり、平面視で略矩形状に形成されている。また、電極２、電極３は、例えばＡｇ等の導電体からなる。

抵抗体４は、例えば酸化ルテニウムなどの抵抗体材料からなり、絶縁基板１上に膜状に形成されている。抵抗体４は、チップ抵抗器の抵抗値を決定する部分である。抵抗体４の両端部は、電極２及び電極３の端部を覆っている。

抵抗体４の形状は、例えば平行な２辺を有する形状に形成される。図１の例では、抵抗体４は平行な２辺を有する形状として長方形に形成されている。また、抵抗体４の平行な２辺は、電極２から電極３に渡って形成される。電極２及び電極３は、台形形状に形成されている。ここで、電極２と電極３の離間領域を覆っている抵抗体４の形状は、図に示すように、短辺４ａ、長辺４ｂ、２つの辺ｄで囲まれた等脚台形である。短辺４ａは、この台形形状の上底を示し、長辺４ｂは下底を示すもので、２つの辺を比較した場合、下底の方が長くなるので、下底を長辺４ｂとしている。

抵抗体４の形成は、例えば抵抗体材料を含む抵抗体ペーストをスクリーン印刷することにより行われる。電極２、３は、例えば、電極材料となるＡｇ等を含む導体ペーストをスクリーン印刷することで形成される。なお、抵抗体４及び電極２、３ともに、他の形成方法によることも可能であり、例えばフォトレジストによる形成方法を用いることができる。また、スパッタ法により電極２、３を形成することもできる。

ここで、電極２と電極３の離間領域は、短辺４ａから長辺４ｂの方向に向かって段階的に電極間の間隔が広がるように構成されている。見方を変えれば、電極２と電極３の離間領域は、長辺４ｂから短辺４ａの方向に向かって段階的に電極間の間隔が狭まるように構成されている。

さらに、言い換えれば、電極２と電極３との間を電流が直進可能な直線経路の抵抗値が、電極２及び電極３が延びる方向に沿って段階的に減少するように構成されている。電極２及び電極３が延伸する方向とは、短辺４ａから長辺４ｂに向かう方向又は長辺４ｂから短辺４ａに向かう方向である。したがって、見方を変えれば、電極２と電極３との間の直線経路の抵抗値が、電極２及び電極３が延伸する方向に沿って段階的に減少するように構成されていると言える。

図１の構造を有するチップ抵抗器の抵抗値を所望の値に調整するために、トリミング溝を作製した例を図２、３に示す。図２では、電極２及び電極３が延伸する方向、すなわち長辺４ｂから短辺４ａに向かって直線的に切断を行い、直線状のトリミング溝４１を形成している。具体的には、抵抗体４の平行な２辺に対して直角の方向に直線状のトリミング溝４１を形成している。

図２のようにトリミング溝４１を作製する場合は、電極２と電極３との間の直線経路の抵抗値が、抵抗体４の平行な２辺の一方の辺（短辺４ａが属する辺）から他方の辺（長辺４ｂが属する辺）に向かって段階的に増加するように構成されているので、トリミング溝の長さに対する抵抗値の増加率の度合いを、長辺４ｂから短辺４ａの方に進むにつれて小さく抑えることができるので、微調整を精度良く行うことができ、高精度のトリミングが行える。

一方、図３では、抵抗体４の平行な２辺のうち、電極２及び電極３が延伸する方向、すなわち短辺４ａから長辺４ｂに向かって直線的に切断を行い、直線状のトリミング溝４１を形成している。図３のようにトリミング溝４１を作製する場合は、電極２と電極３との間の直線経路の抵抗値が、抵抗体４の平行な２辺の一方の辺（短辺４ａが属する辺）から他方の辺（長辺４ｂが属する辺）に向かって段階的に増加するように構成されているので、トリミング溝の長さに対する抵抗値の増加率の度合いを、短辺４ａから長辺４ｂの方に進むにつれて非常に大きくすることができるので、大きく調整したい場合には便利である。なお、１枚の抵抗体４に図２のトリミング溝と図３のトリミング溝を２つ形成するようにしても良い。

図４は、台形状の抵抗体４Ａが電極２と電極３との間に配置されている。これは、図１の構造で、抵抗体４の両端を電極２と電極３が対向する縁に沿って形成したものである。すなわち、抵抗体４Ａは、電極２と電極３の離間領域に対応する抵抗体の台形形状に合わせたものである。このようにすれば、図１の抵抗体４と比較して、抵抗体材料を節約することができる。

図５のように、電極２１、３１の形状を変えることもできる。電極２１、３１は５角形で構成される。電極２１と電極３１の離間領域に対応する抵抗体４の形状は台形に長方形を合わせた盃形状である。すなわち、電極２１と電極３１の間隔の一部は、抵抗体４の平行な２辺の一方の辺から他方の辺に向かって段階的に拡大又は狭まるように形成され、残りの部分の間隔は短辺４ａの長さに等しく、一定となっている。

図６に示されるチップ抵抗器は、図１の構造と比較して、対向する電極の形状が異なる。図６に示される電極２の形状は、図１と同じであるが、電極３２の形状は長方形状であり、図１の電極３とは異なる。また、抵抗体４の形状は、図１と同じであるが、電極２と電極３２の離間領域を覆う抵抗体４の形状は、等脚ではない台形である。このように、電極２と電極３２との間の直線経路の抵抗値が短辺４ａから長辺４ｂに向かって段階的に増加するように構成されている。

ここで、本発明のチップ抵抗器において、抵抗体にトリミング溝を直線的に延ばしていったときに、抵抗値の上昇率がどのようになるかを調べた。図１０は、図１の構造において、電極２と電極３の離間領域に対応する抵抗体４の部分（台形形状）を取り出して模式化したものである。

図１の短辺４ａ、長辺４ｂで示すと図１０（ａ）のように対応付けられる。この台形領域を電極２と電極３とを直線的に結ぶ細長い矩形領域に分割する。分割された矩形領域Ｓ１〜Ｓ７の各抵抗値が、仮に、Ｓ１が１Ω、Ｓ２が２Ω、Ｓ３が３Ω、Ｓ４が４Ω、Ｓ５が５Ω、Ｓ６が６Ω、Ｓ７が７Ωであったとする。矩形領域Ｓ１〜Ｓ７は並列接続していることになるので、図１０（ａ）の場合の合成抵抗Ｒ１は、（１／Ｒ１）＝（１／７）＋（１／６）＋（１／５）＋（１／４）＋（１／３）＋（１／２）＋（１／１）で算出される。上式よりＲ１＝０．３８６Ωと算出される。

次に、図１０（ｂ）のように、Ｓ１の矩形領域のみに対して短辺４ａに直角にトリミング溝４１を形成して矩形領域Ｓ１を左右に切断した場合の合成抵抗Ｒ２を算出する。この場合、矩形領域Ｓ１の抵抗値は０となるので、残りのＳ２〜Ｓ７で合成抵抗値Ｒ２を求めれば良い。上記と同様にして、Ｒ２＝０．６２７８Ωとなる。図１０（ａ）のＲ１からの抵抗増加率は、６２．６％である。

次に、図１０（ｃ）のように、Ｓ１及びＳ２の矩形領域のみに対して短辺４ａに直角にトリミング溝４１を形成して矩形領域Ｓ１及びＳ２を左右に切断した場合の合成抵抗Ｒ３を算出する。この場合、矩形領域Ｓ１及びＳ２の抵抗値は０となるので、残りのＳ３〜Ｓ７で合成抵抗値Ｒ３を求めれば良い。上記と同様にして、Ｒ３＝０．９１５０Ωとなる。図１０（ａ）のＲ１からの抵抗増加率は、１３７．１％である。

次に、図１０（ｄ）のように、Ｓ１、Ｓ２及びＳ３の矩形領域のみに対して短辺４ａに直角にトリミング溝４１を形成して矩形領域Ｓ１、Ｓ２及びＳ３を左右に切断した場合の合成抵抗Ｒ４を算出する。この場合、矩形領域Ｓ１、Ｓ２及びＳ３の抵抗値は０となるので、残りのＳ４〜Ｓ７で合成抵抗値Ｒ４を求めれば良い。上記と同様にして、Ｒ４＝１．３１６６Ωとなる。図１０（ａ）のＲ１からの抵抗増加率は、２４１．１％である。

次に、図１０（ｅ）のように、Ｓ１、Ｓ２，Ｓ３及びＳ４の矩形領域のみに対して短辺４ａに直角にトリミング溝４１を形成して矩形領域Ｓ１〜Ｓ４を左右に切断した場合の合成抵抗Ｒ５を算出する。この場合、矩形領域Ｓ１〜Ｓ４の抵抗値は０となるので、残りのＳ５〜Ｓ７で合成抵抗値Ｒ４を求めれば良い。上記と同様にして、Ｒ５＝１．９６２６Ωとなる。図１０（ａ）のＲ１からの抵抗増加率は、４０８．４％である。

上記の結果からわかるように、図１０（ａ）のトリミングを行っていない状態から、図１０（ｅ）に示す長さのトリミング溝４１の形成まで、加速度的に抵抗増加率が上昇し、その上昇割合は非常に大きい。

このように、電極間の直線経路の抵抗が小さい方からトリミング溝を形成していくと、トリミング溝の単位長当たりの抵抗増加率が、トリミング溝の深い位置ほど大きくなり、トリミング溝の長さを長くすると、最初の抵抗値に比べて非常に大きな値まで抵抗値を上昇させることができるため、抵抗値の粗調整に適している。

次に、図１１は、図１０とは逆方向からトリミングを行った場合の抵抗値の変化を算出したものである。すなわち、電極間の直線経路の抵抗が大きい方からトリミング溝を形成していく場合である。

図１１（ａ）のように、Ｓ７の矩形領域のみに対して長辺４ｂに直角にトリミング溝４１を形成して矩形領域Ｓ７を左右に切断した場合の合成抵抗Ｒ６を算出する。この場合、矩形領域Ｓ７の抵抗値は０となるので、残りのＳ１〜Ｓ６で合成抵抗Ｒ６を求めれば良い。上記と同様にして、Ｒ６＝０．４０８Ωとなる。図１０（ａ）のＲ１からの抵抗増加率は、５．７％である。

次に、図１１（ｂ）のように、Ｓ７及びＳ６の矩形領域のみに対して短辺４ａに直角にトリミング溝４１を形成して矩形領域Ｓ７及びＳ６を左右に切断した場合の合成抵抗Ｒ７を算出する。この場合、矩形領域Ｓ７及びＳ６の抵抗値は０となるので、残りのＳ１〜Ｓ５で合成抵抗Ｒ７を求めれば良い。上記と同様にして、Ｒ７＝０．４３８Ωとなる。図１０（ａ）のＲ１からの抵抗増加率は、１３．５％である。

次に、図１１（ｃ）のように、Ｓ７、Ｓ６及びＳ５の矩形領域のみに対して短辺４ａに直角にトリミング溝４１を形成して矩形領域Ｓ７〜Ｓ５を左右に切断した場合の合成抵抗Ｒ８を算出する。この場合、矩形領域Ｓ７〜Ｓ５の抵抗値は０となるので、残りのＳ１〜Ｓ４で合成抵抗Ｒ８を求めれば良い。上記と同様にして、Ｒ８＝０．４８０となる。図１０（ａ）のＲ１からの抵抗増加率は、２４．４％である。

次に、図１１（ｄ）のように、Ｓ７、Ｓ６、Ｓ５及びＳ４の矩形領域のみに対して短辺４ａに直角にトリミング溝４１を形成して矩形領域Ｓ７〜Ｓ４を左右に切断した場合の合成抵抗Ｒ９を算出する。この場合、矩形領域Ｓ７〜Ｓ４の抵抗値は０となるので、残りのＳ１〜Ｓ３で合成抵抗Ｒ９を求めれば良い。上記と同様にして、Ｒ９＝０．５４５Ωとなる。図１０（ａ）のＲ１からの抵抗増加率は、４１．３％である。

上記の結果からわかるように、図１０（ａ）のトリミングを行っていない状態から、図１１（ｄ）に示す長さのトリミング溝４１の形成まで、加速度的に抵抗増加率が上昇し、その上昇割合は小さい。

比較するために、図１０（ａ）において、従来の図１２のように、電極の離間幅４ａと４ｂが等しく形成されていた場合のトリミングによる抵抗の変化を以下に算出する。矩形領域Ｓ１〜Ｓ７の電極の離間幅がすべて４ｂとすると、そのときの抵抗値は、矩形領域Ｓ１〜Ｓ７に対して、それぞれ１Ωである。このとき、トリミングが行われていない状態の合成抵抗Ｒ１０は、Ｒ１０＝（１／７）で計算される。これにより、Ｒ１０＝０．１４３Ωと算出される。

次に、Ｓ７の矩形領域のみに対して長辺４ｂに直角にトリミング溝を形成して矩形領域Ｓ７を左右に切断した場合の合成抵抗Ｒ１１を算出する。この場合、矩形領域Ｓ７の抵抗値は０となるので、残りのＳ１〜Ｓ６で合成抵抗Ｒ６を求めれば良い。これにより、Ｒ１１＝０．１６７Ωとなる。Ｒ１０からの抵抗増加率は、１６．７８％である。

次に、Ｓ７及びＳ６の矩形領域のみに対して長辺４ｂに直角にトリミング溝を形成して矩形領域Ｓ７及びＳ６を左右に切断した場合の合成抵抗Ｒ１２を算出する。この場合、矩形領域Ｓ７及びＳ６の抵抗値は０となるので、残りのＳ１〜Ｓ５で合成抵抗Ｒ１２を求めれば良い。これにより、Ｒ１２＝０．２Ωとなる。Ｒ１０からの抵抗増加率は、３９．８６７８％である。

次に、Ｓ７〜Ｓ５の矩形領域のみに対して長辺４ｂに直角にトリミング溝を形成して矩形領域Ｓ７〜Ｓ５を左右に切断した場合の合成抵抗Ｒ１３を算出する。この場合、矩形領域Ｓ７〜Ｓ５の抵抗値は０となるので、残りのＳ１〜Ｓ４で合成抵抗Ｒ１３を求めれば良い。これにより、Ｒ１３＝０．２５Ωとなる。Ｒ１０からの抵抗増加率は、７４．８３％である。

次に、Ｓ７〜Ｓ４の矩形領域のみに対して長辺４ｂに直角にトリミング溝を形成して矩形領域Ｓ７〜Ｓ４を左右に切断した場合の合成抵抗Ｒ１４を算出する。この場合、矩形領域Ｓ７〜Ｓ４の抵抗値は０となるので、残りのＳ１〜Ｓ３で合成抵抗Ｒ１４を求めれば良い。これにより、Ｒ１４＝０．３３３Ωとなる。Ｒ１０からの抵抗増加率は、１３２．８７％である。

図１２のような従来の構成のトリミングでは、トリミングを行っていない抵抗体の抵抗値からの抵抗上昇率は、順に、１６．７８％、３９．８６％、７４．８３％、１３２．８７％である。これに対して、図１１のトリミングでは、トリミングを行っていない抵抗体の抵抗値からの抵抗上昇率は、順に、５．７％、１３．５％、２４．４％、４１．３％である。

以上のように、電極間の直線経路の抵抗が大きい方からトリミング溝を形成していくと、トリミング溝の単位長当たりの抵抗増加率が、トリミング溝の深い位置ほど大きくなり、トリミング溝の長さを長くすると、最初の抵抗値に比べて抵抗値を大きくすることができる。しかし、図１２の従来の場合と比較して、抵抗増加率の変化率はかなり小さく抑制されるので、抵抗値を高精度に微調整することができる。

また、本発明の構成では、上記のように、トリミング溝を作製する場合に、トリミング溝の長さに対して、抵抗値がどの程度上昇するかを、あらかじめ予想することが可能である。

次に、図１〜図６に示した構造を２つ組み合わせた構造としたチップ抵抗器の構成例を図７〜図９に示す。図７は、図６の構造を２つ組み合わせた構成例である。電極２３と電極３３は離間し、かつ対向して配置されている。さらに、電極３３と電極５３は離間し、かつ対向して配置されている。

抵抗体４Ａの両端部は、電極２３及び電極３３の端部を覆っており、抵抗体４Ｂの両端部は、電極３３及び電極５３の端部を覆っている。また、抵抗体４Ａの形状は、平行な２辺を有する形状に形成され、抵抗体４Ｂの形状も、平行な２辺を有する形状に形成される。図７の例では、抵抗体４Ａ及び４Ｂともに、平行な２辺を有する形状として長方形に形成されている。また、抵抗体４Ａの平行な２辺は、電極２３から電極３３に渡って形成される。抵抗体４Ｂの平行な２辺は、電極３３から電極５３に渡って形成される。

抵抗体４Ａと抵抗体４Ｂは接続されておらず、分離して配置されている。しかし、電極２３と電極５３の間は、抵抗体４Ａ、電極３３、抵抗体４Ｂを介して電気的に接続される。

電極２３及び電極５３は長方形に、電極３３は平行四辺形に形成されている。ここで、電極２３と電極３３の離間領域に対応する抵抗体４Ａの形状は、短辺４ｃ、辺ｄ１、長辺４ｄ、辺ｄ２で囲まれた台形である。他方、電極３３と電極５３の離間領域に対応する抵抗体４Ｂの形状は、短辺４ｅ、辺ｄ３、長辺４ｆ、辺ｄ４で囲まれた台形である。

ただし、図７からわかるように、短辺４ｃは下側に位置し、短辺４ｅは上側に位置しており、抵抗体４Ａと４Ｂでは、短辺と長辺の位置関係が逆になっている。ここで、電極２３と電極３３の離間領域は、短辺４ｃから長辺４ｄの方向に向かって段階的に電極間の間隔が広がるように構成されている。また、電極３３と電極５３の離間領域は、短辺４ｅから長辺４ｆの方向に向かって段階的に電極間の間隔が広がるように構成されている。すなわち、電極２３と電極３３の間隔が広がる方向と電極３３と電極５３の間隔が広がる方向は相互に逆方向となる。

言い換えれば、電極２３と電極３３との間の直線経路の抵抗値が、抵抗体４Ａの平行な２辺の一方の辺（短辺４ｃが属する辺）から他方の辺（長辺４ｄが属する辺）に向かって段階的に増加するように構成されている。かつ、電極３３と電極５３との間の直線経路の抵抗値が、抵抗体４Ｂの平行な２辺のうち抵抗体４Ａの短辺４ｃが属する辺と同じ側にある辺（長辺４ｆが属する辺）から他方の辺（短辺４ｅが属する辺）に向かって段階的に減少するように構成されている。

図７の抵抗体４Ａ、４Ｂをトリミングする場合は、図のように抵抗体４Ａにはトリミング溝４１Ａを、抵抗体４Ｂにはトリミング溝４１Ｂを作製する。トリミング溝４１Ａとトリミング溝４１Ｂは、同じ方向から切断されて作製される。トリミング溝４１Ｂで大きく抵抗値を上昇させて粗調整を行い、トリミング溝４１Ａで小さく抵抗値を上昇させて微調整を行う。

図８は、図１の構造を２つ組み合わせた構成例である。電極２４と電極３４は離間し、かつ対向して配置されている。さらに、電極３４と電極５４は離間し、かつ対向して配置されている。

抵抗体４Ａの両端部は、電極２４及び電極３４の端部を覆っており、抵抗体４Ｂの両端部は、電極３４及び電極５４の端部を覆っている。また、抵抗体４Ａの形状は、平行な２辺を有する形状に形成され、抵抗体４Ｂの形状も、平行な２辺を有する形状に形成される。図８の例では、抵抗体４Ａ及び４Ｂともに、平行な２辺を有する形状として長方形に形成されている。また、抵抗体４Ａの平行な２辺は、電極２４から電極３４に渡って形成される。抵抗体４Ｂの平行な２辺は、電極３４から電極５４に渡って形成される。

抵抗体４Ａと抵抗体４Ｂは接続されておらず、分離して配置されている。しかし、電極２４と電極５４の間は、抵抗体４Ａ、電極３４、抵抗体４Ｂを介して電気的に接続される。

電極２４、電極３４及び電極５４は台形に形成される。ここで、電極２４と電極３４の離間領域に対応する抵抗体４Ａの形状は等脚台形であり、この台形の短辺が４ｃ、長辺が４ｄである。他方、電極３４と電極５４の離間領域に対応する抵抗体４Ｂの形状は等脚台形であり、この台形の短辺が４ｅ、長辺が４ｆである。このように、短辺４ｃと短辺４ｅが同じ側に位置している。

図８の構造では、電極２４と電極３４の離間領域に対応する抵抗体４Ａにおける台形形状と電極３４と電極５４の離間領域に対応する抵抗体４Ｂにおける台形形状とは、上下の方向が同じである。

図８の抵抗体４Ａ、４Ｂをトリミングする場合は、図のように抵抗体４Ａにはトリミング溝４１Ａを、抵抗体４Ｂにはトリミング溝４１Ｂを作製する。トリミング溝４１Ａとトリミング溝４１Ｂは、相互に反対の方向から切断されて作製される。トリミング溝４１Ｂで大きく抵抗値を上昇させて粗調整を行い、トリミング溝４１Ａで小さく抵抗値を上昇させて微調整を行う。

図９は、図１の構造を２つ組み合わせた構成例である。電極２５と電極３５は離間し、かつ対向して配置されている。さらに、電極３５と電極５５は離間し、かつ対向して配置されている。

抵抗体４Ａの両端部は、電極２５及び電極３５の端部を覆っており、抵抗体４Ｂの両端部は、電極３５及び電極５５の端部を覆っている。また、抵抗体４Ａの形状は、平行な２辺を有する形状に形成され、抵抗体４Ｂの形状も、平行な２辺を有する形状に形成される。図８の例では、抵抗体４Ａ及び４Ｂともに、平行な２辺を有する形状として長方形に形成されている。また、抵抗体４Ａの平行な２辺は、電極２５から電極３５に渡って形成される。抵抗体４Ｂの平行な２辺は、電極３５から電極５５に渡って形成される。

抵抗体４Ａと抵抗体４Ｂは接続されておらず、分離して配置されている。しかし、電極２５と電極５５の間は、抵抗体４Ａ、電極３５、抵抗体４Ｂを介して電気的に接続される。

電極２５及び電極５５は台形に、電極３５は平行四辺形に形成される。ここで、電極２５と電極３５の離間領域に対応する抵抗体４Ａの形状は等脚台形であり、この台形の短辺が４ｃ、長辺が４ｄである。他方、電極３５と電極５５の離間領域に対応する抵抗体４Ｂの形状は等脚台形であり、この台形の短辺が４ｅ、長辺が４ｆである。このように、短辺４ｃと短辺４ｅが反対側に位置している。

図９の構造では、電極２５と電極３５の離間領域に対応する抵抗体４Ａにおける台形形状と電極３５と電極５５の離間領域に対応する抵抗体４Ｂにおける台形形状とは、上下の方向が逆である。

図９の抵抗体４Ａ、４Ｂをトリミングする場合は、図のように抵抗体４Ａにはトリミング溝４１Ａを、抵抗体４Ｂにはトリミング溝４１Ｂを作製する。トリミング溝４１Ａとトリミング溝４１Ｂは、同じ方向から切断されて作製される。トリミング溝４１Ｂで大きく抵抗値を上昇させて粗調整を行い、トリミング溝４１Ａで小さく抵抗値を上昇させて微調整を行う。

１ 絶縁基板
２ 電極
３ 電極
４ 抵抗体
４ａ 短辺
４ｂ 長辺
４１ トリミング溝

Claims (12)

1. 第１の電極と、
   前記第１の電極とは離間し、かつ対向して配置された第２の電極と、
   前記第１の電極から第２の電極に渡って配置された第１の抵抗体とを備え、
   前記第１の電極及び第２の電極が延伸する方向に、前記第１の電極と第２の電極の間隔が段階的に拡大又は狭まる領域を有し、前記第１の電極と第２の電極との間の経路の抵抗値が段階的に増加又は減少する構成を有することを特徴とするチップ抵抗器。
2. 前記第１の電極と第２の電極の離間領域に対応する前記第１の抵抗体の形状は、台形を有することを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
3. 前記第１の電極と第２の電極の間隔の一部は、前記第１の電極及び第２の電極が延伸する方向に段階的に拡大又は狭まるように形成され、残りの部分の間隔は一定であることを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
4. 前記第１の電極及び第２の電極の対向する２辺は前記第１の電極及び第２の電極が延伸する方向にハの字形状に延びて形成され、前記第１の抵抗体は前記第１の電極と第２の電極を結ぶ方向に延びて形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のチップ抵抗器。
5. 前記第１の抵抗体に対して、前記第１の電極及び第２の電極が延伸する方向にトリミング溝が形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のチップ抵抗器。
6. 前記第１の抵抗体を構成する辺のうち、前記第１の電極と第２の電極を結ぶ２辺は、平行であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のチップ抵抗器。
7. 前記第２の電極とは離間し、かつ対向して配置された第３の電極と、
   前記第２の電極から第３の電極に渡って配置された第２の抵抗体とを備え、
   前記第２の電極及び第３の電極が延伸する方向に、前記第２の電極と第３の電極の間隔が段階的に拡大又は狭まる領域を有し、前記第２の電極と第３の電極との間の経路の抵抗値が段階的に増加又は減少する構成を有することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のチップ抵抗器。
8. 前記第１の電極と第２の電極の間隔が前記第１の電極及び第２の電極が延伸する方向に段階的に拡大するように構成し、前記第２の電極と第３の電極の間隔が前記第１の電極及び第２の電極が延伸する方向に段階的に拡大するように構成したことを特徴とする請求項７に記載のチップ抵抗器。
9. 前記第１の電極と第２の電極の間隔が前記第１の電極及び第２の電極が延伸する方向に段階的に拡大するように構成し、前記第２の電極と第３の電極の間隔が前記第１の電極及び第２の電極が延伸する方向に段階的に狭くなるように構成したことを特徴とする請求項７に記載のチップ抵抗器。
10. 前記第１の電極と第２の電極の離間領域に対応する前記第１の抵抗体の形状は台形であり、前記第２の電極と第３の電極の離間領域に対応する前記第２の抵抗体の形状は台形であることを特徴とする請求項８又は請求項９に記載のチップ抵抗器。
11. 前記第１の電極及び第２の電極が延伸する方向に前記第１の抵抗体に形成される第１のトリミング溝と、前記第２の電極及び第３の電極が延伸する方向に前記第２の抵抗体に形成される第２のトリミング溝とは、形成方向が逆方向であることを特徴とする請求項８又は請求項１０に記載のチップ抵抗器。
12. 前記第１の電極及び第２の電極が延伸する方向に前記第１の抵抗体に形成される第１のトリミング溝と、前記第２の電極及び第３の電極が延伸する方向に前記第２の抵抗体に形成される第２のトリミング溝とは、形成方向が同方向であることを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載のチップ抵抗器。

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