JP2013084927A - 電気素子、集積回路、及び電気素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】複雑な形状の電極を有する電気素子、この電気素子を備える集積回路、及び、この電気素子の電極形状を簡単な方法で高精度に形成することができる電気素子の製造方法を提供する。
【解決手段】電気素子は、絶縁基板１、抵抗体４、および１対の電極２２、３２を備えている。電極２２と電極３２は離間し、かつ対向して配置されている。電極２２と電極３２の離間領域は、レーザ照射による切削溝である。
【選択図】図１

Description

本発明は、対向する電極間の距離等により電気的特性が影響を受ける電気素子、集積回路、及び電気素子の製造方法に関する。

従来、対向する電極間の距離や対向する電極が延びる方向の長さ等により電気的特性が影響を受けたり、変動したりする電気素子として、抵抗素子、コンデンサ、ヒューズ、ＥＳＤ（Electro-Static Discharge）サプレッサ等が知られている。

例えば、チップ抵抗器について考察すると以下のようになる。図２０は、従来のチップ抵抗器の一例を示している。同図に示されたチップ抵抗器は、基板６１の一面側に、１対の電極６２・６３および抵抗体６４が形成された構造を有する。基板６１は、絶縁材料からなり、平面視で矩形状である。電極６２・６３は、チップ抵抗器を実装するために用いられるものであり、互いに離間して配置されている。抵抗体６４は、たとえば酸化ルテニウムからなり、１対の電極６２・６３の一部ずつを覆うように形成されている。

１対の電極６２・６３は、一般的に印刷を用いた手法によって形成される。この印刷には、導電材料を含むペーストが用いられる。このペーストを１対の電極６２・６３となるべき形状に印刷する。このペーストを１対の電極となるべき形状に印刷しても、このペーストのダレやにじみなどにより、その縁が局所的にずれることが避けられない。

このため、特許文献１に例示されているように、電極の材料となる導電体層を基板上に形成し、電極の離間領域に対応する部分をダイシングで除去する方法がある。

特開２００８−２１８６２１号公報

しかし、特許文献１に例示されているダイシングを用いる方法では、ダイシングは基本的に直線の切削しかできない。したがって、複雑な形状を有する電極を作製することが困難である。また、ダイシングは、ブレードが減るので、その交換が必要であるが、交換の都度ダイシングブレードの位置の調整が必要であり、生産効率が低下する。

以上のように、電極の形状や電極の離間領域を複雑な形状にした電気素子は提案されていなかった。また、電気素子の電極間距離を精密に作製するとともに、複雑な形状の電極を簡単な方法で高精度に形成する方法が提案されていなかった。

本発明の目的は、複雑な形状の電極を有する電気素子、この電気素子を備える集積回路、及び、この電気素子の電極形状を簡単な方法で高精度に形成することができる電気素子の製造方法を提供することにある。

本発明の一態様によれば、基板と、基板上に対向して配置された電極とを備え、前記対向する電極間の溝は、レーザ照射による切削溝である電気素子が提供される。

本発明の他の態様によれば、上記の電気素子を備える集積回路が提供される。

本発明の他の態様によれば、対向する電極を備えた電気素子の製造方法であって、基板上に前記電極の材料となる導電体層を形成する工程と、前記導電体層にレーザを照射して切削溝を切削開始から切削終了まで連続的に形成し、前記導電体層を２つに分離して前記対向する電極を作製する工程とを有する電気素子の製造方法が提供される。

本発明によれば、複雑な形状の電極を有する電気素子、この電気素子を備える集積回路、及び、この電気素子の電極形状を簡単な方法で高精度に形成することができる電気素子の製造方法を提供することができる。

第１の実施形態に係る電気素子の構造例を示す平面図。 図１に示される電気素子の製造方法を示す図。 対向する電極間の溝が電極の長手方向に沿って形成された第１の実施形態に係る電気素子の抵抗素子構造を示す平面図。 対向する電極間の溝を斜め方向に形成した第１の実施形態に係る電気素子の抵抗素子構造を示す平面図。 対向する電極間の溝の幅と長さにより第１の実施形態に係る電気素子の抵抗値が変動することを説明するための図。 第１の実施形態に係る電気素子の他の構造例を示す平面図。 図６に示される電気素子の製造方法を示す図。 第１の実施形態に係る電気素子の他の構造例を示す平面図。 第１の実施形態に係る電気素子の他の構造例を示す平面図。 対向する電極間の溝が渦巻き状に形成された第１の実施形態に係る電気素子の構造を示す平面図。 第１の実施形態に係る電気素子の模式的断面構造図であって、（ａ）導電体層積層後、（ｂ）レーザ照射後、（ｃ）抵抗体積層後の状態を示す図。 第１の実施形態に係る電気素子の溝の模式的拡大断面構造図。 第１の実施形態に係る電気素子の他の溝の模式的拡大断面構造図。 第１の実施形態に係る電気素子の抵抗体の模式的拡大断面構造図。 第１の実施形態に係る電気素子の他の抵抗体の模式的拡大断面構造図。 第１の実施形態に係る他の電気素子の模式的断面構造図であって、（ａ）導電体層積層後の状態を示す図、（ｂ）レーザ照射後の状態を示す図、（ｃ）抵抗体積層後の状態を示す図。 第１の実施形態に係る電気素子の他の抵抗体を示す平面図。 対向する電極間の溝を斜め方向に形成した第２の実施形態に係る電気素子のコンデンサ構造を示す平面図。 対向する電極間の溝の幅と長さにより第２の実施形態に係る電気素子の容量が変動することを説明するための図。 従来のチップ抵抗器の構造例を示す図。

以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号を付している。図面は模式的なものであり、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。

［第１の実施形態］
第１の実施形態に係る電気素子は、図１に示すように、絶縁基板１と、絶縁基板１上に対向して配置された電極２２・３２とを備える。対向する電極２２・３２間の溝は、レーザ照射による切削溝で形成可能である。

ここで、図１２に示すように、対向する電極２２・３２間の溝７０の両側の縁には、レーザ照射による溶融痕７１・７２を備える。具体的には、対向する電極２２・３２間の溝７０の両側の縁が盛り上がっている。

また、対向する電極２２・３２間の溝７０は、屈曲部と湾曲部の一方又は両方を有する１つの溝７０により形成されていてもよい。

また、対向する電極２２・３２間の溝７０は、屈曲部又は湾曲部を複数有していてもよい。

また、対向する電極２２・３２間の溝７０は、折れ線形状又は曲線形状、あるいは折れ線及び曲線を組み合わせた形状に形成されていてもよい。

また、対向する電極２２・３２間の溝７０は、対向する電極２２・３２の領域内を往復する溝７０を有する形状に形成されていてもよい。

また、対向する電極２２・３２間の溝７０は、渦巻き状に形成されていてもよい。

また、対向する電極２２・３２間の溝７０の幅は、屈曲部の折れ曲がりの前後又は湾曲部の湾曲の前後で一定であってもよい。

また、抵抗体４は、図４に示すように、対向する電極２・３に跨って形成されていてもよい。

また、抵抗体４は、図６に示すように、対向する電極２１・３１間の溝７０を一様に覆うように形成されていてもよい。

また、抵抗体４は、図１７に示すように、対向する電極２１・３１間の溝７０に沿って形成されていてもよい。

（電気素子の構成例）
図１は、第１の実施形態に係る電気素子の構成例を示す平面図である。第１の実施形態では、電気素子としてチップ抵抗器等の抵抗素子を例に説明する。抵抗素子は、絶縁基板１、抵抗体４、および１対の電極２２、３２を備えている。電極２２と電極３２は離間し、かつ対向して配置されている。電極２２と電極３２の離間領域は、曲線状の１本の溝により構成されている。

また、電極２２と電極３２の離間領域を構成する溝は、複数の直線部と複数の屈曲部により構成されている。

絶縁基板１は、例えばＡｌ₂Ｏ₃などの絶縁材料からなり、平面視で略矩形状に形成されている。また、電極２２、電極３２は、例えばＡｇ等の導電体からなる。

抵抗体４は、例えば酸化ルテニウムなどの抵抗体材料からなり、絶縁基板１上に膜状に形成されている。抵抗体４は、チップ抵抗器の抵抗値を決定する部分である。抵抗体４は、電極２２と電極３２の間の溝の大部分を覆っており、抵抗体４の端部は、電極２２又は電極３２上に積層される。抵抗体４は電極２２と電極３２に跨って形成される。

（製造方法の具体例１）
第１の実施形態に係る電気素子の製造方法は、対向する電極２２、３２を備えた電気素子の製造方法であって、絶縁基板１上に電極２２、３２の材料となる導電体層５０を形成する工程と、導電体層５０にレーザを照射して切削溝を切削開始から切削終了まで連続的に形成し、導電体層５０を２つに分離して対向する電極２２、３２を作製する工程とを有する。以下、各工程を更に詳しく説明する。

図２は、図１に示される抵抗素子の製造方法を示す。

まず、図２（ａ）のように、絶縁基板１上に、例えば、Ａｇ等の導電体を含む導電体ペーストを印刷することにより、電極の材料となる帯状の導電体層５０を積層する。次に、導電体層５０の輪郭の１箇所にレーザを照射して切削を開始する。図２では、レーザによる切削開始位置がＰ１又はＰ２で示されている。Ｐ１からレーザによる切削を開始するとＰ２で切削が終了し、Ｐ２からレーザによるレーザによる切削を開始するとＰ１で切削が終了する。切削に用いられるレーザは、ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ等がある。

レーザによる切削をＰ１の位置から始める場合は、切削溝は直線Ｌ１を形成した後、屈曲部Ｃ１で切削方向を変えて直線Ｌ２を形成する。その後、屈曲部Ｃ２で切削方向を変えて直線Ｌ３を形成し、Ｐ２の位置で切削を終了する。このようにして、導電体層５０を電極２２と電極３２に分離する。

この後、例えば抵抗体材料を含む抵抗体ペーストを印刷して、複数の直線部と複数の屈曲部を覆って切削溝の大部分を覆うようする。このように抵抗体４を作製すれば、図１に示される抵抗素子が完成する。

第１の実施形態に係る電気素子の製造方法によれば、複雑な形状の電極間分離溝を作製することができ、電極間距離の絶対寸法を小さく形成する場合であっても、精密に作製することができる。

（抵抗素子の抵抗値）
以上のように、レーザ照射による切削は導電体層５０の開始地点から連続的に行われ、一筆書きのように行われる。このように、導電体層５０の切削溝の長さを長くするために、切削溝を複数の屈曲部と複数の直線部を組み合わせた連続的な折れ線形状に形成している。このような形状とすれば、抵抗素子や抵抗体の大きさを変えることなく、抵抗体の幅を大きく取ることができ、抵抗値を小さくすることができる（例えば、約１ｍｍΩ〜約１Ω）。

また、電極間距離のバラツキは、抵抗値のバラツキに繋がる。また、特に、超小型品や低抵抗品の製造では、電極間の距離を縮める必要があるので、電極間寸法のバラツキにより、電極間が短絡する場合がある。このように、電極間距離の絶対寸法を小さく形成する場合は、特に、精密に作製しなければならない。

しかし、レーザによる切削溝の幅は、一定の幅に形成されるので、電極間距離のバラツキがなく、電極間が短絡することもない。特に、レーザによる切削は、一筆書きのように行われるので、屈曲部の折れ曲がりの前後で溝の幅は一定になる。

抵抗素子の超小型品や低抵抗品の製造では、電極間距離を短くする必要がある。また、電極間距離を小さくすることが限界の場合、さらに低抵抗な抵抗器を実現したい場合には、抵抗体の幅を大きくすることが必要になる。

そこで、例えば、図３のように、絶縁基板１の長手方向に沿って電極６６、６７を形成し、電極６６と電極６７の間の溝も絶縁基板１の長手方向に沿って形成し、この溝の大部分を抵抗体４で覆うことにより、図２０に示される従来のチップ抵抗器よりは抵抗値を小さくした構成がある。

また、図４に示すように、電極材料となる導電体層を斜めに切断して、電極２及び電極３を作製して、対向する電極２、３の延伸方向に沿った抵抗体４の幅を大きくすることができる。この場合、電極２及び電極３は台形形状となっている。

図４に示される抵抗素子を例に取り、図５で説明すると、抵抗素子の抵抗値は以下のように表される。抵抗素子の抵抗値は、電極間距離、抵抗体の幅、抵抗体の厚み等に依存する。電極２と電極３の離間領域を覆う抵抗体４の幅をＷ、電極２と電極３の間の距離をＬ、抵抗体４の膜厚をｔ、抵抗体４の比抵抗をρとすると、電極２と電極３の間の抵抗値Ｒは次式で表される。

抵抗値Ｒ＝（ρ×Ｌ）／（Ｗ×ｔ） （１）

ここで、抵抗素子の超小型品や低抵抗品の製造で、電極間距離を小さくすることが限界の場合、さらに低抵抗な抵抗器を実現したい場合には、対向する電極の延伸方向に沿った抵抗体の幅Ｗを大きくすることが必要になる。

図４のように、斜め方向に電極の離間領域を形成すれば、従来に比べて幅Ｗを大きくすることができ、抵抗値も小さくすることができる。

しかしながら、さらに、低抵抗な抵抗素子が求められる場合がある。このようなときに、直線状に離間領域を作製していたのでは、幅Ｗを増大させることに限度が生じる。そこで、電極間の溝を複数の直線部と複数の屈曲部を組み合わせて折れ線状の溝とし、幅Ｗを大きくしたのが、上記図１である。電極２２と電極３２間の溝が平面視でＺ字状に形成されている。電極２１と電極３１の離間領域の長さが長くなるので、これに対応する抵抗体４の幅Ｗを大きくすることができ、抵抗値Ｒを小さくすることができる。

（電気素子の他の構成例）
さらに、抵抗値を小さくできる抵抗素子の構造例を図６に示す。絶縁基板１、抵抗体４、および１対の電極２１・３１を備えている。電極２１と電極３１は離間し、かつ対向して配置されている。電極２１と電極３１の離間領域は、折れ線状の１本の溝により構成されている。

また、電極２１と電極３１の離間領域を構成する溝は、複数の直線部と複数の屈曲部により構成されている。

抵抗体４は、電極２１と電極３１の間の溝の大部分を覆っており、抵抗体４の端部は、電極２１又は電極３１上に積層される。抵抗体４は電極２１と電極３１に跨って形成される。

（製造方法の具体例２）
図７は、図６に示される抵抗素子の製造方法を示す。まず、図７（ａ）のように、絶縁基板１上に、例えば、Ａｇ等の導電体を含む導電体ペーストを印刷することにより、帯状の導電体層５０を形成する。次に、導電体層５０の輪郭の１箇所にレーザを照射して切削を開始する。

図７（ｂ）でも、図２（ｂ）と同様、レーザによる切削開始位置がＰ１又はＰ２で示されている。Ｐ１からレーザによる切削を開始するとＰ２で切削が終了し、Ｐ２からレーザによるレーザによる切削を開始するとＰ１で切削が終了する。

レーザによる切削をＰ１の位置から始める場合は、切削溝は直線Ｌ４を形成した後、屈曲部Ｃ３で切削方向を変えて直線Ｌ５を形成する。次に、屈曲部Ｃ４で切削方向を変えて直線Ｌ６を形成し、屈曲部Ｃ５で切削方向を変えて直線Ｌ７を形成する。その後、屈曲部Ｃ６で切削方向を変えて直線Ｌ８を形成し、Ｐ２の位置で切削を終了する。このようにして、導電体層５０を電極２１と電極３１に分離する。

この後、例えば抵抗体材料を含む抵抗体ペーストを印刷して、複数の直線部と複数の屈曲部を覆って切削溝の大部分を覆うようする。このように抵抗体４を作製すれば、図６に示される抵抗素子が完成する。

このとき、レーザ照射による切削は導電体層５０の開始地点から連続的に行われ、一筆書きのように行われる。このように、導電体層５０の切削溝の長さを長くするために、切削溝を複数の屈曲部と複数の直線を組み合わせた連続的な折れ線に形成している。屈曲部を持つ形状とすれば、抵抗体の幅を大きく取ることができ、抵抗値を小さくすることができる。特に、直線Ｌ５と直線Ｌ７のように、切削溝が、１対の電極間の領域内を往復する直線経路を有するようにすれば、抵抗値をかなり小さくすることができる。

具体的には、電極２１と電極３１間の溝の一部がＵ字状に形成される。これにより、電極２１と電極３１が対向する離間領域の長さがさらに長くなるので、これに対応する抵抗体４の幅Ｗを大きくすることができ、抵抗値Ｒを小さくすることができる。

（電気素子の他の構成例）
図８は、電気素子の他の構造例を示す平面図である。絶縁基板１、１対の電極２４、３４を備えている。電極２４と電極３４は離間し、かつ対向して配置されている。電極２４と電極３４の離間領域は、折れ線状の１本の溝により構成されている。

また、電極２４と電極３４の離間領域を構成する溝は、２つの直線部と１つの屈曲部により構成されている。

電極２４と電極３４の離間領域を構成する溝は、レーザ照射による切削により形成される。その形成方法は、図２、図７と同様であるので説明を省略する。ここでは、レーザによる切削溝を１つの屈曲部Ｃ７と２つの直線部Ｌ９、Ｌ１０を組み合わせた連続的な折れ線に形成している。このように、少なくとも屈曲部が１つあれば、切削溝の方向を変えることができ、１対の電極間の領域内を有効に利用することができるとともに、切削溝の長さを長くすることができる。

ここで、抵抗素子とする場合は、図８に示される電極２４と電極３４に跨るように抵抗体を形成すれば良い。この場合、抵抗素子や抵抗体の大きさを変えることなく、抵抗体の幅を大きく取ることができ、抵抗値を小さくすることができる。

（電気素子の他の構成例）
図９は、電気素子の他の構造例を示す平面図である。絶縁基板１、１対の電極２５、３５を備えている。電極２５と電極３５は離間し、かつ対向して配置されている。電極２５と電極３５の離間領域は、曲線状の１本の溝により構成されている。

また、電極２５と電極３５の離間領域を構成する溝は、２つの湾曲部により構成されている。

電極２５と電極３５の離間領域を構成する溝は、レーザ照射による切削により形成される。その形成方法は、図２、図７と同様であるので説明を省略する。ここでは、レーザによる切削溝を２つの湾曲部Ｒ１、Ｒ２を組み合わせた連続的な曲線に形成している。図９に示される例では、複数の湾曲部が形成されているが、少なくとも湾曲部が１つあれば、切削溝の方向を変えることができ、１対の電極間の領域内を有効に利用することができるとともに、切削溝の長さを長くすることができる。したがって、抵抗素子とする場合は、抵抗体の幅を大きく取ることができ、抵抗値を小さくすることができる。

また、図８と図９を組み合わせた切削溝としても良い。すなわち、屈曲部及び湾曲部が混在し、折れ線と曲線が組み合わされた形状としても良い。

以上のように、対向する電極を分離する溝を１本の溝で構成し、この溝に屈曲部と湾曲部のいずれか一方又は両方を形成することで、溝の方向を変えることができるので、複雑な形状の電極を作製することができ、１対の電極間の領域内を有効に利用することができる。

（電気素子の他の構成例）
図１０は、電気素子の他の構造例を示す平面図である。絶縁基板１、１対の電極２３、３３を備えている。電極２３と電極３３は離間し、かつ対向して配置されている。電極２３と電極３３の離間領域は、曲線状の１本の溝により構成されている。

また、電極２３と電極３３の離間領域を構成する溝は、複数の直線部と複数の屈曲部により構成されている。具体的には、電極２３と電極３３の間の溝は渦巻き状に形成されている。

図７と同様、レーザによる切削開始位置がＰ１又はＰ２で示されている。Ｐ１からレーザによる切削を開始するとＰ２で切削が終了し、Ｐ２からレーザによるレーザによる切削を開始するとＰ１で切削が終了する。

図示はしていないが、図７（ａ）と同様、Ａｇ等の導電体を含む導電体ペーストを印刷することにより、帯状の導電体層を形成する。レーザによる導電体層の切削をＰ１の位置から始める場合は、直線部の形成と屈曲部の形成とを交互に繰り返して、右回りに切削を行って導電体層の中心部まで進み、導電体層の中心部から直線部の形成と屈曲部の形成とを交互に繰り返して、左回りに切削を行って、導電体層の外側まで進み、Ｐ２の位置で切削を終了する。このようにして、電極２３と電極３３に分離する。

このとき、レーザ照射による切削は導電体層の開始地点から連続的に行われ、一筆書きのように行われる。すなわち、Ｐ１からＰ２まで、又はＰ２からＰ１までレーザにより連続的に切削され、１本の溝となる。

また、外部の電極と接続するための金属配線３３ａが電極３３に、金属配線２３ａが電極２３に接続されている。

図１０の場合は、右回りの切削と左回りの切削により、切削溝が、電極２３、３３間の領域内を往復する直線経路を複数有することになる。このため、抵抗素子として構成する場合は、図１０中に想像線（点線）で示すように、抵抗体４１が形成され、抵抗値をかなり小さくすることができる。

（電気素子の断面構造例）
第１の実施形態に係る電気素子の模式的断面構造は、図１１に示すように表される。

まず、図１１（ａ）に示すように、セラミックなどの絶縁基板１上に、Ａｇなどの導電体を含む導電体ペーストを印刷する。これにより、電極の材料となる帯状の導電体層５０が形成される。次いで、図１１（ｂ）に示すように、導電体層５０にＹＡＧレーザなどのレーザを照射し、導電体層５０を電極２２と電極３２に分離する。最後に、図１１（ｃ）に示すように、電極２２と電極３２を分離する溝７０を覆うように、酸化ルテニウムなどの抵抗体材料からなる抵抗体４が積層される。

（溝の拡大断面構造例）
第１の実施形態に係る電気素子の溝７０の模式的拡大断面構造は、図１２に示すように表される。図１２に示すように、導電体層５０にレーザを照射すると、その照射部分が溶融して盛り上がり、溝７０の両側の縁に溶融痕７１・７２が形成される。溝７０の幅Ｌ１１は、例えば、約２０〜８０μｍである。溝７０の底部では、例えば、約３μｍの深さＬ１２で絶縁基板１が削られている。溝７０の形状や大きさは、レーザの照射条件を変えることで自由に調整することが可能である。

溶融痕７１、７２の形状は、レーザの照射条件により様々である。例えば、図１３に示すように、溝７０の両側の縁において、なだらかに湾曲した溶融痕７１・７２が形成される場合もある。

（抵抗体の拡大断面構造例）
第１の実施形態に係る電気素子の抵抗体４の模式的拡大断面構造は、図１４に示すように表される。図１４に示すように、電極２２と電極３２を分離する溝７０を覆うように、抵抗体４が積層されている。抵抗体４の端部は、電極２２と電極３２に跨って形成されている。

溝７０の形状や大きさは、レーザの照射条件により様々である。例えば、図１５に示すように、溝７０の幅が広く、溝７０の底部が平坦になっている場合がある。この場合は、図１５に示すように、抵抗体４の中央部も溝７０と同様に平坦になる。また、溝７０の両側の縁が溶融痕７１、７２により盛り上がっているため、その上に積層された抵抗体４の端部も同様に盛り上がっている。

（ＬＳＩ）
第１の実施形態に係る電気素子は、単体の電気素子だけでなく、ＬＳＩなどの集積回路上の電気素子にも適用することができる。例えば、ＬＳＩ上に抵抗素子を形成する場合の模式的断面構造は、図１６に示すように表される。

まず、図１６（ａ）に示すように、シリコン基板１ａ上にＳｉＯ₂などの絶縁膜１ｂが形成されている。絶縁膜１ｂ上に導電体ペーストを印刷すると、導電体層５０が形成される。次いで、図１６（ｂ）に示すように、導電体層５０にレーザを照射し、導電体層５０を電極２２と電極３２に分離する。溝７０の底部では、絶縁膜１ｂが削られている。最後に、図１６（ｃ）に示すように、電極２２と電極３２を分離する溝７０を覆うように、抵抗体４を積層する。

これにより、ＬＳＩ上に複雑な形状の抵抗素子を容易に形成することができる。抵抗素子を形成する位置は、ＬＳＩ上の任意の位置でよく、適宜変更することが可能である。

（抵抗体の他の形成方法）
図６では、電極２１・３１間の溝の全面を一様に覆うように抵抗体４を形成する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、図１７に示すように、電極２１・３１間の溝に沿って抵抗体４を形成してもよい。いずれの形成方法でも、抵抗体４の幅Ｗ、電極２１と電極３１の間の距離Ｌ、抵抗体４の膜厚ｔ、抵抗体４の比抵抗ρが同じであれば、抵抗値Ｒも同じである。抵抗体４のサイズなどに応じて、形成しやすい方法を適宜選択すればよい。

以上説明したように、本実施の形態によれば、複雑な形状の電極を有する抵抗素子、この抵抗素子を備える集積回路、及び、この抵抗素子の電極形状を簡単な方法で高精度に形成することができる抵抗素子の製造方法を提供することができる。レーザで溝を形成すれば、抵抗素子の抵抗値に影響する抵抗体４の幅Ｗを自由な形に形成することができるので、抵抗素子の抵抗値を自由に調整することが可能である。

なお、ここでは、屈曲部や湾曲部を有する溝を例示して説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、導電体層５０にレーザを照射して、直線部のみからなる溝を形成することができるのは言うまでもない。

［第２の実施形態］
第２の実施形態では、電気素子としてコンデンサを例に説明する。以下、第２の実施形態を第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。

（電気素子の構成例）
図１８は、第２の実施形態に係る電気素子の構成例を示す平面図である。本実施形態では、抵抗体４に代えて、誘電体４ａを積層している。すなわち、第１の実施形態と同様の手順で電極２と電極３を分離する溝を形成し、図１８に示すように、対向する電極２、３に跨って誘電体４ａを形成することで、コンデンサを形成することができる。

第１の実施形態と同様、対向する電極２、３間の溝の全面を一様に覆うように誘電体４ａが形成されていてもよい（図６参照）。また、対向する電極２、３間の溝に沿って誘電体４ａが形成されていてもよい（図１７参照）。

（コンデンサの容量）
次に、第２の実施形態に係る電気素子（コンデンサ）の容量について説明する。すなわち、図１９に示すように、誘電体４ａの幅をＷａ、電極２と電極３の間の距離をＬとすると、コンデンサの容量Ｃ＝α（Ｗａ／Ｌ）になる。そのため、誘電体４ａの幅をＷａを大きくし、電極２と電極３の間の距離Ｌを小さくすれば、高容量のコンデンサを実現することが可能である。

（電気素子の他の構成例）
第２の実施形態に係る電気素子でも、第１の実施形態で説明した他の構成例（図６、図８、図９等に示される構成例）を採用することができる。すなわち、抵抗体４に代えて誘電体４ａを積層する点を除けば、第１の実施形態と基本的に同じである。

図１０に示される構成例を採用した場合は、右回りの切削と左回りの切削により、切削溝が、電極２３、３３間の領域内を往復する直線経路を複数有することになる。このため、コンデンサとして構成する場合には、電極の対向領域を広く取ることができるので、容量を大きくすることができる。

以上説明したように、本実施の形態によれば、複雑な形状の電極を有するコンデンサ、このコンデンサを備える集積回路、及び、このコンデンサの電極形状を簡単な方法で高精度に形成することができるコンデンサの製造方法を提供することができる。レーザで溝を形成すれば、コンデンサの容量に影響する誘電体４ａの幅Ｗａを自由な形に形成することができるので、コンデンサの容量を自由に調整することが可能である。

以上説明したように、本実施の形態によれば、複雑な形状の電極を有する電気素子、この電気素子を備える集積回路、及び、この電気素子の電極形状を簡単な方法で高精度に形成することができる電気素子の製造方法を提供することができる。

[その他の実施の形態]
上記のように、本発明は第１〜第２の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。

このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態などを含む。例えば、抵抗体４に代えてＥＳＤサプレッサ用の材料を積層する構成にすれば、ＥＳＤサプレッサを製造することができる。

本発明に係る電気素子は、抵抗素子、コンデンサ、ＥＳＤサプレッサ等、対向する電極間の距離や対向する電極が延びる方向の長さ等により電気的特性が影響を受けたり、変動したりする電気素子に適用することができる。

１…絶縁基板
２、３…電極
４…抵抗体
４ａ…誘電体
２１、３１…電極
２２、３２…電極
２３、３３…電極
５０…導電体層
７１、７２…溶融痕

Claims (17)

1. 基板と、
   基板上に対向して配置された電極と
   を備え、
   前記対向する電極間の溝は、レーザ照射による切削溝であることを特徴とする電気素子。
2. 前記対向する電極間の溝の両側の縁に前記レーザ照射による溶融痕を備えることを特徴とする請求項１に記載の電気素子。
3. 前記対向する電極間の溝の両側の縁が盛り上がっていることを特徴とする請求項２に記載の電気素子。
4. 前記対向する電極間の溝は、屈曲部と湾曲部の一方又は両方を有する１つの溝により形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電気素子。
5. 前記対向する電極間の溝は、前記屈曲部又は湾曲部を複数有していることを特徴とする請求項４に記載の電気素子。
6. 前記対向する電極間の溝は、折れ線形状又は曲線形状、あるいは折れ線及び曲線を組み合わせた形状に形成されていることを特徴とする請求項４又は５に記載の電気素子。
7. 前記対向する電極間の溝は、前記対向する電極の領域内を往復する溝を有する形状に形成されていることを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の電気素子。
8. 前記対向する電極間の溝は、渦巻き状に形成されていることを特徴とする請求項７に記載の電気素子。
9. 前記対向する電極間の溝の幅は、前記屈曲部の折れ曲がりの前後又は前記湾曲部の湾曲の前後で一定であることを特徴とする請求項４〜８のいずれか１項に記載の電気素子。
10. 前記対向する電極に跨って配置された抵抗体を備えることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の電気素子。
11. 前記抵抗体は、前記対向する電極間の溝を一様に覆うように形成されることを特徴とする請求項１０に記載の電気素子。
12. 前記抵抗体は、前記対向する電極間の溝に沿って形成されることを特徴とする請求項１０に記載の電気素子。
13. 前記対向する電極に跨って配置された誘電体を備えることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の電気素子。
14. 前記誘電体は、前記対向する電極間の溝を一様に覆うように形成されることを特徴とする請求項１３に記載の電気素子。
15. 前記誘電体は、前記対向する電極間の溝に沿って形成されることを特徴とする請求項１３に記載の電気素子。
16. 請求項１〜１５のいずれか１項に記載の電気素子を備えることを特徴とする集積回路。
17. 対向する電極を備えた電気素子の製造方法であって、
    基板上に前記電極の材料となる導電体層を形成する工程と、
    前記導電体層にレーザを照射して切削溝を切削開始から切削終了まで連続的に形成し、前記導電体層を２つに分離して前記対向する電極を作製する工程と
    を有することを特徴とする電気素子の製造方法。

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