JP6398998B2 - コンデンサ - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 82
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 126
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 126
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 14
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 11
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910010282 TiON Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 43
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 10
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 10
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- -1 AuSn Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 229910004129 HfSiO Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002711 AuNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015801 BaSrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003336 CuNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000737 Duralumin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006501 ZrSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0032—Processes of manufacture formation of the dielectric layer
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- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
- H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
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- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
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- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
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- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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Description
多孔金属基材と、
前記多孔金属基材上に形成された誘電体層と、
前記誘電体層上に形成された上部電極と、
前記多孔金属基材に電気的に接続された第1端子電極と、
前記上部電極と電気的に接続された第2端子電極と
を有して成るコンデンサであって、多孔金属基材は、高空隙率部および低空隙率部を有し、低空隙率部は、多孔金属基材の対向する一対の側面部に存在することを特徴とするコンデンサが提供される。
高空隙率部および低空隙率部を有する多孔金属基材を準備する工程と、
前記多孔金属基材上に誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層上に上部電極を形成する工程と、
前記多孔金属基材に電気的に接続するように第1端子電極を形成する工程と、
前記上部電極と電気的に接続するように第2端子電極を形成する工程と
を含むことを特徴とするコンデンサの製造方法が提供される。
空隙率 = (測定面積−基材の金属が存在する面積)/測定面積
多孔金属基材として厚み110μm、拡面率約400倍の市販のアルミ電解コンデンサ用アルミニウムエッチング箔を準備した(図3(a))。このアルミニウムエッチング箔を、縦1.0mm×横0.5mmの間隔で、約100μmの幅で箔の上下からプレスして、低空隙率部を形成した(図3(b))。
多孔金属基材として厚み110μm、拡面率約400倍の市販のアルミ電解コンデンサ用アルミニウムエッチング箔を準備し、このアルミニウムエッチング箔に、YVO4レーザー(レーザー出力:10W、加工速度:100mm/秒)を照射して孔を潰すことにより、低空隙率部を形成したこと以外は、実施例1と同様にして、実施例2のコンデンサを作製した。
2…高空隙率部
4…低空隙率部
6…多孔金属基材
8…誘電体層
10…上部電極
12…配線電極
14…保護膜
16…第1端子電極
18…第2端子電極
20…切断箇所
22…マスク
24…低空隙率部
26…低空隙率部
28…低空隙率部
Claims (10)
- 多孔金属基材と、
前記多孔金属基材上に形成された誘電体層と、
前記誘電体層上に、誘電体層と接するように形成された上部電極と、
前記多孔金属基材に電気的に接続された第1端子電極と、
前記上部電極と電気的に接続された第2端子電極と
を有して成るコンデンサであって、多孔金属基材は、高空隙率部および低空隙率部を有し、低空隙率部は、多孔金属基材の対向する一対の側面部に存在し、
前記上部電極を構成する材料は、Ni、Cu、Al、W、Ti、Ag、Au、Pt、Zn、Sn、Pb、Fe、Cr、Mo、Ru、Pd、Taおよびそれらの合金、ならびにTiN、TiAlN、TiON、TiAlONおよびTaNから選択される窒化金属から選択され、
前記第1端子電極および前記第2端子電極が、前記多孔金属基材の低空隙率部が存在する対向する一対の側面に位置し、それぞれ、多孔金属基材の側面から上下面の低空隙率部上まで延在するように形成されていることを特徴とする、コンデンサ。 - さらに、別の低空隙率部が、多孔金属基材の対向する一対の側面部に存在する低空隙率部の間に形成されていることを特徴とする、請求項1に記載のコンデンサ。
- 多孔金属基材の対向する一対の側面部に存在する低空隙率部の間に形成されている別の低空隙率部が、多孔金属基材の対向する一対の側面部に存在する低空隙率部を連結するように形成されていることを特徴とする、請求項2に記載のコンデンサ。
- 多孔金属基材の対向する一対の側面部に存在する低空隙率部の間に形成されている別の低空隙率部が、多孔金属基材の対向する一対の側面部に存在する低空隙率部とは離隔し、多孔金属基材の上面から下面に亘って形成されていることを特徴とする、請求項2に記載のコンデンサ。
- さらに、少なくとも1つの低空隙率部が、多孔金属基材の上面部の一部に形成され、上面部に形成された該低空隙率部上に、第1端子電極および/または第2端子電極が形成されていることを特徴とする、請求項1に記載のコンデンサ。
- 高空隙率部および低空隙率部を有する多孔金属基材を準備する工程と、
前記多孔金属基材上に誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層上に、誘電体層と接するように上部電極を形成する工程と、
前記多孔金属基材に電気的に接続するように第1端子電極を形成する工程と、
前記上部電極と電気的に接続するように第2端子電極を形成する工程と
を含み、
前記上部電極を構成する材料は、Ni、Cu、Al、W、Ti、Ag、Au、Pt、Zn、Sn、Pb、Fe、Cr、Mo、Ru、Pd、Taおよびそれらの合金、ならびにTiN、TiAlN、TiON、TiAlONおよびTaNから選択される窒化金属から選択され、
前記第1端子電極および前記第2端子電極が、前記多孔金属基材の低空隙率部が存在する対向する一対の側面に位置し、それぞれ、多孔金属基材の側面から上下面の低空隙率部上まで延在するように形成されていることを特徴とするコンデンサの製造方法。 - 誘電体層を原子層堆積法により形成することを特徴とする、請求項6に記載のコンデンサの製造方法。
- 上部電極を原子層堆積法により形成することを特徴とする、請求項6または7に記載のコンデンサの製造方法。
- 多孔金属基材の低空隙率部をプレスにより形成することを含む、請求項6〜8のいずれかに記載のコンデンサの製造方法。
- 多孔金属基材の低空隙率部をレーザーにより形成することを含む、請求項6〜8のいずれかに記載のコンデンサの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014022623 | 2014-02-07 | ||
JP2014022623 | 2014-02-07 | ||
PCT/JP2015/050524 WO2015118901A1 (ja) | 2014-02-07 | 2015-01-09 | コンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015118901A1 JPWO2015118901A1 (ja) | 2017-03-23 |
JP6398998B2 true JP6398998B2 (ja) | 2018-10-03 |
Family
ID=53777709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015560902A Active JP6398998B2 (ja) | 2014-02-07 | 2015-01-09 | コンデンサ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10186383B2 (ja) |
EP (1) | EP3104382B1 (ja) |
JP (1) | JP6398998B2 (ja) |
KR (1) | KR101887793B1 (ja) |
CN (1) | CN105960692B (ja) |
TW (1) | TWI607463B (ja) |
WO (1) | WO2015118901A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017014020A1 (ja) | 2015-07-23 | 2017-01-26 | 株式会社村田製作所 | コンデンサおよびその製造方法 |
WO2017026295A1 (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 株式会社村田製作所 | コンデンサ |
JPWO2017026294A1 (ja) * | 2015-08-07 | 2018-05-24 | 株式会社村田製作所 | コンデンサ、及び該コンデンサの製造方法 |
CN107851515B (zh) * | 2015-08-12 | 2019-09-24 | 株式会社村田制作所 | 电容器及其制造方法 |
JPWO2017145700A1 (ja) * | 2016-02-23 | 2018-11-22 | 株式会社村田製作所 | コンデンサ |
CN108701548B (zh) | 2016-03-10 | 2021-01-05 | 松下知识产权经营株式会社 | 电极箔的制造方法和电解电容器的制造方法 |
TWI653715B (zh) * | 2016-05-13 | 2019-03-11 | 日商村田製作所股份有限公司 | 晶圓級封裝及電容器 |
WO2018021115A1 (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 株式会社村田製作所 | コンデンサ、及び該コンデンサの製造方法 |
JP6747512B2 (ja) * | 2016-10-06 | 2020-08-26 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ |
CN109804445B (zh) * | 2016-10-06 | 2021-07-02 | 株式会社村田制作所 | 固体电解电容器 |
JP6583220B2 (ja) * | 2016-11-15 | 2019-10-02 | 株式会社村田製作所 | コンデンサ及びコンデンサの製造方法 |
JPWO2018092722A1 (ja) | 2016-11-16 | 2019-08-08 | 株式会社村田製作所 | コンデンサ及びコンデンサの実装構造 |
TWI698892B (zh) * | 2017-03-24 | 2020-07-11 | 日商村田製作所股份有限公司 | 電容器 |
US10607788B2 (en) | 2017-09-29 | 2020-03-31 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Aerogel capacitor and method for manufacturing the same |
KR102551299B1 (ko) * | 2017-11-21 | 2023-07-03 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 |
US10726996B2 (en) * | 2017-11-21 | 2020-07-28 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and method of manufacturing the same |
JP7340817B2 (ja) * | 2018-02-28 | 2023-09-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電解コンデンサおよびその製造方法 |
WO2022004014A1 (ja) | 2020-06-29 | 2022-01-06 | Tdk株式会社 | 薄膜キャパシタ及びこれを備える電子回路基板 |
JPWO2023100888A1 (ja) * | 2021-11-30 | 2023-06-08 |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3855505A (en) * | 1972-04-03 | 1974-12-17 | Nat Components Ind Inc | Solid electrolyte capacitor |
JPS4968256A (ja) * | 1972-11-06 | 1974-07-02 | ||
US3828227A (en) * | 1973-04-09 | 1974-08-06 | Sprague Electric Co | Solid tantalum capacitor with end cap terminals |
JPH01113328U (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-31 | ||
US5036434A (en) * | 1988-12-15 | 1991-07-30 | Nec Corporation | Chip-type solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same |
JP3294362B2 (ja) * | 1993-02-26 | 2002-06-24 | ローム株式会社 | 固体電解コンデンサーの構造及び固体電解コンデンサーの製造方法 |
JP3459146B2 (ja) * | 1995-09-06 | 2003-10-20 | マルコン電子株式会社 | 固体電解コンデンサ用焼結体及びその製造方法 |
JPH1050564A (ja) * | 1996-08-05 | 1998-02-20 | Marcon Electron Co Ltd | タンタルコンデンサ素子の製造方法 |
US5922215A (en) * | 1996-10-15 | 1999-07-13 | Pacesetter, Inc. | Method for making anode foil for layered electrolytic capacitor and capacitor made therewith |
JP3644251B2 (ja) * | 1998-05-25 | 2005-04-27 | 株式会社豊田中央研究所 | コンデンサーの製造方法 |
US5968210A (en) * | 1997-11-12 | 1999-10-19 | Pacesetter, Inc. | Electrolytic capacitor and method of manufacture |
JP4430440B2 (ja) * | 2004-03-23 | 2010-03-10 | ニチコン株式会社 | 固体電解コンデンサ用陽極体の製造方法 |
EP1774548A1 (en) * | 2004-07-23 | 2007-04-18 | Sundew Technologies, LLP | Capacitors with high energy storage density and low esr |
JP2006080266A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Nichicon Corp | 固体電解コンデンサ素子およびその製造方法 |
JP4177322B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2008-11-05 | ローム株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
US7848083B2 (en) * | 2005-06-23 | 2010-12-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing same |
FR2897467B1 (fr) * | 2006-02-15 | 2009-04-03 | St Microelectronics Crolles 2 | Condensateur mim |
US8746013B2 (en) | 2007-03-30 | 2014-06-10 | Corning Incorporated | Three dimensional micro-fabricated burners |
JP4999083B2 (ja) * | 2007-06-05 | 2012-08-15 | Necトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサ |
WO2009028183A1 (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Panasonic Corporation | 固体電解コンデンサ |
JP4794521B2 (ja) | 2007-08-29 | 2011-10-19 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
WO2010093761A1 (en) * | 2009-02-12 | 2010-08-19 | Anocap, Llc | Sintered and nanopore electric capacitor, electrochemical capacitor and battery and method of making the same |
JP2011165683A (ja) * | 2008-04-16 | 2011-08-25 | Nec Corp | キャパシタ |
KR101009850B1 (ko) * | 2008-06-17 | 2011-01-19 | 삼성전기주식회사 | 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법 |
JP2010165701A (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Rohm Co Ltd | 固体電界コンデンサ素子およびその製造方法 |
JP5294900B2 (ja) * | 2009-01-23 | 2013-09-18 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
JPWO2010125778A1 (ja) * | 2009-04-28 | 2012-10-25 | 三洋電機株式会社 | コンデンサ用電極体、コンデンサ用電極体の製造方法、コンデンサ、およびコンデンサの製造方法 |
JP5454887B2 (ja) * | 2009-10-16 | 2014-03-26 | 学校法人 日本歯科大学 | 歯冠修復物の製造方法 |
JP2011192947A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-09-29 | Hitachi Cable Ltd | 焼結層の製造方法及び構造体 |
JP2011228224A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-11-10 | Sony Corp | 透明電極基板および光電変換素子 |
KR101412827B1 (ko) * | 2010-11-12 | 2014-06-30 | 삼성전기주식회사 | 콘덴서 소자, 고체 전해 콘덴서, 및 그 제조방법 |
JP5636291B2 (ja) | 2011-01-13 | 2014-12-03 | 三井金属鉱業株式会社 | 補強された多孔質金属箔およびその製造方法 |
JP5665618B2 (ja) * | 2011-03-17 | 2015-02-04 | 太陽誘電株式会社 | コンデンサ構成用ユニット及びコンデンサ |
CN103430261B (zh) * | 2011-04-20 | 2016-08-17 | 株式会社村田制作所 | 固体电解电容器的制造方法以及固体电解电容器 |
JP2013201318A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Taiyo Yuden Co Ltd | ポーラスコンデンサ |
US9865400B2 (en) * | 2015-07-15 | 2018-01-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Capacitor |
-
2015
- 2015-01-09 WO PCT/JP2015/050524 patent/WO2015118901A1/ja active Application Filing
- 2015-01-09 JP JP2015560902A patent/JP6398998B2/ja active Active
- 2015-01-09 EP EP15746949.5A patent/EP3104382B1/en active Active
- 2015-01-09 KR KR1020167020911A patent/KR101887793B1/ko active IP Right Grant
- 2015-01-09 CN CN201580006911.8A patent/CN105960692B/zh active Active
- 2015-01-29 TW TW104103066A patent/TWI607463B/zh active
-
2016
- 2016-07-19 US US15/213,684 patent/US10186383B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI607463B (zh) | 2017-12-01 |
KR101887793B1 (ko) | 2018-08-10 |
JPWO2015118901A1 (ja) | 2017-03-23 |
CN105960692A (zh) | 2016-09-21 |
EP3104382A4 (en) | 2017-07-05 |
TW201535446A (zh) | 2015-09-16 |
EP3104382B1 (en) | 2019-07-31 |
EP3104382A1 (en) | 2016-12-14 |
US10186383B2 (en) | 2019-01-22 |
US20160329158A1 (en) | 2016-11-10 |
WO2015118901A1 (ja) | 2015-08-13 |
CN105960692B (zh) | 2019-01-15 |
KR20160104693A (ko) | 2016-09-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170829 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20171024 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180605 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180704 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180807 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180820 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6398998 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |