JP7007470B2 - 電気コネクタ、移動端末および電気コネクタの製造方法 - Google Patents
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Description
第1のキャリアおよび第1のキャリアに接続された少なくとも1つの第1の導電性端子を提供し、第1の導電性端子を電気めっきして第1の電気めっき層を形成するステップであって、第1のキャリアおよび第1の導電性端子は単一の導電板(例えば、銅板)から打ち抜かれてもよく、第1のキャリアは、電気めっきを受ける全ての第1の導電性端子を担持しており、第1の導電性端子上に第1の電気めっき層を形成する、ステップと、
第2のキャリアおよび第2のキャリアに接続された少なくとも1つの第2の導電性端子を提供し、第2の導電性端子を電気めっきして第2の電気めっき層を形成するステップであって、第2の電気めっき層の材料は第1の電気めっき層の材料と異なり、第2のキャリアおよび第2の導電性端子は単一の導電板(例えば、銅板)から打ち抜かれてもよく、第2のキャリアは、電気めっきを受ける全ての第2の導電性端子を担持しており、第2の導電性端子上に第2の電気めっき層を形成し、電気コネクタの第2の電気めっき層の材料は、第2の電気めっき層の材料と異なるため、第1の導電性端子および第2の導電性端子は異なる耐腐食性の性能を有している、ステップと、
第1の導電性端子および第2の導電性端子が同じ平面内に一列に間隔を空けて配置され、第1の端子アセンブリを形成するように、第1のキャリアおよび第2のキャリアを積層するステップであって、第2のキャリアと第1のキャリアの整列を迅速に実施し、積層の間の積層精度を改善するために、同じ構造設計が第2のキャリアおよび第1のキャリアに対して使用される、ステップと、
インサート成形方式で第1の端子アセンブリ上に第1の支持部を形成するステップであって、第1の支持部は第1の導電性端子および第2の導電性端子に固定および接続され、絶縁材料が第1の支持部に対して使用される、ステップとを含む。
電気めっきを実行して、第1の導電性端子の外面上に銅めっき層を形成するステップであって、銅めっき層の厚さは1μmから3μmの範囲である、ステップと、
電気めっきを実行して、銅めっき層上にウォルフラム-ニッケルめっき層を形成するステップであって、ウォルフラム-ニッケルめっき層の厚さは0.75μmから3μmの範囲である、ステップと、
電気めっきを実行して、ウォルフラム-ニッケルめっき層上に金めっき層を形成するステップであって、金めっき層の厚さは0.05μmから0.5μmの範囲である、ステップと、
電気めっきを実行して、金めっき層上にパラジウムめっき層を形成するステップであって、パラジウムめっき層の厚さは0.5μmから2μmの範囲であるステップと、
電気めっきを実行して、パラジウムめっき層上にロジウム-ルテニウムめっき層を形成するステップであって、ロジウム-ルテニウムめっき層の厚さは0.25μmから2μmの範囲である、ステップとを含む。
第1の導電性端子の外面をすすぐステップであって、この場合において、第1の導電性端子の外面は、後続の技術の清浄度要件を満たすように比較的高度な清浄度を有している、ステップと、
第1の導電性端子の外面上の酸化膜を活性化するステップとを含む。
ロジウム-ルテニウムめっき層をすすぎ、空気乾燥して、第1の電気めっき層を形成するステップを含む。
電気めっきを実行して、第2の導電性端子の外面上にニッケルめっき層を形成するステップであって、ニッケルめっき層の厚さは約2.0μmであり、ニッケルめっき層が電気めっきを通して形成される前に、第2の導電性端子の外面がすすがれ、第2の導電性端子の外面上の酸化膜が活性化される、ステップと、
第2の電気めっき層を形成するために、電気めっきを実行して、ニッケルめっき層上に金めっき層を形成するステップであって、金めっき層の厚さは約0.076μmであり、金めっき層が形成された後で、金めっき層はすすがれ、空気乾燥される金めっき層を形成するステップとを含む。
第1の支持部が形成された後で、第1のキャリアおよび第2のキャリアを切除して、電気コネクタを形成するステップをさらに含む。
第3のキャリアおよび第3のキャリアに接続された少なくとも1つの第3の導電性端子を提供し、第3の導電性端子を電気めっきして第3の電気めっき層を形成するステップであって、第3のキャリアおよび第3の導電性端子は単一の導電板(例えば、銅板)から打ち抜かれてもよく、第3のキャリアは、電気めっきを受ける全ての第3の導電性端子を担持しており、第3の導電性端子上に第3の電気めっき層を形成する、ステップと、
第4のキャリアおよび第4のキャリアに接続された少なくとも1つの第4の導電性端子を提供し、第4の導電性端子を電気めっきして第4の電気めっき層を形成するステップであって、第4の電気めっき層の材料は第3の電気めっき層の材料と異なり、第4のキャリアおよび第4の導電性端子は単一の導電板(例えば、銅板)から打ち抜かれてもよく、第4のキャリアは、電気めっきを受ける全ての第4の導電性端子を担持しており、第4の導電性端子上に第4の電気めっき層を形成し、電気コネクタの第4の電気めっき層の材料は、第3の電気めっき層の材料と異なるため、第4の導電性端子および第3の導電性端子は異なる耐腐食性の性能を有している、ステップと、
第3の導電性端子および第4の導電性端子が同じ平面内に一列に間隔を空けて配置されて第2の端子アセンブリを形成するように、第3のキャリアおよび第4のキャリアを積層するステップであって、第4のキャリアおよび第3のキャリアに対して同じ構造設計が使用されて、第4のキャリアおよび第3のキャリアの整列を迅速に実施し、積層の間の積層精度を改善する、ステップと、
インサート成形方式で第2の端子アセンブリ上に第2の支持部を形成するステップであって、第2の支持部は第3の導電性端子および第4の導電性端子に固定および接続され、絶縁材料が第2の支持部に対して使用される、ステップと、
第1の端子アセンブリおよび第2の端子アセンブリが背中合わせに配置されるように、第1の支持部および第2の支持部を組み立てるステップであって、第1の支持部および第2の支持部は、第1の端子アセンブリおよび第2の端子アセンブリが互いに絶縁することを可能にしている、ステップとをさらに含む。
第1の支持部、ミッドプレートおよび第2の支持部を順次に積層するステップと、
第1の支持部、ミッドプレートおよび第2の支持部をインサート成形方式で互いに固定するステップとを含む。
ラッチを提供するステップであって、ラッチは、電気コネクタに対応する嵌合コネクタに嵌め込むように構成されている、ステップと、
第1の支持部および第2の支持部をラッチの2つの反対側に別々に配置することにより、第1の支持部を第2の支持部に嵌め込むステップであって、第1の支持部は第2の支持部に嵌め込まれる場合、例えば、突起が第1の支持部上に設けられ、溝が第2の支持部上に設けられ、突起はラッチを通過して溝に嵌合し、相互固定を実装する。
第1のキャリア、第2のキャリア、第3のキャリアおよび第4のキャリアを切除して、電気コネクタを形成するステップをさらに含む。
第1のキャリア、第2のキャリア、第3のキャリアおよび第4のキャリアを切除するステップをさらに含む。
第1のキャリア10、第2のキャリア20、第3のキャリア30および第4のキャリア40を切除するステップを含む。
2 第2の導電性端子
3 第3の導電性端子
4 第4の導電性端子
5 第1の支持部
6 第2の支持部
7 ラッチ
8 中間板
9 送り機構のピン
10 第1のキャリア
11 第1の電気めっき層
12 第1のサブキャリア
20 第2のキャリア
21 第2の電気めっき層
22 第2のサブキャリア
30 第3のキャリア
31 第3電気めっき層
40 第4のキャリア
41 第4の電気めっき層
100 電気コネクタ
101 第1のローカル部
102 第1の接続部
103 第1の位置決め穴
111 銅めっき層
112 ウォルフラム-ニッケルめっき層
113 金めっき層
114 パラジウムめっき層
115 ロジウム-ルテニウムめっき層
200 移動端末
201 第2のローカル部
202 第2の接続部
203 位置決め穴
211 ニッケルめっき層
212 金めっき層
300 データライン
303 位置決め穴
403 位置決め穴
Claims (17)
- 少なくとも1つの第1の導電性端子および少なくとも1つの第2の導電性端子を含む、ユニバーサル シリアル バス(USB)のインターフェイスであって、第1の電気めっき層が前記第1の導電性端子の外面上に配置され、第2の電気めっき層が前記第2の導電性端子の外面上に配置され、前記第2の電気めっき層の材料は、前記第1の電気めっき層の材料と異なり、
前記第1の導電性端子のオン電位は、前記第2の導電性端子のオン電位より高く、前記第1の電気めっき層の耐腐食性は、前記第2の電気めっき層の耐腐食性より高く、
前記第1の導電性端子は、VBUSピン、CCピンまたはSBUピンであり、
前記第1の電気めっき層は、ロジウム、ルテニウムおよびパラジウムの少なくとも1つを含み、前記第2の電気めっき層は、ロジウム、ルテニウムおよびパラジウムを含まない、USBのインターフェイス。 - 前記第1の電気めっき層は、ロジウム-ルテニウム合金材料を有している、請求項1に記載のUSBのインターフェイス。
- 前記第1の電気めっき層は、前記第1の導電性端子の前記外面上に順次に積層される、銅めっき層、ウォルフラム-ニッケルめっき層、金めっき層、パラジウムめっき層およびロジウム-ルテニウムめっき層を含む、請求項2に記載のUSBのインターフェイス。
- 前記ロジウム-ルテニウムめっき層の厚さは、0.25μmから2μmの範囲である、請求項3に記載のUSBのインターフェイス。
- 前記第2の電気めっき層は、積層方式で配置される、ニッケルめっき層および金めっき層を含む、請求項1から4のいずれか一項に記載のUSBのインターフェイス。
- 前記USBのインターフェイスは、USBの雌ソケットまたはUSBの雄コネクタである、請求項1から4のいずれか一項に記載のUSBのインターフェイス。
- 前記USBのインターフェイスは、USB Type-Cのインターフェイスである、請求項1から4のいずれか一項に記載のUSBのインターフェイス。
- 移動端末であって、
前記移動端末は、ユニバーサル シリアル バス(USB)のインターフェイスを含み、
前記USBのインターフェイスは、少なくとも1つの第1の導電性端子および少なくとも1つの第2の導電性端子を含み、第1の電気めっき層が前記第1の導電性端子の外面上に配置され、第2の電気めっき層が前記第2の導電性端子の外面上に配置され、前記第2の電気めっき層の材料は、前記第1の電気めっき層の材料と異なり、
前記第1の導電性端子のオン電位は前記第2の導電性端子のオン電位より高く、前記第1の電気めっき層の耐腐食性は前記第2の電気めっき層の耐腐食性より高く、
前記第1の導電性端子は、VBUSピン、CCピンまたはSBUピンであり、
前記第1の電気めっき層は、ロジウム、ルテニウムおよびパラジウムの少なくとも1つを含み、前記第2の電気めっき層は、ロジウム、ルテニウムおよびパラジウムを含まない、移動端末。 - 前記第1の電気めっき層は、ロジウム-ルテニウム合金材料を有している、請求項8に記載の移動端末。
- 前記移動端末は、タブレットコンピュータ、携帯電話、電子書籍リーダー、遠隔操作装置、パーソナルコンピュータ、ノートブックコンピュータ、車載デバイス、ウェブテレビまたはウェアラブルデバイスである、請求項8または9に記載の移動端末。
- 前記第1の電気めっき層は、銅めっき層、ウォルフラム-ニッケルめっき層、金めっき層、パラジウムめっき層およびロジウム-ルテニウムめっき層を含む、請求項8または9に記載の移動端末。
- 前記ロジウム-ルテニウムめっき層の厚さは、0.25μmから2μmの範囲である、請求項11に記載の移動端末。
- 前記第2の電気めっき層は、ニッケルめっき層および金めっき層を含む、請求項8または9に記載の移動端末。
- 前記USBのインターフェイスは、USB Type-Cのインターフェイスである、請求項8または9に記載の移動端末。
- 電気コネクタの製造方法であって、
第1のキャリアおよび前記第1のキャリアに接続された少なくとも1つの第1の導電性端子を提供し、前記第1の導電性端子を電気めっきして第1の電気めっき層を形成するステップと、
第2のキャリアおよび前記第2のキャリアに接続された少なくとも1つの第2の導電性端子を提供し、前記第2の導電性端子を電気めっきして第2の電気めっき層を形成するステップであって、前記第2の電気めっき層の材料は前記第1の電気めっき層の材料と異なる、ステップと、
前記第1の導電性端子および前記第2の導電性端子が同じ平面内に一列に間隔を空けて配置され、第1の端子アセンブリを形成するように、前記第1のキャリアおよび前記第2のキャリアを積層するステップと、
インサート成形方式で前記第1の端子アセンブリ上に第1の支持部を形成するステップであって、前記第1の支持部は前記第1の導電性端子および前記第2の導電性端子に固定および接続される、ステップとを含み、
前記第1の導電性端子のオン電位が前記第2の導電性端子のオン電位より高く、前記第1の電気めっき層の耐腐食性が前記第2の電気めっき層の耐腐食性より高く、
前記第1の導電性端子を電気めっきして前記第1の電気めっき層を形成する工程は、
電気めっきを実行して、前記第1の導電性端子の外面上に銅めっき層を形成するステップと、
電気めっきを実行して、前記銅めっき層上にウォルフラム-ニッケルめっき層を形成するステップと、
電気めっきを実行して、前記ウォルフラム-ニッケルめっき層上に金めっき層を形成するステップと、
電気めっきを実行して、前記金めっき層上にパラジウムめっき層を形成するステップと、
電気めっきを実行して、前記パラジウムめっき層上にロジウム-ルテニウムめっき層を形成するステップとを含む、電気コネクタの製造方法。 - 前記銅めっき層が電気めっきを通して形成される前に、前記第1の導電性端子を電気めっきして前記第1の電気めっき層を形成する工程は、
前記第1の導電性端子の前記外面をすすぐステップと、
前記第1の導電性端子の前記外面上で酸化膜を活性化するステップとをさらに含み、
前記ロジウム-ルテニウムめっき層が電気めっきを通して形成された後、前記第1の導電性端子を電気めっきして前記第1の電気めっき層を形成する工程は、
前記ロジウム-ルテニウムめっき層をすすぎおよび空気乾燥して、前記第1の電気めっき層を形成するステップをさらに含む、請求項15に記載の電気コネクタの製造方法。 - 前記第2の導電性端子を電気めっきして第2の電気めっき層を形成する工程は、
電気めっきを実行して、前記第2の導電性端子の外面上にニッケルめっき層を形成するステップと、
前記第2の電気めっき層を形成するために、電気めっきを実行して、前記ニッケルめっき層上に金めっき層を形成するステップとを含む、請求項15または16に記載の電気コネクタの製造方法。
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