JP6838675B2 - 固体撮像装置および電子機器 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 29
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 101000622137 Homo sapiens P-selectin Proteins 0.000 description 3
- 102100023472 P-selectin Human genes 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 3
- 101001018097 Homo sapiens L-selectin Proteins 0.000 description 2
- 102100033467 L-selectin Human genes 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000002583 angiography Methods 0.000 description 1
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 210000004761 scalp Anatomy 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M1/00—Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
- H03M1/06—Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters
- H03M1/0617—Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters characterised by the use of methods or means not specific to a particular type of detrimental influence
- H03M1/0675—Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters characterised by the use of methods or means not specific to a particular type of detrimental influence using redundancy
- H03M1/0678—Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters characterised by the use of methods or means not specific to a particular type of detrimental influence using redundancy using additional components or elements, e.g. dummy components
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/01—Shaping pulses
- H03K5/08—Shaping pulses by limiting; by thresholding; by slicing, i.e. combined limiting and thresholding
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M1/00—Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
- H03M1/06—Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters
- H03M1/08—Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters of noise
- H03M1/0845—Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters of noise of power supply variations, e.g. ripple
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M1/00—Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
- H03M1/06—Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters
- H03M1/08—Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters of noise
- H03M1/0863—Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters of noise of switching transients, e.g. glitches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M1/00—Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
- H03M1/12—Analogue/digital converters
- H03M1/34—Analogue value compared with reference values
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/616—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise involving a correlated sampling function, e.g. correlated double sampling [CDS] or triple sampling
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/772—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M1/00—Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
- H03M1/12—Analogue/digital converters
- H03M1/1205—Multiplexed conversion systems
- H03M1/123—Simultaneous, i.e. using one converter per channel but with common control or reference circuits for multiple converters
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- H03M1/12—Analogue/digital converters
- H03M1/50—Analogue/digital converters with intermediate conversion to time interval
- H03M1/56—Input signal compared with linear ramp
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Description
図1は、本技術の固体撮像装置の構成例を示すブロック図である。
図2は、固体撮像装置1の画素部11を構成する画素の構成例を示す図である。
本実施の形態の比較器31は、主に、縦続接続された第1アンプおよび第2アンプから構成される。
図3は、従来の比較器の構成例を示す回路図である。
ここで、図4のタイミングチャートを参照して、図3の比較器100Aの動作について説明する。
図5は、従来の比較器の他の構成例を示す回路図である。
図6は、図5の比較器100Bの動作について説明するタイミングチャートである。
図7は、従来の比較器のさらに他の構成例を示す回路図である。
図8は、図7の比較器100Cの動作について説明するタイミングチャートである。
図9は、本技術の比較器の構成例を示す回路図である。
図11は、図9の比較器31の動作について説明するタイミングチャートである。
図13は、本技術の比較器の他の構成例を示す回路図である。
ここで、図15を参照して、本技術を適用した電子機器の構成例について説明する。
最後に、本技術を適用したイメージセンサの使用例について説明する。
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
(1)
複数の画素を有する画素部と、
前記画素から出力される画素信号と参照信号とを比較する比較器と、
前記比較器の比較時間をカウントするカウンタと
を備え、
前記比較器は、
前記画素信号と前記参照信号との比較動作を行う第1のアンプと、
第1のトランジスタを有し、前記第1のアンプの出力信号を増幅する第2のアンプと、
前記第1のトランジスタの極性と同じ極性の第2のトランジスタと
を備え、
前記第2のトランジスタのゲートは、前記第1のアンプの出力ノードに接続され、
前記第2のトランジスタのソースおよびドレインは、前記第1のトランジスタのソースと同じ固定電位に接続される
固体撮像装置。
(2)
前記第2のトランジスタがPMOSトランジスタの場合、前記第2のトランジスタのソースおよびドレインは、電源電位に接続される
(1)に記載の固体撮像装置。
(3)
前記第2のトランジスタがNMOSトランジスタの場合、前記第2のトランジスタのソースおよびドレインは、接地電位に接続される
(1)に記載の固体撮像装置。
(4)
前記第2のトランジスタの閾値電圧は、前記第2のアンプが反転を開始する直前の前記第1のアンプの出力信号と略同じレベルに設定される
(1)乃至(3)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(5)
複数の画素を有する画素部と、
前記画素から出力される画素信号と参照信号とを比較する比較器と、
前記比較器の比較時間をカウントするカウンタと
を備え、
前記比較器は、
前記画素信号と前記参照信号との比較動作を行う第1のアンプと、
第1のトランジスタを有し、前記第1のアンプの出力信号を増幅する第2のアンプと、
前記第1のトランジスタの極性と同じ極性の第2のトランジスタと
を有し、
前記第2のトランジスタのゲートは、前記第1のアンプの出力ノードに接続され、
前記第2のトランジスタのソースおよびドレインは、前記第1のトランジスタのソースと同じ固定電位に接続される固体撮像装置
を備える電子機器。
(6)
アナログ信号と参照信号とを比較し、その結果を増幅する比較器と、
前記比較器の比較時間をカウントするカウンタと
を備え、
前記比較器は、
前記アナログ信号と前記参照信号との比較動作を行う第1のアンプと、
第1のトランジスタを有し、前記第1のアンプの出力信号を増幅する第2のアンプと、
前記第1のトランジスタの極性と同じ極性の第2のトランジスタと
を備え、
前記第2のトランジスタのゲートは、前記第1のアンプの出力ノードに接続され、
前記第2のトランジスタのソースおよびドレインは、前記第1のトランジスタのソースと同じ固定電位に接続される
AD変換装置。
Claims (30)
- 光量に応じてアナログ信号を出力する画素を含む複数の画素と、
前記画素に接続された画素信号線を含む複数の画素信号線と、
複数の比較器と
を備え、
前記複数の比較器に含まれる比較器は、
前記アナログ信号に基づく信号を受けるように構成された第1のトランジスタ、および、参照信号を受けるように構成された第2のトランジスタを含む第1のアンプと、
前記第1のアンプの出力ノードからの出力を受けるように構成された第3のトランジスタを含む第2のアンプと、
ゲートが前記出力ノードと前記第3のトランジスタとの間に接続され、ソースとドレインが電源電位を受けるように構成された第4のトランジスタと
を有する
固体撮像装置。 - 前記第1のアンプは、前記電源電位を受けるように構成された第5のトランジスタをさらに含む
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記第3のトランジスタはさらに、前記電源電位を受けるように構成される
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記第3のトランジスタのゲートは、前記第1のアンプの前記出力ノードからの出力を受けるように構成される
請求項3に記載の固体撮像装置。 - 前記第4のトランジスタの極性は、前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタの少なくとも一方の極性と反対である
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記第4のトランジスタの極性と前記第3のトランジスタの極性は同じである
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記第4のトランジスタは、前記第1のアンプの前記出力ノードからの出力に応じて変化する容量値を有するように構成される
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記第4のトランジスタは、前記第4のトランジスタの前記ゲートと前記第4のトランジスタの前記ソースとの間の電圧に応じて変化する容量値を有するように構成される
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記第4のトランジスタの前記容量値は、前記第4のトランジスタの前記ゲートと前記第4のトランジスタの前記ソースとの間の前記電圧が閾値電圧を超えることに応じて増加する
請求項8に記載の固体撮像装置。 - 前記閾値電圧は、前記第2のアンプの出力信号が反転を開始するレベルに対応する反転開始電圧以上である
請求項9に記載の固体撮像装置。 - 光量に応じてアナログ信号を出力する画素を含む複数の画素と、
前記画素に接続された画素信号線を含む複数の画素信号線と、
複数の比較器と
を備え、
前記複数の比較器に含まれる比較器は、
前記アナログ信号に基づく信号を受けるように構成された第1のトランジスタ、および、参照信号を受けるように構成された第2のトランジスタを含む第1のアンプと、
前記第1のアンプの出力ノードからの出力を受けるように構成された第3のトランジスタを含む第2のアンプと、
ゲートが前記第1のアンプと前記第3のトランジスタに接続され、ソースとドレインが外部電位を受けるように構成された第4のトランジスタと
を有する
固体撮像装置。 - 前記第1のアンプは、電源電位を受けるように構成された第5のトランジスタをさらに含む
請求項11に記載の固体撮像装置。 - 前記第3のトランジスタはさらに、前記電源電位を受けるように構成される
請求項12に記載の固体撮像装置。 - 前記第3のトランジスタのゲートは、前記第1のアンプの前記出力ノードからの出力を受けるように構成される
請求項13に記載の固体撮像装置。 - 前記第4のトランジスタの極性は、前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタの少なくとも一方の極性と反対である
請求項11に記載の固体撮像装置。 - 前記第4のトランジスタの極性と前記第3のトランジスタの極性は同じである
請求項11に記載の固体撮像装置。 - 前記第4のトランジスタは、前記第1のアンプの前記出力ノードからの出力に応じて変化する容量値を有するように構成される
請求項11に記載の固体撮像装置。 - 前記第4のトランジスタは、前記第4のトランジスタの前記ゲートと前記第4のトランジスタの前記ソースとの間の電圧に応じて変化する容量値を有するように構成される
請求項11に記載の固体撮像装置。 - 前記第4のトランジスタの前記容量値は、前記第4のトランジスタの前記ゲートと前記第4のトランジスタの前記ソースとの間の前記電圧が閾値電圧を超えることに応じて増加する
請求項18に記載の固体撮像装置。 - 前記閾値電圧は、前記第2のアンプの出力信号が反転を開始するレベルに対応する反転開始電圧以上である
請求項19に記載の固体撮像装置。 - 光学系と、
固体撮像装置と
を備え、
前記固体撮像装置は、
光量に応じてアナログ信号を出力する画素を含む複数の画素と、
前記画素に接続された画素信号線を含む複数の画素信号線と、
複数の比較器と
を備え、
前記複数の比較器に含まれる比較器は、
前記アナログ信号に基づく信号を受けるように構成された第1のトランジスタ、および、参照信号を受けるように構成された第2のトランジスタを含む第1のアンプと、
前記第1のアンプの出力ノードからの出力を受けるように構成された第3のトランジスタを含む第2のアンプと、
ゲートが前記出力ノードと前記第3のトランジスタとの間に接続され、ソースとドレインが電源電位を受けるように構成された第4のトランジスタと
を有する
電子機器。 - 前記第1のアンプは、前記電源電位を受けるように構成された第5のトランジスタをさらに含む
請求項21に記載の電子機器。 - 前記第3のトランジスタはさらに、前記電源電位を受けるように構成される
請求項22に記載の電子機器。 - 前記第3のトランジスタのゲートは、前記第1のアンプの前記出力ノードからの出力を受けるように構成される
請求項23に記載の電子機器。 - 前記第4のトランジスタの極性は、前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタの少なくとも一方の極性と反対である
請求項21に記載の電子機器。 - 前記第4のトランジスタの極性と前記第3のトランジスタの極性は同じである
請求項21に記載の電子機器。 - 前記第4のトランジスタは、前記第1のアンプの前記出力ノードからの出力に応じて変化する容量値を有するように構成される
請求項21に記載の電子機器。 - 前記第4のトランジスタは、前記第4のトランジスタの前記ゲートと前記第4のトランジスタの前記ソースとの間の電圧に応じて変化する容量値を有するように構成される
請求項21に記載の電子機器。 - 前記第4のトランジスタの前記容量値は、前記第4のトランジスタの前記ゲートと前記第4のトランジスタの前記ソースとの間の前記電圧が閾値電圧を超えることに応じて増加する
請求項28に記載の電子機器。 - 前記閾値電圧は、前記第2のアンプの出力信号が反転を開始するレベルに対応する反転開始電圧以上である
請求項29に記載の電子機器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015077902 | 2015-04-06 | ||
JP2015077902 | 2015-04-06 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017511526A Division JP6743809B2 (ja) | 2015-04-06 | 2016-03-23 | 固体撮像装置、電子機器、およびad変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020188477A JP2020188477A (ja) | 2020-11-19 |
JP6838675B2 true JP6838675B2 (ja) | 2021-03-03 |
Family
ID=57072293
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017511526A Active JP6743809B2 (ja) | 2015-04-06 | 2016-03-23 | 固体撮像装置、電子機器、およびad変換装置 |
JP2020121260A Active JP6838675B2 (ja) | 2015-04-06 | 2020-07-15 | 固体撮像装置および電子機器 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017511526A Active JP6743809B2 (ja) | 2015-04-06 | 2016-03-23 | 固体撮像装置、電子機器、およびad変換装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10298861B2 (ja) |
EP (1) | EP3282688B1 (ja) |
JP (2) | JP6743809B2 (ja) |
CN (3) | CN109039334A (ja) |
ES (1) | ES2793050T3 (ja) |
PL (1) | PL3282688T3 (ja) |
TW (1) | TWI669964B (ja) |
WO (1) | WO2016163228A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI669964B (zh) | 2015-04-06 | 2019-08-21 | 日商新力股份有限公司 | Solid-state imaging device, electronic device, and AD conversion device |
JP6195142B1 (ja) * | 2017-01-30 | 2017-09-13 | テックポイント インクTechpoint,Inc. | Ad変換装置及び撮像装置 |
JP2021158396A (ja) * | 2018-06-28 | 2021-10-07 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子及び電子機器 |
TWI826459B (zh) | 2018-07-09 | 2023-12-21 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 比較器及攝像裝置 |
CN109167942A (zh) * | 2018-09-04 | 2019-01-08 | 深圳阜时科技有限公司 | 一种模数转换器和控制方法及成像装置 |
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TWI669964B (zh) | 2015-04-06 | 2019-08-21 | 日商新力股份有限公司 | Solid-state imaging device, electronic device, and AD conversion device |
-
2016
- 2016-03-01 TW TW105106200A patent/TWI669964B/zh active
- 2016-03-23 CN CN201810921000.3A patent/CN109039334A/zh not_active Withdrawn
- 2016-03-23 CN CN201680017405.3A patent/CN107431773B/zh active Active
- 2016-03-23 ES ES16776397T patent/ES2793050T3/es active Active
- 2016-03-23 CN CN201910589640.3A patent/CN110351498B/zh active Active
- 2016-03-23 PL PL16776397T patent/PL3282688T3/pl unknown
- 2016-03-23 EP EP16776397.8A patent/EP3282688B1/en active Active
- 2016-03-23 JP JP2017511526A patent/JP6743809B2/ja active Active
- 2016-03-23 US US15/562,643 patent/US10298861B2/en active Active
- 2016-03-23 WO PCT/JP2016/059087 patent/WO2016163228A1/ja active Application Filing
-
2017
- 2017-12-05 US US15/831,517 patent/US10015419B2/en active Active
-
2018
- 2018-05-30 US US15/992,849 patent/US10356345B2/en active Active
-
2020
- 2020-07-15 JP JP2020121260A patent/JP6838675B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016163228A1 (ja) | 2016-10-13 |
CN107431773A (zh) | 2017-12-01 |
US10356345B2 (en) | 2019-07-16 |
US20180278864A1 (en) | 2018-09-27 |
US20180109746A1 (en) | 2018-04-19 |
US20180109744A1 (en) | 2018-04-19 |
US10015419B2 (en) | 2018-07-03 |
EP3282688B1 (en) | 2020-04-29 |
JP2020188477A (ja) | 2020-11-19 |
TWI669964B (zh) | 2019-08-21 |
PL3282688T3 (pl) | 2020-11-16 |
CN110351498B (zh) | 2020-08-18 |
EP3282688A1 (en) | 2018-02-14 |
JP6743809B2 (ja) | 2020-08-19 |
US10298861B2 (en) | 2019-05-21 |
EP3282688A4 (en) | 2018-09-19 |
CN110351498A (zh) | 2019-10-18 |
ES2793050T3 (es) | 2020-11-12 |
CN109039334A (zh) | 2018-12-18 |
JPWO2016163228A1 (ja) | 2018-02-08 |
TW201637435A (zh) | 2016-10-16 |
CN107431773B (zh) | 2020-02-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200715 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20200715 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20200722 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200825 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210112 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210125 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6838675 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |