JP6569451B2 - 積層コイル部品 - Google Patents

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Description

本発明は、積層コイル部品に関する。
従来、積層コイル部品において、直流重畳特性を向上させることが求められており、このためには積層コイル部品の素体内に非磁性層を設けることが有効とされている。例えば、特許文献１及び２には、磁性体部を含む素体と、素体内において第一方向から見て互いに重なり合っている部分を有するように第一方向に互いに離間して配置された複数の内部導体を含んでいるコイルと、第一方向で互いに隣り合っている各内部導体の間に配置され、その重なり合っている部分に沿っている複数の非磁性層と、を備えた積層コイル部品が記載されている。
特開２００８−７８２２９号公報 特開２００８−２１７８８号公報
上記特許文献１及び特許文献２に記載された積層コイル部品において、磁性体部、内部導体、及び非磁性層は、互いに焼成時における収縮率及び熱膨張後の収縮率が異なる材料によって形成されている。磁性体部、内部導体、及び非磁性層の境界部分にはこのような収縮率の差等を起因とする内部応力が生じているため、第一方向に沿ったせん断応力が加わると、当該境界部分においてクラックが生じやすいという問題がある。
そこで、本発明は、直流重畳特性を向上させつつ、クラックの発生を抑制することができる積層コイル部品を提供することを目的とする。
本発明に係る積層コイル部品は、磁性を有する素体と、素体内において第一方向から見て互いに重なり合っている部分を有するように第一方向に互いに離間しており且つ互いに電気的に接続されている複数の内部導体を含んでいるコイルと、第一方向で互いに隣り合っている各内部導体の間において、重なり合っている部分に沿って配置されていると共に、素体よりも低い透磁率を有する少なくとも一つの低透磁率層と、を備え、低透磁率層は、隣り合っている各内部導体の間において、内部導体に接している第一部分と、内部導体と第一方向で離れている第二部分と、を有し、素体は、第二部分と内部導体との間に介在している第一素体領域を有している。
本発明に係る積層コイル部品では、低透磁率層が、第一方向で互いに隣り合っている各内部導体の間に配置され、第一方向から見て各内部導体が互いに重なり合っている部分に沿っている。低透磁率層は、素体よりも低い透磁率を有しており、隣り合っている各内部導体の間において、内部導体に接している第一部分を有している。このため、素体内において各内部導体の回りに生じる磁束が、低透磁率層の第一部分によって遮られる。その結果、磁気飽和の発生が抑制され、直流重畳特性を向上することができる。
低透磁率層は、隣り合っている各内部導体の間において、内部導体と第一方向で離れている第二部分を有している。この第二部分と内部導体との間には、第一素体領域が介在している。よって、内部導体及び低透磁率層と素体との境界は、第一方向に沿っておらず、第一方向に交差する面を有している。これにより、内部導体及び低透磁率層と素体との境界は、第一方向に沿ったせん断応力に対する抵抗として作用し、第一方向に沿ったせん断応力を第一方向に交差する方向へ分散する。その結果、第一方向に沿ったせん断応力が生じてもクラックまでの構造欠陥には至り難くすることができる。
本発明に係る積層コイル部品において、低透磁率層の第一方向での厚さは、内部導体の第一方向での厚さよりも小さくてもよい。この場合、同じ素体内において、第一方向で内部導体が占める領域に対し、第一方向で低透磁率層が占める領域を狭くすることができる。すなわち、素体内における内部導体の占める領域を増やして効率良くコイルを形成することができる。
本発明に係る積層コイル部品において、第一方向から見て、低透磁率層は、内部導体よりも内側に位置していてもよい。この場合、第一方向から見て低透磁率層の外側で且つ内部導体の内側には、第一方向で隣り合っている各内部導体の間に低透磁率層を介することなく素体が挟まれている領域が形成されている。この領域は、低透磁率層との境界を有することなく第一方向に連続的に存在している領域なので、第一方向に沿ったせん断応力が生じても当該領域はせん断され難い。このような領域が形成されていることにより、クラックの発生をさらに抑制することができる。
本発明に係る積層コイル部品において、低透磁率層の第二部分側には、素体に含まれている材料が拡散している拡散層が形成されている。この場合、拡散層によって、素体と低透磁率層との境界における材質の変化を緩やかになっており、素体と低透磁率層との接合強度を高めることができる。
本発明に係る積層コイル部品において、低透磁率層は、隣り合っている各内部導体の間において、複数の第二部分を第一方向に並ぶように有し、素体は、第一素体領域と、第一方向に並んでいる各第二部分の間に介在する第二素体領域と、を有していてもよい。この場合、第一素体領域に加え、第一方向に並んでいる各第二部分の間に介在する第二素体領域を有している。よって、一つの低透磁率層と素体との境界そのものも、第一方向に沿っておらず、第一方向に交差している。これにより、一つの低透磁率層と素体との境界そのものも、第一方向に沿ったせん断応力に対する抵抗として作用し、第一方向に沿ったせん断応力を第一方向に交差する方向へ分散する。その結果、第一方向に沿ったせん断応力に対する強度を高めることができ、クラックの発生をより一層抑制することができる。
本発明によれば、直流重畳特性を向上させつつ、クラックの発生を抑制することができる。
本発明の第１実施形態に係る積層コイル部品を示す斜視図である。 図１に示す積層コイル部品の分解斜視図である。 図１のIII-III線に沿った素体の断面図である。 図３の境界領域を拡大して示す断面図である。 図３の境界領域を形成するための積層工程を説明する図である。 図３の境界領域を形成するための積層工程を説明する図である。 図３の境界領域を形成するための積層工程を説明する図である。 図３の境界領域を形成するための積層工程を説明する図である。 第２実施形態に係る積層コイル部品の境界領域を拡大して示す断面図である。 第３実施形態に係る積層コイル部品の境界領域を拡大して示す断面図である。 第４実施形態に係る積層コイル部品の境界領域を拡大して示す断面図である。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
（第１実施形態）
図１〜図３を参照して、本発明の第１実施形態に係る積層コイル部品の全体的な構成を説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る積層コイル部品を示す斜視図である。図２は、図１に示す積層コイル部品の分解斜視図である。図３は、図１のIII-III線に沿った素体の断面図である。図４は、図３の境界領域を拡大して示す断面図である。図２の分解斜視図では、素体に含まれる磁性体部、及び素体の両端部に配置された外部電極の図示を省略している。図３の断面図では、素体の両端部に配置された外部電極の図示を省略している。
図１に示されるように、積層コイル部品１は、素体２と、素体２の両端部にそれぞれ配置された一対の外部電極４，５と、を備えている。
素体２は、直方体形状を呈している。素体２は、その外表面として、互いに対向する一対の端面２ａ，２ｂと、一対の端面２ａ，２ｂを連結するように一対の端面２ａ，２ｂの対向方向に延びる四つの側面２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆと、を有している。側面２ｄは、例えば積層コイル部品１を図示しない他の電子機器（例えば、回路基板、又は、電子部品等）に実装する際、他の電子機器と対向する面として規定される。
端面２ａと端面２ｂとの対向方向（図中のＸ方向）と、側面２ｃと側面２ｄとの対向方向（図中のＺ方向）と、側面２ｅと側面２ｆとの対向方向（図中のＹ方向）とは、互いに略直交している。直方体形状には、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状が含まれる。
素体２は、複数の磁性体層が積層されることによって構成されており、磁性体部１１（図３参照）を含んでいる。複数の磁性体層は、素体２の側面２ｃと側面２ｄとの対向方向に積層されている。すなわち、複数の磁性体層の積層方向は、素体２の側面２ｃと側面２ｄとの対向方向（図示のＺ方向）と一致している。以下、複数の磁性体の積層方向（すなわち、側面２ｃと側面２ｄとの対向方向）を「Ｚ方向」ともいう。複数の磁性体層は、それぞれ略矩形形状を呈している。実際の素体２では、複数の磁性体層は、その層間の境界が視認できない程度に一体化されている。
磁性体部１１は、例えば磁性体材料（Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇ系フェライト材料、又はＮｉ−Ｃｕ系フェライト材料等）の粉末を含む磁性ペーストの焼結体から構成されている。すなわち、素体２は、磁性を有している。磁性ペーストには、Ｆｅ合金等の粉末が含まれていてもよい。
外部電極４は、素体２の端面２ａに配置されており、外部電極５は、素体２の端面２ｂに配置されている。すなわち、外部電極４と外部電極５とは、端面２ａと端面２ｂとの対向方向に互いに離間して位置している。外部電極４，５は、平面視で略矩形形状を呈しており、その角が丸められている。外部電極４，５は、導電材（例えば、Ａｇ又はＰｄ等）を含んでいる。外部電極４，５は、導電性金属粉末（例えば、Ａｇ粉末又はＰｄ粉末等）及びガラスフリットを含む導電性ペーストの焼結体として構成される。外部電極４，５には、電気めっきが施されることにより、その表面にはめっき層が形成されている。電気めっきには、例えばＮｉ、Ｓｎ等が用いられる。
外部電極４は、端面２ａ上に位置する電極部分４ａと、側面２ｄ上に位置する電極部分４ｂと、側面２ｃ上に位置する電極部分４ｃと、側面２ｅ上に位置する電極部分４ｄと、側面２ｆ上に位置する電極部分４ｅと、の５つの電極部分を含んでいる。電極部分４ａは、端面２ａの全面を覆っている。電極部分４ｂは、側面２ｄの一部を覆っている。電極部分４ｃは、側面２ｃの一部を覆っている。電極部分４ｄは、側面２ｅの一部を覆っている。電極部分４ｅは、側面２ｆの一部を覆っている。５つの電極部分４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅは、一体的に形成されている。
外部電極５は、端面２ｂ上に位置する電極部分５ａと、側面２ｄ上に位置する電極部分５ｂと、側面２ｃ上に位置する電極部分５ｃと、側面２ｅ上に位置する電極部分５ｄと、側面２ｆ上に位置する電極部分５ｅと、の５つの電極部分を含んでいる。電極部分５ａは、端面２ｂの全面を覆っている。電極部分５ｂは、側面２ｄの一部を覆っている。電極部分５ｃは、側面２ｃの一部を覆っている。電極部分５ｄは、側面２ｅの一部を覆っている。電極部分５ｅは、側面２ｆの一部を覆っている。５つの電極部分５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅは、一体的に形成されている。
図２〜図４に示されるように、積層コイル部品１は、複数のコイル導体２１，２２，２３，２４，２５、２６（複数の内部導体）と、引出導体１３，１４と、一つの磁気ギャップ層３０と、複数の低透磁率層３１，３２，３３，３４と、を素体２内に備えている。図２において、磁気ギャップ層３０及び各低透磁率層３１〜３４を一点鎖線で示している。
コイル導体２１〜２６は、Ｚ方向（第一方向）から見て互いに重なり合っている部分を有するようにＺ方向に互いに離間している。コイル導体２１，２３，２５，２６の一端部側と他端部側とが、Ｘ方向で互いに離間している。コイル導体２２，２４の一端部側と他端部側とが、Ｙ方向で互いに離間している。Ｚ方向で互いに隣り合っているコイル導体２１〜２６は、Ｚ方向から見て、互いに重なり合っている部分と、互いに重なり合っていない部分とを有している。コイル導体２１〜２６の端部同士は、その端部同士の間に位置しているスルーホール導体１７により互いに接続されている。
コイル導体２１の端部２１ｂとコイル導体２２の端部２２ａとは、スルーホール導体１７により接続されている。コイル導体２２の端部２２ｂとコイル導体２３の端部２３ａとは、スルーホール導体１７により接続されている。コイル導体２３の端部２３ｂとコイル導体２４の端部２４ａとは、スルーホール導体１７より接続されている。コイル導体２４の端部２４ｂとコイル導体２５の端部２５ａとは、スルーホール導体１７により接続されている。コイル導体２５の端部２５ｂとコイル導体２６の端部２６ａとは、スルーホール導体１７により接続されている。
コイル導体２１〜２６がスルーホール導体１７を介して互いに接続されていることにより、素体２内に、コイル２０が構成されている。すなわち、積層コイル部品１は、素体２内に、コイル２０を備えている。コイル２０は、Ｚ方向に互いに離間しており且つ互いに電気的に接続されている複数のコイル導体２１〜２６を含んでいる。コイル２０の軸心は、Ｚ方向に沿って伸びている。コイル導体２１の端部２１ａは、コイル２０の一方の端部Ｅ１に対応し、コイル導体２６の端部２６ｂは、コイル２０の他方の端部Ｅ２に対応する。
コイル導体２１は、複数のコイル導体２１〜２６のうち、積層方向で素体２の側面２ｃに最も近い位置に配置されている。本実施形態において、コイル導体２１の導体パターンと引出導体１３の導体パターンとは一体に連続して形成されている。引出導体１３は、コイル導体２１の端部２１ａと外部電極４との間を連結しており、素体２の端面２ａに露出している。これにより、引出導体１３は、端面２ａを覆う外部電極４の電極部分４ａと接続されている。すなわち、コイル２０の一方の端部Ｅ１と外部電極４とは、引出導体１３を介して電気的に接続されている。
コイル導体２６は、複数のコイル導体２１〜２６のうち、積層方向で素体２の側面２ｄに最も近い位置に配置されている。本実施形態において、コイル導体２６の導体パターンと引出導体１４の導体パターンとは一体に連続して形成されている。引出導体１４は、コイル導体２６の端部２６ｂと外部電極５との間を連結しており、素体２の端面２ｂに露出している。これにより、引出導体１４は、端面２ｂを覆う外部電極５の電極部分５ａと接続されている。すなわち、コイル２０の他方の端部Ｅ２と外部電極５とは、引出導体１４を介して電気的に接続されている。
コイル導体２１〜２６、引出導体１３，１４、及びスルーホール導体１７は、例えば導電性材料（例えば、Ａｇ又はＰｄ等）を含んでいる。コイル導体２１〜２６、引出導体１３，１４、及びスルーホール導体１７は、導電性金属粉末（例えば、Ａｇ粉末又はＰｄ粉末等）を含む導電性ペーストの焼結体として構成されている。
磁気ギャップ層３０は、コイル導体２３とコイル導体２４との間に配置されている。磁気ギャップ層３０は、Ｚ方向から見て略矩形状を有している。磁気ギャップ層３０は、Ｚ方向に沿った積層面、すなわち素体２におけるコイル２０の軸心方向に交わる断面（Ｘ方向及びＹ方向に延在する面）の全体を覆うように延在している。磁気ギャップ層３０は、コイル導体２３とコイル導体２４との間を接続しているスルーホール導体１７が通る貫通孔が形成されている。
低透磁率層３１〜３４は、Ｚ方向で互いに隣り合っている各コイル導体２１〜２６の間に配置されている。低透磁率層３１〜３４は、Ｚ方向から見て、Ｚ方向で互いに隣り合っている各コイル導体２１〜２６が互いに重なり合っている部分に沿っている。低透磁率層３１〜３４は、例えば枠状を呈している。
低透磁率層３１は、コイル導体２１とコイル導体２２との間に配置されている。低透磁率層３１は、Ｚ方向から見て、コイル導体２１におけるコイル導体２２と重なり合っている重なり部分と、コイル導体２２におけるコイル導体２１と重なり合っている重なり部分とに接するように形成されている。すなわち、低透磁率層３１は、コイル導体２１の上記重なり部分とコイル導体２２の上記重なり部分とに沿っている。低透磁率層３１は、Ｚ方向から見て、コイル導体２１におけるコイル導体２２と重なっていない非重なり部分と、コイル導体２２におけるコイル導体２１と重なっていない非重なり部分とにも延びている。すなわち、低透磁率層３１は、コイル導体２１の一端部側と他端部側とがＸ方向で互いに離間している離間領域、及び、コイル導体２２の一端部側と他端部側とがＹ方向で互いに離間している離間領域にも重なるように形成されている。低透磁率層３１は、コイル導体２１，２２に接している接触部３１ａ（第一部分）と、コイル導体２１，２２とＺ方向で離れている離間部３１ｂ（第二部分）と、を有している（図４参照）。
低透磁率層３２は、コイル導体２２とコイル導体２３との間に配置されている。低透磁率層３２は、Ｚ方向から見て、コイル導体２２におけるコイル導体２３と重なり合っている重なり部分と、コイル導体２３におけるコイル導体２２と重なり合っている重なり部分とに接するように形成されている。すなわち、低透磁率層３２は、コイル導体２２の上記重なり部分とコイル導体２３の上記重なり部分とに沿っている。低透磁率層３２は、Ｚ方向から見て、コイル導体２２におけるコイル導体２３と重なっていない非重なり部分と、コイル導体２３におけるコイル導体２２と重なっていない非重なり部分とにも延びている。すなわち、低透磁率層３２は、Ｚ方向から見て、コイル導体２２の一端部側と他端部側とがＹ方向で互いに離間している離間領域、及び、コイル導体２３の一端部側と他端部側とがＸ方向で互いに離間している離間領域にも重なるように形成されている。低透磁率層３２は、コイル導体２２，２３に接している接触部３２ａ（第一部分）と、コイル導体２２，２３とＺ方向で離れている離間部３２ｂ（第二部分）と、を有している（図４参照）。
低透磁率層３３は、コイル導体２４とコイル導体２５との間に配置されている。低透磁率層３３は、Ｚ方向から見て、コイル導体２４におけるコイル導体２５と重なり合っている重なり部分と、コイル導体２５におけるコイル導体２４と重なり合っている重なり部分とに接するように形成されている。すなわち、低透磁率層３３は、コイル導体２４の上記重なり部分とコイル導体２５の上記重なり部分とに沿っている。低透磁率層３３は、Ｚ方向から見て、コイル導体２４におけるコイル導体２５と重なっていない非重なり部分と、コイル導体２５におけるコイル導体２４と重なっていない非重なり部分とにも延びている。すなわち、低透磁率層３３は、Ｚ方向から見て、コイル導体２４の一端部側と他端部側とがＹ方向で互いに離間している離間領域、及び、コイル導体２５の一端部側と他端部側とがＺ方向で互いに離間している離間領域にも重なるように形成されている。低透磁率層３３は、コイル導体２４，２５に接している接触部３３ａ（第一部分）と、コイル導体２４，２５とＺ方向で離れている離間部３３ｂ（第二部分）と、を有している（図４参照）。
低透磁率層３４は、コイル導体２５とコイル導体２６との間に配置されている。低透磁率層３４は、Ｚ方向から見て、コイル導体２５におけるコイル導体２６と重なり合っている重なり部分と、コイル導体２６におけるコイル導体２５と重なり合っている重なり部分とに接するように形成されている。すなわち、低透磁率層３４は、コイル導体２５の上記重なり部分とコイル導体２６の上記重なり部分とに沿っている。低透磁率層３４は、Ｚ方向から見て、コイル導体２５におけるコイル導体２６と重なっていない非重なり部分と、コイル導体２６におけるコイル導体２５と重なっていない非重なり部分とにも延びている。すなわち、低透磁率層３４は、Ｚ方向から見て、コイル導体２５の一端部側と他端部側とがＸ方向で互いに離間している離間領域、及び、コイル導体２６の一端部側と他端部側とがＸ方向で互いに離間している離間領域にも重なるように形成されている。低透磁率層３４は、コイル導体２５，２６に接している接触部３４ａ（第一部分）と、コイル導体２５，２６とＺ方向で離れている離間部３４ｂ（第二部分）と、を有している（図４参照）。
磁気ギャップ層３０、及び、低透磁率層３１〜３４は、素体２よりも低い透磁率を有する。磁気ギャップ層３０、及び、低透磁率層３１〜３４は、例えば磁性体部１１よりも低い透磁率を有する弱磁性材料、又は磁性を有していない非磁性体材料を含んでいる。本実施形態において、磁気ギャップ層３０、及び、低透磁率層３１〜３４は、非磁性であって、非磁性体材料（Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料等）の粉末を含む非磁性ペーストの焼結体から構成されている。
磁気ギャップ層３０は、非磁性であるため、コイル２０の全体の回りに生じる磁束を遮る。これにより、コイル２０の全体の回りにおける磁気飽和の発生が抑制される。各低透磁率層３１〜３４は、非磁性であり、各コイル導体２１〜２６に接している接触部３１ａ〜３４ａを有しているため、各コイル導体２１〜２６の回りに生じる磁束を遮る。これにより、各コイル導体２１〜２６の回りへ磁束が流れ込み難くなり、各コイル導体２１〜２６の回りにおける局所的な磁気飽和の発生が抑制される。その結果、積層コイル部品１における磁気飽和の発生が抑制され、直流重畳特性を向上することができる。
図３に示されるように、複数のコイル導体２１〜２６は、いずれもＺ方向で略同じ厚さＴａを有している。複数の低透磁率層３１〜３４は、いずれもＺ方向で略同じ厚さＴｂを有している。低透磁率層３１〜３４のＺ方向での厚さＴｂは、コイル導体２１〜２６のＺ方向での厚さＴａよりも小さい。
素体２のＹ方向及びＺ方向に沿った断面において、コイル導体２１〜２６のＹ方向での幅Ｗａと、低透磁率層３１〜３４のＹ方向での幅Ｗｂとは略等しい。低透磁率層３１〜３４のＹ方向での幅Ｗｂは、コイル導体２１〜２６の回りの磁束を遮ることができる程度の幅であれば、これに限られない。低透磁率層３１〜３４は、Ｚ方向から見て、コイル導体２１〜２６からはみ出さないように形成されていてもよく、コイル導体２１〜２６からはみ出すように形成されていてもよい。
素体２は、素体領域Ｓ１（第一素体領域）を有している（図４参照）。素体領域Ｓ１は、低透磁率層３１〜３４の各離間部３１ｂ〜３４ｂと、各離間部３１ｂ〜３４ｂを間に介してＺ方向で隣り合っている各コイル導体２１〜２６との間に介在している。すなわち、素体領域Ｓ１は、離間部３１ｂとコイル導体２１との間、離間部３１ｂとコイル導体２２との間、離間部３２ｂとコイル導体２２との間、離間部３２ｂとコイル導体２３との間、離間部３３ｂとコイル導体２４との間、離間部３３ｂとコイル導体２５との間、離間部３４ｂとコイル導体２５との間、及び、離間部３４ｂとコイル導体２６との間に形成されている。
磁性体部１１は、コイル導体２１〜２６に対する境界面１１ａと、低透磁率層３１〜３４に対する境界面１１ｂと、を複数ずつ含んでいる。素体２には、境界面１１ａと境界面１１ｂとが、Ｚ方向で交互に並んでいる境界領域Ｒ１，Ｒ２が形成されている。
境界領域Ｒ１は、Ｚ方向で磁気ギャップ層３０よりも素体２の側面２ｃ側に位置している。境界領域Ｒ１は、低透磁率層３１，３２の離間部３１ｂ，３２ｂを含んだ領域である。境界領域Ｒ１は、コイル導体２１〜２３に対する磁性体部１１の各境界面１１ａと、低透磁率層３１，３２に対する磁性体部１１の各境界面１１ｂとを含んでいる。境界領域Ｒ１には、境界面１１ａと境界面１１ｂとが交互に並んでいることによって、コイル導体２１〜２３及び低透磁率層３１，３２と素体２との境界Ｂ１（図４参照）が形成されている。すなわち、境界領域Ｒ１は、境界Ｂ１を含んでいる。
境界領域Ｒ２は、Ｚ方向で磁気ギャップ層３０よりも素体２の側面２ｄ側に位置している。境界領域Ｒ２は、低透磁率層３３，３４の離間部３３ｂ，３４ｂを含んだ領域である。境界領域Ｒ２は、コイル導体２４〜２６に対する磁性体部１１の各境界面１１ａと、低透磁率層３３，３４に対する磁性体部１１の各境界面１１ｂとを含んでいる。境界領域Ｒ２には、境界面１１ａと境界面１１ｂとが交互に並んでいることによって、コイル導体２４〜２６及び低透磁率層３３，３４と素体２との境界Ｂ２（図４参照）が形成されている。すなわち、境界領域Ｒ２は、境界Ｂ２を含んでいる。
境界領域Ｒ１，Ｒ２においては、Ｚ方向で、交互に並んでいる各コイル導体２１〜２６と各低透磁率層３１〜３４との間に素体領域Ｓ１が存在している。境界領域Ｒ１では、Ｚ方向で、コイル導体２１と低透磁率層３１との間に素体領域Ｓ１が介在していると共に、コイル導体２２と低透磁率層３２との間に素体領域Ｓ１が介在している。境界領域Ｒ１では、Ｚ方向に沿った仮想軸線Ｄ（図４参照）上において、コイル導体２１、素体領域Ｓ１、低透磁率層３１、素体領域Ｓ１、コイル導体２２、素体領域Ｓ１、低透磁率層３２、素体領域Ｓ１、及びコイル導体２３の順に並んでいる。これにより、境界領域Ｒ１では、Ｙ方向及びＺ方向に沿った仮想断面で見た場合に、Ｚ方向に交差する鋸歯状に見えるように、境界面１１ａと境界面１１ｂとが並んでいる。換言すれば、コイル導体２１〜２３及び低透磁率層３１，３２と素体２との境界Ｂ１（図４参照）が、Ｚ方向に沿っておらず、Ｚ方向に交差する面を有している。
境界領域Ｒ２では、Ｚ方向で、コイル導体２４とコイル導体２５との間に素体領域Ｓ１が介在していると共に、コイル導体２５とコイル導体２６との間に素体領域Ｓ１が介在している。これにより、境界領域Ｒ２では、Ｚ方向に沿った仮想軸線Ｄ（図４参照）上において、コイル導体２４、素体領域Ｓ１、低透磁率層３３、素体領域Ｓ１、コイル導体２５、素体領域Ｓ１、低透磁率層３４、素体領域Ｓ１、及びコイル導体２６の順に並んでいる。これにより、境界領域Ｒ２では、Ｙ方向及びＺ方向に沿った仮想断面で見た場合に、Ｚ方向に交差する鋸歯状に見えるように、境界面１１ａと境界面１１ｂとが並んでいる。換言すれば、コイル導体２４〜２６及び低透磁率層３３，３４と素体２との境界Ｂ２（図４参照）が、Ｚ方向に沿っておらず、Ｚ方向に交差する面を有している。
次に、積層コイル部品１の製造方法について説明する。積層コイル部品１は、例えば次のようにして製造されている。まず、磁性体部１１を構成することとなる磁性ペーストパターンと、コイル導体２１〜２６、引出導体１３，１４、及びスルーホール導体１７を構成することとなる導電性ペーストパターンと、磁気ギャップ層３０及び低透磁率層３１〜３４を構成することとなる非磁性ペーストパターンと、を印刷法等によって順次積層することにより、積層体を得る。
磁性ペーストパターンは、磁性ペーストを塗布して乾燥させることによって形成される。磁性ペーストは、上記の磁性体材料の粉末と有機溶剤及び有機バインダ等とを混合して作製される。導電性ペーストパターンは、導電性ペーストを塗布して乾燥させることによって形成される。導電性ペーストは、上記の導電性金属粉末と有機溶剤及び有機バインダ等とを混合して作製される。非磁性ペーストパターンは、非磁性ペーストを塗布して乾燥させることによって形成される。非磁性ペーストは、上記の非磁性材料又は弱磁性材料等の粉末と有機溶剤及び有機バインダ等とを混合して作製される。なお、境界領域Ｒ１，Ｒ２を形成するための磁性ペーストパターン、導電性ペーストパターン、及び非磁性ペーストパターンの積層工程の詳細については、後述する。
続いて、この積層体を個々の積層コイル部品１の大きさになるように切断する。これにより、グリーンチップが得られる。続いて、得られたグリーンチップのバレル研磨を行う。これにより、角部又は稜線が丸められたグリーンチップが得られる。続いて、バレル研磨されたグリーンチップを所定の条件で焼成する。これにより、磁性ペーストパターンの焼結体として磁性体部１１が構成され、グリーンチップは、素体２となる。導電性ペーストパターンの焼結体として、コイル導体２１〜２６、引出導体１３，１４、及びスルーホール導体１７が構成される。非磁性ペーストパターンの焼結体として、磁気ギャップ層３０及び低透磁率層３１〜３４が構成される。すなわち、素体２内に、コイル導体２１〜２６、スルーホール導体１７、磁気ギャップ層３０、及び低透磁率層３１〜３４が備えられた中間体が得られる。
続いて、素体２の外表面に外部電極４，５用の導電性ペーストを塗布し、所定条件にて熱処理を行い、外部電極４，５を焼付形成する。その後、外部電極４，５の表面にめっきを施す。以上のようにして、積層コイル部品１が得られる。
以下、図５〜図８を参照して、境界領域Ｒ１を形成するための磁性ペーストパターン、導電性ペーストパターン、及び非磁性ペーストパターンの積層工程について詳細に説明する。なお、境界領域Ｒ２を形成するための積層工程は、境界領域Ｒ１と同様であるため、その説明を省略する。また、図５〜図８では、磁性体部１１を構成するための磁性グリーンシートＧの一部のみを示している。
図５〜図８は、境界領域Ｒ１を形成するための積層工程を説明するための工程図である。まず、図５の（ａ）に示されるように、磁性ペーストをシート状に印刷して形成された磁性グリーンシートＧの表面に、磁性ペーストを印刷する。この際、所定の余白領域（すなわち、磁性ペーストが印刷されていない領域）が形成されるように磁性ペーストを塗布する。この所定の余白領域の形状は、コイル導体２１を構成することとなる導電性ペーストパターンＬ１（図５の（ｂ）参照）の形状に対応している。これにより、磁性体部１１を構成することとなる磁性ペーストパターンＭ１と、磁性ペーストパターンＭ１の間における所定の余白領域とが形成される。
続いて、図５の（ｂ）に示されるように、磁性ペーストパターンＭ１の間における余白領域に、導電性ペーストを充填して印刷する。これにより、コイル導体２１を構成することとなる導電性ペーストパターンＬ１が形成される。導電性ペーストパターンＬ１は、磁性グリーンシートＧの表面上に位置している中央部Ｌ１ａと、磁性ペーストパターンＭ１の表面上に位置している境界部Ｌ１ｂとを有している。磁性ペーストパターンＭ１の表面と導電性ペーストパターンＬ１の表面とは平坦となっておらず、磁性ペーストパターンＭ１に比べて導電性ペーストパターンＬ１が積層方向に盛り上がっている。
続いて、図６の（ａ）に示されるように、磁性ペーストパターンＭ１の表面上に、磁性ペーストを印刷する。この際、所定の余白領域が形成されるように磁性ペーストを印刷する。この所定の余白領域の形状は、低透磁率層３１を構成することとなる非磁性ペーストパターンＮ１（図６の（ｂ）参照）の形状に対応している。これにより、磁性体部１１を構成することとなる磁性ペーストパターンＭ２と、磁性ペーストパターンＭ２の間における所定の余白領域とが形成される。この所定の余白領域は、導電性ペーストパターンＬ１の中央部Ｌ１ａ上に位置している。磁性ペーストパターンＭ１と磁性ペーストパターンＭ２との間には、導電性ペーストパターンＬ１の境界部Ｌ１ｂが介在している。
続いて、図６の（ｂ）に示されるように、磁性ペーストパターンＭ２の間における余白領域に、非磁性ペーストを充填して印刷する。これにより、低透磁率層３１を構成することとなる非磁性ペーストパターンＮ１が形成される。非磁性ペーストパターンＮ１は、導電性ペーストパターンＬ１の表面上に位置している中央部Ｎ１ａと、磁性ペーストパターンＭ２の表面上に位置している境界部Ｎ１ｂとを有している。磁性ペーストパターンＭ２の表面と非磁性ペーストパターンＮ１の表面とは略平坦となっている。
続いて、図７の（ａ）に示されるように、磁性ペーストパターンＭ２の表面上に、磁性ペーストを印刷する。この際、所定の余白領域が形成されるように磁性ペーストを印刷する。この所定の余白領域の形状は、コイル導体２２を構成することとなる導電性ペーストパターンＬ２（図７の（ｂ）参照）の形状に対応している。これにより、磁性体部１１を構成することとなる磁性ペーストパターンＭ３と、磁性ペーストパターンＭ３の間における所定の余白領域とが形成される。この所定の余白領域は、非磁性ペーストパターンＮ１の中央部Ｎ１ａ上に位置している。磁性ペーストパターンＭ２と磁性ペーストパターンＭ３との間には、非磁性ペーストパターンＮ１の境界部Ｎ１ｂが介在している。
続いて、図７の（ｂ）に示されるように、磁性ペーストパターンＭ３の間における余白領域に、導電性ペーストを充填して印刷する。これにより、コイル導体２２を構成することとなる導電性ペーストパターンＬ２が形成される。導電性ペーストパターンＬ２は、非磁性ペーストパターンＮ１の表面上に位置している中央部Ｌ２ａと、磁性ペーストパターンＭ３の表面上に位置している境界部Ｌ２ｂとを有している。磁性ペーストパターンＭ３の表面と導電性ペーストパターンＬ２の表面とは平坦となっておらず、磁性ペーストパターンＭ３に比べて導電性ペーストパターンＬ２が積層方向に盛り上がっている。
続いて、図８の（ａ）に示されるように、磁性ペーストパターンＭ３の表面上に、磁性ペーストパターンＭ４を印刷する。この際、所定の余白領域が形成されるように磁性ペーストを印刷する。この所定の余白領域の形状は、低透磁率層３２を構成することとなる非磁性ペーストパターンＮ２（図８の（ｂ）参照）の形状に対応している。これにより、磁性体部１１を構成することとなる磁性ペーストパターンＭ４と、磁性ペーストパターンＭ４の間における所定の余白領域とが形成される。この所定の余白領域は、導電性ペーストパターンＬ２の中央部Ｌ２ａ上に位置している。磁性ペーストパターンＭ３と磁性ペーストパターンＭ４との間には、導電性ペーストパターンＬ２の境界部Ｌ２ｂが介在している。
続いて、図８の（ｂ）に示されるように、磁性ペーストパターンＭ４の間における余白領域に、非磁性ペーストを充填して印刷する。これにより、低透磁率層３２を構成することとなる非磁性ペーストパターンＮ２が形成される。非磁性ペーストパターンＮ２は、導電性ペーストパターンＬ２の表面上に位置している中央部Ｎ２ａと、磁性ペーストパターンＭ４の表面上に位置している境界部Ｎ２ｂとを有している。磁性ペーストパターンＭ４の表面と非磁性ペーストパターンＮ２の表面とは略平坦となっている。
そして、再び図７と同様の処理を繰り返す。すなわち、磁性ペーストパターンＭ４の表面上に、磁性体部１１を構成するための磁性ペーストを所定の余白領域が形成されるように印刷すると共に、形成された余白領域にコイル導体２３を構成するための導電性ペーストを充填して印刷する。以上のようにして、境界領域Ｒ１に対応する部分、すなわち積層後の焼成によって境界領域Ｒ１を構成することとなる部分が形成される。境界領域Ｒ２に対応する部分、すなわち積層後の焼成によって境界領域Ｒ２を構成することとなる部分についても、境界領域Ｒ１に対応する部分と同様の積層工程である。
以上、本実施形態に係る積層コイル部品１によれば、低透磁率層３１〜３４が、Ｚ方向で互いに隣り合っている各コイル導体２１〜２６の間に配置されている。低透磁率層３１〜３４は、素体２よりも低い透磁率を有しており、隣り合っている各コイル導体２１〜２６の間において、コイル導体２１〜２６に接している接触部３１ａ〜３４ａを有している。このため、素体２内において各コイル導体２１〜２６の回りに生じる磁束が、接触部３１ａ〜３４ａによって遮られる。その結果、磁気飽和の発生が抑制され、直流重畳特性を向上することができる。
低透磁率層３１〜３４は、隣り合っている各コイル導体２１〜２６の間において、コイル導体２１〜２６とＺ方向で離れている離間部３１ｂ〜３４ｂを有している。この離間部３１ｂ〜３４ｂとコイル導体２１〜２６との間には、素体領域Ｓ１が介在している。よって、コイル導体２１〜２６及び低透磁率層３１〜３４と素体２との境界Ｂ１，Ｂ２は、Ｚ方向に沿っておらず、Ｚ方向に交差する面を有している。これにより、コイル導体２１〜２６及び低透磁率層３１〜３４と素体２との境界Ｂ１，Ｂ２は、Ｚ方向に沿ったせん断応力に対する抵抗として作用し、Ｚ方向に沿ったせん断応力をＺ方向に交差する方向へ分散する。その結果、Ｚ方向に沿ったせん断応力が生じてもクラックまでの構造欠陥には至り難くすることができる。以上より、直流重畳特性を向上させつつ、クラックの発生を抑制することができる。
本実施形態に係る積層コイル部品１によれば、低透磁率層３１〜３４のＺ方向での厚さＴｂは、コイル導体２１〜２６のＺ方向での厚さＴａよりも小さい。これにより、同じ素体２内において、Ｚ方向でコイル導体２１〜２６が占める領域に対し、Ｚ方向で低透磁率層３１〜３４が占める領域を狭くすることができる。すなわち、素体２内におけるコイル導体２１〜２６の占める領域を増やして効率良くコイル２０を形成することができる。
（第２実施形態）
次に、図９を参照して、第２実施形態に係る積層コイル部品について説明する。図９は、第２実施形態に係る積層コイル部品の境界領域Ｒ１，Ｒ２を拡大して示す断面図である。図９は、図４に対応している。
第２実施形態に係る積層コイル部品は、図示を省略するが、第１実施形態に係る積層コイル部品１と同様、素体２と、素体２の両端部にそれぞれ配置された一対の外部電極４，５（図１参照）と、複数のコイル導体２１〜２６（図２及び図３参照）と、複数の引出導体１３，１４（図２及び図３参照）と、一つの磁気ギャップ層３０（図２及び図３参照）と、複数の低透磁率層３１〜３４と、を備えている。
第１実施形態同様、低透磁率層３１〜３４は、接触部３１ａ〜３４ａ及び離間部３１ｂ〜３４ｂを有し、素体２は、素体領域Ｓ１を複数有している（図４参照）。境界領域Ｒ１，Ｒ２においては、Ｚ方向から見て、低透磁率層３１〜３４とコイル導体２１〜２６との間に素体領域Ｓ１が存在している。これにより、境界領域Ｒ１，Ｒ２では、Ｙ方向及びＺ方向に沿った仮想断面で見た場合に、Ｚ方向に交差する鋸歯状に見えるように、境界面１１ａと境界面１１ｂとが並んでいる。換言すれば、境界Ｂ１，Ｂ２が、Ｚ方向に沿っておらず、Ｚ方向に交差する面を有している。
図９に示されるように、第２実施形態に係る積層コイル部品が上記の積層コイル部品１と異なる点は、Ｚ方向から見て、低透磁率層３２〜３４が、コイル導体２１〜２６よりも内側に位置している点である。コイル導体２１〜２６の一方側の側端部２１ｃ，２２ｃ，２３ｃ，２４ｃ，２５ｃ，２６ｃよりも、低透磁率層３１〜３４の一方側の側端部３１ｃ，３２ｃ，３３ｃ，３４ｃの方が、素体２内のＹ方向で内側に位置している。これに加え、コイル導体２１〜２６の他方側の側端部２１ｄ，２２ｄ，２３ｄ，２４ｄ，２５ｄ，２６ｄよりも、低透磁率層３１〜３４の他方側の側端部３１ｄ，３２ｄ，３３ｄ，３４ｄの方が、素体２内のＹ方向で内側に位置している。
よって、Ｙ方向及びＺ方向に沿った断面において、コイル導体２１〜２６のＹ方向での幅Ｗａよりも、低透磁率層３１〜３４のＹ方向での幅Ｗｂの方が小さい。低透磁率層３１〜３４のＹ方向での幅Ｗｂは、コイル導体２１〜２６の回りの磁束を遮ることができる程度の幅となっている。このように幅Ｗａよりも幅Ｗｂの方が小さいことから、Ｚ方向から見て低透磁率層３１〜３４の外側で且つコイル導体２１〜２６導体の内側には、Ｚ方向で隣り合っている各コイル導体２１〜２６間に低透磁率層３１〜３４を介することなく磁性体部１１が挟まれている領域Ｌｃが形成されている。この領域Ｌｃは、同じ熱収縮率の材料で構成された磁性体部が連続的に存在している。
本実施形態に係る積層コイル部品においても、素体２内において各コイル導体２１〜２６の回りに生じる磁束が、接触部３１ａ〜３４ａによって遮られる。その結果、磁気飽和の発生が抑制され、直流重畳特性を向上することができる。そして、コイル導体２１〜２６及び低透磁率層３１〜３４と素体２との境界Ｂ１，Ｂ２は、Ｚ方向に沿っておらず、Ｚ方向に交差する面を有している。これにより、境界Ｂ１，Ｂ２は、Ｚ方向に沿ったせん断応力に対する抵抗として作用し、Ｚ方向に沿ったせん断応力をＺ方向に交差する方向へ分散する。その結果、Ｚ方向に沿ったせん断応力が生じてもクラックまでの構造欠陥には至り難くすることができる。以上より、直流重畳特性を向上させつつ、クラックの発生を抑制することができる。
本実施形態に係る積層コイル部品によれば、Ｚ方向から見て低透磁率層３１〜３４の外側で且つコイル導体２１〜２６の内側には、領域Ｌｃが形成されている。この領域Ｌｃは、低透磁率層３１〜３４との境界を有することなくＺ方向に連続的に存在している領域なので、Ｚ方向に沿ったせん断応力が生じても当該領域Ｌｃはせん断され難い。このような領域Ｌｃが形成されていることにより、クラックの発生をさらに抑制することができる。
（第３実施形態）
次に、図１０を参照して、第３実施形態に係る積層コイル部品について説明する。図１０は、第３実施形態に係る積層コイル部品の境界領域Ｒ１，Ｒ２を拡大して示す断面図である。図１０は、図４に対応している。
第３実施形態に係る積層コイル部品は、図示を省略するが、第１実施形態に係る積層コイル部品１と同様、素体２と、素体２の両端部にそれぞれ配置された一対の外部電極４，５（図１参照）と、複数のコイル導体２１〜２６（図２及び図３参照）と、複数の引出導体１３，１４（図２及び図３参照）と、一つの磁気ギャップ層３０（図２及び図３参照）と、複数の低透磁率層３１〜３４と、を備えている。
第１実施形態同様、低透磁率層３１〜３４は、接触部３１ａ〜３４ａ及び離間部３１ｂ〜３４ｂを有し、素体２は、素体領域Ｓ１を複数有している（図４参照）。境界領域Ｒ１，Ｒ２においては、Ｚ方向から見て、低透磁率層３１〜３４とコイル導体２１〜２６との間に素体領域Ｓ１が存在している。これにより、境界領域Ｒ１，Ｒ２では、Ｙ方向及びＺ方向に沿った仮想断面で見た場合に、Ｚ方向に交差する鋸歯状に見えるように、境界面１１ａと境界面１１ｂとが並んでいる。換言すれば、境界Ｂ１，Ｂ２が、Ｚ方向に沿っておらず、Ｚ方向に交差する面を有している。
図１０に示されるように、第３実施形態に係る積層コイル部品が上記の積層コイル部品１と異なる点は、磁気ギャップ層３０及び低透磁率層３２〜３４のそれぞれに拡散層４０，４１が形成されている点である。拡散層４０，４１は、素体２に含まれている磁性体材料の一部であるＮｉが拡散している領域である。これにより、拡散層４０，４１は、素体２よりも高い透磁率を有している。拡散層４０は、磁気ギャップ層３０と素体２との境界面の全体に形成されている。拡散層４１は、低透磁率層３１〜３４の離間部３１ｂ〜３４ｂ側に形成されている。
以上、本実施形態に係る積層コイル部品においても、上記実施形態同様、直流重畳特性を向上させつつ、クラックの発生を抑制することができる。
本実施形態に係る積層コイル部品によれば、低透磁率層３１〜３４の離間部３１ｂ〜３４ｂ側に形成されている拡散層４１によって、素体２と低透磁率層３１〜３４との境界における材質の変化を緩やかになっており、素体２と低透磁率層３１〜３４の接合強度を高めることができる。
（第４実施形態）
次に、図１１を参照して、第４実施形態に係る積層コイル部品について説明する。図１１は、第４実施形態に係る積層コイル部品の境界領域Ｒ１，Ｒ２を拡大して示す断面図である。図１１は、図４に対応している。
第４実施形態に係る積層コイル部品は、図示を省略するが、第１実施形態に係る積層コイル部品１と同様、素体２と、素体２の両端部にそれぞれ配置された一対の外部電極４，５（図１参照）と、複数のコイル導体２１〜２６（図２及び図３参照）と、複数の引出導体１３，１４（図２及び図３参照）と、一つの磁気ギャップ層３０（図２及び図３参照）と、複数の低透磁率層３１〜３４と、を備えている。
第１実施形態同様、低透磁率層３１〜３４は、接触部３１ａ〜３４ａ及び離間部３１ｂ〜３４ｂを有し、素体２は、素体領域Ｓ１を複数有している（図４参照）。境界領域Ｒ１，Ｒ２においては、Ｚ方向から見て、低透磁率層３１〜３４とコイル導体２１〜２６との間に素体領域Ｓ１が存在している。これにより、境界領域Ｒ１，Ｒ２では、Ｙ方向及びＺ方向に沿った仮想断面で見た場合に、Ｚ方向に交差する鋸歯状に見えるように、境界面１１ａと境界面１１ｂとが並んでいる。換言すれば、境界Ｂ１，Ｂ２が、Ｚ方向に沿っておらず、Ｚ方向に交差する面を有している。
図１１に示されるように、第４実施形態に係る積層コイル部品が上記の積層コイル部品１と異なる点は、低透磁率層３１〜３４が複数の離間部３１ｂ〜３４ｂを有している点、及び、素体２が素体領域Ｓ１に加えて素体領域Ｓ２（第二素体領域）を有している点である。
低透磁率層３１〜３４は、隣り合っている各コイル導体２１〜２６の間において、複数の離間部３１ｂ〜３４ｂを有している。各離間部３１ｂ〜３４ｂは、Ｚ方向に並んでいる。低透磁率層３１は、コイル導体２１とコイル導体２２との間において、離間部３１ｂ１と離間部３１ｂ２とを有している。離間部３１ｂ１と離間部３１ｂ２とは、Ｚ方向で隣り合っている。低透磁率層３２は、コイル導体２２とコイル導体２３との間において、離間部３２ｂ１と離間部３２ｂ２とを有している。離間部３２ｂ１と離間部３２ｂ２とは、Ｚ方向で隣り合っている。
コイル導体２４とコイル導体２５との間において、低透磁率層３３は、離間部３３ｂ１と離間部３３ｂ２とを有している。離間部３３ｂ１と離間部３３ｂ２とは、Ｚ方向で隣り合っている。コイル導体２５とコイル導体２６との間において、低透磁率層３４は、離間部３４ｂ１と離間部３４ｂ２とを有している。離間部３４ｂ１と離間部３４ｂ２とは、Ｚ方向で隣り合っている。
素体領域Ｓ２は、Ｚ方向に隣り合っている各離間部３１ｂ１，３１ｂ２，３２ｂ１，３２ｂ２，３３ｂ１，３３ｂ２，３４ｂ１，３４ｂ２の間に介在している。すなわち、素体領域Ｓ１は、離間部３１ｂ１と離間部３１ｂ２との間、離間部３２ｂ１と離間部３２ｂ２との間、離間部３３ｂ１と離間部３３ｂ２との間、及び、離間部３４ｂ１と離間部３４ｂ２との間に形成されている。
境界領域Ｒ１では、Ｚ方向に沿った仮想軸線Ｄ上において、コイル導体２１、素体領域Ｓ１、低透磁率層３１、素体領域Ｓ２、低透磁率層３１、素体領域Ｓ１、コイル導体２２、素体領域Ｓ１、低透磁率層３２、素体領域Ｓ２、低透磁率層３２、素体領域Ｓ１、及びコイル導体２３の順に並んでいる。すなわち、コイル導体２１〜２３及び低透磁率層３１，３２と素体２との境界Ｂ１が、Ｚ方向に交差する面を有している。一つの低透磁率層３１，３２と素体２との境界そのものも、Ｚ方向に交差する面を有している。
境界領域Ｒ２では、Ｚ方向に沿った仮想軸線Ｄ上において、コイル導体２４、素体領域Ｓ１、低透磁率層３３、素体領域Ｓ２、低透磁率層３３、素体領域Ｓ１、コイル導体２５、素体領域Ｓ１、低透磁率層３５、素体領域Ｓ２、低透磁率層３５、素体領域Ｓ１、及びコイル導体２６の順に並んでいる。すなわち、コイル導体２３〜２６及び低透磁率層３３，３４と磁性体部１１との境界Ｂ２が、Ｚ方向に交差する面を有している。一つの低透磁率層３３，３４と素体２との境界そのものも、Ｚ方向に交差する面を有している。
以上、本実施形態に係る積層コイル部品においても、上記実施形態同様、直流重畳特性を向上させつつ、クラックの発生を抑制することができる。
本実施形態に係る積層コイル部品によれば、一つの低透磁率層３１〜３４と素体２との境界そのものも、Ｚ方向に沿っておらず、Ｚ方向に交差している。これにより、一つの低透磁率層３１〜３４と素体２との境界そのものも、Ｚ方向に沿ったせん断応力に対する抵抗として作用し、Ｚ方向に沿ったせん断応力をＺ方向に交差する方向へ分散する。その結果、Ｚ方向に沿ったせん断応力に対する強度を高めることができ、クラックの発生をより一層抑制することができる。
以上、本発明の種々の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、各請求項に記載した要旨を変更しない範囲で変形し、又は他に適用してもよい。
例えば、素体２内に含まれるコイル導体の数、磁気ギャップ層の数、低透磁率層の数は上記実施形態に限られない。例えば、素体２内には低透磁率層が少なくとも一つ含まれていればよく、素体２内に磁気ギャップ層が複数含まれていてもよい。
上記第４実施形態では、低透磁率層３１〜３４は、離間部３１ｂ１〜３４ｂ１と離間部３１ｂ２〜３４ｂ２とを有しているとしたが、これに限られず、低透磁率層３１〜３４は三つ以上の離間部を有していてもよい。
上記実施形態では、低透磁率層３１〜３４の厚さＴｂがコイル導体２１〜２６の厚さＴｂよりも小さいとしているが、これに限られない。例えば、低透磁率層３１〜３４の厚さＴｂがコイル導体２１〜２６の厚さＴｂ以上であってもよい。また、上記実施形態において複数のコイル導体２１〜２６の厚さＴａは互いに略同じであるとし、複数の低透磁率層３１〜３４の厚さＴｂは互いに略同じであるとしているが、これに限られず、それぞれ互いに異なる厚さを有していてもよい。
上記実施形態では低透磁率層３１〜３４が非磁性材料によって構成されているとしたが、これに限られず、例えば素体２よりも透磁率が低い弱磁性材料によって構成されていてもよい。
上記実施形態において、低透磁率層３１〜３４は、枠状を呈しているとしたが、これに限られない。例えば、低透磁率層３１〜３４の一部が切り欠かれていてもよい。低透磁率層３１〜３４は、Ｚ方向から見て、コイル導体２１〜２６の上記非重なり部分には延びていなくてもよい。低透磁率層３１〜３４は、Ｚ方向から見て、コイル導体２１〜２６の上記離間領域に重なっていなくてもよい。
１…積層コイル部品、２…素体、２０…コイル、２１〜２６…コイル導体、３１〜３４…低透磁率層、３１ａ，３２ａ，３３ａ，３４ａ…接触部、３１ｂ，３２ｂ，３３ｂ，３４ｂ，３１ｂ１，３１ｂ２，３２ｂ１，３２ｂ２，３３ｂ１，３３ｂ２，３４ｂ１，３４ｂ２…離間部、Ｓ１，Ｓ２…素体領域、４１…拡散層、Ｔａ，Ｔｂ…厚さ。

Claims (4)

  1. 磁性を有する素体と、
    前記素体内において第一方向から見て互いに重なり合っている部分を有するように第一方向に互いに離間しており且つ互いに電気的に接続されている複数の内部導体を含んでいるコイルと、
    前記第一方向で互いに隣り合っている各前記内部導体の間において、前記重なり合っている部分に沿って配置されていると共に、前記素体よりも低い透磁率を有する少なくとも一つの低透磁率層と、を備え、
    前記低透磁率層は、前記隣り合っている各前記内部導体の間において、前記内部導体に接している第一部分と、前記内部導体と前記第一方向で離れていると共に、前記第一方向に並ぶ複数の第二部分と、を有し、
    前記素体は、前記第二部分と前記内部導体との間に介在している第一素体領域と、前記第一方向に並んでいる各前記第二部分の間に介在する第二素体領域と、を有している、積層コイル部品。
  2. 前記低透磁率層の前記第一方向での厚さは、前記内部導体の前記第一方向での厚さよりも小さい、請求項１に記載の積層コイル部品。
  3. 前記第一方向から見て、前記低透磁率層は、前記内部導体よりも内側に位置している、請求項１又は２に記載の積層コイル部品。
  4. 前記低透磁率層の前記第二部分側には、前記素体に含まれている材料が拡散している拡散層が形成されている、請求項１〜３の何れか一項に記載の積層コイル部品。
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