CN108630380B - 层叠线圈部件 - Google Patents

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Abstract

本发明所涉及的层叠线圈部件具备素体、包含多个内部导体的线圈、以及多个应力松弛空间。多个内部导体在素体内的第一方向上互相分开。各个应力松弛空间接触于相对应的内部导体的表面,在各个应力松弛空间存在粉体。素体具有位于在第一方向上相邻的各个内部导体之间的素体区域。各个应力松弛空间具有与各个内部导体接触的第一边界面、以及与素体区域接触的第二边界面。第一边界面和第二边界面在第一方向上相对。从第一边界面到第二边界面的距离小于素体区域在第一方向上的厚度。

Description

层叠线圈部件
技术领域
本发明涉及层叠线圈部件。
背景技术
日本专利申请公开2006-253322号公报公开有层叠线圈部件。该层叠线圈部件具备包含磁性材料的素体、在素体内包含在第一方向上互相分开来进行配置的多个内部导体的线圈、以包围线圈整体的形式进行形成的应力松弛部。
应力松弛部是以包围线圈整体的形式形成。应力松弛部因为是以粉体进行构成,所以会有素体的强度发生降低的担忧。就日本专利申请公开平6-96953号公报所记载的层叠线圈部件而言,应力松弛部不是以包围线圈整体的形式而是以包围构成线圈的各个内部导体的形式形成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利申请公开2006-253322号公报
专利文献2:日本专利申请公开平6-96953号公报
发明内容
在日本专利申请公开平6-96953号公报所记载的层叠线圈部件中,素体具有位于在第一方向上相邻的各个内部导体之间的素体区域。该素体区域在第一方向上的厚度(以下也简称为“素体区域的厚度”)小于在第一方向上相邻的各个内部导体的间隔。因此,如果应力松弛部的厚度变大的话则素体区域的厚度难以被确保。例如,不是改变磁路长而是通过减小各个内部导体的截面积从而就能够确保素体区域的厚度。在此情况下,恐怕各个内部导体的直流电阻会变大。不是改变各个内部导体的截面积而是即使通过增加磁路长度从而也能够确保素体区域的厚度。在此情况下,恐怕素体的厚度会变大。即,恐怕不能够谋求到层叠线圈部件的小型化。
在素体区域的厚度不能够被充分确保的情况下,恐怕在第一方向上相邻的各个内部导体之间会发生龟裂。在龟裂发生于第一方向上相邻的各个内部导体之间的情况下,有可能发生各个内部导体之间短路的层间短路。为此,要求既要充分确保素体区域的厚度又要缓和发生于素体内的内部应力的层叠线圈部件。
本发明的目的就在于提供一种既能够充分确保素土区域的厚度又能够缓和发生于素体内的内部应力的层叠线圈部件。
本发明的一个形态所涉及的层叠线圈部件具备:包含磁性材料的素体、包含多个内部导体的线圈、多个应力松弛空间。多个内部导体在素体内的第一方向上互相分开,并且互相进行电连接。各个应力松弛空间接触于相对应的内部导体的表面,在各个应力松弛空间存在粉体。素体具有位于在第一方向上相邻的各个内部导体之间的素体区域。各个应力松弛空间具有与各个内部导体接触的第一边界面、与素体区域接触的第二边界面。第一边界面和第二边界面在第一方向上相对。从第一边界面到第二边界面的距离小于素体区域在第一方向上的厚度。
在上述一个形态所涉及的层叠线圈部件中,因为各个应力松弛空间接触于进行对应的内部导体的表面,所以应力松弛空间存在于在第一方向上相邻的内部导体与位于其间的素体区域之间。应力松弛空间缓和在素体内产生的内部应力。内部应力例如是因内部导体与素体的热收缩率的差而产生的。从应力松弛空间的第一边界面到第二边界面的距离为应力松弛空间在第一方向上的厚度(以下简称为“应力松弛空间的厚度”)。应力松弛空间的厚度小于位于在第一方向上相邻的各个内部导体之间的素体区域在第一方向上的厚度(以下也简称为“素体区域的厚度”)。即,素体区域的厚度至少大于应力松弛空间的厚度。因此,即使是应力松弛空间存在于在第一方向上相邻的各个内部导体与位于其间的素体区域之间的情况,素体区域与应力松弛空间相比较相对能够确保充分的厚度。该结果既充分确保了素体区域的厚度又缓和了在素体内产生的内部应力。
在上述一个形态所涉及的层叠线圈部件中,各个内部导体也可以具有朝向第一方向的一个方向的第一表面、朝向第一方向的另一个方向的第二表面。各个应力松弛空间接触的表面也可以是第一表面。在应力松弛空间接触于第一表面的情况下,即在应力松弛空间形成于内部导体的第一表面的情况下,较之各个应力松弛空间形成于第一表面以及第二表面双方的情况,各个应力松弛空间更容易形成,而且更加容易确保素体区域的厚度。
在上述一个形态所涉及的层叠线圈部件中,第一表面也可以是平面状。在此情况下,应力松弛空间接触于平面状的第一表面。形成有应力松弛空间的第一表面因为是平面状,所以容易形成应力松弛空间。
在上述一个形态所涉及的层叠线圈部件中,第一表面也可以具有在相对于第一方向垂直的方向上延伸的第一面部、相对于第一方向以及第一面部倾斜的第二面部。各个应力松弛空间也可以接触于第一面部和第二面部。在该情况下,即使是内部导体的第一表面具有第一面部和第二面部的情况也因为应力松弛空间接触于第一面部和第二面部,所以能够切实缓和在素体内产生的内部应力。
在上述一个形态所涉及的层叠线圈部件中,粉体的平均粒径也可以是0.1μm以下。在该情况下,因为粉体的流动性良好所以粉体灵活地追随素体与内部导体的热收缩率之差所对应产生的举动。该结果就更进一步切实地缓和了在素体内产生的内部应力。
在上述一个形态所涉及的层叠线圈部件中,粉体的材料也可以是ZrO2。在该情况下,ZrO2难以影响到包含于素体的磁性材料(例如铁氧体材料等)。ZrO2的熔点因为高于上述磁性材料的烧成温度,所以能够作为粉体切实地存在。
在上述一个形态所涉及的层叠线圈部件中,内部导体也可以含有金属氧化物。在内部导体含有金属氧化物的情况下,因为构成内部导体的导电性浆料的在烧成时的收缩率与内部导体不含有金属氧化物的情况相比较相对较小,所以内部导体的截面积大。因此,应力松弛空间即使是在内部导体的截面积大的情况下也能够缓和在素体内产生的内部应力。
本发明通过以下给出的详细说明和参照附图将会变得更加清楚,但是,这些说明和附图仅仅是为了说明本发明而举出的例子,不能被认为是对本发明的限定。
以下给出的详细说明将会更加清楚地表述本发明的应用范围。但是,这些详细说明和特殊实例、以及优选实施方案,只是为了举例说明而举出的,本领域的技术人员显然能够理解本发明的各种变化和修改都在本发明的宗旨和范围内。
附图说明
图1是表示第1实施方式所涉及的层叠线圈部件的斜视图。
图2是图1所表示的层叠线圈部件的分解斜视图。
图3是表示线圈导体的平面图。
图4是表示线圈导体的平面图。
图5是表示线圈导体的平面图。
图6是沿着图1的VI-VI线的素体的截面图。
图7是表示图6的一部分的示意图。
图8是第2实施方式所涉及的层叠线圈部件的分解斜视图。
图9A以及图9B是表示连接导体的平面图。
图10是第2实施方式所涉及的层叠线圈部件的截面图。
图11是第3实施方式所涉及的层叠线圈部件的分解斜视图。
图12是表示线圈导体的平面图。
图13是表示线圈导体的平面图。
图14是表示线圈导体的平面图。
图15是第3实施方式所涉及的层叠线圈部件的截面图。
图16是表示图15的一部分的示意图。
具体实施方式
以下是参照附图并就本发明的实施方式进行详细说明。还有,在说明过程中将相同符号标注于相同要素或者具有相同功能的要素,并省略重复的说明。
(第1实施方式)
参照图1~图7并就第1实施方式所涉及的层叠线圈部件1作如下说明。图1是表示第1实施方式所涉及的层叠线圈部件的斜视图。图2是图1所表示的层叠线圈部件的分解斜视图。图3~图5是表示线圈导体的平面图。图6是沿着图1的VI-VI线的素体的截面图。图7是表示图6的一部分的示意图。在图2中省略了多个磁性体层以及外部电极的图示。在图6中省略了外部电极的图示。
如图1所示层叠线圈部件1具备素体2、一对外部电极4,5。外部电极4,5分别配置于素体2的两端部。
素体2呈长方体形状。素体2具有作为其外表面的互相相对的一对端面2a,2b、四个侧面2c,2d,2e,2f。四个侧面2c,2d,2e,2f以连结一对端面2a,2b的形式在端面2a与端面2b相对的方向上进行延伸。侧面2d是例如在层叠线圈部件1实装于没有图示的其他电子设备(例如电路基板或者电子部件等)的时候与其他电子设备相对的面。
端面2a与端面2b相对的方向、侧面2c与侧面2d相对的方向、侧面2e与侧面2f相对的方向互相大致垂直。长方体形状包含角部以及棱部被倒角的长方体形状、角部以及棱部被弄圆的长方体形状。
素体2是通过层叠多层磁性体层11(参照图3~图6)来构成的。多层磁性体层11在侧面2c与侧面2d相对的方向上层叠。即,多层磁性体层11层叠的方向与侧面2c和侧面2d相对的方向相一致。以下将多层磁性体层11层叠的方向(即侧面2c与侧面2d相对的方向)称作为“层叠方向”。多层磁性体层11分别呈大致矩形状。在第1实施方式中,从侧面2c朝向侧面2d的方向为层叠方向的一个方向D1,从侧面2d朝向侧面2c的方向为层叠方向的另一个方向D2。
各个磁性体层11例如是由包含磁性材料(Ni-Cu-Zn系铁氧体材料、Ni-Cu-Zn-Mg系铁氧体材料、或者Ni-Cu系铁氧体材料等)的坯料薄片的烧结体构成。在实际的素体2中,各个磁性体层11以不能够目测确认其层间的边界的程度被一体化(参照图6)。在构成磁性体层11的坯料薄片中也可以包含Fe合金等。
外部电极4配置于素体2的端面2a,外部电极5配置于素体2的端面2b。即,外部电极4和外部电极5在端面2a与端面2b相对的方向上互相分开。外部电极4,5在俯视图中呈大致矩形状,外部电极4,5的角被弄圆。外部电极4,5包括导电材料(例如Ag或者Pd等)。外部电极4,5是作为包含导电性金属粉末(例如Ag粉末或者Pd粉末等)以及玻璃粉的导电性浆料的烧结体来进行构成的。通过对外部电极4,5施以电镀从而就能够将电镀层形成于外部电极4,5的表面。在电镀中例如可以使用Ni或者Sn等。
外部电极4包含5个电极部分。即,外部电极4包含位于端面2a上的电极部分4a、位于侧面2d上的电极部分4b、位于侧面2c上的电极部分4c、位于侧面2e上的电极部分4d、位于侧面2f上的电极部分4e。电极部分4a覆盖端面2a整个面。电极部分4b覆盖侧面2d的一部分。电极部分4c覆盖侧面2c的一部分。电极部分4d覆盖侧面2e的一部分。电极部分4e覆盖侧面2f的一部分。5个电极部分4a,4b,4c,4d,4e形成为一体。
外部电极5包含5个电极部分。即,外部电极5包含位于端面2b上的电极部分5a、位于侧面2d上的电极部分5b、位于侧面2c上的电极部分5c、位于侧面2e上的电极部分5d、位于侧面2f上的电极部分5e。电极部分5a覆盖端面2b整个面。电极部分5b覆盖侧面2d的一部分。电极部分5c覆盖侧面2c的一部分。电极部分5d覆盖侧面2e的一部分。电极部分5e覆盖侧面2f的一部分。5个电极部分5a,5b,5c,5d,5e形成为一体。
如图2~图6所示,层叠线圈部件1在素体2内具备多个线圈导体21,22,23(多个内部导体)、多个连接导体24,25、多个应力松弛空间31,32,33。在图2中,各个应力松弛空间31~33是以点划线进行表示。
线圈导体21~23以及连接导体24,25在层叠方向(第一方向)上互相分开。线圈导体21~23以及连接导体24,25的在层叠方向上的厚度大致相同(参照图6)。各个线圈导体21~23的端部彼此通过相对应的通孔导体12b,12c连接。线圈导体21的端部T1和线圈导体22的端部T2通过通孔导体12b连接。线圈导体22的端部T3和线圈导体23的端部T4通过通孔导体12c连接。线圈导体21~23的各个端部T1~T4彼此由于通过相对应的通孔导体12b,12c连接因而在素体2内构成线圈20。即,层叠线圈部件1在素体2内具备线圈20。线圈20在层叠方向上互相分开,并且包含互相进行电连接的多个线圈导体21~23。线圈20具有沿着层叠方向的轴心。
线圈导体21配置于多个线圈导体21~23当中在层叠方向上最接近于素体2的侧面2c的位置。线圈导体21的端部E1构成线圈20的一方端部E1。线圈导体23配置于多个线圈导体21~23当中在层叠方向上最接近于素体2的侧面2d的位置。线圈导体23的端部E2构成线圈20的另一方端部E2。各个线圈导体21~23的截面形状为大致梯形状(参照图6)。关于各个线圈导体21~23的截面形状的细节将在后面参照图7来进行叙述。
连接导体24配置于在层叠方向上比线圈导体21更靠近素体2的侧面2c。连接导体24和线圈导体21在层叠方向上相邻。连接导体24的端部T5由通孔导体12a而与线圈导体21的端部E1相连接。即,连接导体24和线圈20的端部E1通过通孔导体12a连接。
连接导体24的端部24a露出于素体2的端面2b。端部24a与覆盖端面2b的电极部分5a相连接。即,连接导体24与外部电极5相连接。因此,线圈20的端部E1和外部电极5通过连接导体24以及通孔导体12a而电连接。
连接导体25配置于在层叠方向上比线圈导体23更靠近素体2的侧面2d。连接导体25和线圈导体23在层叠方向上相邻。连接导体25的端部T6由通孔导体12d而与线圈导体23的端部E2相连接。即,连接导体25和线圈20的端部E2通过通孔导体12d连接。
连接导体25的端部25a露出于素体2的端面2a。端部25a覆盖端面2a并与外部电极4的电极部分4a相连接。即,连接导体25与外部电极4进行连接。因此,线圈20的端部E2和外部电极4通过连接导体25以及通孔导体12d进行电连接。
线圈导体21~23、连接导体24,25、以及通孔导体12a~12d包含例如导电材料(例如Ag或者Pd等)。线圈导体21~23、连接导体24,25、以及通孔导体12a~12d是作为包含导电性金属粉末(例如Ag或者Pd粉末等)的导电性浆料的烧结体来进行构成的。线圈导体21~23、连接导体24,24、以及通孔导体12a~12d也可以包含例如金属氧化物(TiO2、Al2O3、或者ZrO2等)。在该情况下,线圈导体21~23、连接导体24,24、以及通孔导体12a~12d是作为包含上述金属氧化物的导电性浆料的烧结体来进行构成的。包含上述金属氧化物的导电性浆料与不包含上述金属氧化物的导电性浆料相对来说其在烧成时的收缩率小。
各个应力松弛空间31,32,33接触于相对应的线圈导体21~23。应力松弛空间31~33是粉体31c,32c,33c存在的空间。各个应力松弛空间31~33存在于相对应的线圈导体21~23与素体2内的素体区域之间,并缓和产生于素体2内的内部应力。粉体31c,32c,33c的材料例如是ZrO2等。ZrO2的熔点例如大约是2700℃以上,且高于铁氧体材料的烧成温度。粉体31c,32c,33c的平均粒径例如是0.1μm以下。
应力松弛空间31在层叠方向上位于线圈导体21与线圈导体22之间。如图3所示,应力松弛空间31形成于线圈导体21的表面21d(参照图7)。表面21d为线圈导体21的在层叠方向上的下侧的面。即,表面21d为在层叠方向上靠近侧面2d的面。应力松弛空间31沿着线圈导体21的端部T1以外的部分。即,应力松弛空间31不覆盖线圈导体21的端部T1。端部T1是与通孔导体12b的连接部分。应力松弛空间31从层叠方向来看是以不从线圈导体21突出的形式进行形成。
应力松弛空间32在层叠方向上位于线圈导体22与线圈导体23之间。如图4所示,应力松弛空间32形成于线圈导体22的表面22d(参照图7)。表面22d为线圈导体22的在层叠方向上的下侧的面。即,表面22d为在层叠方向上靠近侧面2d的面。应力松弛空间32沿着线圈导体22的端部T3以外的部分。即,应力松弛空间32不覆盖线圈导体22的端部T3。端部T3是与通孔导体12c的连接部分。应力松弛空间32从层叠方向来看是以不从线圈导体22突出的形式进行形成。
应力松弛空间33在层叠方向上位于线圈导体23与连接导体25之间。如图5所示,应力松弛空间33形成于线圈导体23的表面23d(参照图7)。表面23d为线圈导体23的在层叠方向上的下侧的面。即,表面23d为在层叠方向上靠近侧面2d的面。应力松弛空间33沿着线圈导体23的端部E2以外的部分。即,应力松弛空间33不覆盖线圈导体23的端部E2。端部E2是与通孔导体12d的连接部分。应力松弛空间33从层叠方向来看是以不从线圈导体23突出的形式进行形成。
如图6所示,素体2在以层叠方向进行互相相邻的线圈导体21~23以及连接导体24,25之间具有素体区域11a~11d。素体区域11a位于线圈导体21与线圈导体22之间。素体区域11a被应力松弛空间31和线圈导体22夹住。素体区域11b位于线圈导体22与线圈导体23之间。素体区域11b被应力松弛空间32和线圈导体23夹住。素体区域11c位于线圈导体23与线圈导体25之间。素体区域11c被应力松弛空间33和线圈导体25夹住。素体区域11d位于线圈导体21与线圈导体24之间。素体区域11d被线圈导体21和连接导体24夹住。
参照图7来说明各个线圈导体21~23以及各个应力松弛空间31~33的截面结构。在图7中,图6中的包含线圈导体21~23的一部分(素体2的靠近端面2a的部分)的区域扩大。图6中的包含线圈导体21~23的素体2的靠近端面2b的部分的区域的结构因为与图7所表示的结构相同,所以省略了图示。
如图7所示,线圈导体21具有表面21d、表面21e。表面21d朝向素体2的侧面2d侧,表面21e朝向素体2的侧面2c侧。即,在第1实施方式中,表面21d为朝向层叠方向的一个方向D1的第一表面,表面21e为朝向层叠方向的另一个方向D2的第二表面。表面21d为平面状,并且相对于层叠方向成大致垂直。表面21e具有平面部21a(第一面部)、2个倾斜部21b,21c(第二面部)。
平面部21a为平面状,相对于表面21d为大致平行。即,平面部21a在相对于层叠方向为垂直的方向上进行延伸。平面部21a的面积小于表面21d的面积。各个倾斜部21b,21c为倾斜面状,相对于层叠方向以及表面21d倾斜。倾斜部21b和倾斜部21c互相相对。倾斜部21b和倾斜部21c是以连结表面21d和平面部21a的形式形成。倾斜部21b具有层叠方向的在一个方向D1上的第一边缘、层叠方向的在另一个方向D2上的第二边缘。倾斜部21b以第一边缘比第二边缘更接近于端面2a的形式倾斜。倾斜部21c具有层叠方向的在一个方向D1上的第一边缘、层叠方向的在另一个方向D2上的第二边缘。倾斜部21c以第一边缘比第二边缘更接近于端面2b的形式倾斜。即,倾斜部21b和倾斜部21c以在层叠方向的另一个方向D2上互相接近的形式倾斜。
线圈导体22具有表面22d、表面22e。表面22d朝向素体2的侧面2d侧,表面22e朝向素体2的侧面2c侧。即,在第1实施方式中,表面22d为朝向层叠方向的一个方向D1的第一表面,表面22e为朝向层叠方向的另一个方向D2的第二表面。表面22d为平面状,相对于层叠方向为大致垂直。表面22e具有平面部22a(第一面部)、2个倾斜部22b,22c(第二面部)。
平面部22a为平面状,相对于表面22d为大致平行。即,平面部22a在相对于层叠方向为垂直的方向上进行延伸。平面部22a的面积小于表面22d的面积。各个倾斜部22b,22c为倾斜面状,相对于层叠方向以及表面22d倾斜。倾斜部22b和倾斜部22c互相相对。倾斜部22b和倾斜部22c是以连结表面22d和平面部22a的形式形成。倾斜部22b具有层叠方向的在一个方向D1上的第一边缘、层叠方向的在另一个方向D2上的第二边缘。倾斜部22b以第一边缘比第二边缘更接近于端面2a的形式倾斜。倾斜部22c具有层叠方向的在一个方向D1上的第一边缘、层叠方向的在另一个方向D2上的第二边缘。倾斜部22c以第一边缘比第二边缘更接近于端面2b的形式倾斜。即,倾斜部22b和倾斜部22c以在层叠方向的另一个方向D2上互相接近的形式倾斜。
线圈导体23具有表面23d、表面23e。表面23d朝向素体2的侧面2d侧,表面23e朝向素体2的侧面2c侧。即,在第1实施方式中,表面23d为朝向层叠方向的一个方向D1的第一表面,表面23e为朝向层叠方向的另一个方向D2的第二表面。表面23d为平面状,相对于层叠方向为大致垂直。表面23e具有平面部23a(第一面部)、2个倾斜部23b,23c(第二面部)。
平面部23a为平面状,相对于表面23d为大致平行。即,平面部23a在相对于层叠方向为垂直的方向上进行延伸。平面部23a的面积小于表面23d的面积。各个倾斜部23b,23c为倾斜面状,相对于层叠方向以及表面23d倾斜。倾斜部23b和倾斜部23c互相相对。倾斜部23b和倾斜部23c是以连结表面23d和平面部23a的形式形成。倾斜部23b具有层叠方向的在一个方向D1上的第一边缘、层叠方向的在另一个方向D2上的第二边缘。倾斜部23b以第一边缘比第二边缘更接近于端面2a的形式倾斜。倾斜部23c具有层叠方向的在一个方向D1上的第一边缘、层叠方向的在另一个方向D2上的第二边缘。倾斜部23c以第一边缘比第二边缘更接近于端面2b的形式倾斜。即,倾斜部23b和倾斜部23c以在层叠方向的另一个方向D2上互相接近的形式倾斜。
应力松弛空间31具有与线圈导体21接触的第一边界面31a、与素体区域11a接触的第二边界面31b。第一边界面31a接触于线圈导体21的表面21d。第二边界面31b接触于素体区域11a。第一边界面31a和第二边界面31b在层叠方向上相对。
应力松弛空间32具有与线圈导体22接触的第一边界面32a、与素体区域11b接触的第二边界面32b。第一边界面32a接触于线圈导体22的表面22d。第二边界面32b接触于素体区域11b。第一边界面32a和第二边界面32b在层叠方向上相对。
应力松弛空间33具有与线圈导体23接触的第一边界面33a、与素体区域11c接触的第二边界面33b。第一边界面33a接触于线圈导体23的表面23d。第二边界面33b接触于素体区域11c。第一边界面33a和第二边界面33b在层叠方向上相对。
应力松弛空间31~33的在层叠方向上的厚度(以下单单称之为“厚度La”)是作为互相相对的第一边界面31a~33a与第二边界面31b~33b之间的距离来进行规定的。在第1实施方式中,应力松弛空间31的厚度La为从第一边界面31a到第二边界面31b的距离。应力松弛空间32的厚度La为从第一边界面32a到第二边界面32b的距离。应力松弛空间33的厚度La为从第一边界面33a到第二边界面33b的距离。各个应力松弛空间31~33的厚度La为同等。同等并不一定意味着只是值一致。即使是在预先设定好的范围内的微差或者制造误差等包含于值的情况下,值也可以为同等。
素体区域11a,11b的在层叠方向上的厚度(以下单单称之为“厚度Lb”)是作为素体区域11a,11b的在层叠方向上的最短距离来进行规定的。在第1实施方式中,素体区域11a的厚度Lb为从第二边界面31b到平面部22a的距离。素体区域11b的厚度Lb为从第二边界面32b到平面部23a的距离。各个素体区域11a,11b的厚度Lb为同等。
应力松弛空间31~33的厚度La小于素体区域11a,11b的厚度Lb。即,素体区域11a,11b的厚度Lb至少大于应力松弛空间31~33的厚度La。因此,在线圈导体21与线圈导体22之间与应力松弛空间31的厚度相比相对来说素体区域11a的厚度Lb被充分确保。在线圈导体22与线圈导体23之间与应力松弛空间32的厚度相比相对来说素体区域11b的厚度Lb被充分确保。应力松弛空间31~33的厚度La例如大约为1~2μm。素体区域11a,11b的厚度Lb例如大约为3~30μm。素体区域11a,11b的厚度Lb与应力松弛空间31~33的厚度La的差例如也可以是5~20以上。
在此省略关于素体区域11c的在层叠方向上的厚度的图示,但是与素体区域11a,11b的厚度Lb相同是作为素体区域11c的在层叠方向上的最短距离来进行规定的。素体区域11c的在层叠方向上的厚度与素体区域11a,11b的厚度Lb相同等。以下即使对于素体区域11c的在层叠方向上的厚度来说也单单称之为“厚度Lb”。应力松弛空间33的厚度La小于素体区域11c的厚度Lb。即,素体区域11c的厚度Lb至少大于应力松弛空间33的厚度La。因此,在线圈导体23与连接导体25之间与应力松弛空间33的厚度相比相对来说素体区域11c的厚度Lb被充分确保。
应力松弛空间31~33全体既可以被粉体31c~33c充满,也可以在粉体31c~33c彼此之间形成空隙等。即,粉体31c~33c既可以以接触于线圈导体21~23以及素体区域11a~11c的形式密集于应力松弛空间31~33内,也可以以在与线圈导体21~23以及素体区域11a~11c当中的至少一方之间具有空隙的形式存在。空隙等例如是由于在为了形成应力松弛空间31~33的材料中所含有的有机溶剂等在烧成时挥发消失而形成的。
即使是在空隙形成于粉体31c~33c彼此之间的情况下,应力松弛空间31~33的厚度La也如以上所述是作为第一边界面31a~33a与第二边界面31b~33b之间的距离来进行规定的。即,应力松弛空间31~33的厚度La不是除去了空隙的仅粉体31c~33c存在的区域的厚度而是作为包含了空隙的应力松弛空间31~33的厚度来进行规定的。
在素体2内,例如也可以由形成素体2的材料与形成导体21~25的材料的收缩率的差等而在素体区域11a~11c与导体之间形成空隙。即,素体区域11a~11c也可以不与导体21~25相接触。即使是在空隙形成于素体区域11a~11c与导体21~25之间的情况下,素体区域11a~11c的厚度Lb也如以上所述是作为素体区域11a~11c的在层叠方向上的最短距离来进行规定的。在空隙形成于素体区域11a~11c与导体21~25之间的情况下,素体区域11a~11c的在层叠方向上的最短距离比没有形成空隙的情况来得小。例如,在空隙没有形成于素体区域11a与线圈导体22之间的情况下,素体区域11a的厚度Lb为从第二边界面31b到平面部22a的距离。例如,在空隙形成于素体区域11a与线圈导体22(平面部22a)之间的情况下,素体区域11a的厚度Lb为从第二边界面31b到与该空隙的边界面的距离。例如,在空隙没有形成于素体区域11b与线圈导体23之间的情况下,素体区域11b的厚度Lb为从第二边界面32b到平面部23a的距离。例如,在空隙形成于素体区域11b与线圈导体23(平面部23a)之间的情况下,素体区域11b的厚度Lb为从第二边界面32b到与该空隙的边界面的距离。
接着,说明将对应于各个线圈导体21~23的导体图形、对应于各个应力松弛空间31~33的粉体图形形成于成为磁性体层11的未烧成的陶瓷坯料薄片上的过程。
首先,通过提供含有ZrO2等的浆料从而将在烧成后成为各个应力松弛空间31~33的粉体图形形成于陶瓷坯料薄片上。浆料的供给例如可以用丝网印刷来实行。含有ZrO2等的浆料是通过混合ZrO2粉末和有机溶剂以及有机胶粘剂等来进行制作的。接着,通过涂布以上所述的导电性浆料,从而在形成于陶瓷坯料薄片上的各个粉体图形上,形成烧成后成为各个应力松弛空间21~23的导体图形。导电性浆料是通过混合导体粉末和有机溶剂以及胶粘剂等来进行制作的。导电性浆料的涂布例如可以用丝网印刷来实行。包含于导体图形中的导体粉末通过烧成而烧结成为线圈导体21~23。粉体图形通过烧成而成为粉体31c~33c存在的应力松弛空间31~33。存在于应力松弛空间31~33的粉体31c~33c的粒径与烧成前的用于粉体图形形成的ZrO2粉末的平均粒径相同等。
连接导体24,25如以下所述进行形成。通过将以上所述的导电性浆料涂布于成为磁性体层11的陶瓷坯料薄片上从而形成对应于连接导体24,25的导体图形。导电性浆料的涂布例如可以用丝网印刷来实行。包含于导体浆料中的导体粉末通过烧成而烧结成为连接导体24,25。通孔导体12a~12d以以下所述形式进行形成。将以上所述的导电性浆料充填于在成为磁性体层11的陶瓷坯料薄片上形成的各个贯通孔。包含在充填于贯通孔的导电性浆料中的导体粉末通过烧成而烧结成为通孔导体12a~12d。形成于陶瓷坯料薄片上的导体图形与充填于贯通孔的导电性浆料进行一体化。为此,线圈导体21~23以及连接导体24,25、通孔导体12a~12d通过烧成而一体化并且同时形成。
在第1实施方式所涉及的层叠线圈部件1中,因为粉体31c~33c存在的各个应力松弛空间31~33接触于相对应的线圈导体21~23的表面21d~23d,所以应力松弛空间31,32存在于在层叠方向上进行相邻的线圈导体21~23与位于其间的素体区域11a,11b之间。应力松弛空间31,32缓和在素体2内产生的内部应力。内部应力例如是由于线圈导体21~23与素体2的热收缩率的差而产生的。应力松弛空间31~33的厚度La小于素体区域11a,11b的厚度Lb。即,素体区域11a,11b的厚度Lb至少大于应力松弛空间31,32的厚度La。因此,即使是在应力松弛空间31,32存在于在层叠方向上进行相邻的线圈导体21~23与位于其间的素体区域11a,11b之间的情况下,素体区域11a,11b与应力松弛空间31,32相比相对来说也能够确保充分的厚度。该结果既充分确保了素体区域11a,11b的厚度Lb又缓和了在素体2内产生的内部应力。
在层叠线圈部件1中,应力松弛空间31~33接触于线圈导体21~23的表面21d~23d。即,各个应力松弛空间31~33形成于相对应的线圈导体21~23的表面21d~23d。较之应力松弛空间31~33形成于表面21d~23d以及表面21e,23e双方的情况,应力松弛空间31~33形成于表面21d~23d的情况下,各个应力松弛空间31~33更容易形成,而且素体区域11a,11b的厚度更容易确保。没有形成应力松弛空间31~33的表面21e,23e因为不通过应力松弛空间31~33就与素体2相结合,所以表面21e~23e与素体2的结合强度高。
在层叠线圈部件1中,应力松弛空间31~33接触于平面状的表面21d~23d。即,因为形成有应力松弛空间31~33的表面21d~23d为平面状,所以应力松弛空间31~33容易形成。
在层叠线圈部件1中,粉体31c~33c的平均粒径为0.1μm以下。在该情况下,因为粉体31c~33c的流动性良好所以粉体31c~33c相对于对应于素体2与线圈导体21~23的热收缩率之差的举动(变动)柔软地进行追随。该结果就更进一步切实地缓和了在素体2内产生的内部应力。
在层叠线圈部件1中,粉体31c~33c的材料为ZrO2。ZrO2难以影响到包含于素体2的铁氧体材料等。ZrO2的熔点因为高于包含于素体2的铁氧体材料等的烧成温度,所以能够作为粉体切实存在。
在层叠线圈部件1中,各个线圈导体21~23含有金属氧化物。在线圈导体21~23含有金属氧化物的情况下,因为构成线圈导体21~23的导电性浆料的在烧成时的收缩率与线圈导体21~23不含有金属氧化物的情况相比相对来说较小,所以线圈导体21~23的截面积大。因此,即使是在线圈导体21~23的截面积大的情况下,应力松弛空间31~33也能够缓和在素体2内产生的内部应力。
在层叠线圈部件1中,因为应力松弛空间没有形成于各个连接导体24,25,所以连接导体24,25与磁性体层11的紧密附着性良好。为此,能够抑制来自露出于连接导体24,25的端部24a,25a即连接导体24,25的端面2a,2b的部分的电镀液的浸入。
(第2实施方式)
参照图8~图10来说明第2实施方式所涉及的层叠线圈部件1A。图8是第2实施方式所涉及的层叠线圈部件的分解斜视图。图9A以及图9B是表示连接导体的平面图。图10是第2实施方式所涉及的层叠线圈部件的截面图。图9A以及图9B是对应于图6。在图8中省略了多个磁性体层以及外部电极的图示。在图10中省略了外部电极的图示。第2实施方式所涉及的层叠线圈部件1A的斜视图因为与图1相同,所以省略图示。
如图8~图10所示,层叠线圈部件1A与层叠线圈部件1相同具备素体2、一对外部电极4,5(参照图1)、多个线圈导体21~23、多个连接导体24,25、多个应力松弛空间31~33。层叠线圈部件1A在具备接触于连接导体24,25的应力松弛空间34,35这一点上与层叠线圈部件1不同。应力松弛空间34,35为粉体34c,35c存在的空间(参照图8)。应力松弛空间34,35存在于相对应的连接导体24,25与素体2内的素体区域之间,并缓和在素体2内产生的内部应力。粉体34c,35c的材料例如是ZrO2等。粉体34c,35c的平均粒径例如是0.1μm以下。
如图8所示,应力松弛空间34在层叠方向上位于连接导体24与线圈导体21之间。如图9A所示,应力松弛空间34形成于连接导体24的表面24d(参照图10)。表面24d为连接导体24的在层叠方向上的下侧的面。即,表面24d在层叠方向上为偏向侧面2d的面。应力松弛空间34是沿着连接导体24的端部T5以及端部24a以外的部分。即,应力松弛空间34不覆盖连接导体24的端部T5以及端部24a。端部T5为与通孔导体12a的连接部分。端部24a为与外部电极4的连接部分。应力松弛空间34从层叠方向来看是以不从连接导体24突出的形式形成。
应力松弛空间35在层叠方向上位于连接导体25与线圈导体23之间。如图9B所示,应力松弛空间35形成于连接导体25的表面25d(参照图10)。表面25d为连接导体25的在层叠方向上的下侧的面。即,表面25d在层叠方向上为偏向侧面2d的面。应力松弛空间35是沿着连接导体25的端部T5以及端部25a以外的部分。即,应力松弛空间35不覆盖连接导体25的端部T6以及端部25a。端部T6为与通孔导体12d的连接部分。端部25a为与外部电极4的连接部分。应力松弛空间35从层叠方向来看是以不从连接导体25突出的形式形成。
如图10所示,应力松弛空间34具有与连接导体24接触的第一边界面34a、与素体区域11d接触的第二边界面34b。第一边界面34a接触于连接导体24的表面24d。第二边界面34b接触于素体区域11d。在第2实施方式中,素体区域11d被线圈导体21和应力松弛空间34夹住。在第1实施方式中,素体区域11d被线圈导体21和连接导体24夹住。第一边界面34a和第二边界面34b在层叠方向上相对。
应力松弛空间35具有与连接导体25接触的第一边界面35a、与素体区域11e接触的第二边界面35b。素体区域11e位于连接导体25与侧面2d之间。第一边界面35a接触于连接导体25的表面25d。第二边界面35b接触于素体区域11e。第一边界面35a和第二边界面35b在层叠方向上相对。
应力松弛空间34,35的在层叠方向上的厚度虽然省略了图示,但是与应力松弛空间34,35的厚度La相同,并且是作为互相相对的第一边界面34a,35a与第二边界面34b,35b之间的距离来进行规定的。以下也将应力松弛空间34,35的在层叠方向上的厚度称作为“厚度La”。应力松弛空间34的厚度La为从第一边界面34a到第二边界面34b的距离。应力松弛空间35的厚度La为从第一边界面35a到第二边界面35b的距离。各个应力松弛空间34,35的厚度La与应力松弛空间31~33的厚度La相同等。
在此,省略关于素体区域11d在层叠方向上的厚度的图示,但是与素体区域11a~11c的厚度Lb相同是作为素体区域11d的在层叠方向上的最短距离来进行规定的。素体区域11d的在层叠方向上的厚度与素体区域11a~11c的厚度Lb相同等。以下也将素体区域11d的在层叠方向上的厚度称作为“厚度Lb”。应力松弛空间34的厚度La小于素体区域11d的厚度Lb。即,素体区域11d的厚度Lb至少大于应力松弛空间34的厚度La。因此,在线圈导体21与连接导体24之间与应力松弛空间34的厚度相比相对来说素体区域11d的厚度Lb充分确保。
应力松弛空间34,35全体既可以被粉体34c,35c充满,也可以在粉体34c,35c彼此之间形成空隙等。即使是在空隙形成于粉体34c,35c彼此之间的情况下,应力松弛空间34,35的厚度La也规定为上述形式。即,应力松弛空间34,35的厚度La不是除去了空隙的仅粉体34c,35c存在的区域的厚度而是作为包含了空隙的应力松弛空间34,35的厚度来进行规定的。
就第2实施方式而言也与第1实施方式相同既能够充分确保素体区域11a,11b的厚度Lb又能够缓和在素体2内产生的内部应力。
在第2实施方式中,各个应力松弛空间34,35因为形成于相对应的连接导体24,25,所以更进一步缓和了在素体2内产生的内部应力。素体区域11d的厚度Lb至少大于应力松弛空间34的厚度。因此,即使是在应力松弛空间34存在于在层叠方向上进行相邻的连接导体24与线圈导体21之间的情况下,素体区域11d与应力松弛空间34相比相对来说也能够确保充分的厚度。
在第2实施方式中,以不覆盖露出于连接导体24,25的端部24a,25a即连接导体24,25上的各个端面2a,2b的部分的形式形成应力松弛空间34,35。端部24a,25a和素体2因为不是通过应力松弛空间34,35来进行结合,所以端部24a,25a与素体2的紧密附着性良好。为此,能够抑制来自端部24a,25a的电镀液的浸入。
(第3实施方式)
参照图11~图16来说明第3实施方式所涉及的层叠线圈部件1B。图11是第3实施方式所涉及的层叠线圈部件的分解斜视图。图12~图14是表示线圈导体的平面图。图15是第3实施方式所涉及的层叠线圈部件的截面图。图15是对应于图6。图16是表示图15的一部分的示意图。在图11中省略了多个磁性体层以及外部电极的图示。在图15中省略了外部电极的图示。第3实施方式所涉及的层叠线圈部件1B的斜视图因为与图1相同,所以省略图示。
如图11~图16所示,层叠线圈部件1B与层叠线圈部件1相同具备素体2、一对外部电极4,5(参照图1)、多个线圈导体21~23、多个连接导体24,25。层叠线圈部件1B在不是具备多个应力松弛空间31~33而是具备多个应力松弛空间41~43这一点上与层叠线圈部件1不同。
各个应力松弛空间41~43接触于相对应的线圈导体21~23。应力松弛空间41~43为粉体41c,42c,43c存在的空间。各个应力松弛空间41~43存在于相对应的线圈导体21~23与素体2内的素体区域之间,并缓和在素体2内产生的内部应力。粉体41c,42c,43c的材料例如是ZrO2等。粉体41c,42c,43c的平均粒径例如是0.1μm以下。
如图11所示,应力松弛空间41在层叠方向上位于连接导体24与线圈导体21之间。如图12所示,应力松弛空间41形成于线圈导体21的表面21e(参照图16)。表面21e为线圈导体21的在层叠方向上的上侧的面。即,表面21e在层叠方向上为偏向侧面2c的面。应力松弛空间41是沿着线圈导体21的端部E1以外的部分。即,应力松弛空间41不覆盖线圈导体21的端部E1。端部E1为与通孔导体12a的连接部分。应力松弛空间41从层叠方向来看是以不从线圈导体21突出的形式形成。
应力松弛空间42在层叠方向上位于线圈导体21与线圈导体22之间。如图13所示,应力松弛空间42形成于线圈导体22的表面22e(参照图16)。表面22e为线圈导体21的在层叠方向上的上侧的面。即,表面22e为偏向侧面2c的面。应力松弛空间42是沿着线圈导体22的端部T2以外的部分。即,应力松弛空间42不覆盖线圈导体22的端部T2。端部T2为与通孔导体12d的连接部分。应力松弛空间42从层叠方向来看是以不从线圈导体22突出的形式形成。
应力松弛空间43在层叠方向上是位于线圈导体22与线圈导体23之间。如图14所示,应力松弛空间43形成于线圈导体23的表面23e(参照图16)。表面23e为线圈导体21的在层叠方向上的上侧的面。即,表面23e为偏向侧面2c的面。应力松弛空间43是沿着线圈导体23的端部T4以外的部分。即,应力松弛空间43不覆盖线圈导体23的端部T4。端部T4为与通孔导体12c的连接部分。应力松弛空间43从层叠方向来看是以不从线圈导体23突出的形式形成。
如图15所示,在第3实施方式中,素体区域11a被线圈导体21和应力松弛空间42夹住。素体区域11b被线圈导体22和应力松弛空间43夹住。素体区域11c被线圈导体23和连接导体25夹住。素体区域11d被连接导体24和应力松弛空间41夹住。
参照图16来说明各个线圈导体21~23以及各个应力松弛空间41~43的截面结构。在图16中扩大了图15中的包含线圈导体21~23的一部分(素体2的靠近端面2b的部分)的区域。图15中的包含线圈导体21~23的素体2的靠近端面2a的部分的区域因为与图16所表示的结构相同,所以省略了图示。在第3实施方式中,从侧面2d朝向侧面2c的方向为层叠方向的一个方向D3,从侧面2c朝向侧面2d的方向为层叠方向的另一个方向D4。即,在第3实施方式中,表面21e,22e,23e为朝向层叠方向的一个方向D3的第一表面,表面21d,22d,23d为朝向层叠方向的另一个方向D4的第二表面。
如图16所示,应力松弛空间41具有与线圈导体21接触的第一边界面41b、与素体区域11d接触的第二边界面41a。第一边界面41b接触于线圈导体21的表面21e。即,第一边界面41b接触于平面部21a和倾斜部21b,21c。在第3实施方式中,第一边界面41b连续性地接触于平面部21a和倾斜部21b,21c。应力松弛空间41一体性地覆盖平面部21a和倾斜部21b,21c。第二边界面41a接触于素体区域11d。第一边界面41b和第二边界面41a在层叠方向上相对。
应力松弛空间42具有与线圈导体22接触的第一边界面42b、与素体区域11a接触的第二边界面42a。第一边界面42b接触于线圈导体22的表面22e。即,第一边界面42b接触于平面部22a和倾斜部22b,22c。在第3实施方式中,第一边界面42b连续性地接触于平面部22a和倾斜部22b,22c。应力松弛空间42一体性地覆盖平面部22a和倾斜部22b,22c。第二边界面42a接触于素体区域11a。第一边界面42b和第二边界面42a在层叠方向上相对。
应力松弛空间43具有与线圈导体23接触的第一边界面43b、与素体区域11b接触的第二边界面43a。第一边界面43b接触于线圈导体23的表面23e。即,第一边界面43b接触于平面部23a和倾斜部23b,23c。在第3实施方式中,第一边界面43b连续性地接触于平面部23a和倾斜部23b,23c。应力松弛空间43一体性地覆盖平面部23a和倾斜部23b,23c。第二边界面43a接触于素体区域11b。第一边界面43b和第二边界面43a在层叠方向上相对。
各个应力松弛空间41~43在层叠方向上的厚度(一以下单单称之为“厚度Lc”)是作为互相相对的第一边界面41b~43b与第二边界面41a~43a之间的距离来进行规定的。在第3实施方式中,应力松弛空间41的厚度Lc为从第一边界面41b到第二边界面41a的距离。应力松弛空间42的厚度Lc为从第一边界面42b到第二边界面42a的距离。应力松弛空间43的厚度Lc为从第一边界面43b到第二边界面43a的距离。各个应力松弛空间41~43的厚度Lc互为同等。
各个素体区域11a,11b的在层叠方向上的厚度(以下单单称之为“厚度Ld”)是作为素体区域11a,11b的在层叠方向上的最短距离来进行规定的。在第3实施方式中,素体区域11a的厚度Ld为从第二边界面42a到表面21d的距离。素体区域11b的厚度Ld为从第二边界面43a到表面22d的距离。各个素体区域11a,11b的厚度Ld互为同等。
各个应力松弛空间41~43的厚度Lc小于各个素体区域11a,11b的厚度Ld。即,素体区域11a,11b的厚度Ld至少大于应力松弛空间41~43的厚度Lc。因此,在线圈导体21与线圈导体22之间,与应力松弛空间41的厚度相比相对来说能够充分确保素体区域11a的厚度Ld。在线圈导体22与线圈导体23之间,与应力松弛空间42的厚度相比相对来说能够充分确保素体区域11b的厚度Ld。应力松弛空间41~43的厚度Lc例如大约为1~2μm。相对于此,素体区域11a,11b的厚度Ld例如大约为3~30μm。素体区域11a,11b的厚度Lc与应力松弛空间41~43的厚度之差例如也可以是5~20μm以上。
素体区域11d的在层叠方向上的厚度虽省略了图示,但是与素体区域11a,11b的厚度Lc相同,是作为素体区域11d的在层叠方向上的最短距离来进行规定的。素体区域11d的在层叠方向上的厚度与素体区域11a,11b的厚度Lc相同等。以下即使就素体区域11d的在层叠方向上的厚度而言也单单称作为“厚度Lc”。应力松弛空间41的厚度La小于素体区域11d的厚度Ld。即,素体区域11d的厚度Ld至少大于应力松弛空间41的厚度Lc。因此,在线圈导体21与连接导体24之间,与应力松弛空间41的厚度相比相对来说能够充分确保素体区域11d的厚度Ld。
与第1以及第2实施方式相同,既可以应力松弛空间41~43全体被粉体41c~43c充满又可以在粉体41c~43c彼此之间形成空隙等。即使是在空隙形成于粉体41c~43c彼此之间的情况下,应力松弛空间41~43的厚度Lc也规定为上述形式。即,应力松弛空间41~43的厚度Lc不是除去了空隙的仅粉体41c~43c存在的区域的厚度而是作为包含了空隙的应力松弛空间41~43的厚度来进行规定的。
素体区域11a,11b,11d与素体区域11a~11c相同也可以与导体21~25相接触。即使是在空隙形成于素体区域11a~11c与导体21~25之间的情况下,素体区域11a,11b,11d的厚度Ld也如以上所述是作为素体区域11a,11b,11d的在层叠方向上的最短距离来进行规定的。在空隙形成于素体区域11a~11c与导体21~25之间的情况下,素体区域11a,11b,11d的在层叠方向上的最短距离变得小于不形成空隙的情况。例如,在空隙没有形成于素体区域11a与线圈导体21之间的情况下,素体区域11a的厚度Ld为从第二边界面42a到表面21d的距离。例如,在空隙形成于素体区域11a与线圈导体21(表面21d)之间的情况下,素体区域11a的厚度Ld为从第二边界面42a到与该空隙的边界面的距离。例如,在空隙没有形成于素体区域11b与线圈导体22之间的情况下,素体区域11b的厚度Ld为从第二边界面43a到表面22d的距离。例如,在空隙形成于素体区域11b与线圈导体22(表面22d)之间的情况下,素体区域11b的厚度Ld为从第二边界面43a到与该空隙的边界面的距离。
接着,说明在成为磁性体层11的未烧成的陶瓷坯料薄片上形成对应于各个线圈导体21~23的导体图形、对应于各个应力松弛空间41~43的粉体图形的过程。各个连接导体24,25以及各个通孔导体12a~12d的形成方法因为与第1实施方式相同,所以省略说明。
首先,通过涂布以上所述的导电性浆料从而在陶瓷坯料薄片上形成在烧成后成为各个线圈导体21~23的导体图形。导电性浆料的涂布例如可以由丝网印刷来实行。导电性浆料是通过混合导体粉末和有机溶剂以及有机胶粘剂等来进行制作的。接着,通过涂布含有ZrO2等的浆料从而在形成于陶瓷坯料薄片上的各个导体图形上形成在烧成后成为各个应力松弛空间41~43的粉体图形。浆料的涂布例如可以由丝网印刷来实行。含有ZrO2等的浆料是通过混合ZrO2粉末和有机溶剂以及有机胶粘剂等来进行制作的。包含于导体浆料中的导体粉末通过烧成而烧结成为线圈导体21~23。粉体图形通过烧成而成为粉体41c~43c存在的应力松弛空间41~43。存在于应力松弛空间41~43的粉体41c~43c的粒径与烧成前的用于粉体浆料形成的ZrO2粉末的平均粒径相同等。
在第3实施方式所涉及的层叠线圈部件1B中,因为粉体41c~43c存在的各个应力松弛空间41~43接触于相对应的线圈导体21~23的表面21e~23e,所以应力松弛空间42,43存在于在层叠方向上进行相邻的线圈导体21~23与位于其间的素体区域11a,11b之间。应力松弛空间41~43缓和在素体2内产生的内部应力。内部应力例如是由于线圈导体21~23与素体2的热收缩率的差而产生的。应力松弛空间41~43的厚度Lc小于素体区域11a,11b的厚度Ld。即,素体区域11a,11b的厚度Ld至少大于应力松弛空间41~43的厚度Lc。因此,即使是在应力松弛空间42,43存在于在层叠方向上进行相邻的各个线圈导体21~23与位于其间的素体区域11a,11b之间的情况下,素体区域11a,11b与应力松弛空间42,43相比相对来说也能够确保充分的厚度。该结果既充分确保了素体区域11a,11b的厚度Ld又缓和了在素体2内产生的内部应力。
在层叠线圈部件1B中,应力松弛空间41~43接触于平面部21a~23a和倾斜部21b~23b,21c~23c。为此,就能够切实地缓和在素体2内产生的内部应力。
以上已就各种各样的实施方式作了说明,但是本发明并不限定于上述实施方式,只要是在不变更各个权利要求所述的宗旨的范围内进行变形都是可以的,或者也可以适用于其他方面。
在上述实施方式中,各个应力松弛空间31~33,41~43与相对应的线圈导体21~23上的朝向层叠方向的一个方向D1,D3的表面相接触,但是并不限定于此。例如,应力松弛空间也可以接触于线圈导体21~23上的朝向层叠方向的一个方向D1,D3的表面和朝向层叠方向的另一个方向D2,D4的表面。各个应力松弛空间31~33,41~43既可以与相对应的线圈导体21~23的表面的一部分相接触也可以与相对应的线圈导体21~23的表面全体相接触。各个应力松弛空间31~33,41~43也可以以包围相对应的线圈导体21~23的表面的形式形成。在上述实施方式中,应力松弛空间31~33,41~43从层叠方向来看是以不从相对应的线圈导体21~23突出的形式形成,但是并不限定于此。例如,应力松弛空间31~33,41~43从层叠方向来看也可以以从相对应的线圈导体21~23突出的形式形成。在上述实施方式中,应力松弛空间34,35从层叠方向来看是以不从连接导体24,25突出的形式形成,但是并不限定于此。例如,应力松弛空间34,35从层叠方向来看也可以以从连接导体24,25突出的形式形成。
在上述实施方式中,各个线圈导体21~23的截面形状为大致梯形状,但是并不限定于此。例如,各个线圈导体21~23的截面形状也可以是大致矩形状。
在上述实施方式中,线圈导体21~23以及连接导体24,25的在层叠方向上的厚度为大致相同,但是并限定于此。例如,也可以连接导体24,25的在层叠方向上的厚度小于线圈导体21~23的厚度。在此情况下,连接导体24,25作为起因而在素体2内产生的应力被限制。在连接导体24的在层叠方向上的厚度减小的情况下,连接导体24的电阻变大。为此,也可以通过在层叠方向上并置多个连接导体24从而降低连接导体24的电阻。同样,也可以通过在层叠方向上并置多个连接导体25从而降低连接导体25的电阻。
在上述实施方式中,粉体31c~35c,41c~43c的材料例如为ZrO2等,但是并不限定于此。例如,粉体31c~35c,41c~43c的材料也可以是烧成温度高于构成素体2的铁氧体材料的另一种铁氧体材料。在此情况下,粉体31c~35c,41c~43c的材料存在的应力松弛空间31~35,41~43也作为磁性体行使其功能。构成应力松弛空间31~33,41~43的粉体材料也可以是介电常数高于素体2的材料。在此情况下,在线圈导体21~23之间产生的寄生电容(stray capacity)降低。
在上述第3实施方式中,也可以应力松弛空间形成于连接导体24,25。

Claims (5)

1.一种层叠线圈部件,其特征在于:
具备:
素体,包含磁性材料;
线圈,包含在所述素体内的第一方向上互相分开并且互相电连接的多个内部导体;以及
多个应力松弛空间,接触于各个所述内部导体的表面并且存在粉体;
所述素体具有位于在所述第一方向上相邻的各个所述内部导体之间的素体区域,
各个所述应力松弛空间具有与各个所述内部导体接触的第一边界面、以及与所述素体区域接触的第二边界面,
所述第一边界面和所述第二边界面在所述第一方向上相对,
从所述第一边界面到所述第二边界面的距离小于所述素体区域在所述第一方向上的厚度,
各个所述内部导体具有朝向所述第一方向的一个方向的第一表面、以及朝向所述第一方向的另一个方向的第二表面,
所述第一表面具有在相对于所述第一方向垂直的方向上延伸的第一面部、以及相对于所述第一方向以及所述第一面部倾斜的第二面部,
各个所述应力松弛空间接触于所述第一面部和所述第二面部。
2.如权利要求1所述的层叠线圈部件,其特征在于:
所述粉体的平均粒径为0.1μm以下。
3.如权利要求1或2所述的层叠线圈部件,其特征在于:
所述粉体的材料为ZrO2
4.如权利要求1或2所述的层叠线圈部件,其特征在于:
各个所述内部导体含有金属氧化物。
5.如权利要求3所述的层叠线圈部件,其特征在于:
各个所述内部导体含有金属氧化物。
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