JP6442519B2 - 水蒸気改質触媒組成物及び水蒸気改質触媒 - Google Patents
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Description
(2)・・・CO +H2O→CO2+H2
また、この種の遷移金属系触媒を実際に水蒸気改質触媒として使用するには、還元処理して活性化させた上で使用する必要がある。しかしながら、この種の触媒は、500℃以上の温度で還元処理した際、酸化物が金属相に相転移してシンタリング(焼結)を起こすため、前記水蒸気改質触媒活性成分の活性が低下して、該水蒸気改質触媒活性成分が本来有している触媒性能を発揮することができないという課題を抱えていた。
本発明の実施形態の一例としての水蒸気改質触媒組成物(以下「本触媒組成物」と称する)は、水蒸気改質触媒活性成分と、バナジウムとを含有する触媒活性粒子(以下「本触媒粒子」と称する)を含有する水蒸気改質触媒組成物である。
本触媒粒子は、水蒸気改質触媒活性成分と、バナジウムとを含有する触媒活性粒子である。
バナジウムは前記水蒸気改質触媒活性成分と反応して複合酸化物を生成する。この複合酸化物は、触媒活性化のための還元処理によって徐々に還元されて活性を発現する。還元された活性成分はやがて熱によるシンタリングにより失活するが、改質反応中の水素により、残りの複合酸化物が新たに還元され活性を発現する。このサイクルが繰り返されることにより、活性成分が供給され結果として触媒の寿命を延ばすことができる。
この際、ニッケルなどの水蒸気改質触媒活性成分を含有する触媒粒子にバナジウムを含有させることにより、バナジウムを含有しない場合と比べ、還元活性化後の比表面積の低下を抑えて水蒸気改質性能を高めることができ、さらには500℃以上の温度での還元活性化処理や改質反応におけるシンタリングによる性能の低下を効果的に抑制することもできる。
水蒸気改質触媒活性成分としては、水蒸気改質反応を促進させる作用を有することが知られている元素を使用することができる。例えばFe、Ni、Co、Ru、Rh、Pt、Pd及びIrのうちの少なくとも一種の元素を挙げることができる。これらのうちの2種以上であってもよい。中でもFe、Ni、Coなどの鉄族元素を含むことが好ましく、その中でもNi、或いは、NiとRu又はRhとを含むのが好ましい。このようにNiとRu又はRhとを含む場合、Ru又はRhが水蒸気改質反応をより促進し、本触媒組成物の還元活性化の条件を緩やかにすることができる点で好ましい。
本触媒粒子において、バナジウムは、酸化物、金属、又はこれらの混合物、又はこれらの固溶体の状態で存在するのが好ましい。すなわち、還元活性化処理前の状態では酸化物として存在し、還元活性化処理後は、バナジウムの少なくとも一部が、前記酸化物が還元された状態、例えばNiなどの水蒸気改質触媒活性成分と合金を生成したり、固溶したり、これらの混合物の状態で存在するのが好ましい。
また、前記バナジウムは、触媒活性粒子の表面に偏って点在することなく、表面に分散した状態で存在することがより好ましい。
バナジウムを触媒活性粒子の表面に存在させるためには、水溶性のバナジウム化合物、例えば、バナジン酸アンモニウム(NH4VO3)などのバナジウムを含有する水溶液中に、水酸化ニッケル(Ni(OH)2)粒子粉末などの触媒活性粒子粉末を入れて含浸させ、焼成するようにすればよい。但し、そのような方法に限定するものではない。
但し、バナジウムの含有量が多過ぎると、上記の如くバナジウムを含有する水溶液を用いる場合、作業性が低下する可能性があるばかりか、本触媒粒子を製造する際に五酸化バナジウムが生成して触媒焼成時に溶融してしまう可能性があるため、バナジウムの含有量が多過ぎることは好ましくない。
かかる観点から、バナジウム含有量は、前記水蒸気改質触媒活性成分100mol%に対して、1mol%以上の割合で含有するのが好ましく、中でも200mol%以下、その中でも2mol%以上或いは100mol%以下、その中でも3mol%以上或いは45mol%以下の割合で含有するのが特に好ましい。
本触媒粒子は、粒子表面に、ケイ素酸化物又はジルコニウム酸化物又はこれら両方が存在していてもよい。
バナジウムを含有する本触媒粒子(「コア粒子」とも称する)の表面に、ケイ素酸化物又はジルコニウム酸化物又はこれら両方(「表面酸化物」とも称する)が適度な量存在することにより、触媒粒子を構成する物質の移動を当該表面酸化物が制限するアンカー効果を発揮するため、本触媒粒子が本来有する触媒性能を低下させることなく、且つ、500℃以上の温度で還元活性化処理や改質反応時のシンタリングをより一層抑制することができる。特に、還元環境下や550℃以上の高温環境下に長時間晒された後での水蒸気改質触媒性能をより一層維持することができる。
他方、ジルコニウム酸化物としては、二酸化ジルコニウム(ZrO2)を挙げることができる。
本触媒粒子の表面にこのような元素Aが存在することにより、水蒸気改質触媒性能をさらに高めることができる。
この際、前記元素Aは、本触媒粒子の表面全体に均一に分散していることが好ましい。
なお、上記ケイ素酸化物又はジルコニウム酸化物の表面被覆率と、ケイ素化合物又はジルコニウム化合物の表面被覆率(本触媒粒子の表面全面にケイ素化合物又はジルコニウム化合物が存在する場合を100%とした場合の、ケイ素化合物又はジルコニウム化合物の存在割合)とは同じ値になる。そのため、後述する実施例では、ケイ素化合物又はジルコニウム化合物の表面被覆率を算出して、ケイ素酸化物又はジルコニウム酸化物の表面被覆率としている。このように100%被覆の場合であっても、微小クラックを介してガスは流通する。
本触媒粒子において、コア粒子100wt%に対する、ケイ素酸化物又はジルコニウム酸化物又はこれら両方の含有量の割合が2wt%以上であれば、耐熱効果を発現することができ、15wt%以下であれば、均質な製品を得ることができる。中でも2wt%以上或いは5wt%以下であるのが特に好ましい。
また、ケイ素又はジルコニウムを含む溶液、例えばシリコンアルコキシド又はジルコニウムアルコキシドのエタノール溶液中にコア粒子粉末を入れて含浸させ、必要に応じて乾燥を行った後、必要に応じて前記A元素を含む溶液中に前記本触媒粒子を入れて含浸させ、必要に応じて乾燥を行い、その後、焼成を行うことによって、本触媒粒子の表面に表面酸化物を存在させるようにしてもよい。
本触媒組成物は、前記本触媒粒子以外に他の成分を含有していてもよい。
他の成分としては、例えばアルミナなどの金属酸化物を含有する酸化物粒子を挙げることができる。このような酸化物粒子を含有することにより、本触媒粒子間を離して存在させることができるため、互いに焼結するのを防ぐと共に、触媒活性を好適な程度に調整することができる。
本触媒組成物のBET比表面積は、単位触媒質量あたりの水蒸気改質触媒活性を向上させることができるという観点から、本触媒組成物を還元処理して水蒸気改質触媒活性成分が還元された状態において、0.1m2/g〜100m2/gであるのが好ましく、中でも0.5m2/g以上或いは75m2/g以下、その中でも5m2/g以上或いは65m2/g以下であるのが特に好ましい。
本触媒組成物は次のようにして製造することができる。但し、次に説明する製造方法はあくまでも一例である。
本発明の実施形態の一例としての水蒸気改質触媒(以下「本触媒」と称する)は、本触媒組成物を用いてなる触媒である。
本触媒は、ペレット状などの適宜形状に成形され、単独で触媒として用いることもできるし、また、セラミックス又は金属材料からなる基材に担持された形態として用いることもできる。
基材の材質としては、セラミックス等の耐火性材料やフェライト系ステンレス等の金属材料を挙げることができる。
セラミックス製基材の材質としては、耐火性セラミックス材料、例えばコージライト、コージライト−アルファアルミナ、窒化ケイ素、ジルコンムライト、アルミナ−シリカマグネシア、ケイ酸ジルコン、シリマナイト(sillimanite)、ケイ酸マグネシウム、ジルコン、ペタライト(petalite)、アルファアルミナおよびアルミノシリケート類などを挙げることができる。
金属製基材の材質としては、耐火性金属、例えばステンレス鋼または鉄を主成分とした耐食性合金などを挙げることができる。
基材の形状は、ハニカム状、ペレット状、球状を挙げることができる。
本触媒は、本触媒組成物と、バインダー及び水を混合・撹拌してスラリーとし、得られたスラリーを、例えばセラミックスハニカム体などの基材に塗布し、これを焼成して、基材表面に触媒層を形成する方法などを挙げることができる。
なお、本触媒を製造するための方法は公知のあらゆる方法を採用することが可能であり、上記例に限定するものではない。
本明細書において「X〜Y」(X,Yは任意の数字)と表現する場合、特にことわらない限り「X以上Y以下」の意と共に、「好ましくはXより大きい」或いは「好ましくはYより小さい」の意も包含する。
また、「X以上」(Xは任意の数字)或いは「Y以下」(Yは任意の数字)と表現した場合、「Xより大きいことが好ましい」或いは「Y未満であることが好ましい」旨の意図も包含する。
水酸化ニッケル粒子粉末(比表面積120m2/g)10gを、大気中550℃で3時間仮焼して触媒粉を得た。該触媒粉8gに5wt%PVA(ポリビニルアルコール)水溶液1.6gを添加し、乳鉢で均一に分散させ、φ30mmの金型に入れて90kNの圧力で円板状にプレス成型した。
得られた円板状成型体を、大気中750℃で3時間焼成し、寸法・重量を測定した後、粉砕し、篩に通して0.5mmメッシュ以上4mmメッシュ以下の触媒活性粒子粉末からなる水蒸気改質触媒組成物(サンプル)を得た。
バナジン酸アンモニウム(NH4VO3)0.19gを、50℃の純水17.5mLに溶解して、バナジン酸アンモニウム水溶液を作製した。このバナジン酸アンモニウム水溶液に水酸化ニッケル粒子粉末(比表面積120m2/g)10gを添加し、スターラーで3時間撹拌した。次に、加熱して水分を蒸発させ、得られた固形物を乳鉢で粉砕した後、大気中550℃で3時間仮焼して触媒粉を得た。該触媒粉8gに5wt%PVA水溶液1.6gを添加し、乳鉢で均一に分散させ、φ30mmの金型に入れて90kNの圧力で円板状にプレス成型した。
得られた円板状成型体を、大気中750℃で3時間焼成し、寸法・重量を測定した後、粉砕し、4mmメッシュの篩と0.5mmメッシュの篩を使用して分級して、0.5mm〜4.0mmの大きさのV添加ニッケル系触媒活性粒子粉末からなる水蒸気改質触媒組成物(サンプル)を得た。
参考例1において、バナジン酸アンモニウム(NH4VO3)と水酸化ニッケル粒子粉末(比表面積120m2/g)との混合割合を変更した。すなわち、バナジン酸アンモニウム(NH4VO3)0.39gを、50℃の純水36mLに溶解して、バナジン酸アンモニウム水溶液を作製した。このバナジン酸アンモニウム水溶液に水酸化ニッケル粒子粉末(比表面積120m2/g)10gを添加した。これ以外の点は、参考例1と同様に、V添加ニッケル系触媒活性粒子粉末からなる水蒸気改質触媒組成物(サンプル)を調製した。
参考例1において、バナジン酸アンモニウム(NH4VO3)と水酸化ニッケル粒子粉末(比表面積120m2/g)との混合割合を変更した。すなわち、バナジン酸アンモニウム(NH4VO3)0.66gを、50℃の純水65mLに溶解して、バナジン酸アンモニウム水溶液を作製した。このバナジン酸アンモニウム水溶液に水酸化ニッケル粒子粉末(比表面積120m2/g)10gを添加した。これ以外の点は、参考例1と同様に、V添加ニッケル系触媒活性粒子粉末からなる水蒸気改質触媒組成物(サンプル)を調製した。
参考例1において、バナジン酸アンモニウム(NH4VO3)と水酸化ニッケル粒子粉末(比表面積120m2/g)との混合割合を変更した。すなわち、バナジン酸アンモニウム(NH4VO3)1.25gを、50℃の純水115mLに溶解して、バナジン酸アンモニウム水溶液を作製した。このバナジン酸アンモニウム水溶液に水酸化ニッケル粒子粉末(比表面積120m2/g)10gを添加した。これ以外の点は、参考例1と同様に、V添加ニッケル系触媒活性粒子粉末からなる水蒸気改質触媒組成物(サンプル)を調製した。
参考例1において、バナジン酸アンモニウム(NH4VO3)と水酸化ニッケル粒子粉末(比表面積120m2/g)との混合割合を変更した。すなわち、バナジン酸アンモニウム(NH4VO3)2.23gを、50℃の純水205mLに溶解して、バナジン酸アンモニウム水溶液を作製した。このバナジン酸アンモニウム水溶液に水酸化ニッケル粒子粉末(比表面積120m2/g)10gを添加した。これ以外の点は、参考例1と同様に、V添加ニッケル系触媒活性粒子粉末からなる水蒸気改質触媒組成物(サンプル)を調製した。
参考例1において、バナジン酸アンモニウム(NH4VO3)と水酸化ニッケル粒子粉末(比表面積120m2/g)との混合割合を変更した。すなわち、バナジン酸アンモニウム(NH4VO3)5.4gを、50℃の純水500mLに溶解して、バナジン酸アンモニウム水溶液を作製した。このバナジン酸アンモニウム水溶液に水酸化ニッケル粒子粉末(比表面積120m2/g)10gを添加した。これ以外の点は、参考例1と同様に、V添加ニッケル系触媒活性粒子粉末からなる水蒸気改質触媒組成物(サンプル)を調製した。
参考例1において、バナジン酸アンモニウム(NH4VO3)と水酸化ニッケル粒子粉末(比表面積120m2/g)との混合割合を変更した。すなわち、バナジン酸アンモニウム(NH4VO3)8.5gを、50℃の純水770mLに溶解して、バナジン酸アンモニウム水溶液を作製した。このバナジン酸アンモニウム水溶液に水酸化ニッケル粒子粉末(比表面積120m2/g)10gを添加した。これ以外の点は、参考例1と同様に、V添加ニッケル系触媒活性粒子粉末からなる水蒸気改質触媒組成物(サンプル)を調製した。
参考例1において、バナジン酸アンモニウム(NH4VO3)と水酸化ニッケル粒子粉末(比表面積120m2/g)との混合割合を変更した。すなわち、バナジン酸アンモニウム(NH4VO3)12.6gを、50℃の純水1160mLに溶解して、バナジン酸アンモニウム水溶液を作製した。このバナジン酸アンモニウム水溶液に水酸化ニッケル粒子粉末(比表面積120m2/g)10gを添加した。これ以外の点は、参考例1と同様に、V添加ニッケル系触媒活性粒子粉末からなる水蒸気改質触媒組成物(サンプル)を調製した。
バナジン酸アンモニウム(NH4VO3)0.66gを、50℃の純水65mLに溶解して、バナジン酸アンモニウム水溶液を作製した。このバナジン酸アンモニウム水溶液に水酸化ニッケル粒子粉末(比表面積120m2/g)10gを添加し、スターラーで3時間撹拌した。次に、加熱により水分を蒸発させ、得られた固形物を乳鉢で粉砕し粉体試料を得た。この粉体試料にシランカップリング剤(3−アミノプロピルトリエトキシシラン、信越シリコーン社製「KBE−903」、分子量221.4)0.78gを水10mLに加え、均一に撹拌した前駆体水溶液を加え、スターラーで3時間撹拌し粉体に均一にコートした後、加熱により水分を蒸発させ試料を乾燥した。
得られた固形サンプルを乳鉢で粉砕した後、大気中550℃で3時間仮焼して触媒粉を得た。該触媒粉8gに5wt%PVA水溶液1.6gを添加し、乳鉢で均一に分散させ、φ30mmの金型に入れて90kNの圧力で円板状にプレス成型した。
得られた円板状成型体を、大気中750℃で3時間焼成し、寸法・重量を測定した後、粉砕し、4mmメッシュの篩と0.5mmメッシュの篩を使用して分級して、0.5mm〜4.0mmの大きさの「ケイ素酸化物が表面に存在するV添加ニッケル系触媒活性粒子粉末」からなる水蒸気改質触媒組成物(サンプル)を得た。
参考例3の前駆体水溶液の調製において、シランカップリング剤0.78gの代わりに、酢酸ジルコニウム(分子量327.4)0.74gを水10mLに加えた以外、実施例3と同様にして、「ジルコニウム酸化物が表面に存在するV添加ニッケル系触媒活性粒子粉末」からなる水蒸気改質触媒組成物(サンプル)を得た。
実施例3の前駆体水溶液の調製において、シランカップリング剤(3−アミノプロピルトリエトキシシラン、信越シリコーン社製「KBE−903」)0.78gを水10mLに加える代わりに、シランカップリング剤(信越シリコーン社製「KBE−903」、分子量221.4)0.78g及び酢酸ジルコニウム(分子量327.4)0.74gを水10mLに加えた以外、実施例3と同様にして、「ケイ素酸化物及びジルコニウム酸化物が表面に存在するV添加ニッケル系触媒活性粒子粉末」からなる水蒸気改質触媒組成物(サンプル)を得た。
バナジン酸アンモニウム(NH4VO3)0.66gを、50℃の純水65mLに溶解して、バナジン酸アンモニウム水溶液を作製した。このバナジン酸アンモニウム水溶液に水酸化ニッケル粒子粉末(比表面積120m2/g)10gを添加し、スターラーで3時間撹拌した後、Ru50g/Lの硝酸ルテニウム溶液0.1mLを加え、さらに1時間撹拌し、水酸化ニッケル粒子表面にバナジウム及びルテニウムを十分吸着させた。次に、加熱して蒸発乾固により水分を蒸発させ、得られた固形物を乳鉢で粉砕し粉体試料を得た。この粉体試料にシランカップリング剤(3−アミノプロピルトリエトキシシラン、信越シリコーン社製「KBE−903」)0.78gを水10mLに加え、さらに酢酸ジルコニウム(分子量327.4)0.74gを加えて均一に撹拌した前駆体水溶液を加え、スターラーで3時間撹拌し粉体に均一にコートした後、加熱により水分を蒸発させて乾燥して固形サンプル試料を得た。
得られた固形サンプルを乳鉢で粉砕した後、大気中550℃で3時間仮焼して触媒粉を得た。該触媒粉8gに5wt%PVA水溶液1.6gを添加し、乳鉢で均一に分散させ、φ30mmの金型に入れて90kNの圧力で円板状にプレス成型した。
得られた円板状成型体を、大気中750℃で3時間焼成し、寸法・重量を測定した後、粉砕し、4mmメッシュの篩と0.5mmメッシュの篩を使用して分級して、0.5mm〜4.0mmの大きさの「ケイ素酸化物及びジルコニウム酸化物が表面に存在するV・Ru添加ニッケル系触媒活性粒子粉末」からなる水蒸気改質触媒組成物(サンプル)を得た。
実施例5において、前記前駆体水溶液の混合割合を調整して、粒子表面に存在するケイ素酸化物の量を変更した。すなわち、シランカップリング剤(3−アミノプロピルトリエトキシシラン、信越シリコーン社製「KBE−903」、分子量221.4)1.56gに、さらに酢酸ジルコニウム(分子量327.4)1.48gに変更した。この点以外は、実施例5と同様にして、「ケイ素酸化物及びジルコニウム酸化物が表面に存在するV添加ニッケル系触媒活性粒子粉末」からなる水蒸気改質触媒組成物(サンプル)を得た。
図1に示す燃料改質評価装置を用いて、各実施例・比較例で得られた水蒸気改質触媒組成物(サンプル)が水蒸気改質反応で発生した水素量(H2%)を測定することで、水蒸気改質性能を評価した。
この燃料改質評価装置は、図1に示されるように、気体燃料1としてボンベより供給される都市ガス(メタン89〜90vol%、エタン4〜6vol%、プロパン4〜5vol%、ブタン1vol%未満)と、純水タンク3に入った純水を、それぞれ気体マスフローコントローラー2と、液体マスフローコントローラー4により流量を調整することができるものである。純水は電気炉5内の気化器6を通り水蒸気となって、燃料ガス/水蒸気混合部7にて気体燃料と混合され、電気炉8内のステンレス容器に封じられた改質触媒9へ送られ、改質触媒9にて改質されたガスはバブラー11を経て排気される。
この排気の一部をガスクロマトグラフ(以下「GC」と称する)13内蔵のポンプにて吸引し、水分除去器12を通過した改質ガスはGC13によって定量される。この時、全ガス量に対する水素量(H2%)を測定して評価した。
各実施例・比較例で得られた水蒸気改質触媒組成物(サンプル)5gを改質器内に配置し、改質器内を窒素ガスで置換した。次に、触媒を活性化させるため電気炉8にて燃料改質部を加熱し、触媒温度が500℃に達したところで都市ガスと水蒸気の供給を開始し還元活性化処理を開始した。この時の燃料ガスの流量は空間速度(SV)9000h−1となるようにし、都市ガスと水蒸気の比率(S/C)は2.5となるように設定した。
さらに温度を上げ、触媒温度が550℃に達したところで30分間保持した後、再び温度を上げ750℃で1分間加熱して還元活性化処理を完了した。
その後、温度を下げ550℃で15分間キープした後、ガスクロマトグラフで水素発生量を測定した(Fresh値)。
各実施例において説明したように、酸化物状態(還元活性化処理前)の円板状の触媒ペレット焼結体の直径、高さ、重量を測定し、焼結密度(g/cm3)を計算した。
各実施例・比較例で得られた水蒸気改質触媒組成物(サンプル)について、比表面積細孔分布測定装置(BECKMAN COULTER株式会社製「SA3100」)を使用し、N2ガス吸着法により、燃料改質評価装置による水蒸気改質性能(劣化加速試験を含む)の評価後に測定したBET比表面積(m2/g)をAged後の値とした。
上記実施例・比較例で得られた水蒸気改質触媒組成物(ガス評価試験前サンプル、「pre」と称する)と、上記ガス改質評価試験後、すなわち還元活性化処理、水素発生量の測定、劣化加速試験、水素発生量の測定を経たサンプルを窒素雰囲気中で室温まで高温し回収した水蒸気改質触媒組成物(「Aged後」と称する)のそれぞれについて、X線回折分析装置(リガク社製・RINT TTRIII))を用いてX線回折(XRD)測定を行った(図3〜図6参照)。
そして、得られたX線回折パターン(図から、Ni3(VO4)O2、(V1.34Ni0.66)O3等に帰属されるニッケルバナジウムの複合酸化物相が存在したか否かを確認した。なお、表には、ニッケルバナジウムの複合酸化物相を単に「複合酸化物」として示し、存在が確認された場合「あり」、確認されなかった場合「なし」と評価した。
上記実施例・比較例で得られた水蒸気改質触媒組成物の上記ガス改質評価試験後の触媒活性粒子(Aged後)を走査型電子顕微鏡(SEM・FEICOMPANY社製XL30−SFEG)で観察した(図7〜図15参照)。
表面被覆率(=下記表面処理剤添加量(g)×100)は、次の2式から算出することができる。
最小被覆面積(m2/g)=6.02×1023×13×10-20/表面処理剤分子量
表面処理剤添加量(g)=Ni(OH)2重量(g)×Ni(OH)2の比表面積(m2/g)/上記最小被覆面積(m2/g)
ここで、表面処理剤とは、上記実施例で用いたシランカップリング剤及び酢酸ジルコニウムを示す。
シランカップリング剤及び酢酸ジルコニウムの2種類の表面処理剤を用いた実施例6、7については、両者のmol比に応じた平均分子量を表面処理剤分子量として算出した。
なお、表2には、ケイ素酸化物(シランカップリング剤)又はジルコニウム酸化物(酢酸ジルコニウム)又はケイ素酸化物とジルコニウム酸化物の混合物の表面被覆率を「被覆率」として示した。
また、上記実施例及びこれまで発明者が行ってきた試験結果より、比較例1のように、バナジウムを加えないニッケル系触媒活性粒子粉末は、550℃での還元活性化処理の段階からシンタリングが進行するために、触媒活性が低下することが確認された。
これに対し、参考例1では、バナジウム(V)を添加した効果により、焼結による粒子径の増大が抑制され(図8)、参考例2−1では、焼結が抑制され、粒界に隙間が存在していることが分かった(図9)。参考例2−2〜2−4についてはいずれも、Vの添加の効果で粒成長が抑制されたことが分かった(図10〜12)。参考例2−5〜2−7についてはいずれも、さらにVを添加しても、粒成長を抑える効果は持続し、触媒性能の低下を防ぐことができることが分かった(図13〜15)。
これに対し、バナジウムを加えることにより、550℃での還元活性化処理の際のみならず、改質反応中もシンタリングを抑制して、触媒活性の低下を抑制できることが分かった。また、触媒性能劣化加速試験後の実施例の各サンプルはいずれも、黒色で、乳鉢にて容易に粉砕されたため、シンタリングが進行していないことが分かった。
このように、触媒活性粒子の表面に、ケイ素酸化物又はジルコニウム酸化物又はこれら両方が適度な量存在することにより、550℃での還元処理、さらには改質反応の際にシンタリングをより一層抑制することができ、触媒活性の低下をより一層抑制できることが分かった。特に、還元かつ550℃以上の高温環境下に長時間晒された後での触媒性能が維持され、熱劣化を抑制できることが判明した。このような効果は、ケイ素酸化物又はジルコニウム酸化物又はこれら両方が触媒活性粒子表面に適度な量存在することにより、触媒粒子を構成する物質の移動を当該表面酸化物が制限するアンカー効果に加え、Ni成分とV成分が比表面積の高い化合物を形成するため、シンタリングが抑制されるものと推察することができる。
2 気体マスフローコントローラー
3 純水タンク
4 液体マスフローコントローラー
5 電気炉(300℃固定)
6 気化器
7 燃料ガス/水蒸気混合部
8 電気炉
9 改質触媒
10 改質触媒温度測定熱電対
11 バブラー
12 水分除去器
13 ガスクロマトグラフ
Claims (6)
- 炭化水素を含有する燃料ガスの改質に用いられる水蒸気改質触媒であって、ニッケル(Ni)を含む粒子の表面に、バナジウム(V)の酸化物もしくはバナジウム(V)とニッケル(Ni)の複合酸化物が存在し、前記バナジウム(V)の酸化物もしくはバナジウム(V)とニッケル(Ni)の複合酸化物と共に、ケイ素酸化物及びジルコニウム酸化物の両方が存在することを特徴とする水蒸気改質触媒組成物。
- Ni100molに対しVを1〜200molの割合で含有することを特徴とする請求項1に記載の水蒸気改質触媒組成物。
- Niを含む粒子の表面に10%以上の存在割合(触媒活性粒子の表面全面にケイ素酸化物又はジルコニウム酸化物が存在する場合を100%とした場合の存在割合)で、ケイ素酸化物及びジルコニウム酸化物の両方が存在することを特徴とする請求項1又は2に記載の水蒸気改質触媒組成物。
- 触媒活性粒子は、Niのほかに、Ru又はRhを含むことを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の水蒸気改質触媒組成物。
- 請求項1〜4の何れかに記載の水蒸気改質触媒組成物を、ペレット状に成型してなる水蒸気改質触媒。
- 請求項1〜4の何れかに記載の水蒸気改質触媒組成物を、基材に担持してなる構成を備えた水蒸気改質触媒。
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