JP6421344B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6421344B2 JP6421344B2 JP2017197375A JP2017197375A JP6421344B2 JP 6421344 B2 JP6421344 B2 JP 6421344B2 JP 2017197375 A JP2017197375 A JP 2017197375A JP 2017197375 A JP2017197375 A JP 2017197375A JP 6421344 B2 JP6421344 B2 JP 6421344B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- imaging device
- state imaging
- electrode
- lower electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 114
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 74
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 55
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/703—SSIS architectures incorporating pixels for producing signals other than image signals
- H04N25/704—Pixels specially adapted for focusing, e.g. phase difference pixel sets
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
- G02B13/001—Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras
- G02B13/0015—Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras characterised by the lens design
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
- H01L27/14647—Multicolour imagers having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/60—Control of cameras or camera modules
- H04N23/67—Focus control based on electronic image sensor signals
- H04N23/672—Focus control based on electronic image sensor signals based on the phase difference signals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
本開示にかかる固体撮像装置の実施の形態を説明する前に、本開示の基礎となった知見について説明する。
[1.回路構成]
図1は、実施の形態1に係る固体撮像装置の回路構成を示す図である。
図2Aは、実施の形態1に係る固体撮像装置の断面構造を示す図である。同図に示された固体撮像装置は、半導体基板101上に複数の配線層102が形成されている。複数の配線層102上に、第1の下部電極103A、第2の下部電極103Bおよび第3の下部 電極103Cが形成されている。第1の下部電極103A、第2の下部電極103Bおよ び第3の下部電極103Cの上に、光電変換膜104が形成され、光電変換膜104上に、透明な上部電極105が形成されている。また、上部電極105上に、カラーフィルタ106が形成され、カラーフィルタ106上に、マイクロレンズ107が形成されている。
次に、実施の形態1に係る固体撮像装置の製造方法について説明する。
Polishing)法にて平坦化を実施し、第1の下部電極103A、第2の下部電極103Bおよび第3の下部電極103Cを表面に露出させる。このときの下部電極の膜厚は、たとえば50nm〜200nmとする。
以下、図面を参照しながら、実施の形態2に係る固体撮像装置の構成および動作について、実施の形態1との相違点を中心に説明する。
以下、図面を参照しながら、実施の形態3に係る固体撮像装置の構成および動作について、実施の形態1との相違点を中心に説明する。
以下、図面を参照しながら、実施の形態4に係る固体撮像装置の構成および動作について、実施の形態3との相違点を中心に説明する。
以下、図面を参照しながら、実施の形態5に係る固体撮像装置の構成および動作について、実施形態3および4との相違点を中心に説明する。
以上のように、上記実施の形態に係る固体撮像装置の一態様は、複数の画素が配置された撮像領域を有する固体撮像装置であって、複数の画素は、複数の撮像用画素40と複数の焦点検出用画素42A及び42Bとを含み、複数の撮像用画素40のそれぞれは、第1の下部電極103Aと、第1の下部電極103Aの上に形成された光電変換膜104と、光電変換膜104の上に形成された上部電極105とを備え、複数の焦点検出用画素42A及び42Bのそれぞれは、第2の下部電極103Bと、第2の下部電極103Bの上に形成された光電変換膜104と、光電変換膜104の上に形成された上部電極105とを備え、第2の下部電極103Bは、第1の下部電極103Aよりも面積が小さく、焦点検出用画素41A及び41Bは、それぞれの第2の下部電極103Bが、画素中心から互いに異なる方向に偏心して配置されている。
以上、本開示の固体撮像装置およびその製造方法について、実施の形態1〜6に基づいて説明してきたが、本開示に係る固体撮像装置およびその製造方法は、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本開示の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本開示に係る固体撮像装置を内蔵した各種機器も本開示に含まれる。
21 増幅トランジスタ
22 リセットトランジスタ
23 アドレストランジスタ
24 光電変換素子
25 電荷蓄積ノード
26 垂直信号線
27 電源配線
28 リセット信号線
29 アドレス信号線
30 フィードバック信号線
31 フィードバックアンプ
35 撮像領域
40,45 撮像用画素
42A,42B,43A,43B,46A,46B 焦点検出用画素
200,300,500,700,800 固体撮像装置
101 半導体基板
102 配線層
103A,203A 第1の下部電極
103B,203B 第2の下部電極
103C,203C 第3の下部電極
104 光電変換膜
105 上部電極
106 カラーフィルタ
107,207,307 マイクロレンズ
140 撮像用領域
142A,142B 焦点検出用領域
304D,305D 第4の下部電極
401,404 絶縁膜
402,403 金属層
Claims (10)
- 撮影用の複数の第1画素と、焦点検出用の複数の第2画素と、を含む固体撮像装置であって、
前記第1画素は、
第1電極と、
前記第1電極の上に位置する第1光電変換膜と、
前記第1光電変換膜の上に位置する第2電極と、
を備え、
前記第2画素は、
第3電極と、
前記第3電極の上に位置する第2光電変換膜と、
前記第2光電変換膜の上に位置する第4電極と、
を備え、
前記第3電極は、前記第1電極よりも面積が小さく、
前記複数の第2画素のうち少なくとも2つにおいて、前記第3電極が、前記第2画素の中心から互いに異なる方向に偏心して配置されている、
固体撮像装置。 - 前記第1電極と前記第3電極とは、同じ層に位置する、
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記第2画素は、前記第3電極と同じ層に位置する第5電極を備え、
前記第5電極は、電源に接続されている、
請求項1または2に記載の固体撮像装置。 - 前記複数の第2画素は、前記第5電極を共有している、
請求項3に記載の固体撮像装置。 - 隣接する前記第1電極と前記第3電極との間に位置し、前記第1電極および前記第3電極と同じ層に位置し、すべての画素に共通する第6電極を備える、
請求項1または2に記載の固体撮像装置。 - 前記第2画素の上に位置するマイクロレンズを備え、
前記マイクロレンズの中心は、前記第2画素の中心に対し、前記第3電極が偏心する方向にずれている、
請求項1〜5のいずれか一項に記載の固体撮像装置。 - 前記複数の第2画素は、第3画素と、前記第3画素に隣接する第4画素と、を有し、
前記第3画素と前記第4画素とは、一つのマイクロレンズを共有する、
請求項1〜5のいずれか一項に記載の固体撮像装置。 - 前記第1光電変換膜および前記第2光電変換膜の少なくとも一方は有機材料を含む、
請求項1〜7のいずれか一項に記載の固体撮像装置。 - 前記第1光電変換膜と前記第2光電変換膜とが連続している、
請求項1〜8のいずれか一項に記載の固体撮像装置。 - 前記第2電極と前記第4電極とが連続している、
請求項1〜9のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013131787 | 2013-06-24 | ||
JP2013131787 | 2013-06-24 | ||
JP2014118086 | 2014-06-06 | ||
JP2014118086 | 2014-06-06 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015523852A Division JP6232589B2 (ja) | 2013-06-24 | 2014-06-17 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018014762A JP2018014762A (ja) | 2018-01-25 |
JP2018014762A5 JP2018014762A5 (ja) | 2018-04-19 |
JP6421344B2 true JP6421344B2 (ja) | 2018-11-14 |
Family
ID=52141414
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015523852A Active JP6232589B2 (ja) | 2013-06-24 | 2014-06-17 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2017197375A Active JP6421344B2 (ja) | 2013-06-24 | 2017-10-11 | 固体撮像装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015523852A Active JP6232589B2 (ja) | 2013-06-24 | 2014-06-17 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9402040B2 (ja) |
JP (2) | JP6232589B2 (ja) |
WO (1) | WO2014208047A1 (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6016396B2 (ja) * | 2011-03-24 | 2016-10-26 | キヤノン株式会社 | 撮像素子および撮像装置 |
WO2014002367A1 (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-03 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
JP6108172B2 (ja) * | 2013-09-02 | 2017-04-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP6682175B2 (ja) * | 2014-07-31 | 2020-04-15 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子および撮像システム |
JP6521586B2 (ja) * | 2014-07-31 | 2019-05-29 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子および撮像システム |
TWI692090B (zh) * | 2014-11-05 | 2020-04-21 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 固體攝像元件及其製造方法 |
US9973678B2 (en) | 2015-01-14 | 2018-05-15 | Invisage Technologies, Inc. | Phase-detect autofocus |
TWI700824B (zh) * | 2015-02-09 | 2020-08-01 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 攝像元件及電子裝置 |
JP6676393B2 (ja) * | 2015-03-11 | 2020-04-08 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子およびそれを備える撮像装置 |
JP6595804B2 (ja) * | 2015-05-27 | 2019-10-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および撮像装置 |
JP6562250B2 (ja) * | 2015-06-08 | 2019-08-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置および撮像モジュール |
US10002899B2 (en) * | 2015-09-16 | 2018-06-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Microlens for a phase detection auto focus (PDAF) pixel of a composite grid structure |
JP6758747B2 (ja) * | 2015-09-18 | 2020-09-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
JP6706482B2 (ja) * | 2015-11-05 | 2020-06-10 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
JP2017157804A (ja) * | 2016-03-04 | 2017-09-07 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP2017168812A (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
EP3754710B1 (en) | 2016-07-06 | 2022-02-09 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state image pickup apparatus, correction method, and electronic apparatus |
US10063763B2 (en) * | 2016-07-07 | 2018-08-28 | Tdk Taiwan Corp. | Camera module |
US11251218B2 (en) * | 2016-10-20 | 2022-02-15 | Invisage Technologies, Inc. | Image sensors with enhanced wide-angle performance |
WO2018075583A1 (en) | 2016-10-20 | 2018-04-26 | Invisage Technologies, Inc. | Image sensors with crosstalk mitigation |
CN110431667B (zh) * | 2017-03-31 | 2024-03-22 | 索尼半导体解决方案公司 | 固态成像元件、电子设备和制造方法 |
JP6907029B2 (ja) * | 2017-05-31 | 2021-07-21 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP2019040897A (ja) * | 2017-08-22 | 2019-03-14 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子及び電子機器 |
CN109671730B (zh) | 2017-10-16 | 2024-08-06 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
JP2019133982A (ja) * | 2018-01-29 | 2019-08-08 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム及び移動体 |
JP2019134296A (ja) * | 2018-01-31 | 2019-08-08 | 東芝映像ソリューション株式会社 | 受信機 |
KR102554689B1 (ko) * | 2018-10-10 | 2023-07-13 | 삼성전자주식회사 | 투명 전극을 갖는 반도체 소자 |
JP7535707B2 (ja) | 2018-11-07 | 2024-08-19 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
WO2023199560A1 (ja) * | 2022-04-15 | 2023-10-19 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置およびカメラシステム |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8054356B2 (en) * | 2007-02-14 | 2011-11-08 | Fujifilm Corporation | Image pickup apparatus having a charge storage section and charge sweeping section |
KR100836428B1 (ko) * | 2007-04-06 | 2008-06-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널용 전극시트 및 이를 이용한플라즈마 디스플레이 패널 |
JP5364995B2 (ja) | 2007-10-01 | 2013-12-11 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子及びこれを用いた電子カメラ |
JP2009099817A (ja) | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Nikon Corp | 固体撮像素子 |
JP5225151B2 (ja) * | 2008-03-11 | 2013-07-03 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び画像処理方法 |
JP5451111B2 (ja) * | 2008-03-11 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | 焦点検出装置およびそれを有する撮像装置 |
JP2010039106A (ja) * | 2008-08-04 | 2010-02-18 | Nikon Corp | 撮像素子、焦点検出装置および撮像装置 |
JP5097077B2 (ja) * | 2008-10-10 | 2012-12-12 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその制御方法及びプログラム |
JP5222240B2 (ja) * | 2009-07-09 | 2013-06-26 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 光センサ回路、および光センサアレイ |
JP2011238897A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-24 | Canon Inc | 検出装置及びその製造方法並びに検出システム |
JP2011249623A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Panasonic Corp | 光電変換素子とその製造方法、および固体撮像素子とその製造方法 |
JP2014029351A (ja) * | 2010-11-18 | 2014-02-13 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子及び撮像装置 |
JP5768375B2 (ja) * | 2011-01-14 | 2015-08-26 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置 |
JPWO2013001809A1 (ja) * | 2011-06-30 | 2015-02-23 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5556823B2 (ja) * | 2012-01-13 | 2014-07-23 | 株式会社ニコン | 固体撮像装置および電子カメラ |
JP6108172B2 (ja) * | 2013-09-02 | 2017-04-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
-
2014
- 2014-06-17 WO PCT/JP2014/003235 patent/WO2014208047A1/ja active Application Filing
- 2014-06-17 JP JP2015523852A patent/JP6232589B2/ja active Active
-
2015
- 2015-03-23 US US14/666,200 patent/US9402040B2/en active Active
-
2017
- 2017-10-11 JP JP2017197375A patent/JP6421344B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6232589B2 (ja) | 2017-11-22 |
JP2018014762A (ja) | 2018-01-25 |
US20150195466A1 (en) | 2015-07-09 |
JPWO2014208047A1 (ja) | 2017-02-23 |
WO2014208047A1 (ja) | 2014-12-31 |
US9402040B2 (en) | 2016-07-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6421344B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2018014762A5 (ja) | ||
JP7241308B2 (ja) | 撮像装置およびその駆動方法 | |
JP7174925B2 (ja) | 撮像装置およびカメラシステム | |
TWI742573B (zh) | 固體攝像元件及其製造方法以及電子機器 | |
JP2022046686A (ja) | 撮像素子および撮像装置 | |
US9171799B2 (en) | Photoelectric conversion apparatus, image pickup system, and manufacturing method therefor | |
JP4779054B1 (ja) | 固体撮像素子及び撮像装置 | |
US8981439B2 (en) | Solid-state imaging device and image capturing system | |
JP2014075776A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2011071437A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
JP2014225536A (ja) | 固体撮像装置及びカメラ | |
WO2019193787A1 (ja) | 電子デバイス | |
JP2009099817A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP5298617B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
US20140327798A1 (en) | Solid-state imaging apparatus and camera | |
JP2018207100A (ja) | 撮像装置 | |
JP7026336B2 (ja) | 撮像装置、および、カメラシステム | |
TW201143064A (en) | Image sensor with doped transfer gate | |
JP2009094299A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2008288504A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2022028207A (ja) | 光電変換装置及びその製造方法と、撮像システム | |
JP5425138B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP2014187068A (ja) | 固体撮像装置及び撮像システム | |
JP2021086881A (ja) | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法、および機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171011 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180227 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180817 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180905 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180918 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6421344 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |