JP2014075776A - 固体撮像装置 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 103
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 27
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 26
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/616—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise involving a correlated sampling function, e.g. correlated double sampling [CDS] or triple sampling
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
-
- H—ELECTRICITY
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
- H04N25/633—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current by using optical black pixels
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
- H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
- H04N25/677—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction for reducing the column or line fixed pattern noise
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- H—ELECTRICITY
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
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Abstract
【解決手段】複数の有効画素がアレイ状に配置された画素アレイと、第1方向に並んだ複数の有効画素に共通に接続された有効信号線と、第1方向に並んだ複数の有効画素に対して設けられたダミー画素と、ダミー画素に接続されたダミー信号線と、有効信号線からの信号をダミー信号線からの信号に基づいて補正する処理部とを備える。有効画素は、光電変換部で発生した電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部と、電荷電圧変換部の電圧に応じた信号を有効信号線に出力する出力部とを含む。ダミー画素は、有効画素と同一の構成を有する電荷電圧変換部と、ダミー画素の電荷電圧変換部の電圧に応じた信号をダミー信号線に出力する出力部とを含む。ダミー画素の電荷電圧変換部と有効信号線との間の最短距離は、ダミー画素の電荷電圧変換部とダミー信号線との間の最短距離よりも長い。
【選択図】図7
Description
Claims (17)
- 複数の有効画素がアレイ状に配置された画素アレイと、
第1方向に並んだ複数の前記有効画素の信号が出力される有効信号線と、
前記第1方向に並んだ複数の有効画素に対して設けられたダミー画素と、
前記ダミー画素の信号が出力されるダミー信号線と、
前記有効信号線からの信号を前記ダミー信号線からの信号に基づいて補正する処理部とを備え、
前記有効画素は、光電変換部と、前記光電変換部で発生した電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部と、前記電荷電圧変換部の電圧に応じた信号を前記有効信号線に出力する出力部とを含み、
前記ダミー画素は、前記有効画素の前記電荷電圧変換部と同一の構成を有する電荷電圧変換部と、前記ダミー画素の前記電荷電圧変換部の電圧に応じた信号を前記ダミー信号線に出力する出力部とを含み、
前記ダミー画素の前記電荷電圧変換部と前記有効信号線との間の最短距離は、前記ダミー画素の前記電荷電圧変換部と前記ダミー信号線との間の最短距離よりも長いことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記ダミー画素の前記電荷電圧変換部は、フローティングディフュージョンと、前記フローティングディフュージョンに電気的に接続された導電体とを含むことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記ダミー画素の前記出力部は、前記フローティングディフュージョンに電気的に接続されたゲート電極を有する増幅トランジスタを含み、
前記フローティングディフュージョンに電気的に接続された前記導電体は、前記増幅トランジスタの前記ゲート電極を含むことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記ダミー画素は、前記フローティングディフュージョンをリセットするリセットトランジスタをさらに含み、
前記フローティングディフュージョンに電気的に接続された前記導電体は、前記フローティングディフュージョンに電気的に接続された前記リセットトランジスタの電極を含むことを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。 - 前記フローティングディフュージョンと、前記増幅トランジスタの前記ゲート電極と、前記リセットトランジスタの前記電極とは、導電パターン及びプラグによって接続され、
前記フローティングディフュージョンに電気的に接続された前記導電体は、前記導電パターン及び前記プラグを含むことを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記ダミー画素は、前記第1方向に並んだ複数の有効画素から前記第1方向とは異なる第2方向にずれて配置されることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記有効信号線は、前記ダミー画素の前記電荷電圧変換部の上を通らないように当該電荷電圧変換部を迂回していることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記有効信号線と前記ダミー信号線とは互いに異なる配線層に含まれることを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記第1方向に並んだ複数の有効画素の一部に対する前記ダミー画素と、他の一部に対する前記ダミー画素とが前記画素アレイを挟んで反対側に配置されることを特徴とする請求項1乃至8の何れか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記有効画素の光電変換部は、信号電荷と同極性の第1半導体領域と、これと反対導電型の第2半導体領域を有し、前記有効画素の光電変換部が配される活性領域に対応する前記ダミー画素の活性領域に配される、前記第1半導体領域と同極性の半導体領域の面積は、前記第1半導体領域の面積よりも小さいことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記有効画素の光電変換部は、信号電荷と同極性の第1半導体領域と、これと反対導電型の第2半導体領域を有し、前記有効画素の光電変換部が配される活性領域に対応する前記ダミー画素の活性領域に、前記第1半導体領域と同極性の半導体領域が設けられないことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記有効画素の光電変換部は、前記第1半導体領域の上に前記反対導電型の第3半導体領域をさらに有し、前記ダミー画素は、前記第3半導体領域に対応する領域を有しないことを特徴とする請求項11に記載の固体撮像装置。
- 複数の有効画素がアレイ状に配置された画素アレイと、
第1方向に並んだ複数の前記有効画素の信号が出力される有効信号線と、
前記第1方向に並んだ複数の有効画素に対して設けられたダミー画素と、
前記ダミー画素の信号が出力されるダミー信号線と、
前記有効信号線からの信号を前記ダミー信号線からの信号に基づいて補正する処理部とを備え、
前記有効画素は、光電変換部と、前記光電変換部で発生した電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部と、前記電荷電圧変換部の電圧に応じた信号を前記有効信号線に出力する出力部とを含み、
前記ダミー画素は、電荷電圧変換部と、前記ダミー画素の前記電荷電圧変換部の電圧に応じた信号を前記ダミー信号線に出力する出力部とを含み、
前記ダミー画素の前記電荷電圧変換部は、フローティングディフュージョンと、前記フローティングディフュージョンに電気的に接続された導電体とを含み、
前記ダミー画素の前記電荷電圧変換部と前記有効信号線との間の最短距離は、前記ダミー画素の前記電荷電圧変換部と前記ダミー信号線との間の最短距離よりも長いことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記ダミー画素の前記出力部は、前記フローティングディフュージョンに電気的に接続されたゲート電極を有する増幅トランジスタを含み、
前記フローティングディフュージョンに電気的に接続された前記導電体は、前記増幅トランジスタの前記ゲート電極を含むことを特徴とする請求項13に記載の固体撮像装置。 - 前記ダミー画素は、前記フローティングディフュージョンをリセットするリセットトランジスタをさらに含み、
前記フローティングディフュージョンに電気的に接続された前記導電体は、前記フローティングディフュージョンに電気的に接続された前記リセットトランジスタの電極を含むことを特徴とする請求項14に記載の固体撮像装置。 - 前記フローティングディフュージョンと、前記増幅トランジスタの前記ゲート電極と、前記リセットトランジスタの前記電極とは、導電パターン及びプラグによって接続され、
前記フローティングディフュージョンに電気的に接続された前記導電体は、前記導電パターン及び前記プラグを含むことを特徴とする請求項15に記載の固体撮像装置。 - 請求項1乃至16の何れか1項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置によって得られた信号を処理する信号処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013101712A JP6174902B2 (ja) | 2012-09-14 | 2013-05-13 | 固体撮像装置及びカメラ |
US13/961,986 US9124833B2 (en) | 2012-09-14 | 2013-08-08 | Solid-state imaging apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012203537 | 2012-09-14 | ||
JP2012203537 | 2012-09-14 | ||
JP2013101712A JP6174902B2 (ja) | 2012-09-14 | 2013-05-13 | 固体撮像装置及びカメラ |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014075776A true JP2014075776A (ja) | 2014-04-24 |
JP2014075776A5 JP2014075776A5 (ja) | 2016-07-07 |
JP6174902B2 JP6174902B2 (ja) | 2017-08-02 |
Family
ID=50274093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013101712A Expired - Fee Related JP6174902B2 (ja) | 2012-09-14 | 2013-05-13 | 固体撮像装置及びカメラ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9124833B2 (ja) |
JP (1) | JP6174902B2 (ja) |
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JP6274904B2 (ja) | 2014-02-25 | 2018-02-07 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
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US20140078354A1 (en) | 2014-03-20 |
JP6174902B2 (ja) | 2017-08-02 |
US9124833B2 (en) | 2015-09-01 |
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