JP2020021775A - 固体撮像装置及び撮像システム - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の第1実施形態による固体撮像装置について、図1乃至図5を用いて説明する。図1は、本実施形態による固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。図2は、本実施形態による固体撮像装置の画素の構成例を示す回路図である。図3は、本実施形態による固体撮像装置の画素の構造を示す概略断面図である。図4は、本実施形態の変形例による固体撮像装置の画素の構造を示す概略断面図である。図5は、本実施形態による固体撮像装置の画素のポテンシャル図である。
本発明の第2実施形態による固体撮像装置について、図6を用いて説明する。第1実施形態による固体撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図6は、本実施形態による固体撮像装置の画素の構造を示す概略断面図である。
本発明の第3実施形態による固体撮像装置及びその駆動方法について、図1及び図2を参照して説明する。
本発明の第4実施形態による撮像システムについて、図7を用いて説明する。図7は、本実施形態による撮像システムの概略構成を示すブロック図である。
本発明の第5実施形態による撮像システム及び移動体について、図8を用いて説明する。図8は、本実施形態による撮像システム及び移動体の構成を示す図である。
本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
12…画素
20…垂直走査回路
30…列読み出し回路
40…水平走査回路
50…制御回路
60…出力回路
110…半導体基板
112,122,128,130,132,134…p型半導体領域
114,116,126…n型半導体領域
124…間隙
Claims (14)
- 光電変換により電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部から転送される電荷を保持する電荷保持部と、を各々が有する複数の画素と、
前記複数の画素の各々の間に設けられた画素分離部と、を有し、
前記光電変換部は、半導体基板に設けられ、生成した電荷を蓄積する第1導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域の下部に設けられた第2導電型の第2の半導体領域と、前記第2の半導体領域の下部に設けられ、前記第1の半導体領域よりも不純物濃度の低い前記第1導電型の第3の半導体領域と、を有し、前記第1の半導体領域と前記第3の半導体領域とが、前記第2の半導体領域と同じ深さに設けられた第4の半導体領域を介して電気的に接続されており、
前記電荷保持部は、前記第1導電型の第5の半導体領域を有し、
前記画素分離部は、隣接する前記画素の前記第3の半導体領域の間に設けられた前記第2導電型の第6の半導体領域を有し、
前記電荷に対する前記第4の半導体領域のポテンシャルをV4、前記電荷に対する前記第1の半導体領域と前記第5の半導体領域との間のポテンシャルをV5、前記電荷に対する前記第6の半導体領域のポテンシャルをV6として、V6>V5>V4の関係を有する
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記画素分離部は、隣接する前記画素の前記第1の半導体領域の間に設けられた前記第2導電型の第7の半導体領域を更に有し、
前記電荷に対する前記第7の半導体領域のポテンシャルをV7として、V7>V5の関係を有する
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記複数の画素の各々は、前記第3の半導体領域の下部に設けられた前記第2導電型の第8の半導体領域を更に有し、
前記電荷に対する前記第8の半導体領域のポテンシャルをV8として、V8>V5の関係を有する
ことを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像装置。 - 前記第1の半導体領域と前記第5の半導体領域との間のポテンシャルは、前記第1の半導体領域と前記第5の半導体領域との間の距離によって規定されている
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の半導体領域と前記第5の半導体領域との間に設けられた前記第2導電型の第9の半導体領域を更に有し、
前記第1の半導体領域と前記第5の半導体領域との間のポテンシャルは、前記第9の半導体領域の不純物濃度により規定されている
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記複数の画素の各々は、前記光電変換部と前記電荷保持部との間に設けられた転送トランジスタを更に有し、
前記第1の半導体領域と前記第5の半導体領域との間のポテンシャルは、前記転送トランジスタがオフ状態のときの前記転送トランジスタのチャネル部のポテンシャルである
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の半導体領域と前記第5の半導体領域との間のポテンシャルは、前記転送トランジスタのゲートに印加する電圧により制御される
ことを特徴とする請求項6記載の固体撮像装置。 - 前記第4の半導体領域は、平面視において、前記第1の半導体領域の少なくとも一部と重なっている
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記第4の半導体領域は、平面視において、前記第1の半導体領域の中央部分に配置されている
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部は、前記半導体基板の表面部に設けられ、前記第1の半導体領域との間にpn接合を形成する前記第2導電型の第10の半導体領域を更に有する
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記第4の半導体領域は、前記第1導電型の半導体領域である
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記第4の半導体領域は、前記第2導電型の半導体領域である
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 請求項1乃至12のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の前記画素から出力される信号を処理する信号処理部と
を有することを特徴とする撮像システム。 - 移動体であって、
請求項1乃至12のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置からの信号に基づく視差画像から、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段と、
前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する制御手段と
を有することを特徴とする移動体。
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