JP2014187068A - 固体撮像装置及び撮像システム - Google Patents
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- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 71
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 73
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 11
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14654—Blooming suppression
- H01L27/14656—Overflow drain structures
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/10—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths
- H04N23/12—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths with one sensor only
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- H—ELECTRICITY
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/60—Control of cameras or camera modules
- H04N23/67—Focus control based on electronic image sensor signals
- H04N23/672—Focus control based on electronic image sensor signals based on the phase difference signals
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/134—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on three different wavelength filter elements
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- H—ELECTRICITY
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/703—SSIS architectures incorporating pixels for producing signals other than image signals
- H04N25/704—Pixels specially adapted for focusing, e.g. phase difference pixel sets
Abstract
【解決手段】固体撮像装置は、それぞれが基板に配列された光電変換部を有する複数の画素を備える固体撮像装置であって、前記基板において、前記複数の画素のそれぞれの間に形成された素子分離領域を備え、前記複数の画素は、第1波長の光を通過させるための第1カラーフィルタが設けられた第1画素と、前記第1波長より長い第2波長の光を通過させるための第2カラーフィルタが設けられた第2画素と、前記光電変換部の上に配され、前記光電変換部に入射する光を制限する遮光パターンを有する焦点検出用の画素とを含み、前記素子分離領域のうち、前記焦点検出用の画素と前記第1画素との間の第1領域は、前記第1画素と前記第2画素との間の第2領域よりも、信号電荷に対して低い障壁を有する。
【選択図】図2
Description
図2及び図3を参照しながら、第1実施形態の固体撮像装置I1を説明する。図2は、固体撮像装置I1の断面構造を図1(b)と同様にして示している。固体撮像装置I1では、AF用の画素12AF/緑色画素10G間において、赤色画素10R/緑色画素10G間の素子分離領域106(第2領域)よりも深さが浅い素子分離領域108(第1領域)が基板101に形成されている。素子分離領域108は、素子分離領域106より深さが浅いため、電荷の移動(例えば拡散による移動)を妨げる能力が素子分離領域106よりも低い。
図5及び図6を参照しながら、第2実施形態の固体撮像装置I2を説明する。本実施形態は、AF用の画素12AFの他、第2の焦点検出用の画素11AFが、青色画素10Bが配されるべき位置の一部にさらに配されている点で第1実施形態と異なる。図5は、固体撮像装置I2の断面構造を模式的に示している。なお、AF用の画素11AFは、AF用の画素12AFと同様に、例えば配線層M1に開口OPAFを有する遮光パターン113が配された構造が採られる。
また、以上の実施形態は、カメラ等に代表される撮像システムに含まれる固体撮像装置について述べた。撮像システムの概念には、撮影を主目的とする装置のみならず、撮影機能を補助的に備える装置(例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末)も含まれる。撮像システムは、上記の実施形態として例示された本発明に係る固体撮像装置と、当該固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部とを含みうる。焦点検出のための信号処理は当該処理部によって為されてもよい。また、当該処理部は、例えば、A/D変換器及び当該A/D変換器から出力されるデジタルデータを処理するプロセッサを含みうる。
Claims (8)
- それぞれが基板に配列された光電変換部を有する複数の画素を備える固体撮像装置であって、
前記基板において、前記複数の画素のそれぞれの間に形成された素子分離領域を備え、
前記複数の画素は、第1波長の光を通過させるための第1カラーフィルタが設けられた第1画素と、前記第1波長より長い第2波長の光を通過させるための第2カラーフィルタが設けられた第2画素と、前記光電変換部の上に配され、前記光電変換部に入射する光を制限する遮光パターンを有する焦点検出用の画素とを含み、
前記素子分離領域のうち、前記焦点検出用の画素と前記第1画素との間の第1領域は、前記第1画素と前記第2画素との間の第2領域よりも、信号電荷に対して低い障壁を有する、
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記第1領域は、前記第2領域よりも画素間方向の幅が狭い、
前記第1領域は、前記第2領域よりも前記基板からの深さが浅い、
前記第1領域は、前記第2領域よりも不純物濃度が低い、ことの少なくともいずれか1つをみたす、
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記複数の画素は、前記第1波長より短い第3波長の光を通過させるための第3カラーフィルタが設けられた第3画素をさらに含んでおり、
前記第1画素はベイヤ配列における緑色画素に対応する位置に配され、前記焦点検出用の画素又は前記第2画素は前記ベイヤ配列における赤色画素に対応する位置に配され、前記第3画素は前記ベイヤ配列における青色画素に対応する位置に配されている、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像装置。 - それぞれが基板に配列した光電変換部を有する複数の画素を備える固体撮像装置であって、
前記複数の画素のそれぞれの間の、前記基板に形成された素子分離領域を備え、
前記複数の画素は撮像用の画素及び焦点検出用の画素を含み、
前記焦点検出用の画素の上には、前記光電変換部に入射する光を制限する遮光パターンが配されており、前記素子分離領域のうち、前記焦点検出用の画素と前記撮像用の画素との間の第1領域は、互いに隣接する2つの前記撮像用の画素との間の第2領域よりも、信号電荷に対して低い障壁を有する、
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記第1領域は、前記第2領域よりも画素間方向の幅が狭い、
前記第1領域は、前記第2領域よりも前記基板からの深さが浅い、
前記第1領域は、前記第2領域よりも不純物濃度が低い、ことの少なくともいずれか1つをみたす、
ことを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記複数の画素は複数の配線層をさらに備えており、
前記遮光パターンは、前記複数の配線層のうち前記基板に最も近い側の配線層に配されている、
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記素子分離領域の上には、絶縁体からなる素子分離部が設けられている
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とする撮像システム。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013059061A JP6087681B2 (ja) | 2013-03-21 | 2013-03-21 | 固体撮像装置及び撮像システム |
US14/210,908 US9305950B2 (en) | 2013-03-21 | 2014-03-14 | Solid-state imaging apparatus and imaging system |
US15/053,085 US20160172413A1 (en) | 2013-03-21 | 2016-02-25 | Solid-state imaging apparatus and imaging system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013059061A JP6087681B2 (ja) | 2013-03-21 | 2013-03-21 | 固体撮像装置及び撮像システム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014187068A true JP2014187068A (ja) | 2014-10-02 |
JP2014187068A5 JP2014187068A5 (ja) | 2016-05-12 |
JP6087681B2 JP6087681B2 (ja) | 2017-03-01 |
Family
ID=51568887
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013059061A Expired - Fee Related JP6087681B2 (ja) | 2013-03-21 | 2013-03-21 | 固体撮像装置及び撮像システム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9305950B2 (ja) |
JP (1) | JP6087681B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022116063A (ja) * | 2015-09-07 | 2022-08-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置、電子機器 |
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Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5023480B2 (ja) | 2005-12-02 | 2012-09-12 | 株式会社ニコン | 電子カメラ |
JP4839990B2 (ja) | 2006-07-06 | 2011-12-21 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 |
JP5045012B2 (ja) | 2006-07-20 | 2012-10-10 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 |
JP5180537B2 (ja) * | 2007-08-24 | 2013-04-10 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びマルチチップイメージセンサ |
JP2012004264A (ja) | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子および撮影装置 |
JP5693082B2 (ja) | 2010-08-09 | 2015-04-01 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP6141065B2 (ja) * | 2013-03-21 | 2017-06-07 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
-
2013
- 2013-03-21 JP JP2013059061A patent/JP6087681B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-03-14 US US14/210,908 patent/US9305950B2/en not_active Expired - Fee Related
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2016
- 2016-02-25 US US15/053,085 patent/US20160172413A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9305950B2 (en) | 2016-04-05 |
US20160172413A1 (en) | 2016-06-16 |
JP6087681B2 (ja) | 2017-03-01 |
US20140285694A1 (en) | 2014-09-25 |
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