KR100836428B1

KR100836428B1 - 플라즈마 디스플레이 패널용 전극시트 및 이를 이용한플라즈마 디스플레이 패널

Info

Publication number: KR100836428B1
Application number: KR1020070034097A
Authority: KR
Inventors: 전병민; 추성기; 이원주; 강경두; 황용식; 조태승; 최종우; 우석균; 최영도; 권재익; 손현민
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2007-04-06
Filing date: 2007-04-06
Publication date: 2008-06-09
Also published as: US20080246386A1

Abstract

본 발명은 내부에는 도전성의 방전부를 구비하고, 그 외부에는 유전체층이 구비되는 플라즈마 디스플레이 패널용 전극시트와 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널용 전극시트는 제1 면과 제2 면을 가지며, 복수의 방전홀을 구비하여 방전공간의 측벽을 형성하고, 금속산화물(MxOy)로 이루어진 유전체층, 상기 방전홀의 둘레에 구비되는 방전부와 상기 방전부를 서로 연결하는 연결부로 이루어지며, 상기 유전체층 내부에 매립되고, 상기 금속산화물(MxOy)의 금속(M)으로 이루어지는 방전전극을 포함하며, 상기 방전전극의 상기 방전부는 상기 제1 면의 면적과 제2 면과의 면적이 서로 다르게 매립되는 것을 특징으로 한다.

PDP, 유전체, 전극시트, 플라즈마, 애노다이징

Description

플라즈마 디스플레이 패널용 전극시트 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널{Electrode sheet for plasma display panel and plasma display panel using the same}

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 도시한 분해 사시도.

도 2a는 도 1의 제1 전극시트의 일 실시예를 도시한 사시도.

도 2b는 도 2a의 제1 전극시트의 단위 방전홀 주변부의 확대도.

도 2c는 도 2b의 A-A'라인을 따라 절개한 단면도.

도 2d는 도 2b의 B-B'라인을 따라 절개한 단면도.

도 3a는 도 1의 제2 전극시트의 일 실시예를 도시한 사시도.

도 3b는 도 3a의 제2 전극시트의 단위 방전홀 주변부의 확대도.

도 3c는 도 3b의 A-A'라인을 따라 절개한 단면도.

도 3d는 도 3b의 B-B'라인을 따라 절개한 단면도.

도 4는 돌출부가 형성되지 않은 제1 방전전극과 제2 방전전극으로 형성된 플라즈마 디스플레이 패널의 단면도.

도 5는 도 2 및 도 3의 제1 전극시트 및 제2 전극시트의 적층된 상태를 도시하는 단면도.

도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 따른 실시예를 제조하는 공정을 설명하는 단면도.

♣ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ♣

10 : 배면기판 11 : 홈

20 : 전면기판 30 : 제1 전극시트

31 : 제1 방전홀 32 : 제1 유전체층

33a : 제1 방전부 33b : 제1 연결부

40 : 제2 전극시트 41 : 제2 방전홀

42 : 제2 유전체층 43a : 제2 방전부

43b : 제2 유전체층 100 : 금속시트

100a : 애노다이징 되지 않은 부분 100b : 에노다이징 된 부분

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마 디스플레이의 전극구조에 관한 것이다.

이러한 플라즈마 디스플레이 패널은 인가되는 방전전압에 따라 직류(DC)형, 교류(AC)형 및 혼합형(Hybrid)형으로 분류되고, 방전구조에 따라 대향 방전형 및 면 방전형으로 분류된다.

직류형 플라즈마 디스플레이 패널은 모든 전극들이 방전공간에 노출되는 구조로서, 대응하는 전극들 사이에 전하의 이동이 직접적으로 이루어진다. 교류형 플라즈마 디스플레이 패널은 적어도 하나의 전극이 유전층으로 감싸지고, 대응하는 전극들 사이에 직접적인 전하의 이동이 이루어지지 않는 대신 벽전하(wall charge)의 전계에 의하여 방전이 수행된다.

직류형 플라즈마 디스플레이 패널에서는 대응하는 전극들 사이에 전하의 이동이 직접적으로 이루어지므로, 전극의 손상이 심하게 되는 문제점이 있었기 때문에, 최근에는 교류형 플라즈마 디스플레이 패널이 일반적으로 채용되어 왔다.

교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 경우, 전면기판, 배면기판 및 격벽에 의해 한정되는 방전공간을 둘러싸고, 어드레스 전극과, X전극 및 Y전극이 위치하고 있는 3전극 면방전 구조가 널리 알려져 있다.

그런데, 이러한 교류형 플라즈마 디스플레이 패널에 있어, 어드레싱 방전 시 어드레스 전극과 X전극 또는 Y전극 간의 방전 경로가 길어 어드레싱 방전 전압이 높아지게 되며, 이 어드레스 전압의 유지도 느려지게 되는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기 문제점들을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 방전셀 외부에서 일어나는 오방전을 방지할 수 있는 교류형 전극 구조의 플라즈마 디스플레이 패널용 시트 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 데 그 목적이 있다.

전술한 목적을 달성하기 위한, 본 발명의 일 측면에 따르면, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널용 전극시트는 제1 면과 제2 면을 가지며, 복수의 방전홀을 구비하여 방전공간의 측벽을 형성하고, 금속산화물(MxOy)로 이루어진 유전체층, 상기 방전홀의 둘레에 구비되는 방전부와 상기 방전부를 서로 연결하는 연결부로 이루어지며, 상기 유전체층 내부에 매립되고, 상기 금속산화물(MxOy)의 금속(M)으로 이루어지는 방전전극을 포함하며, 상기 방전전극의 상기 방전부는 상기 제1 면의 면적과 제2 면과의 면적이 서로 다르게 매립되는 것을 특징으로 한다.

바람직하게, 상기 방전전극의 제1 면의 면적은 제2 면의 면적보다 크게 형성될 수 있으며, 상기 방전홀은 역테이퍼 형상의 원형일 수 있으며, 상기 금속(M)은 알루미늄 및 그 합금으로 구성되는 군에서 선택된 하나일 수 있다. 상기 방전전극의 상기 연결부와 상기 방전부는 서로 같은 두께일 수 있으며, 상기 제1 면은 상기 유전체층의 하부면이고, 상기 제2 면은 상기 유전체층의 상부면일 수 있다.

본 발명의 다른 일 측면에 따르면, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 배면기판, 상기 배면기판에 대향하며 일정간격 이격되어 배치된 전면기판, 상기 배면기판과 전면기판 사이에 위치하며, 방전공간의 측벽을 형성하는 복수의 제1 방전홀을 구비하며, 금속산화물(MxOy)로 이루어진 제1 유전체층, 및 상기 제1 유전체층 내부에 매립되며, 상기 제1 방전홀의 둘레에 구비되는 제1 방전부들과 상기 제1 방전부들을 서로 연결하는 제1 연결부를 포함하고, 상기 금속산화물(MxOy)의 금속(M)으로 이루어진 제1 방전전극을 포함한 제1 전극시트, 상기 제1 전극시트와 전면기판 사이에 위치하며, 상기 제1 방전홀과 대응하여 마주보는 위치에 정열되어 방전 공간의 측벽을 형성하는 적어도 하나 이상의 제2 방전홀을 구비한 제2 유전체층, 및 상기 제2 유전체층 내부에 매립되며, 상기 제1 방전홀의 둘레에 구비되는 제2 방전부들과 상기 제2 방전부들을 서로 연결하는 제2 연결부를 포함하고, 상기 금속산화물(MxOy)의 금속(M)으로 이루어진 제2 방전전극을 포함한 제2 전극시트를 포함하며, 상기 배면기판과 접하는 상기 제1 방전전극의 하부면(d1)은 상기 제2 유전층과 접하는 상기 제1 방전전극의 상부면(d2)의 면적보다 크게 매립되고, 상기 전면기판과 접하는 제2 방전전극의 하부면(d3)은 상기 제1 방전전극의 상부면(d2)의 면적보다 작게 매립되고, 상기 제2 방전전극의 상부면(d4)은 상기 제2 방전전극의 하부면(d3)의 면적보다 작게 매립된 것을 특징으로 한다.

바람직하게, 제2 방전전극의 상부면(d4)과 상기 제1 방전전극의 하부면(d1)은 0.3 내지 0.9:1의 비율일 수 있으며, 제2 방전전극의 상부면(d4)과 상기 제1 방전전극의 하부면(d1)은 0.5:1의 비율일 수 있다. 상기 제1 유전층 및 상기 제2 유전층은 상기 금속(M)의 금속산화물(MxOy)로 구성되는 군에서 선택되는 하나일 수 있으며, 상기 제1 방전전극 및 상기 제2 방전전극은 알루미늄 및 그 합금으로 구성되는 군에서 선택되는 하나일 수 있다. 상기 제1 방전전극의 상기 연결부와 상기 방전부는 서로 같은 두께일 수 있다.

본 발명의 또 다른 일 측면에 따르면, 본 발명의 방전홀의 둘레에 구비되는 방전부와 상기 방전부를 서로 연결하는 연결부를 가지는 방전전극이 매립되며, 상기 방전부의 제1 면의 면적과 상기 방전부의 제2 면의 면적과 다르게 형성된 플라즈마 디스플레이 패널용 전극시트의 제조방법으로서, 금속시트를 제공하는 단계, 상기 금속시트에 역테이퍼 형상의 방전홀을 형성하는 단계, 상기 금속시트 일면에 방전전극의 패턴을 형성하기 위한 제1 보호필름을 부착하는 단계, 상기 금속시트의 제1 보호필름이 부착되지 않은 부위를 애노다이징 하여 제1 면적 및 제2 면적을 갖는 방전전극을 형성하는 단계, 상기 제1 보호필름을 탈착하는 단계를 포함한다.

바람직하게, 상기 방전홀의 형성은 에칭으로 이루어질 수 있다.

이하 도면을 참조하면서 본 발명의 실시예를 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 도시한 분해 사시도이다.

이에 따르면, 플라즈마 디스플레이 패널은 배면기판(10), 전면기판(20), 제1 전극시트(30), 및 제2 전극시트(40)를 포함한다.

배면기판(10)과 전면기판(20)은 일정간격 이격되어 배치되며, 그 사이에 제1 전극시트(30)와 제2 전극시트(40)가 각각 구비된다. 제1 전극시트(30)는 배면기판측의 전극시트이고, 제2 전극시트(40)는 전면기판측의 전극시트이다.

제1 전극시트(30) 및 제2 전극시트(40)에는 각각 서로 대응하여 마주하는 복수의 제1 방전홀(31)과 제2 방전홀(41)이 형성된다. 제1 방전홀(31)과 제2 방전홀(41)은 상·하 연결되어 역테이퍼 형상으로 형성된다.

따라서, 본 실시예에서 각 방전공간은 배면기판(10)을 하부면, 전면기판(20)을 상부면, 각 방전홀(31, 41)을 내부벽면으로 하여 형성되고, 내부에 방전가스가 구비된다. 또한, 형광체층은 배면기판을 소정깊이로 식각한 홈(11)에 구비된다.

이러한 구조의 플라즈마 디스플레이 패널의 경우, 외부의 전원으로부터 상기 제1 전극시트(30) 내부에 구비된 제1 방전전극(미도시)과 제2 전극시트(40)에 구비된 제2 방전전극(미도시) 사이에 방전이 일어나 플라즈마 디스플레이 패널을 구동한다.

예컨데, 전원을 제1 방전전극과 제2 방전전극에 인가할 때, 제1 방전전극은 스캔 및 Y전극 역할을 하고, 제2 방전전극은 어드레싱 및 X전극 역할을 함으로써 구동된다.

도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명에 사용되는 전극시트의 구조를 보다 상세히 설명한다. 도 2a는 도 1의 제1 전극시트의 일 실시예를 도시한 사시도, 도 2b는 도 2a의 제1 전극시트의 단위 방전홀 주변부의 확대도, 도 2c는 도 2b의 A-A'라인을 따라 절개한 단면도, 도 2d는 도 2b의 B-B'라인을 따라 절개한 단면도이다. 또한, 도 3a는 도 1의 제2 전극시트의 일 실시예를 도시한 사시도, 도 3b는 도 3a의 제2 전극시트의 단위 방전홀 주변부의 확대도, 도 3c는 도 3b의 A-A'라인을 따라 절개한 단면도, 도 3d는 도 3b의 B-B'라인을 따라 절개한 단면도이다. 또한, 도 5는 돌출부가 형성되지 않은 제1 방전전극과 제2 방전전극으로 형성된 플라즈마 디스플레이 패널의 단면도이고, 도 4는 도 2 및 도 3의 제1 전극시트 및 제2 전극시트의 적층된 상태를 도시하는 단면도이다.

이에 따르면, 제1 전극시트(30)는 제1 유전체층(32)과 제1 방전전극(33)을 포함한다. 제1 유전체층(32)은 제1 방전전극(33)을 매립하는 층으로서 전술한 복수의 제1 방전홀(31)이 구비되어 있다. 제1 유전체층(32)의 재료는 금속(M)의 금속산화물(MxOy)이며, 예컨데, Al₂O₃로 사용될 수 있다.

제1 방전전극(33)은 방전셀에 전원을 공급하기 위한 전극으로, 제1 방전홀(31)의 주위에 매립되어 있으며, 제1 방전홀(31)의 표면으로 노출되지 않는다. 제1 방전전극(33)은 제1 방전부(33a)와, 제1 연결부(33b)로 구성된다. 제1 방전부(33a)는 폐곡선을 이루며 연장되는 구간으로, 이 폐곡선은 전술한 방전셀 주위를 감싸게 형성된다. 제1 연결부(33b)는 제1 방전부(33a)들을 연결하는 구간으로, 외부로부터 전원을 공급받아 제1 방전전극(33)에 전달한다. 이 때, 제1 방전전극(33)은 제1 유전체층(32)의 재료인 금속산화물(MxOy)을 이루는 금속(M)과 동일한 금속으로 구비되며, 전체적으로는 복수개의 제1 방전전극(33)이 일방향으로 연장된다.

제2 방전전극(43)은 제1 방전전극(33)과 작용하여 방전을 일으키는 전극으로서 양 전극은 서로 상보적인 역할을 담당한다. 즉, 구동시 제1 방전전극(33)이 어드레싱 구간에서 스캔전극의 역할을 하고, 서스테인 구간에서 Y전극의 역할을 할 경우, 제2 방전전극(43)은 어드레싱 구간에서 어드레싱 전극의 역할을 하고, 서스테인 구간에서 X전극의 역할을 수행한다.

또한, 제2 전극시트(40)는 제2 유전체층(42)과 제2 방전전극(43)을 포함한다. 제2 유전체층(42)은 제2 방전전극(43)을 매립하는 층으로서 전술한 복수의 제2 방전홀(41)이 구비되어 있다. 제2 유전체층(42)의 재료은 금속산화물(MxOy)이며, 예컨데, Al₂O₃로 사용될 수 있다.

제2 방전전극(43)은 제2 방전부(43a)와, 제2 연결부(43b)로 구성된다. 제2 방전부(43a)는 폐곡선을 이루며 연장되는 구간으로, 이 폐곡선은 전술한 방전셀 주위를 감싸게 된다. 제2 연결부(43b)는 제2 방전부(43a)들을 연결하는 구간으로, 외부로부터 전원을 공급받아 제2 방전전극(43)에 전달한다.

이 때, 제2 방전전극(43)은 제2 유전체층(42)의 재료인 금속산화물(MxOy)을 이루는 금속과 동일한 금속(M)으로 구비되며, 전체적으로는 복수개의 제2 방전전극(43)이 제1 방전전극(33)의 연장방향과는 다른 방향으로 연장된다.

이와 같이 , 제1 방전전극(33)과 유전체층(32)을 포함하는 제1 전극시트(30) 및 제2 방전전극(43)과 유전체층(42)을 포함하는 제2 전극시트(40) 각각은 애노다이징 공정을 통하여 형성된 일체(one-piece)시트인 것이 바람직하다.

한편, 제1 전극시트(30)는 배면기판과 접하는 제1 면 및 제2 전극시트(40)와 접하는 제2 면을 구비한다. 이때, 제1 방전전극(33)의 방전부(33a)는 제1 면의 면적(d1)이 제2 면의 면적(d2)보다 넓게 형성되어 매립된다.

또한, 제2 전극시트(40)도 제1 전극시트(30)와 접하는 제1 면 및 전면기판과 접하는 제2 면을 구비한다. 이 때, 제2 방전전극(43)의 방전부(43a)는 제1 면의 면적(d3)이 제2 면의 면적(d4)보다 작게 형성되어 매립된다. 제2 방전전극(43)의 상부면(d4)과 상기 제1 방전전극(33)의 하부면(d1)은 0.3 내지 0.9:1의 비율로 형성되며, 보다 바람직하게 제2 방전전극(43)의 상부면(d4)과 상기 제1 방전전극(33)의 하부면(d1)은 0.5:1의 비율로 형성될 수 있다. 예를 들어, 50인치 플라즈마 디스플레이 패널의 경우, 제2 방전전극(43)의 상부면(d4)은 200μm, 제1 방전전극(33)의 하부면(d1)은 100μm로 형성될 수 있다.

이는 제1 방전전극(33)과 제2 방전전극(43)을 경사지게 형성하여 제1 방전전극(33)의 제1 면과 제2 방전전극(43)의 제2 면과의 거리를 넓게 형성하여, 돌출부가 형성되지 않은 제1 방전전극과 제2 방전전극으로 형성된 플라즈마 디스플레이 패널(도 4)의 주방전 경로(D1)보다 주방전 경로(D2)가 더 길게 형성하여, 롱갭(Long Gap)효과에 의한 VUV(Vacuum Ultra Violet)양을 증가시킬 수 있다. 아울러, 내부에 발생하게 되는 플라즈마의 볼륨(방전모드)을 향상되어 UV가 형광체에 도달할 수 있는 빛의 양이 향상된다. 이와 같이, 주방전 경로를 길게 형성하여 패널의 정전용량이 작아 무효 소비전력을 감소시킬 수 있다.

제1 방전홀(31) 상부면의 직경은 제2 방전홀(41) 하부면의 직경보다 크게 형성됨에 따라, 시청자의 눈이 일체하는 제1 방전홀(31) 상부에 가시광선의 투과율을 향상시킬 수 있다. 또한, 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 전면기판에 존재하던 ITO(Indium Tin Oxide)막으로 방전전극이나 버스전극, 이들을 덮도록 전면기판에 형성되는 유전층이 존재하기 않게 됨에 따라, 전면기판의 개구율을 대폭 향상시킬 수 있으며, 가시광선의 투과율을 향상시킬 수 있다.

실험에 의하면 제1 방전전극(33)의 제1 면과 제2 방전전극(43)의 방전부를 50㎛에서 100㎛로 늘린 경우 전류가 2배 증가, 휘도가 4배가 증가하여, 효율이 2배 이상 상승하는 효과를 얻을 수 있었다.

이하, 금속 애노다이징(anodizng) 공정을 이용한 본 발명에 따른 전극시트의 제조방법을 설명한다.

먼저, 금속 애노다이징(anodizng)이란 금속의 표면에 얇은 산화막을 만들어서 그 금속의 내부를 보호하는 방법이다. 주로 알루미늄(Al) 및 그 합금으로 형성된 군 중 적어도 하나의 금속과 같이 산소와 반응하는 정도가 매우 커서 스스로 표면에 산화막을 만드는 금속에 한해 적용되며, 특정 용액(황산 등)에서 그 금속이 양극으로 작용하게 하여 금속표면의 산화작용을 촉진시켜서 균일한 두께의 산화막을 인위적으로 생성시켜주는 방법이다.

따라서, 소정의 두께를 가진 금속을 소정 시간 및 농도로 애노다이징 용액에 노출할 경우, 노출된 부분은 산화가 되어 금속의 성질을 잃으므로 전기전도성을 잃어 유전체물질이 되고, 그 내부는 산화가 아직 진행되지 않은 금속 상태로 남게된다.

따라서, 본 실시예에서는 이러한 금속 애노다이징의 원리를 적용하여 전극시트를 제조한다.

도 6a 내지 도 6d는 이러한 제조공정을 설명하는 사시도이다.

먼저, 금속시트(100)를 제공하는 단계로서, 사용되는 금속시트(100)의 두께는 50 내지 100μm인 것이 바람직하다. (도 6a)

다음으로, 금속시트(100)에 방전홀(101)을 형성하는 단계로서, 금속시트(100)를 에칭하여 방전홀(101)을 형성한다.

방전홀(101)은 역테이퍼 형상으로 형성하기 위해, 방전홀(101) 전면에 DFR(Dry Film Resistor)등의 보호필름(102)을 부착하고, 금속시트(100) 전면에 에칭액을 도포하여 보호필름(102)이 부착되지 않은 부분은 금속시트(100)를 에칭한다. 보다 구체적으로, 금속시트(100) 전면에 에칭액이 도포되면 금속시트(100) 전면은 금속시트(100)의 후면보다 높은 에칭비를 나타난다. 이이 따라, 에칭액이 도포된 금속시트(100)의 전면에 형성된 방전홀(101)의 직경(d6)이 금속시트(100)의 후면에 형성된 방전홀(101)의 직경(d5)보다 크게 형성된다.

또한, 방전홀(101)은 에칭 시간 등을 조절함으로써 역테이퍼 형상의 원형으로 형성가능할 것이며, 이는 당업자가 용이하게 변경가능할 것이다. (도 6b)

다음으로, 방전홀(101)이 형성된 금속시트(100)를 애노다이징 하는 단계이다. (도 6c)

다음으로, 애노다이징이 진행되어 유전체로 진행된 부분(100b)과 애노다이징이 진행되지 않아 금속으로 남아 있는 부분(100a)으로 나누어진 금속시트(100)에서, 보호필름(102)을 제거하는 단계이다. 금속시트(100) 전면을 에노다이징하여 금속시트(100) 표면을 유전체층(100b)으로 형성하고, 금속시트(100) 내부에 애노다이징이 진행되지 않은 영역을 방전전극(100a)으로 형성한다. 이로써, 금속시 트(100) 내부에 방전전극(100a) 하부면이 상부면 보다 넓은 면적을 갖도록 전극시트(100)가 제조된다. (도 6d)

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 예컨데, 본 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀에도 통상의 디스플레이와 같이 MgO등의 보호층이 더 구비될 수 있을 것이다.

발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시 예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.

본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널용 전극시트를 사용할 경우, 플라즈마 디스플레이 장치의 구조를 단순화 시킬 수 있고, 방전부 사이의 거리를 멀리 가져감으로써 롱갭 효과에 의한 VUV양이 증가한다. 또한, 패널의 정전용량이 작아져 무효소비전력이 감소하게 되는 효과가 있다.

또한, 본 발명에 따른 전극시트의 제조방법은 보다 간편하게 동일한 구조의 전극시트를 제조하는 방법을 제시한다.

또한, 플라즈마 디스플레이 패널의 개구율을 대폭 향상시킬 수 있으며, 가시광선의 투과율을 향상시킬 수 있다.

전술한 발명에 대한 권리범위는 이하의 청구범위에서 정해지는 것으로써, 명세서 본문의 기재에 구속되지 않으며, 청구범위의 균등범위에 속하는 변형과 변경은 모두 본 발명의 범위에 속할 것이다.

Claims

제1 면과 제2 면을 가지며, 복수의 방전홀을 구비하여 방전공간의 측벽을 형성하고, 금속산화물(MxOy)로 이루어진 유전체층; 및

상기 방전홀의 둘레에 구비되는 방전부와 상기 방전부를 서로 연결하는 연결부로 이루어지며, 상기 유전체층 내부에 매립되고, 상기 금속산화물(MxOy)의 금속(M)으로 이루어지는 방전전극을 포함하며,

상기 방전전극의 상기 방전부는 제1 면의 면적과 제2 면의 면적이 서로 다르게 매립된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 전극시트.
제1 항에 있어서,

상기 방전전극의 제1 면의 면적은 제2 면의 면적보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 전극시트.
제1 항에 있어서,

상기 방전홀은 역테이퍼 형상의 원형인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 전극시트.
제1 항에 있어서,

상기 금속(M)은 알루미늄 및 그 합금으로 구성되는 군에서 선택된 하나인 것 을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 전극시트.
제1 항에 있어서,

상기 방전전극의 상기 연결부와 상기 방전부는 서로 같은 두께인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 전극시트.
제1 항에 있어서,

상기 제1 면은 상기 유전체층의 하부면이고, 상기 제2 면은 상기 유전체층의 상부면인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 전극시트.
배면기판;

상기 배면기판에 대향하며 일정간격 이격되어 배치된 전면기판;

상기 배면기판과 전면기판 사이에 위치하며, 방전공간의 측벽을 형성하는 복수의 제1 방전홀을 구비하며, 금속산화물(MxOy)로 이루어진 제1 유전체층, 및 상기 제1 유전체층 내부에 매립되며, 상기 제1 방전홀의 둘레에 구비되는 제1 방전부들과 상기 제1 방전부들을 서로 연결하는 제1 연결부를 포함하고, 상기 금속산화물(MxOy)의 금속(M)으로 이루어진 제1 방전전극을 포함한 제1 전극시트; 및

상기 제1 전극시트와 전면기판 사이에 위치하며, 상기 제1 방전홀과 대응하여 마주보는 위치에 정렬되어 방전공간의 측벽을 형성하는 적어도 하나 이상의 제2 방전홀을 구비한 제2 유전체층, 및 상기 제2 유전체층 내부에 매립되며, 상기 제2 방전홀의 둘레에 구비되는 제2 방전부들과 상기 제2 방전부들을 서로 연결하는 제2 연결부를 포함하고, 상기 금속산화물(MxOy)의 금속(M)으로 이루어진 제2 방전전극을 포함한 제2 전극시트를 포함하며,

상기 배면기판과 접하는 상기 제1 방전전극의 하부면(d1)은 상기 제2 유전층과 접하는 상기 제1 방전전극의 상부면(d2)의 면적보다 크고,

상기 전면기판과 접하는 제2 방전전극의 하부면(d3)은 상기 제1 방전전극의 상부면(d2)의 면적보다 작고, 상기 제2 방전전극의 상부면(d4)은 상기 제2 방전전극의 하부면(d3)의 면적보다 작은 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제7 항에 있어서,

상기 제1 방전홀 및 제2 방전홀은 역테이퍼 형상의 원형인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제7 항에 있어서,

제2 방전전극의 상부면(d4)과 상기 제1 방전전극의 하부면(d1)의 면적은 0.3 내지 0.9:1의 비율인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제9 항에 있어서,

제2 방전전극의 상부면(d4)과 상기 제1 방전전극의 하부면(d1)의 면적은 0.5:1의 비율인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제7 항에 있어서,

상기 제1 유전층 및 상기 제2 유전층은 상기 금속(M)의 금속산화물(MxOy)로 구성되는 군에서 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제7 항에 있어서,

상기 제1 방전전극 및 상기 제2 방전전극은 알루미늄 및 그 합금으로 구성되는 군에서 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
제7 항에 있어서,

상기 제1 방전전극의 상기 제1 연결부와 상기 제1 방전부는 서로 같은 두께인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
방전홀의 둘레에 구비되는 방전부와 상기 방전부를 서로 연결하는 연결부를 가지는 방전전극이 매립되며, 상기 방전부의 제1 면의 면적과 상기 방전부의 제2 면의 면적이 서로 다르게 형성된 플라즈마 디스플레이 패널용 전극시트의 제조방법으로서,

금속시트를 제공하는 단계;

상기 금속시트에 역테이퍼 형상의 방전홀을 형성하는 단계;

상기 금속시트 일면에 방전전극의 패턴을 형성하기 위한 제1 보호필름을 부착하는 단계;

상기 금속시트의 제1 보호필름이 부착되지 않은 부위를 애노다이징하여 제1 면 및 제2 면을 갖는 방전전극을 형성하는 단계;

상기 제1 보호필름을 탈착하는 단계를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널용 전극시트의 제조방법.
제14 항에 있어서,

상기 방전홀의 형성은 에칭으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 전극시트의 제조방법.