JP6344137B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 299
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 43
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 324
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 165
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 108
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 54
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 20
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 20
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 15
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 166
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 84
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- OKZIUSOJQLYFSE-UHFFFAOYSA-N difluoroboron Chemical compound F[B]F OKZIUSOJQLYFSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 241000293849 Cordylanthus Species 0.000 description 1
- 229910017758 Cu-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017931 Cu—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
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- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/063—Reduced surface field [RESURF] pn-junction structures
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
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- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
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- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
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- H01L29/772—Field effect transistors
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- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
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Description
一方、抵抗性フィールドプレートを設けた場合、半導体層表面の空乏層に対する電位の強制力が強く、信頼性は比較的高いが、高電圧を印加した際のリーク電流は数μAから数十μAと容量性フィールドプレートと比較して大きい。このリーク電流が大きいことは、高耐圧ICにおいて、高電圧端子からグランド端子へのリーク電流が大きいことを意味し、ICの消費電力が大きくなってしまう。
そこで、本発明者らは、抵抗性フィールドプレートとして用いられる薄膜抵抗層(抵抗性薄膜層)の形状に着目し、本発明をなした。
本明細書において、「主電極領域」とは、電界効果トランジスタ(FET)においてソース領域又はドレイン領域の何れか一方となる低比抵抗の半導体領域を意味する。ダイオードにおいてはアノード領域又はカソード領域の何れか一方となる半導体領域を意味する。IGBTにおいてはエミッタ領域又はコレクタ領域の何れか一方となる半導体領域を意味するので「半導体装置」に依拠した名称となる。より具体的には、上記の「一方となる半導体領域」を「第1主電極領域」として定義すれば、「他方となる半導体領域」は「第2主電極領域」となる。すなわち、「第2主電極領域」とは、FET、静電誘導型トランジスタ(SIT)においては第1主電極領域とはならないソース領域又はドレイン領域の何れか一方となる半導体領域、ダイオードにおいては第1主電極領域とはならないアノード領域又はカソード領域の何れか一方となる半導体領域、IGBTにおいては第1主電極領域とはならないエミッタ領域又はコレクタ領域の何れか一方となる半導体領域を意味する。以下の第1乃至第6の実施形態では、高耐圧能動素子として高耐圧MOSFET、高耐圧ダイオードを例示的に説明するが、高耐圧MOSFETや高耐圧ダイオードに限定されないことは勿論である。
以下の第1乃至第6の実施形態の説明では、第1導電型がp型、第2導電型がn型の場合について例示的に説明するが、導電型を逆の関係に選択して、第1導電型をn型、第2導電型をp型としても構わない。
なお、以下の第1乃至第6の実施形態の説明及び添付図面において、同様の構成には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、第1乃至第6の実施形態で説明される添付図面は、見易く又は理解し易くするために正確なスケール、寸法比で描かれていない。本発明はその要旨を超えない限り、以下に説明する第1乃至第5の実施形態の記載に限定されるものではない。
図1、図2((a),(b))及び図3((a),(b))に示すように、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置30Aは、第1導電型(p−型)の半導体基板1と、半導体基板1の主面上に配置された第1主電極端子21及び第2主電極端子22とを備えている。半導体基板1は例えば単結晶シリコン基板で形成されている。第2主電極端子22は、半導体基板1の主面上において、第1主電極端子21を囲む位置に第1主電極端子21から離間して配置されている。
絶縁膜16は、図2及び図3などに示すように、半導体基板1の主面に形成されている。第1の実施形態において、絶縁膜16は、半導体基板1の主面に選択酸化法で選択的に形成された第1絶縁膜(選択酸化膜)14と、半導体基板1の主面上に第1絶縁膜14を覆うようにして堆積された第2絶縁膜(堆積膜)15とを含む複合膜で形成されている。
高耐圧MOSFET26は、半導体基板1の主面に形成されている。高耐圧MOSFET26は、主に、第2導電型(n−型)のオフセット領域2と、第1導電型(p型)のチャネル形成領域(ベース領域)5と、第1導電型(p型)のオフセット領域6と、ゲート絶縁膜8と、ゲート電極9と、ドレイン領域としての第2導電型(n+型)の第1主電極領域11と、ソース領域としての第2導電型(n+型)の第2主電極領域12と、第1導電型(p型)のピックアップ領域13とを有する構成になっている。
チャネル形成領域5は、半導体基板1の主面側であってオフセット領域2及びウエル領域4の各々の上部に、オフセット領域6から離間し、かつオフセット領域2及びウエル領域4に亘って配置されたベース領域である。
第2主電極端子22は、詳細に図示していないが、半導体基板1と電気的に接続されている。すなわち、半導体基板1は、第2主電極端子22に印加された電圧と同電位に電位固定される。
層間絶縁膜20上には、第1主電極端子21及び第2主電極端子22を覆うようにして保護膜23が形成されている。層間絶縁膜20は、例えば二酸化シリコン膜で形成されている。保護膜23は、例えばポリイミド系の絶縁樹脂で形成されている。
ここで、耐圧構造に抵抗性フィールドプレートを用いる場合には、ICのスタンバイ時の消費電力を小さくするため、抵抗性フィールドプレートの総抵抗値を大きくし、リーク電流を小さくすることが求められる。
(a)薄膜抵抗層18の幅や間隔を狭くして巻き数を増やす方法(以下において「第1の方法」と言う。)、
(b)薄膜抵抗層18のシート抵抗値自体を大きくする方法(以下において「第2の方法」と言う。)、
(c)高耐圧能動素子としての高耐圧MOSFET26の高耐圧領域の面積を広くして薄膜抵抗層18の巻き数を増やす方法(以下において「第3の方法」と言う。)、
などが考えられる。
また、薄膜抵抗層18の間隔を狭くすることに関しては、パターンニング時のパーティクルの影響などにより薄膜抵抗層18の互いに隣り合う部分でショートする可能性が高くなるという問題も生じる。
また、第3の方法の場合、高耐圧MOSFET26の耐圧領域の面積を広くして薄膜抵抗層18の巻き数を増やす方法が考えられるが、これはチップ面積の増加につながり、1枚の半導体ウエハから取得できるチップ取得率が低下するため、コストアップになる。
ただし、第1主電極端子21、第2主電極端子22のメタルフィールドプレート直下に薄膜抵抗層18を形成する場合は、その地点において薄膜抵抗層18と半導体基板1との間に電位差が生じるため、その領域には絶縁膜16の凹部17aを形成しないようにする。
また、本発明の実施形態1に係る半導体装置30Aでは、高耐圧MOSFET26の耐圧領域に第1導電型(p型)のオフセット領域6を設けた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、オフセット領域6は設けなくともよい。
次に、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置30Aの製造方法について、図4乃至図11を用いて説明する。
まず、p−型の半導体基板1を準備する。
次に、図4((a),(b))に示すように、半導体基板1の主面側の上部に、n−型のオフセット領域2、n型のウエル領域3、p型のウエル領域4、p型のチャネル形成領域5、p型のオフセット領域6などを形成する。これらの半導体領域は、半導体基板1の主面にp型領域形成用の不純物イオンとして例えばボロン(B)、n型領域形成用の不純物イオンとして例えばリン(P)イオン、ヒ素(As)イオンをそれぞれ選択的にイオン注入し、その後、イオン注入された不純物イオンを活性化させる熱処理を施すことによって形成される。
次に、図8((a),(b))に示すように、第1絶縁膜14上及びゲート絶縁膜8上を含む半導体基板1の主面上の全面に例えば不純物が添加された低比抵抗の多結晶シリコン膜(ドープドポリシリコン膜)9Aを形成する。その後、フォトリソグラフィ技術、ドライエッチング技術などを用いて多結晶シリコン膜9Aを選択的にエッチングして、図9((a),(b))に示すように、ゲート電極9のパターンを形成する。この工程において、第1主電極領域用窓部14b及び凹部用窓部14aの内部のゲート絶縁膜8はオーバーエッチングによって除去される。
次に、図2((a),(b))に示すように、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術等を用いて層間絶縁膜20の表面から半導体基板1の主面の第1主電極領域11に到達する接続孔20a及び第2主電極領域12に到達する接続孔20bを形成する。このとき、図1に示す位置に、層間絶縁膜20の表面から薄膜抵抗層18の一端側の接続部に到達する接続孔20c及び薄膜抵抗層18の他端側の接続部に到達する接続孔20dを層間絶縁膜20を貫通するように形成する。
次に、第1主電極端子21及び第2主電極端子22を覆うようにして層間絶縁膜20上の全面に例えばポリイミド系の絶縁性樹脂からなる保護膜23や半導体基板1の主面とは反対側の裏面に裏面電極などを形成することにより、図1乃至図3に示す本発明の第1の実施形態に係る半導体装置30Aのウエハプロセスがほぼ完了する。
上述した第1の実施形態に係る半導体装置30Aでは、図2に示すように、フィールドプレート効果が適用される高耐圧能動素子として高耐圧MOSFET26を備えた場合について説明した。これに対し、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置30Bでは、図16((a),(b))に示すように、フィールドプレート効果が適用される高耐圧能動素子として高耐圧ダイオード27を備えている。
したがって、このように構成された第2の実施形態に係る半導体装置30Bにおいても、上述した第1の実施形態に係る半導体装置30Aと同様に、スタンバイ時の低消費電力化を図ることができる。
本発明の第3の実施形態に係る半導体装置30Cは、上述した本発明の第1の実施形態に係る半導体装置30Aとほぼ同様の構成になっているが、絶縁膜16の凹凸17を構成する凹部(第2絶縁膜15の凹部用窓部)の形状が異なっている。
図17、図18((a),(b))及び図19などに示すように、第3の実施形態に係る半導体装置30Cは、半導体基板1と、半導体基板1の主面上に配置された第1主電極端子21と、半導体基板1の主面上において第1主電極端子21を囲む位置に第1主電極端子21から離間して配置された第2主電極端子22とを備えている。また、第3の実施形態に係る半導体装置30Cは、第1主電極端子21と第2主電極端子22との間において半導体基板1の主面に形成された絶縁膜16と、抵抗性フィールドプレートである薄膜抵抗層18と、高耐圧能動素子としての高耐圧MOSFET26とを備えている。薄膜抵抗層18は、一端側が第1主電極端子21、他端側が第2主電極端子22にそれぞれ接続され、第1主電極端子21と第2主電極端子22との間の絶縁膜16上において第1主電極端子21を取り囲むようにして渦巻状に周回する形状で形成されている。そして、薄膜抵抗層18は、半導体基板1の厚さ方向に振動(蛇行)しながら周回している。高耐圧MOSFET26は、第1主電極端子21と第2主電極端子22との間において半導体基板1の主面に形成されている。
したがって、このように構成された第3の実施形態に係る半導体装置30Cにおいても、第1の実施形態に係る半導体装置30Aと同様に、スタンバイ時の低消費電力化を図ることができる。
なお、図17に示すように、第1主電極端子21の角部、すなわち薄膜抵抗層18の曲線部では、薄膜抵抗層18の直線部に対して絶縁膜16の凹部17a1(第1絶縁膜14の凹部用窓部14a1)の周期性が損なわれるため、本発明の第1の実施形態と比較して薄膜抵抗層18の実効長が短くなる。
本発明の第4の実施形態に係る半導体装置30Dは、上述した本発明の第3の実施形態に係る半導体装置30Cとほぼ同様の構成になっているが、フィールドプレート効果が適用される高耐圧能動素子が異なっている。
図20((a),(b))に示すように、第4の実施形態に係る半導体装置30Dは、半導体基板1と、半導体基板1の主面上に配置された第1主電極端子21と、半導体基板1の主面上において第1主電極端子21を囲む位置に第1主電極端子21から離間して配置された第2主電極端子22とを備えている。また、第4の実施形態に係る半導体装置30Dは、第1主電極端子21と第2主電極端子22との間において半導体基板1の主面に形成された絶縁膜16と、抵抗性フィールドプレートである薄膜抵抗層18と、高耐圧能動素子としての高耐圧ダイオード27とを備えている。薄膜抵抗層18は、一端側が第1主電極端子21、他端側が第2主電極端子22にそれぞれ接続され、第1主電極端子21と第2主電極端子22との間の絶縁膜16上において第1主電極端子21を取り囲むようにして渦巻状に周回する形状で形成されている。そして、薄膜抵抗層18は、半導体基板1の厚さ方向に振動(蛇行)しながら渦巻状に周回している。高耐圧ダイオード27は、第1主電極端子21と第2主電極端子22との間において半導体基板1の主面に形成されている。
したがって、このように構成された第4の実施形態に係る半導体装置30Dにおいても、上述した第1の実施形態に係る半導体装置30Aと同様に、スタンバイ時の低消費電力化を図ることができる。
本発明の第5の実施形態に係る半導体装置30Eは、第3の実施形態に係る半導体装置30Cとほぼ同様の構成になっているが、絶縁膜16の凹凸を構成する凹部(第1絶縁膜14の凹部用窓部)の形状が異なっている。
すなわち、図18を参照して説明すると、第5の実施形態に係る半導体装置30Eは、第3の実施形態に係る半導体装置30Cと同様に、半導体基板1の主面上に配置された第1主電極端子21と、半導体基板1の主面上において第1主電極端子21を囲む位置に第1主電極端子21から離間して設けられた第2主電極端子22とを備えている。また、第5の実施形態に係る半導体装置30Eは、第1主電極端子21及び第2主電極端子22の間において半導体基板1の主面に形成された絶縁膜16と、フィールドプレートとしての薄膜抵抗層18とを備えている。薄膜抵抗層18は、一端側が第1主電極端子21、他端側が第2主電極端子22にそれぞれ接続され、絶縁膜16上に第1主電極端子21を取り囲むようにして渦巻状に周回する形状で形成されている。そして、薄膜抵抗層18は、半導体基板1の厚さ方向に振動(蛇行)しながら渦巻状に周回している。
したがって、このように構成された本発明の第5の実施形態に係る半導体装置30Eにおいても、上述した本発明の第1及び第2の実施形態に係る半導体装置30A,30Bと同様に、スタンバイ時の低消費電力化を図ることができる。
本発明の第6の実施形態に係る半導体装置30Fは、上述した第1の実施形態に係る半導体装置30Aとほぼ同様の構成になっているが、高耐圧能動素子である高耐圧MOSFET26とフィールドプレートである薄膜抵抗層18との間に介在される絶縁膜16の凹凸17の構成が異なっている。
第1の実施形態に係る半導体装置30Aは、図2及び図3に示したように、絶縁膜16の表面の凹凸17が第1絶縁膜14の凹部用窓部14aの有無、換言すれば凹部用窓部14aの有無によって形成されていた。これに対し、本発明の実施形態6に係る半導体装置30Fは、図22((a),(b))及び図23に示すように、絶縁膜16の表面の凹凸17が第2絶縁膜15の表面に溝15aを設けることによって形成されている。
第2絶縁膜15の溝15aの上縁部15c(第2絶縁膜の表面と溝の内部にかける側面とが交わる角部)は、図23に示すように、なだらかになっており、薄膜抵抗層18を形成する際の薄膜半導体層18A(図32参照)のステップカバレージ低下を抑制している。
次に、第6の実施形態に係る半導体装置30Fの製造方法について、図24乃至図32を用いて説明するが、絶縁膜16の形成工程以外は上述した第1の実施形態に係る半導体装置30Aの製造方法とほぼ同一なので、絶縁膜16の形成工程に特化して説明し、その他の工程については詳細な説明を省略する。
まず、p−型の半導体基板1を準備し、その後、上述した第1の実施形態と同様の工程を施して、図24((a),(b))に示すように、n−型のオフセット領域2、n型のウエル領域3、p型のウエル領域4、p型のチャネル形成領域5、p型のオフセット領域6などを形成する。
次に、図26((a),(b))及び図27に示すように、半導体基板1の主面上であって第1絶縁膜14上の全面に、例えばCVD法で二酸化シリコン膜からなる第2絶縁膜15を形成する。第2絶縁膜15の膜厚は、溝15aの深さ、すなわち、薄膜抵抗層18の蛇行の高低差に影響するので、上述した第1の実施形態に係る第2絶縁膜15よりも厚い膜厚で形成、例えば0.3μm程度の膜厚で形成される。また、第2絶縁膜15は、熱に対して流動性が高い例えばPSG膜やテトラエトキシシラン(TEOS)膜などで形成することが好ましい。この工程において、第1絶縁膜14及び第2絶縁膜15を含む複合膜からなる絶縁膜16が形成される。
次に、図31((a),(b))及び図32に示すように、絶縁膜16の凹凸17が反映するように、絶縁膜16の上に半導体基板1の厚さ方向に周期的に振動(蛇行)する薄膜半導体層18Aを形成する。この薄膜半導体層18Aは、例えば上述した第1の実施形態と同様の条件で形成される。薄膜半導体層18Aは、この薄膜半導体層18Aに絶縁膜16の凹凸17が反映される膜厚、例えば0.2μm程度の膜厚で形成される。この工程において、絶縁膜16の凹部17a2の上縁部(第2絶縁膜15の溝15aの上縁部15c)がなだらかになっているので、絶縁膜16の上面から凹部17a2(溝15a)の内部に亘って形成される薄膜半導体層18Aのステップカバレージ低下を抑制することができる。
次に、上述した第1の実施形態と同様の工程を施して、層間絶縁膜20、接続孔20a〜20d、第1主電極端子21、第2主電極端子22、保護膜23、裏面電極などを形成することにより、本発明の第6の実施形態に係る半導体装置30Fのウエハプロセスがほぼ完了する。
また、第6の実施形態に係る半導体装置30Fでは、フィールドプレート効果が適用される高耐圧素子として高耐圧MOSFET26を備えた場合について説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、第2の実施形態や第4の実施形態のように、高耐圧ダイオードを備えた半導体装置に適用することができる。
高耐圧MOSFET26では、p型のオフセット領域6を設けるものについて述べたが、オフセット領域6を設けなくてもよい。また、高耐圧ダイオード27において、高耐圧MOSFET26で示したpオフセット領域6を設けてもよい。この場合、オフセット領域6は、第2主電極端子22と電気的に接続されてもよい。
第1乃至第6の実施形態に係る半導体装置では、それぞれ、高耐圧MOSFET26もしくは高耐圧ダイオード27のいずれか1つを形成する場合について示したが、高耐圧MOSFET26と高耐圧ダイオード27とを1つの半導体装置に形成することもできる。この場合、第2主電極端子22は共通として、第1主電極端子22は分離してそれぞれn+型の第1主電極領域11およびn+型の第1主電極領域11aと接続することが望ましい。また、p型のチャネル形成領域5を環状に形成し、p+型のピックアップ領域13とp+型の第2主電極領域13aとを共通とし、高耐圧MOSFET26の箇所にn+型の第2主電極領域12およびゲート電極9を形成する。
また、第1乃至第6の実施形態に係る半導体装置では、薄膜抵抗層の形成に用いられる薄膜半導体層として多結晶半導体層を用いた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばアモルファス半導体層を用いた半導体装置に適用することができる。
以上説明したように、本発明に係る半導体装置は、スタンバイ時の低消費電力化を図ることができるという効果を有し、高耐圧能動素子の耐圧領域上に絶縁膜を介在して抵抗性フィールドプレートを備えた半導体装置に有用である。
2…n−型のオフセット領域
3…n型のウエル領域
4…p型のウエル領域
5…p型のチャネル形成領域
6…p型のオフセット領域
8…ゲート絶縁膜、
9…ゲート電極
11…n+型の第1主電極領域(ドレイン領域)
11a…n+型の第1主電極領域(カソード領域)
12…n+型の第2主電極領域(ソース領域)
13…p+型のピックアップ領域
13a…p+型の第2主電極領域(アノード領域)
14…第1絶縁膜(選択酸化膜)
14a…凹部用窓部、14b…第1主電極領域用窓部、14c…第2主電極領域用窓部
15…第2絶縁膜(堆積膜)、15a…溝、15c…上縁部
16…絶縁膜、17…凹凸,17a,17a1,17a2…凹部,17b…凸部
18…薄膜抵抗層(抵抗性フィールドプレート)、18A…薄膜半導体層
20…層間絶縁膜
20a,20b,20c,20d…接続孔
21…第1主電極端子
22…第2主電極端子
23…保護膜
26…高耐圧MOSFET
27…高耐圧ダイオード
30A,30B,30C,30D,30E、30F…半導体装置
Claims (11)
- 半導体基板の主面上に配置された第1主電極端子と、
前記主面上において、前記第1主電極端子を囲む位置に前記第1主電極端子から離間して設けられた第2主電極端子と、
前記第1主電極端子及び前記第2主電極端子の間において、前記主面に形成された絶縁膜と、
一端側が前記第1主電極端子、他端側が前記第2主電極端子にそれぞれ接続され、前記絶縁膜上に前記第1主電極端子を取り囲むようにして渦巻状に周回する薄膜抵抗層と、
を備え、
前記薄膜抵抗層は、前記半導体基板の厚さ方向において上下する周期的な蛇行パターンを示すことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記絶縁膜は、前記第1主電極端子と前記第2主電極端子との間において、表面に凹凸を設けるように複数の凹部を、前記周回する方向に沿って周期的に形成し、
前記薄膜抵抗層は、前記絶縁膜の凹凸が反映されるように前記絶縁膜の凹凸に沿って形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記複数の凹部は、前記薄膜抵抗層の下にドット状パターンとして配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記複数の凹部は、前記薄膜抵抗層の周回する方向を横切るようにしてライン状にパターン配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記絶縁膜は、前記複数の凹部を設けるように前記半導体基板の主面に選択酸化法で形成された酸化膜からなる第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜を覆う第2絶縁膜との複合膜であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記複数の凹部は、前記絶縁膜に設けられた溝によって形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項6のうちの何れか1項に記載の半導体装置において、
前記第1主電極端子に接続されるように前記半導体基板の上部に設けられた第1主電極領域と、
前記第2主電極端子に接続されるように前記半導体基板の上部に設けられた第2主電極領域と、を更に備えることを特徴とする半導体装置。 - 請求項7に記載の半導体装置において、
前記第1主電極領域と前記第2主電極領域との間となる前記薄膜抵抗層のパターンの外側にゲート絶縁膜を介して設けられた制御電極を更に備えることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板の主面に、複数の凹部が周回方向に沿って周期的に形成される凹凸を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に前記凹凸のパターンが反映される厚さの薄膜半導体層を形成する工程と、
前記薄膜半導体層に不純物を導入して、前記主面の中央を取り囲むように、渦巻状のパターンとして薄膜抵抗層を形成する工程と、
前記薄膜抵抗層のパターンで囲まれた前記中央の領域に前記薄膜抵抗層の一端側と接続される第1主電極端子、及び前記薄膜抵抗層の外側に前記薄膜抵抗層の他端側と接続される第2主電極端子をそれぞれ形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項9に記載の半導体装置の製造方法において、
前記凹凸のパターンを有する絶縁膜を形成する工程は、
前記半導体基板の主面に選択酸化法で、連続した複数の凹部を有する酸化膜からなる第1絶縁膜を形成する段階と、
前記第1絶縁膜の上に第2絶縁膜を形成する段階と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項9に記載の半導体装置の製造方法において、
前記凹凸のパターンを有する絶縁膜を形成する工程は、前記絶縁膜を形成した後、前記絶縁膜に溝を形成する段階を含み、
前記複数の凹部は、前記溝で形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014166277A JP6344137B2 (ja) | 2014-08-19 | 2014-08-19 | 半導体装置及びその製造方法 |
US14/793,236 US9773878B2 (en) | 2014-08-19 | 2015-07-07 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014166277A JP6344137B2 (ja) | 2014-08-19 | 2014-08-19 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016042542A JP2016042542A (ja) | 2016-03-31 |
JP6344137B2 true JP6344137B2 (ja) | 2018-06-20 |
Family
ID=55348984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014166277A Active JP6344137B2 (ja) | 2014-08-19 | 2014-08-19 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9773878B2 (ja) |
JP (1) | JP6344137B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10872958B2 (en) | 2019-03-11 | 2020-12-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016042542A (ja) | 2016-03-31 |
US9773878B2 (en) | 2017-09-26 |
US20160056248A1 (en) | 2016-02-25 |
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