JP6336541B2 - センス増幅器のためのトリミング可能な基準発生器 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
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- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
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- メモリデバイスにおいて使用するための装置であって、
トリム制御器と、
基準電流を引き出すためのトリミング可能な電流基準発生器であって、前記電流基準発生器は、反転入力及び非反転入力を有する第1の演算増幅器と、前記第1の演算増幅器の反転入力とグラウンドとの間に接続された可変抵抗器と、前記第1の演算増幅器の非反転入力に接続された電圧源と、PMOSトランジスタとを備え、前記第1の演算増幅器の出力は、前記PMOSトランジスタのゲートに接続され、前記PMOSトランジスタの第1の端子は、前記可変抵抗器及び前記反転入力に接続され、前記PMOSトランジスタの第2の端子は、前記基準電流を引き出す、電流基準発生器と、
前記PMOSトランジスタの前記第2の端子に接続され、前記基準電流をミラーリングするように構成されたカレントミラーと、
前記カレントミラーに接続され、選択メモリセル電流を引き込む選択されたメモリセルと、
反転入力及び非反転入力を有する第2の演算増幅器を備えたコンパレータであって、前記第2の演算増幅器の反転入力は、電圧源に接続され、前記第2の演算増幅器の非反転入力は、前記カレントミラー及び前記選択されたメモリセルに接続され、前記基準電流から前記選択メモリセル電流を引いた電流と等しい電流を受けとり、前記コンパレータの出力は、前記選択されたメモリセルに格納された値を示す出力を生成する、コンパレータと、を備え、
前記トリム制御器は、前記コンパレータの出力を監視し、可変抵抗器の抵抗を制御し、前記可変抵抗器の抵抗の最適なレベルを決定するように構成されている、装置。 - 前記選択されたメモリセルがスプリットゲート不揮発性メモリセルである、請求項1に記載の装置。
- 前記選択されたメモリセルが2つの異なる値のうちの1つを格納することができる、請求項2に記載の装置。
- 前記選択されたメモリセルが4つの異なる値のうちの1つを格納することができる、請求項2に記載の装置。
- 基準電流を生成してトリミングする方法であって、
可変抵抗器を備えるトリミング可能な電流基準発生器を使用して基準電流を発生させることと、
前記トリミング可能な電流基準発生器に接続されたカレントミラーを使用して前記基準電流をミラーリングすることと、
選択されたメモリセルを使用して、ミラーリングされた前記電流の部分を前記カレントミラーから引き込むことと、
コンパレータを使用して、ミラーリングされた前記電流を、前記選択されたメモリセルによって引き込まれた電流と比較し、前記選択されたメモリセルに格納された値を示す出力を生成することと、
前記コンパレータの出力が変化するまで、前記可変抵抗器の抵抗の値を増加又は減少させることによって、前記可変抵抗器の抵抗の最適なレベルを決定し、前記基準電流をトリミングすることと、を含む、方法。 - 前記選択されたメモリセルがスプリットゲート不揮発性メモリセルである、請求項5に記載の方法。
- 前記選択されたメモリセルが2つの異なる値のうちの1つを格納することができる、請求項6に記載の方法。
- 前記選択されたメモリセルが4つの異なる値のうちの1つを格納することができる、請求項6に記載の方法。
- 基準を生成して選択されたメモリセルを読み取る方法であって、
トリミング可能な電流基準発生器を使用して電流を生成することと、
前記選択されたメモリセルを使用して電流を引き込むことと、
前記トリミング可能な電流基準発生器によって生成された前記電流を、前記選択されたメモリセルによって引き込まれた前記電流と比較することと、
コンパレータの出力が変化するまで、可変抵抗器の抵抗の値を増加又は減少させることによって、前記可変抵抗器の抵抗の最適なレベルを決定することと、
前記比較すること及び前記決定することを1回以上繰り返し、前記コンパレータの出力の変化を引き起こした、特定される種々の抵抗のレベルの平均を決定することとを含む、方法。 - さらに、読み取り動作の間に使用される前記平均の値を格納することを含む、請求項9に記載の方法。
- さらに、前記抵抗の最適なレベルを記録することを含む、請求項5に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2012100898472A CN103366790A (zh) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | 用于读出放大器的可调整参考发生器 |
CN201210089847.2 | 2012-03-30 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015503341A Division JP6050887B2 (ja) | 2012-03-30 | 2013-03-15 | トリミング可能な電流基準発生器を構成する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017027650A JP2017027650A (ja) | 2017-02-02 |
JP6336541B2 true JP6336541B2 (ja) | 2018-06-06 |
Family
ID=49261094
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015503341A Active JP6050887B2 (ja) | 2012-03-30 | 2013-03-15 | トリミング可能な電流基準発生器を構成する方法 |
JP2016194604A Active JP6336541B2 (ja) | 2012-03-30 | 2016-09-30 | センス増幅器のためのトリミング可能な基準発生器 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015503341A Active JP6050887B2 (ja) | 2012-03-30 | 2013-03-15 | トリミング可能な電流基準発生器を構成する方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9564235B2 (ja) |
EP (1) | EP2831887A4 (ja) |
JP (2) | JP6050887B2 (ja) |
KR (1) | KR101732238B1 (ja) |
CN (1) | CN103366790A (ja) |
WO (1) | WO2013148357A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103366791B (zh) * | 2012-03-30 | 2017-04-12 | 硅存储技术公司 | 即时可调整读出放大器 |
US9361992B1 (en) * | 2014-12-30 | 2016-06-07 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Low voltage semiconductor memory device and method of operation |
US9748943B2 (en) | 2015-08-13 | 2017-08-29 | Arm Ltd. | Programmable current for correlated electron switch |
US9851738B2 (en) | 2015-08-13 | 2017-12-26 | Arm Ltd. | Programmable voltage reference |
US9979385B2 (en) * | 2015-10-05 | 2018-05-22 | Arm Ltd. | Circuit and method for monitoring correlated electron switches |
CN106935267B (zh) * | 2015-12-31 | 2020-11-10 | 硅存储技术公司 | 用于闪速存储器系统的低功率感测放大器 |
CN107369471B (zh) * | 2016-05-12 | 2020-09-08 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 存储器及其参考电路的校准方法 |
US10360962B1 (en) | 2017-12-28 | 2019-07-23 | Spin Memory, Inc. | Memory array with individually trimmable sense amplifiers |
US11854633B2 (en) | 2020-07-16 | 2023-12-26 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Anti-fuse memory cell state detection circuit and memory |
CN113948143B (zh) * | 2020-07-16 | 2024-06-25 | 长鑫存储技术有限公司 | 反熔丝存储单元状态检测电路及存储器 |
CN113948142B (zh) | 2020-07-16 | 2023-09-12 | 长鑫存储技术有限公司 | 反熔丝存储单元状态检测电路及存储器 |
US11817159B2 (en) | 2020-07-16 | 2023-11-14 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Circuit for detecting anti-fuse memory cell state and memory |
US11817163B2 (en) | 2020-07-16 | 2023-11-14 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Circuit for detecting state of anti-fuse storage unit and memory device thereof |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1303201B1 (it) * | 1998-11-24 | 2000-10-30 | St Microelectronics Srl | Circuito per la programmazione parallela di celle di memoria nonvolatile, con velocita' di programmazione regolabile. |
US6407946B2 (en) * | 1999-12-08 | 2002-06-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Nonvolatile semiconductor memory device |
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US6754103B2 (en) | 2002-11-04 | 2004-06-22 | Silicon Storage Technology, Inc. | Method and apparatus for programming and testing a non-volatile memory cell for storing multibit states |
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JP5116987B2 (ja) * | 2005-05-23 | 2013-01-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 集積半導体不揮発性記憶装置 |
US7495971B2 (en) | 2006-04-19 | 2009-02-24 | Infineon Technologies Ag | Circuit and a method of determining the resistive state of a resistive memory cell |
US7649781B2 (en) * | 2006-05-17 | 2010-01-19 | Freescale Semiconductor, Inc. | Bit cell reference device and methods thereof |
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ITTO20070109A1 (it) * | 2007-02-14 | 2008-08-15 | St Microelectronics Srl | Circuito e metodo di lettura per un dispositivo di memoria non volatile basati sulla generazione adattativa di una grandezza elettrica di riferimento |
JP5165980B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2013-03-21 | シチズン時計株式会社 | 読み出し電圧発生装置 |
US7675792B2 (en) | 2007-09-26 | 2010-03-09 | Intel Corporation | Generating reference currents compensated for process variation in non-volatile memories |
WO2010082243A1 (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-22 | パナソニック株式会社 | 不揮発性半導体メモリ及びメモリシステム |
JP2010282987A (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP5319423B2 (ja) * | 2009-06-30 | 2013-10-16 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
-
2012
- 2012-03-30 CN CN2012100898472A patent/CN103366790A/zh active Pending
-
2013
- 2013-03-15 JP JP2015503341A patent/JP6050887B2/ja active Active
- 2013-03-15 EP EP13770234.6A patent/EP2831887A4/en not_active Ceased
- 2013-03-15 US US14/386,814 patent/US9564235B2/en active Active
- 2013-03-15 WO PCT/US2013/032489 patent/WO2013148357A1/en active Application Filing
- 2013-03-15 KR KR1020147030479A patent/KR101732238B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-09-30 JP JP2016194604A patent/JP6336541B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6050887B2 (ja) | 2016-12-21 |
WO2013148357A1 (en) | 2013-10-03 |
EP2831887A1 (en) | 2015-02-04 |
JP2015515710A (ja) | 2015-05-28 |
EP2831887A4 (en) | 2015-12-23 |
JP2017027650A (ja) | 2017-02-02 |
KR101732238B1 (ko) | 2017-05-24 |
US20150078081A1 (en) | 2015-03-19 |
US9564235B2 (en) | 2017-02-07 |
CN103366790A (zh) | 2013-10-23 |
KR20140140630A (ko) | 2014-12-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171002 |
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