JP4685484B2 - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
ここで、情報を読み出す時にゲート電極に印加する電圧Vcgの値を、Vte<Vcg<Vtwの関係が成り立つ様に設定すると、記憶素子のドレイン電流が、情報の書込状態では流れず、情報の消去状態では流れるため、情報の書込状態と消去状態の判別が可能となる。
ランジスタ1のしきい値電圧との差が小さくても、情報を正確に読み取ることができる。
読み出しマージンが広がることで、メモリトランジスタ1のドレイン電流がより一層減少した状態で情報の判別をすることになり、読み出しの精度が向上する。
読み出しマージンが広がることで、メモリトランジスタ1のドレイン電流がより一層増加した状態で情報の判別をすることになり、読み出しの精度が向上する。
また、読み出しマージンを広げることが可能にはなったが、依然としてメモリトランジスタ1の書込もしくは消去を行ってから時間が経過し、Vte<Vref<Vtwの関係が成り立たなくなった場合に、正確に情報を読み出せないという問題は解決していない。
このような構成とすることによって、時間の経過により不揮発性記憶素子の束縛順位から電荷が徐々に放出し、しきい値電圧の値が変動しても、熱平衡状態しきい値電圧と一致する直前までは読み出しマージンが確保できるため、不揮発性記憶素子が情報を保持する時間を長くすることが可能である。
図1において、10は測定回路、20は制御手段、30は読み出し回路、40は不揮発性記憶素子を示す。図示はしないが、不揮発性記憶素子40は複数存在し、それらを40−1〜40−mとする。
メモリビット14のしきい値電圧をV1とし、時間が経過した後のメモリビット14のしきい値電圧をV2とする。メモリビット14−1〜14−nにそれぞれ該当するしきい
値電圧をV1−1〜V1−n、V2−1〜V2−nとする。
負荷Pチャネルトランジスタ33は、不揮発性記憶素子40に記憶された情報を判別する際に負荷として用いるものである。この不揮発性記憶素子40の情報S20は、コンパレータ34より出力される。
本発明の不揮発性半導体記憶装置は、書込電圧Vp−1〜Vp−nをメモリビット14−1〜14−nのそれぞれに印加する。
続いて、メモリビット読み出し回路12により、メモリビット14−1〜14−nのしきい値電圧V1−1〜V1−nを読み出す。
そして、時間が経過した後に、再びメモリビット読み出し回路12により、メモリビット14−1〜14−nのしきい値電圧V2−1〜V2−nを読み出す。
さらに、制御手段20からレギュレータ回路32へ、決定した電圧Vpgの値に応じた信号S10を送る。
また、不揮発性記憶素子40−1〜40−mのしきい値電圧の値が、時間が経過することにより熱平衡状態しきい値電圧V0に収束する過程においても、完全に一致する直前まで、Vte<センスレベル<Vtwの関係が成り立ち、書込および消去の判別が可能であることから、情報を保持する時間を長くすることが可能である。
次に、判断手段13での、メモリビット14−1〜14−nに書込電圧Vp−1〜Vp−nを印加した直後のしきい値電圧V1−1〜V1−nと、時間が経過した後のしきい値電圧V2−1〜V2−nとの情報から熱平衡状態しきい値電圧V0の値を求めるための原理を説明する。
ここで、図1における不揮発性記憶素子40−1〜40−mとメモリビット14−1〜14−nは、同一構造の記憶素子であるので、時間の経過に対するしきい値電圧の値の変化は同様である。
その後の時間の経過により、メモリビット14−1〜14−nのしきい値電圧の値はV2−1〜V2−nへと変化する。V1−1〜V1−nからV2−1〜V2−nへは必ず、熱平衡状態しきい値電圧V0に近づく方向に値が変化する。
ここで、aは1以上n未満の任意の整数である。
さらに、書込電圧Vp−1〜Vp−nの値を細かく設定することで、より高い精度でV0の値を求めることができる。
また、メモリビット14−1〜14−nを高温で加熱してもよい。その場合、加熱をしない場合と比較して、同じ経過時間に対するしきい値電圧の値の変化する量が増えるため、V2−aとV2−(a+1)の値の差が小さくなり、より高い精度でV0の値を求めることができる。
2 読出し回路
3 プルアップ負荷回路
4 基準電圧発生回路
5 電圧比較回路
10 測定回路
11 可変電圧発生回路
12 メモリビット読み出し回路
13 判断手段
14−1〜14−n メモリビット
20 制御手段
30 読み出し回路
31 可変抵抗
32 レギュレータ回路
33 負荷Pチャネルトランジスタ
34 コンパレータ
40−1〜40−m 不揮発性記憶素子
Claims (2)
- 不揮発性記憶素子と、測定回路と、前記不揮発性記憶素子の情報を読み出す際のセンスレベルを可変できる読み出し回路と、制御手段とを有し、
前記測定回路は、複数のメモリビットと、可変電圧発生回路と、メモリビット読み出し回路と、判断手段とを備え、
前記不揮発性記憶素子は、その書込状態のしきい値電圧と消去状態のしきい値電圧とが、時間の経過により共に熱平衡状態しきい値電圧に収束する記憶素子であり、
前記メモリビットは、前記不揮発性記憶素子と同一構造の記憶素子であり、
前記可変電圧発生回路は、複数の書込電圧を出力し、前記メモリビットごとにそれぞれ異なる1つの前記書込電圧を用いて情報を書き込み、
前記メモリビット読み出し回路は、全ての前記書込電圧に相当する前記メモリビットの第1のしきい値電圧を読み出し、時間が経過した後に再び前記メモリビットの第2のしきい値電圧を読み出し、
前記判断手段は、全ての前記書込電圧に相当する前記第2のしきい値電圧と前記第1のしきい値電圧とを比べ、双方のしきい値電圧の変化がマイナス方向となった前記第2のしきい値とプラス方向となった前記第2のしきい値との境界の間にある前記メモリビットの熱平衡状態しきい値電圧の値を求め、
前記制御手段は、前記熱平衡状態しきい値電圧の値に応じて前記読み出し回路に指示を出し、前記読み出し回路のセンスレベルを前記熱平衡状態しきい値電圧の値に一致させるように制御することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 全ての前記書込電圧に相当する前記第2のしきい値電圧と前記第1のしきい値電圧との変化が、
全てマイナス方向に変化するとき、前記可変電圧発生回路は、前記書込電圧の値を小さくして前記メモリビットに情報を書き込み、
全てプラス方向に変化するとき、前記可変電圧発生回路は、前記書込電圧の値を大きくして前記メモリビットに情報を書き込むことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
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