JP2006268956A5 - - Google Patents

Claims (3)

1. 不揮発性記憶素子と、測定回路と、前記不揮発性記憶素子の情報を読み出す際のセンスレベルを可変できる読み出し回路と、制御手段とを有し、
   前記測定回路は、メモリビットと、可変電圧発生回路と、メモリビット読み出し回路と、判断手段とを備え、
   前記メモリビットは、前記不揮発性記憶素子と同一構造の記憶素子であり、
   前記可変電圧発生回路は、複数の書込電圧を出力し、該書込電圧を利用して前記メモリビットに情報を書き込み、
   前記メモリビット読み出し回路は、前記書込電圧に相当する前記メモリビットの情報を読み出し、
   前記判断手段は、前記メモリビットの情報を利用して、前記メモリビットの熱平衡状態しきい値電圧を測定し、
   前記制御手段は、前記熱平衡状態しきい値電圧の値に応じて前記読み出し回路に指示を出し、前記読み出し回路のセンスレベルを前記熱平衡状態しきい値電圧の値に一致させるように制御することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
2. 前記読み出し回路は、可変抵抗を有するレギュレータ回路と、負荷Ｐチャネルトランジスタと、コンパレータとで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
3. 前記不揮発性記憶素子は、ＯＮＯ膜を備える多層構造膜を有する素子であることを特徴とする請求項１または２に記載の不揮発性半導体記憶装置。