JP6332165B2 - 半導体素子の検査装置および検査方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態について説明する。本実施形態における半導体素子の検査装置は、電源1を用いて半導体素子のリカバリ検査を行うものである。具体的には、本実施形態の検査装置は、図1に示すように、電源1、第1スイッチ2、コイル3、第2スイッチ4、保護スイッチ5、DUT6、電流計7、第1整流素子8、第2整流素子9、ゲートドライバ10、制御部11を備える。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して保護素子13を追加したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、下アーム駆動(つまりローサイド駆動)としていた第2実施形態を上アーム駆動(つまりハイサイド駆動)としたものであり、その他に関しては第2実施形態と同様であるため、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第3実施形態を上下アーム駆動共用としたものであり、その他に関しては第3実施形態と同様であるため、第3実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能である。
2 第1スイッチ
3 コイル
4 第2スイッチ
6 DUT
8 第1整流素子
9 第2整流素子
Claims (14)
- 電源(1)に対して直列に接続された、スイッチング素子(2a)を有する第1スイッチ(2)、コイル(3)、および、第2スイッチ(4)と、
前記スイッチング素子がオフされているとき前記コイルおよび前記第2スイッチと共にループ経路を構成するように配置され、前記電源の正極側にカソード電極が接続されたダイオード素子(6a)を有する検査対象としての半導体素子(6)と、
前記半導体素子を含むループ経路とは別のループ経路を前記コイルと共に構成する、第1整流素子(8)、および、前記第1整流素子と直列に接続され、前記第1整流素子と逆向きの整流作用を有する第2整流素子(9)と、を備えることを特徴とする半導体素子の検査装置。 - 前記第1スイッチおよび前記第2スイッチを操作する制御部(11)を備え、
前記制御部は、前記第1スイッチをオンにする動作と前記第1スイッチをオフにする動作とを交互に2度繰り返し、少なくとも1度目に前記第1スイッチをオンにした後から2度目に前記第1スイッチをオンにするまでの間、前記第2スイッチをオンにし、2度目に前記第1スイッチをオンにした後、2度目に前記第1スイッチをオフにする前に、前記第2スイッチをオフにすることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の検査装置。 - 前記制御部は、2度目に前記第1スイッチをオンにした後であって、前記ダイオード素子のリカバリ動作が完了した後、2度目に前記第1スイッチをオフにする前に、前記第2スイッチをオフにすることを特徴とする請求項2に記載の半導体素子の検査装置。
- 前記半導体素子の破壊を検出する破壊検出手段(7、11)を備え、
前記制御部は、破壊検出手段により前記半導体素子の破壊が検出された場合のみ、2度目に前記第1スイッチをオンにした後、2度目に前記第1スイッチをオフにする前に、前記第2スイッチをオフにすることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体素子の検査装置。 - 前記破壊検出手段は、前記半導体素子を流れる逆方向電流の所定の値を閾値として前記半導体素子の破壊を検出し、
前記閾値は、前記半導体素子が破壊されていない場合の逆方向電流のピーク値よりも大きいことを特徴とする請求項4に記載の半導体素子の検査装置。 - 前記電源に対して直列に接続された保護スイッチ(5)を備え、
前記制御部は、1度目に前記第1スイッチをオフにする前に、前記保護スイッチをオンにし、前記破壊検出手段により前記半導体素子の破壊が検出された場合、前記保護スイッチをオフにし、
前記第2スイッチは、前記半導体素子の破壊が検出された後、前記保護スイッチがオフされる前にオフされることを特徴とする請求項4または5に記載の検査装置。 - 前記スイッチング素子がオフされているとき前記半導体素子、前記コイル、前記第2スイッチと共にループ経路を構成し、前記ダイオード素子と同じ向きの整流作用を有し、前記半導体素子よりも破壊耐量の大きい保護ダイオード素子(13a)を有する保護素子(13)を備えることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の半導体素子の検査装置。
- 前記第1整流素子は、前記第2スイッチがオフされたときに前記コイルの逆起電力により流れる電流と逆向きの整流作用を有するように接続されたツェナーダイオードであることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の半導体素子の検査装置。
- 前記第1整流素子の逆降伏電圧が、前記ダイオード素子に還流電流が流れるときの順方向電圧の最大値と、前記第2スイッチのオン電圧とを加算したものよりも大きいことを特徴とする請求項8に記載の半導体素子の検査装置。
- 前記第1整流素子は、前記第2スイッチがオフされたときに前記コイルの逆起電力により流れる電流と逆向きの整流作用を有するように接続されたツェナーダイオードであり、
前記第1整流素子の逆降伏電圧が、前記ダイオード素子に還流電流が流れるときの順方向電圧の最大値と、前記保護ダイオード素子に還流電流が流れるときの順方向電圧の最大値と、前記第2スイッチのオン電圧とを加算したものよりも大きいことを特徴とする請求項7に記載の半導体素子の検査装置。 - 前記第1整流素子の逆降伏電圧が、前記第2スイッチのアバランシェ耐圧から前記電源の電圧を引いたものよりも小さいことを特徴とする請求項8ないし10のいずれか1つに記載の半導体素子の検査装置。
- ダイオード素子(6a)を有する検査対象としての半導体素子(6)を検査する半導体素子の検査方法において、
スイッチング素子(2a)を有する第1スイッチ(2)、コイル(3)、および、第2スイッチ(4)を電源(1)に対して直列に接続し、
前記半導体素子を、前記スイッチング素子をオフしたときに前記コイルおよび前記第2スイッチと共にループ経路を構成するように配置し、前記ダイオード素子のカソード電極を前記電源の正極側に接続し、
第1整流素子(8)、および、前記第1整流素子と直列に接続され、前記第1整流素子と逆向きの整流作用を有する第2整流素子(9)を、前記半導体素子を含むループ経路とは別のループ経路を前記コイルと共に構成するように配置し、
前記スイッチング素子のオン、オフを繰り返し行うことにより、前記半導体素子の検査を行うことを特徴とする半導体素子の検査方法。 - 前記第1スイッチのオン、オフを交互に2度繰り返し行い、少なくとも1度目に前記第1スイッチをオンにした後から2度目に前記第1スイッチをオンにするまでの間、前記第2スイッチをオンにし、2度目に前記第1スイッチをオンにした後、2度目に前記第1スイッチをオフにする前に、前記第2スイッチをオフにすることを特徴とする請求項12に記載の半導体素子の検査方法。
- 2度目に前記第1スイッチをオンにした後であって、前記ダイオード素子のリカバリ動作が完了した後、2度目に前記第1スイッチをオフにする前に、前記第2スイッチをオフにすることを特徴とする請求項13に記載の半導体素子の検査方法。
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