JP6862278B2 - 検査システム - Google Patents
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Description
上記電力変換装置は、
スイッチング素子(4)と、該スイッチング素子を内蔵した本体部(30)と、上記スイッチング素子に接続し上記本体部から突出した複数の制御端子(5)とを備える半導体モジュール(3)と、
上記制御端子に接続し、上記スイッチング素子のオンオフ動作を制御する制御基板(6)とを備え、
上記スイッチング素子は、上記制御基板から電圧を加えられる被制御電極(40G)と、該被制御電極の電位の基準になる基準電極(40E)とを有し、上記半導体モジュールは、上記制御端子として、上記基準電極に接続した基準制御端子(5E)と、上記スイッチング素子を介して上記基準制御端子との間に交流電流が流れる交流制御端子(5Z)とを備え、
同時にオンオフ動作する複数の上記スイッチング素子を互いに並列に接続してあり、上記複数のスイッチング素子の上記基準電極は、バスバー(11)を介して互いに電気接続され、個々の上記スイッチング素子に接続した上記基準制御端子は、上記制御基板上にて互いに電気接続されており、
上記検査装置は、
同一の上記スイッチング素子にそれぞれ接続した上記基準制御端子と上記交流制御端子との間に、これらと上記制御基板との接続部(7)を介して交流電圧を加え、インピーダンス(Z)を測定するインピーダンス測定部(21)と、
測定した上記インピーダンスが予め定められた閾値(ZTH)よりも高い場合には、上記基準制御端子と上記制御基板との間に接続不良が発生していると判断する判断部(22)とを備える、検査システムにある。
上記電力変換装置は、
スイッチング素子(4)と、該スイッチング素子を内蔵した本体部(30)と、上記スイッチング素子に接続し上記本体部から突出した複数の制御端子(5)とを備える半導体モジュール(3)と、
上記制御端子に接続し、上記スイッチング素子のオンオフ動作を制御する制御基板(6)とを備え、
上記スイッチング素子は、上記制御基板から電圧を加えられる被制御電極(40G)と、該被制御電極の電位の基準になる基準電極(40E)とを有し、上記半導体モジュールは、上記制御端子として、上記基準電極に接続した基準制御端子(5E)を備え、
同時にオンオフ動作する、第1スイッチング素子(4a)と第2スイッチング素子(4b)との少なくとも2個の上記スイッチング素子を互いに並列に接続してあり、複数の上記スイッチング素子の上記基準電極は、バスバー(11)を介して互いに電気接続され、個々の上記スイッチング素子に接続した上記基準制御端子は、上記制御基板において互いに電気接続されており、
上記検査装置は、
上記第1スイッチング素子に接続した上記基準制御端子と、上記第2スイッチング素子に接続した上記基準制御端子との間に、これらと上記制御基板との接続部(7Ea,7Eb)を介して交流電圧を加え、インピーダンス(Z)を測定するインピーダンス測定部(21)と、
測定した上記インピーダンスが予め定められた閾値(ZTH)よりも高い場合には、上記基準制御端子と上記制御基板との間に接続不良が発生していると判断する判断部(22)とを備える、検査システムにある。
そのため、同時にオンオフする複数のスイッチング素子を互いに並列に接続した電力変換装置でも、基準制御端子と制御基板との間に接続不良が発生したか否かを容易に検査することができる。すなわち、基準制御端子と制御基板とが正常に接続されていた場合(図1参照)、交流電流が、上記接続部を介して、交流制御端子(例えばゲート端子)と、スイッチング素子と、基準制御端子とを流れる。そのため、電流の経路は比較的短く、測定されるインピーダンスは低い。また、基準制御端子と制御基板との間に接続不良が発生した場合(図2参照)、交流電流は、交流制御端子、スイッチング素子、バスバー、他のスイッチング素子の基準制御端子、制御基板を流れる。そのため、電流の経路長が長くなり、測定されるインピーダンスが高くなる。したがって、測定したインピーダンスが予め定められた閾値を超えたか否かを判断することにより、基準制御端子と制御基板との間に接続不良が発生したか否かを判断することが可能になる。
このように構成した場合も、基準制御端子と制御基板との間に接続不良が発生したか否かを容易に検査することができる。すなわち、基準制御端子と制御基板とが正常に接続されていた場合(図18参照)、交流電流が第1経路と第2経路との、2つの経路に分かれて流れる。第1経路は、交流電流が、上記接続部を介して、第1スイッチング素子の基準制御端子、第1スイッチング素子の基準電極、バスバー、第2スイッチング素子の基準電極、第2スイッチング素子の基準制御端子を流れる経路である。第2経路は、電流が制御基板を流れる経路である。したがって上記インピーダンス測定部は、第1経路に寄生するインピーダンスと、第2経路に寄生するインピーダンスとを両方とも測定することになる。これらのインピーダンスは互いに並列に接続されているため、全体のインピーダンスは比較的低くなる。
また、基準制御端子と制御基板との間に接続不良が発生した場合(図19参照)、電流は第1経路に流れず、第2経路にのみ流れる。そのためインピーダンス測定部は、第2経路に寄生するインピーダンスのみを測定することになる。したがって、接続不良が発生していない場合と比べて、全体のインピーダンスが高くなる。
そのため、測定したインピーダンスの値が、予め定められた閾値よりも高いか否かを判断することにより、基準制御端子と制御基板との間に接続不良が発生したか否かを判断することができる。
なお、特許請求の範囲及び課題を解決する手段に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
上記検査システムに係る実施形態について、図1〜図11を参照して説明する。本形態の検査システム1は、電力変換装置10(図3参照)と、該電力変換装置10を検査する検査装置2(図1参照)とを備える。電力変換装置10は、図3に示すごとく、半導体モジュール3と、制御基板6とを備える。
制御基板6は、制御端子5に接続しており、スイッチング素子4のオンオフ動作を制御する。
ΔZ≒2πfΔL
本形態では、測定したインピーダンスZの値が、予め定められた閾値ZTHよりも高い場合は、基準制御端子5Eと制御基板6との間に接続不良が発生していると判断する。
そのため、同時にオンオフする複数のスイッチング素子を互いに並列に接続した電力変換装置10でも、基準制御端子5Eと制御基板6との間に接続不良が発生したか否かを容易に検査することができる。すなわち、図1に示すごとく、基準制御端子5Eと制御基板6とが正常に接続されていた場合、交流電流が、交流制御端子5Zの接続部7G、交流制御端子5Z(本形態ではゲート端子5G)、スイッチング素子4a、基準制御端子5E(5Ea)、基準制御端子5Eの接続部7E(7Ea)を流れる。そのため、電流の経路は比較的短く、測定されるインピーダンスZは低い。また、図2に示すごとく、基準制御端子5Eと制御基板6との間に接続不良が発生した場合、交流電流は、交流制御端子5Zの接続部7G、交流制御端子5Z、一方のスイッチング素子4a、バスバー11、他方のスイッチング素子4bの基準制御端子5Eb、該基準制御端子5Ebの接続部7Eb、配線69を流れる。そのため、電流の経路長が長くなり、測定されるインピーダンスZが高くなる。したがって、測定したインピーダンスZが予め定められた閾値ZTHを超えたか否かを判断することにより、基準制御端子5Eaと制御基板6との間に接続不良が発生したか否かを判断することが可能になる。
しかしながら、複数のスイッチング素子4を並列接続すると、上記方法では検査できなくなる。すなわち、図24に示すごとく、基準制御端子5Eと制御基板6とが正常に接続している場合には、ゲート端子5Gに電圧を加えると、スイッチング素子4aオンし、センス抵抗Rにオン電流の一部が流れて、電圧降下が生じる。しかしながら、図25に示すごとく、この電力変換装置10は、複数のスイッチング素子4の基準電極40Eが、バスバー11を介して電気接続され、かつ制御基板6上において互いに接続されているため、基準制御端子5Eと制御基板6との間に接続不良が生じた場合でも、スイッチング素子4aがオンしてしまう。そのため、オン電流が流れ、センス抵抗Rに電圧降下が発生する。したがって、接続不良の発生の有無にかかわらず、電圧降下が発生してしまい、基準制御電極5Eと制御基板6との間に接続不良が生じているか否かを検査できない。
そのため、基準制御端子5Eと制御基板6とが正常に接続されている場合は、交流電流が流れる経路長が特に短くなり、接続不良が発生している場合は、交流電流の経路長さが特に長くなる。そのため、接続不良の有無によって、インピーダンスの測定値が大きく変わりやすい。したがって、基準制御端5Eと制御基板6との間に接続不良が発生しているか否かを容易に判別することが可能になる。
交流制御端子5Zとして、図12、図13に示すごとく、センス端子5Sを用いることも可能であるが、この場合、交流電圧を加えたときの耐久性が若干低くなる可能性が考えられる。これに対して、ゲート端子5Gは、スイッチング素子4をオンする際に、検査用の交流電圧よりも高い閾電圧VTHが加えられる端子であるため、耐久性が高い。そのため、交流制御端子5Zとしてゲート端子5Gを用いれば、検査時に加えた交流電圧によってスイッチング素子4が劣化する等の不具合を抑制しやすい。
同様に、図2についても、交流電流が流れる代表的な経路を表したが、この他にも、交流電流が流れる他の経路が存在する。例えば図11に示すごとく、交流電流が、一方のスイッチング素子4aを流れず、その代わりに、配線69、他方のスイッチング素子4b等を流れる経路も存在する。
本形態は、交流電圧を加える端子を変更した例である。図12に示すごとく、本形態では、交流制御端子5Zとして、センス電極40Sに接続したセンス端子5Sを用いている。このセンス端子5Sと基準制御端子5Eとの間に、接続部7(7E,7S)を介して交流電圧を加え、インピーダンスZを測定している。
その他、実施形態1と同様の構成要素および作用効果を備える。
本形態は、検査装置2を接続する位置を変更した例である。図14に、第1スイッチング素子4aの基準制御端子5Eaを検査する例を示す。同図に示すごとく、本形態では、検査装置2の第1測定針28を、第1スイッチング素子4aのゲート端子5Gに隣り合う位置に形成された露出部68aに接続する。また、第2の測定針29を、検査対象である基準制御端子5Eaとは異なる基準制御端子5Eb(すなわち、第2スイッチング素子4bの基準制御端子5Eb)に隣り合う位置に形成された露出部68bに接続する。これにより、第1スイッチング素子4aのゲート端子5G及び基準制御端子5Eaに、接続部7(7G、7Ea)を介して交流電圧を加え、インピーダンスZを測定する。このようにした場合でも、基準制御端子5Eaと制御基板6との間が正常に接続されたときと、接続不良が発生したときとで、インピーダンスZに差が生じれば、接続不良の有無を検出することができる。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
本形態は、電力変換装置10の構成を変更した例である。図15に示すごとく、本形態では、互いに並列に接続された一対のスイッチング素子4a,4bの、基準電極40Ea,40Eb間を流れる電流の経路上に、電気部品としてのコイル83を設けてある。
その他、実施形態1と同様の構成要素および作用効果を備える。
本形態は、電力変換装置10の回路構成を変更した例である。図16に示すごとく、本形態の電力変換装置10は、スイッチング素子4と、リアクトル84と、ダイオード85と、平滑コンデンサ82と、制御基板6とを備える。これらの電子部品によって、昇圧回路108を構成してある。本形態では、実施形態1と同様に、複数のスイッチング素子4(4a,4b)を互いに並列に接続し、同時にオンオフさせている。これにより、直流電源80の直流電圧を昇圧し、出力端子86,87から出力している。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
本形態は、制御端子5と制御基板6との接続方法を変更した例である。図17に示すごとく、本形態では、制御端子5と制御基板6とを、はんだ77によって接続してある。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
本形態は、検査装置2を接続する位置を変更した例である。図18に示すごとく、本形態のインピーダンス測定部21は、第1スイッチング素子4aの基準制御端子5Eaと、第2スイッチング素子4bの基準制御端子5Ebとの間に、これらと制御基板6との接続部7E(7Ea,7Eb)を介して交流電圧を加え、インピーダンスZを測定する。また、判断部22は、測定したインピーダンスZが予め定められた閾値ZTHよりも高い場合は、2つの基準制御端子5Ea,5Ebのうち少なくとも一方の基準制御端子5Eと、制御基板6との間に接続不良が発生していると判断する。
その他、実施形態1と同様の構成および作用効果を備える。
10 電力変換装置
2 検査装置
3 半導体モジュール
4 スイッチング素子
5 制御端子
5Z 交流制御端子
5E 基準制御端子
6 制御基板
Claims (6)
- 電力変換装置(10)と、該電力変換装置を検査する検査装置(2)とを備える検査システム(1)であって、
上記電力変換装置は、
スイッチング素子(4)と、該スイッチング素子を内蔵した本体部(30)と、上記スイッチング素子に接続し上記本体部から突出した複数の制御端子(5)とを備える半導体モジュール(3)と、
上記制御端子に接続し、上記スイッチング素子のオンオフ動作を制御する制御基板(6)とを備え、
上記スイッチング素子は、上記制御基板から電圧を加えられる被制御電極(40G)と、該被制御電極の電位の基準になる基準電極(40E)とを有し、上記半導体モジュールは、上記制御端子として、上記基準電極に接続した基準制御端子(5E)と、上記スイッチング素子を介して上記基準制御端子との間に交流電流が流れる交流制御端子(5Z)とを備え、
同時にオンオフ動作する複数の上記スイッチング素子を互いに並列に接続してあり、上記複数のスイッチング素子の上記基準電極は、バスバー(11)を介して互いに電気接続され、個々の上記スイッチング素子に接続した上記基準制御端子は、上記制御基板において互いに電気接続されており、
上記検査装置は、
同一の上記スイッチング素子にそれぞれ接続した上記基準制御端子と上記交流制御端子との間に、これらと上記制御基板との接続部(7)を介して交流電圧を加え、インピーダンス(Z)を測定するインピーダンス測定部(21)と、
測定した上記インピーダンスが予め定められた閾値(ZTH)よりも高い場合には、上記基準制御端子と上記制御基板との間に接続不良が発生していると判断する判断部(22)とを備える、検査システム。 - 上記検査装置は、上記制御基板のうち、検査対象となる上記基準制御端子と、当該基準制御端子と同一の上記スイッチング素子に接続した上記交流制御端子とに、それぞれ隣り合う部位に電気接続される、請求項1に記載の検査システム。
- 上記スイッチング素子はIGBTであり、上記基準制御端子は上記IGBTの上記基準電極であるエミッタに接続し、上記交流制御端子は上記IGBTの上記被制御電極であるゲートに接続している、請求項1又は2に記載の検査システム。
- 互いに並列に接続された一対の上記スイッチング素子の、上記基準電極間を繋ぐ電流経路上に、コイル(83)が設けられている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の検査システム。
- 電力変換装置(10)と、該電力変換装置を検査する検査装置(2)とを備える検査システム(1)であって、
上記電力変換装置は、
スイッチング素子(4)と、該スイッチング素子を内蔵した本体部(30)と、上記スイッチング素子に接続し上記本体部から突出した複数の制御端子(5)とを備える半導体モジュール(3)と、
上記制御端子に接続し、上記スイッチング素子のオンオフ動作を制御する制御基板(6)とを備え、
上記スイッチング素子は、上記制御基板から電圧を加えられる被制御電極(40G)と、該被制御電極の電位の基準になる基準電極(40E)とを有し、上記半導体モジュールは、上記制御端子として、上記基準電極に接続した基準制御端子(5E)を備え、
同時にオンオフ動作する、第1スイッチング素子(4a)と第2スイッチング素子(4b)との少なくとも2個の上記スイッチング素子を互いに並列に接続してあり、複数の上記スイッチング素子の上記基準電極は、バスバー(11)を介して互いに電気接続され、個々の上記スイッチング素子に接続した上記基準制御端子は、上記制御基板において互いに電気接続されており、
上記検査装置は、
上記第1スイッチング素子に接続した上記基準制御端子と、上記第2スイッチング素子に接続した上記基準制御端子との間に、これらと上記制御基板との接続部(7Ea,7Eb)を介して交流電圧を加え、インピーダンス(Z)を測定するインピーダンス測定部(21)と、
測定した上記インピーダンスが予め定められた閾値(ZTH)よりも高い場合には、上記基準制御端子と上記制御基板との間に接続不良が発生していると判断する判断部(22)とを備える、検査システム。 - 上記制御端子と上記制御基板との接続状態は、外部から視認できないよう構成されている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の検査システム。
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