JP6365425B2 - 半導体素子の検査回路 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態について図面を参照しつつ説明する。本実施形態では、DUTのスイッチング試験を行う検査回路および検査方法について説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してDUT4のアバランシェ試験を行うものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してDUT4の短絡試験を行うものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してDUT4をIGBT素子およびダイオード素子で構成したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して遅延期間を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
3 保護素子
4 DUT(半導体素子)
9 制御部
9a 記憶部
Claims (4)
- ゲート電極を有し、前記ゲート電極に第1レベルおよび当該第1レベルと異なる第2レベルのゲート電圧(Vdg)が印加されることによって通電が制御されるスイッチング素子を有する検査対象としての半導体素子(4)と、
前記半導体素子と当該半導体素子に接続される電源(1)との間に配置され、ゲート電極を有し、当該ゲート電極に前記第1レベルおよび前記第2レベルのゲート電圧(Vhg)が印加されることによって通電が制御され、前記スイッチング素子よりも破壊耐量が大きいスイッチング素子を有する保護素子(3)と、
前記半導体素子のゲート電極および前記保護素子のゲート電極に印加される前記ゲート電圧のレベルを調整することにより、前記半導体素子および前記保護素子の通電を制御する駆動部(7)と、を備え、
前記駆動部は、前記半導体素子のゲート電極に前記第2レベルのゲート電圧を印加することによって当該半導体素子に電流を流しているオン状態から前記半導体素子のゲート電極に前記第1レベルのゲート電圧を印加することによって当該半導体素子に流れている電流を遮断してオフ状態へ移行させる際、前記半導体素子のゲート電極に前記第1レベルのゲート電圧を印加してから所定の遅延期間が経過した際、前記保護素子のゲート電極に印加するゲート電圧を前記第2レベルから前記第1レベルに変化させることによって前記電源と前記半導体素子との接続を遮断する検査回路において、
前記半導体素子のゲート電極に前記第2レベルのゲート電圧が印加されて前記半導体素子に電流が流れている状態から前記ゲート電極に前記第1レベルのゲート電圧が印加されることによって前記半導体素子に流れている電流が遮断されるまでの第1期間(Toff)と、前記半導体素子に流れる電流に対応する遅延期間(Td1)との関係に関するデータが記憶された記憶部(9a)を有し、
前記駆動部は、
前記半導体素子のゲート電極に前記第2レベルのゲート電圧を印加して小電流を流す低負荷試験を行うことによって前記小電流における前記第1期間を検出し、検出した前記第1期間と、前記記憶部に記憶されているデータに基づいて、前記半導体素子に前記小電流より大きい大電流を流す高負荷試験を行う際の前記遅延期間を決定し、
前記高負荷試験を行う際、前記半導体素子のゲート電極に前記第2レベルの前記ゲート電圧を印加して前記大電流を流している状態から前記ゲート電圧を前記第1レベルに切り替えた後、前記決定した遅延期間が経過した際、前記保護素子のゲート電極に前記第1レベルのゲート電圧を印加することによって前記電源と前記半導体素子との接続を遮断することを特徴とする半導体素子の検査回路。 - 前記保護素子に前記第2レベルのゲート電圧が印加されて前記半導体素子に電流が流れている状態から前記ゲート電極に前記第1レベルのゲート電圧が印加されることによって前記保護素子の両端電圧が上昇し始めるまでの期間を第2期間(Tv)としたとき、
前記記憶部には、前記第1期間と、前記遅延期間を、前記半導体素子に前記大電流が流れている状態から前記ゲート電極に前記第1レベルのゲート電圧が印加されることによって前記半導体素子に流れている電流が遮断されるまでの前記第1期間から前記第2期間を減算した値(Toff−Tv)とした前記データが記憶されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の検査回路。 - ゲート電極を有し、前記ゲート電極に第1レベルおよび当該第1レベルと異なる第2レベルのゲート電圧(Vdg)が印加されることによって通電が制御されるスイッチング素子を有する検査対象としての半導体素子(4)と、
前記半導体素子と当該半導体素子に接続される電源(1)との間に配置され、ゲート電極を有し、当該ゲート電極に前記第1レベルおよび前記第2レベルのゲート電圧(Vhg)が印加されることによって通電が制御され、前記スイッチング素子よりも破壊耐量が大きいスイッチング素子を有する保護素子(3)と、
前記半導体素子のゲート電極および前記保護素子のゲート電極に印加される前記ゲート電圧のレベルを調整することにより、前記半導体素子および前記保護素子の通電を制御する駆動部(7)と、を備え、
前記駆動部は、前記半導体素子のゲート電極に前記第2レベルのゲート電圧を印加することによって当該半導体素子に電流を流しているオン状態から前記半導体素子のゲート電極に前記第1レベルのゲート電圧を印加することによって当該半導体素子に流れている電流を遮断してオフ状態へ移行させる際、前記半導体素子のゲート電極に前記第1レベルのゲート電圧を印加してから所定の遅延期間が経過した後から前記半導体素子の両端電圧と閾値電圧とを比較し、前記半導体素子の両端電圧が前記閾値電圧以下となった場合、前記保護素子のゲート電極に印加されるゲート電圧を前記第2レベルから前記第1レベルに変化することによって前記電源と前記半導体素子との接続を遮断する検査回路において、
前記半導体素子のゲート電極に前記第2レベルのゲート電圧が印加されて前記半導体素子に電流が流れている状態から前記ゲート電極に前記第1レベルのゲート電圧が印加されることによって前記半導体素子に流れている電流が減少し始めるまでの第1期間(Tx)と、前記半導体素子に流れる電流に対応する遅延期間(Td2)との関係に関するデータが記憶された記憶部(9a)を有し、
前記駆動部は、
前記半導体素子のゲート電極に前記第2レベルのゲート電圧を印加して小電流を流す低負荷試験を行うことによって前記小電流における前記第1期間を検出し、検出した前記第1期間と、前記記憶部に記憶されているデータに基づいて、前記半導体素子に前記小電流より大きい大電流を流す高負荷試験を行う際の前記遅延期間を決定し、
前記高負荷試験を行う際、前記半導体素子のゲート電極に前記第2レベルの前記ゲート電圧を印加して前記大電流を流している状態から前記ゲート電圧を前記第1レベルに切り替えた後、前記決定した遅延期間が経過してから前記半導体素子における両端電圧と前記閾値電圧との比較を開始することを特徴とする半導体素子の検査回路。 - 前記半導体素子および前記保護素子と並列となるようにコンデンサ(6)が配置されており、
前記保護素子は、前記半導体素子と前記コンデンサとの間に配置されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体素子の検査回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015114634A JP6365425B2 (ja) | 2015-06-05 | 2015-06-05 | 半導体素子の検査回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2015114634A JP6365425B2 (ja) | 2015-06-05 | 2015-06-05 | 半導体素子の検査回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017003299A JP2017003299A (ja) | 2017-01-05 |
JP6365425B2 true JP6365425B2 (ja) | 2018-08-01 |
Family
ID=57753914
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015114634A Active JP6365425B2 (ja) | 2015-06-05 | 2015-06-05 | 半導体素子の検査回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6365425B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0223632D0 (en) * | 2002-10-11 | 2002-11-20 | Aoti Operating Co Inc | Semiconductor testing instrument |
JP4558601B2 (ja) * | 2005-07-22 | 2010-10-06 | 株式会社シバソク | 試験装置 |
JP5257110B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2013-08-07 | 富士電機株式会社 | 半導体試験装置 |
JP5363437B2 (ja) * | 2010-09-08 | 2013-12-11 | 株式会社アドバンテスト | 試験装置 |
JP5528998B2 (ja) * | 2010-12-15 | 2014-06-25 | 株式会社アドバンテスト | 試験装置 |
WO2013016643A2 (en) * | 2011-07-28 | 2013-01-31 | Integrated Technology Corporation | Damage reduction method and apparatus for destructive testing of power semiconductors |
-
2015
- 2015-06-05 JP JP2015114634A patent/JP6365425B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017003299A (ja) | 2017-01-05 |
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