JP5528998B2 - 試験装置 - Google Patents
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims description 256
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 87
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 51
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 7
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 15
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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-
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
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- G01R31/2607—Circuits therefor
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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Description
Claims (12)
- 被試験デバイスを試験する試験装置であって、
前記被試験デバイスに供給する電源電圧を発生する電源部と、
前記電源部と前記被試験デバイスとの間の経路上に設けられた誘導負荷部と、
前記誘導負荷部と前記被試験デバイスとの間の経路上に直列に接続された複数の半導体スイッチと、
前記被試験デバイスへの電圧の供給を遮断する場合において、前記複数の半導体スイッチをオフとする制御部と、
前記複数の半導体スイッチをオンまたはオフに制御するための複数の制御信号のそれぞれの波形を調整する調整部と、
を備え、
前記調整部は、前記複数の制御信号のそれぞれの前記複数の半導体スイッチへそれぞれ入力させる入力タイミングを調整して異ならせる試験装置。 - 前記制御部は、試験の異常時において前記複数の半導体スイッチをオフとする
請求項1に記載の試験装置。 - 前記電源部と前記誘導負荷部との間の経路上に設けられた電源スイッチを更に備える
請求項1または2に記載の試験装置。 - 前記被試験デバイスおよび前記複数の半導体スイッチのそれぞれは、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタであり、
前記複数の半導体スイッチは、コレクタ−エミッタが直列に接続されている
請求項1から3の何れか一項に記載の試験装置。 - 前記調整部は、複数の半導体スイッチのオフからオンにさせる場合における複数の制御信号のそれぞれの入力タイミングを、前記被試験デバイスにより近い半導体スイッチほどより遅くする請求項1から4の何れか一項に記載の試験装置。
- 前記調整部は、前記複数の制御信号のそれぞれの変化時における傾きを調整する
請求項1から5の何れか一項に記載の試験装置。 - 前記誘導負荷部と前記複数の半導体スイッチとの間の経路の電圧を予め設定された範囲内に制限するクランプ部を更に備える
請求項1から6の何れか一項に記載の試験装置。 - 被写体における温度分布を検出するカメラにより複数の前記被試験デバイスを含む被試験ユニットを撮像する撮像部と、
得られた温度分布に応じて前記被試験ユニットに含まれる複数の前記被試験デバイスのうち故障した前記被試験デバイスを特定する特定部と
を備える請求項1から7の何れか一項に記載の試験装置。 - 前記撮像部は、複数の前記被試験デバイスが形成されたまたはウエハ状態に並べられた複数の前記被試験デバイスを含むウエハ部を撮像し、
前記特定部は、前記ウエハ部の温度分布に応じて故障した被試験デバイスを特定する
請求項8に記載の試験装置。 - 前記特定部は、前記被試験デバイスに配置されたパッドの温度に応じて故障した被試験デバイスを特定する
請求項9に記載の試験装置。 - 前記特定部は、温度が予め定められた基準温度より高くなった前記パッドに接続された前記被試験デバイスを故障した被試験デバイスとして特定する
請求項10に記載の試験装置。 - 被試験デバイスを試験する試験装置であって、
前記被試験デバイスに供給する電源電圧を発生する電源部と、
前記電源部と前記被試験デバイスとの間の経路上に設けられた誘導負荷部と、
前記誘導負荷部と前記被試験デバイスとの間の経路上に直列に接続された複数の半導体スイッチと、
前記被試験デバイスへの電圧の供給を遮断する場合において、前記複数の半導体スイッチをオフとする制御部と、
前記複数の半導体スイッチをオンまたはオフに制御するための複数の制御信号のそれぞれの波形を調整する調整部と、
を備え、
前記調整部は、前記複数の制御信号のそれぞれの変化時における傾きを調整する試験装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010279619A JP5528998B2 (ja) | 2010-12-15 | 2010-12-15 | 試験装置 |
US13/253,976 US8704540B2 (en) | 2010-12-15 | 2011-10-06 | Test apparatus |
TW100137358A TWI467192B (zh) | 2010-12-15 | 2011-10-14 | 對被測試元件的累增崩潰耐受量進行測試之測試裝置 |
DE102011055529A DE102011055529A1 (de) | 2010-12-15 | 2011-11-18 | Testvorrichtung |
CN201110403994.8A CN102565649B (zh) | 2010-12-15 | 2011-12-07 | 测试装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010279619A JP5528998B2 (ja) | 2010-12-15 | 2010-12-15 | 試験装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012127808A JP2012127808A (ja) | 2012-07-05 |
JP5528998B2 true JP5528998B2 (ja) | 2014-06-25 |
Family
ID=46233553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010279619A Active JP5528998B2 (ja) | 2010-12-15 | 2010-12-15 | 試験装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8704540B2 (ja) |
JP (1) | JP5528998B2 (ja) |
CN (1) | CN102565649B (ja) |
DE (1) | DE102011055529A1 (ja) |
TW (1) | TWI467192B (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5461379B2 (ja) * | 2010-12-15 | 2014-04-02 | 株式会社アドバンテスト | 試験装置 |
US9097759B2 (en) * | 2011-07-29 | 2015-08-04 | Fairchild Semiconductor Corporation | Apparatus related to an inductive switching test |
DE102014112760A1 (de) | 2013-09-20 | 2015-03-26 | Maxim Integrated Products, Inc. | Systeme und Verfahren zum Entladen von Induktivitäten mit Temperaturschutz |
US9673007B2 (en) | 2013-09-20 | 2017-06-06 | Maxim Integrated Products, Inc. | Systems and methods for discharging inductors with temperature protection |
FR3013919B1 (fr) * | 2013-11-22 | 2016-01-08 | Continental Automotive France | Detection de court-circuit dans une structure de commutation |
US9609895B2 (en) * | 2014-08-21 | 2017-04-04 | Rai Strategic Holdings, Inc. | System and related methods, apparatuses, and computer program products for testing components of an aerosol delivery device |
JP2016118399A (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-30 | 株式会社シバソク | 試験装置 |
JP6517024B2 (ja) * | 2015-01-26 | 2019-05-22 | 株式会社シバソク | 試験装置及び試験方法 |
JP6365425B2 (ja) * | 2015-06-05 | 2018-08-01 | 株式会社デンソー | 半導体素子の検査回路 |
JP6409697B2 (ja) * | 2015-07-07 | 2018-10-24 | 株式会社デンソー | 半導体素子の検査回路および検査方法 |
US11194280B2 (en) * | 2015-10-29 | 2021-12-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Interlock circuit |
US10514394B2 (en) * | 2016-02-26 | 2019-12-24 | Tektronix, Inc. | Dynamic output clamping for a probe or accessory |
JP6790780B2 (ja) * | 2016-12-09 | 2020-11-25 | 株式会社デンソー | 半導体素子の検査装置および検査方法 |
JP6785186B2 (ja) * | 2017-05-18 | 2020-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査システムおよび検査システムにおける温度測定方法 |
JP2020020595A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-06 | 日置電機株式会社 | 測定装置 |
CN109212401B (zh) * | 2018-09-03 | 2020-08-25 | 东南大学 | 基于热成像技术的半导体雪崩失效分析测试方法及装置 |
CN110244208B (zh) * | 2019-07-04 | 2022-04-19 | 福州丹诺西诚电子科技有限公司 | 一种igbt单元的击穿检测方法 |
CN115014558B (zh) * | 2021-09-03 | 2023-05-09 | 荣耀终端有限公司 | 电感测试装置及其电感测试方法 |
JP2023062811A (ja) * | 2021-10-22 | 2023-05-09 | 富士電機株式会社 | 試験回路、及び試験方法 |
CN115047307B (zh) * | 2022-08-17 | 2022-11-25 | 浙江杭可仪器有限公司 | 一种半导体器件老化测试箱 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0064198B1 (en) * | 1981-04-25 | 1985-12-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for measuring noise factor and available gain |
JPS58172337U (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-17 | 株式会社サンコ−シャ | サ−ジ検出装置 |
JPS62220877A (ja) * | 1986-03-22 | 1987-09-29 | Toshiba Corp | 電力用トランジスタの試験装置 |
JPH0758311B2 (ja) * | 1987-08-22 | 1995-06-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の検査方法 |
US5402079A (en) * | 1992-12-18 | 1995-03-28 | Vlsi Technology, Inc. | Integrated circuit relay control system |
JPH08308094A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-22 | Sony Tektronix Corp | ブレーカ装置 |
JP2001141789A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体及びその半導体の良品/不良品識別装置 |
US6396298B1 (en) * | 2000-04-14 | 2002-05-28 | The Aerospace Corporation | Active feedback pulsed measurement method |
JP4558601B2 (ja) * | 2005-07-22 | 2010-10-06 | 株式会社シバソク | 試験装置 |
JP4947986B2 (ja) * | 2006-02-02 | 2012-06-06 | 株式会社アドバンテスト | 試験装置および試験方法 |
JP5010842B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2012-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 試験対象物の保護回路、試験対象物の保護方法、試験装置、及び試験方法 |
JP5025160B2 (ja) * | 2006-05-02 | 2012-09-12 | 三洋電機株式会社 | 二次電池装置 |
JP5011282B2 (ja) * | 2006-05-10 | 2012-08-29 | 株式会社アドバンテスト | スイッチ回路、フィルタ回路及び試験装置 |
EP2118980B1 (en) * | 2007-03-06 | 2019-09-11 | Xantrex Technology, Inc. | Bipolar dc to ac power converter with dc ground fault interrupt |
JP5557368B2 (ja) * | 2009-04-24 | 2014-07-23 | 学校法人東京電機大学 | 半導体検査装置及び半導体検査方法 |
-
2010
- 2010-12-15 JP JP2010279619A patent/JP5528998B2/ja active Active
-
2011
- 2011-10-06 US US13/253,976 patent/US8704540B2/en active Active
- 2011-10-14 TW TW100137358A patent/TWI467192B/zh active
- 2011-11-18 DE DE102011055529A patent/DE102011055529A1/de not_active Withdrawn
- 2011-12-07 CN CN201110403994.8A patent/CN102565649B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI467192B (zh) | 2015-01-01 |
US8704540B2 (en) | 2014-04-22 |
US20120153974A1 (en) | 2012-06-21 |
CN102565649B (zh) | 2015-07-01 |
DE102011055529A1 (de) | 2012-06-21 |
JP2012127808A (ja) | 2012-07-05 |
CN102565649A (zh) | 2012-07-11 |
TW201229538A (en) | 2012-07-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130329 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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|
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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