TWI467192B - 對被測試元件的累增崩潰耐受量進行測試之測試裝置 - Google Patents

Description

對被測試元件的累增崩潰耐受量進行測試之測試裝置

本發明是有關於一種測試裝置。

於對流入至電感負載的電流進行切換的半導體開關(例如：絕緣閘雙極型電晶體,Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)的製造步驟中，實施累增(avalanche)崩潰耐受量的測試。於專利文獻1中揭示有一種累增崩潰測試用的測試裝置。

專利文獻1　日本專利特開2007-33042號公報

然而，於累增崩潰耐受量的測試中，當被測試元件(device)以短路模式而發生故障時，過大的電流會流入至被測試元件。因此，被測試元件的損傷擴大，導致難以對故障原因進行分析。又，有時亦會因過大的電流流入至被測試元件，導致測試裝置本身破損。

為了防止如上所述的情形，對於對累增崩潰耐受量進行測試的測試裝置而言，當異常的電流流入至被測試元件時，必須迅速地將電感負載與被測試元件之間的連接予以阻斷。然而，於高耐受電壓下、迅速地進行切換的切換元件昂貴，導致使測試裝置的成本增大。

為了解決上述問題，本發明的第1形態提供一種測試裝置，該測試裝置是對被測試元件進行測試的測試裝置，且包括：電源部，產生供給至上述被測試元件的電源電壓；電感負載部，設置於上述電源部與上述被測試元件之間的路徑上；多個半導體開關，串聯地連接於上述電感負載部與上述被測試元件之間的路徑上；以及控制部，當將朝向上述被測試元件的電壓的供給予以阻斷時，使上述多個半導體開關斷開(off)。

再者，上述發明的概要並未列舉本發明的全部的必要特徵。又，這些特徵群的次組合(subcombination)亦可成為發明。

以下，經由發明的實施形態來對本發明進行說明，但以下的實施形態並不對申請專利範圍的發明進行限定。又，實施形態中所說明的特徵的全部組合，對於發明的解決方案而言不一定必需。

圖1一併表示本實施形態的測試裝置10的構成以及被測試元件200。本實施形態的測試裝置10對半導體開關即被測試元件200的累增崩潰耐受量進行測試。於本實施形態中，被測試元件200是絕緣閘極型雙極電晶體(IGBT)。

測試裝置10包括：電源部22、電感負載部24、電源開關26、阻斷開關28、鉗位(clamp)部30、異常檢測部32、以及控制部34。

電源部22產生供給至被測試元件200的電源電壓。作為一例，電源部22產生600 V至2500 V的直流的電源電壓。於本實施形態中，電源部22將電源電壓施加至IGBT即被測試元件200的集極(collector)-射極(emitter)之間。更具體而言，被測試元件200的射極連接於地面(ground)。而且，電源部22將正的電源電壓施加至被測試元件200的集極。

作為一例，電源部22包括：直流電源部42、電源用電容器(capacitor)44、以及電源用二極體(diode)45。直流電源部42的負端子連接於地面。電源用電容器44連接於地面與直流電源部42的正端子之間。電源用二極體45的陽極(anode)連接於直流電源部42的正端子。如上所述的電源部22自電源用二極體45的陰極(cathode)產生電源電壓。

電感負載部24具有電感(inductance)，且電感負載部24設置於電源部22與被測試元件200之間的路徑上。作為一例，電感負載部24為電感器(inductor)46。於本實施形態中，電感負載部24設置於電源部22的電源電壓的產生端、與IGBT即被測試元件200的集極之間的路徑上。

再者，電感負載部24亦可為：對具有不同的電感的多個電感器46進行切換的構成。藉此，電感負載部24可將與被測試元件200的種類以及測試內容相對應的電感、設置於電源部22與被測試元件200之間的路徑上。

電源開關26將電源部22與電感負載部24之間予以連接或切斷。電源開關26於測試過程中，將電源部22與電感負載部24之間予以連接；且於測試過程中以外的期間，將電源部22與電感負載部24之間予以切斷。作為一例，電源開關26為繼電器(relay)或IGBT等的半導體開關。

阻斷開關28設置於電感負載部24與被測試元件200之間的路徑上。於本實施形態中，阻斷開關28設置於：電感負載部24中的未連接著電源部22的一側的端子、與IGBT即被測試元件200的集極之間的路徑上。於正常時，阻斷開關28將電感負載部24與被測試元件200之間予以連接；且於異常時，阻斷開關28將電感負載部24與被測試元件200之間予以切斷。

阻斷開關28包括：多個半導體開關50、與多個絕緣放大器52。多個半導體開關50串聯地連接於電感負載部24與被測試元件200之間的路徑上。

於本實施形態中，多個半導體開關50各自為絕緣閘極型雙極電晶體(IGBT)，且集極-射極之間被串聯地連接。亦即，配置於最靠電感負載部24側的半導體開關50的集極是連接於電感負載部24，而射極是連接於與被測試元件200側相鄰接的半導體開關50的集極。

又，配置於最靠被測試元件200側的半導體開關50的射極是連接於被測試元件200的集極。而且，配置於最靠電感負載部24側的半導體開關50、與配置於最靠被測試元件200側的半導體開關50以外的其他半導體開關50各自的射極是：連接於與被測試元件200側相鄰接的半導體開關50的集極。

多個絕緣放大器52各自是分別與多個半導體開關50相對應地設置。而且，多個絕緣放大器52各自是根據自外部輸入的控制信號，使相對應的半導體開關50接通(on)或斷開(off)。於本實施形態中，多個絕緣放大器52各自對IGBT即相對應的半導體開關50的閘極電壓進行控制，使集極-射極之間接通(連接)或斷開(切斷)。

而且，多個絕緣放大器52各自使：輸出控制信號的外部的電路、與相對應的半導體開關50之間絕緣。藉此，多個絕緣放大器52各自可使得自電源部22供給至被測試元件200的高電壓不會被供給至輸出控制信號的外部的電路。

再者，於圖1的例子中，阻斷開關28包括：第1半導體開關50-1、第2半導體開關50-2、第1絕緣放大器52-1、以及第2絕緣放大器52-2。第1半導體開關50-1以及第2半導體開關50-2的集極-射極之間被串聯地連接。

第1半導體開關50-1配置於電感負載部24側。第2半導體開關50-2配置於被測試元件200側。第1絕緣放大器52-1根據來自外部的控制信號而產生第1半導體開關50-1的閘極電壓。第2絕緣放大器52-2根據來自外部的控制信號而產生第2半導體開關50-2的閘極電壓。

鉗位部30將電感負載部24與阻斷開關28之間的路徑(連接點A)的電壓限制於預先設定的範圍內。於本實施形態中，鉗位部30進行限制，使連接點A的電壓不會為高於電源電壓的預定的鉗位電壓(例如比電源電壓高百分之幾十的電壓)以上。

作為一例，鉗位部30包括：可變電壓源54、鉗位用電容器56、以及二極體58。可變電壓源54的負端子連接於地面，且產生由外部設定的鉗位電壓。鉗位用電容器56連接於地面與可變電壓源54的正端子之間。

二極體58的陽極連接於電感負載部24與阻斷開關28之間的路徑(連接點A)，陰極連接於可變電壓源54的正端子。對於如上所述的鉗位部30而言，若連接點A的電位為鉗位電壓以上，則二極體58接通，將流入至連接點A的電流予以吸收。藉此，鉗位部30可將連接點A的電位限制為鉗位電壓以下。

異常檢測部32檢測上述測試裝置10是否進行異常的動作。作為一例，異常檢測部32檢測出異常的電流流入至被測試元件200或產生了異常的電壓。又，作為一例，異常檢測部32亦可於被測試元件200的溫度超過預定的值時，檢測出異常的動作。

控制部34對電源開關26進行控制。更具體而言，控制部34於測試開始時使電源開關26接通，於測試結束時使電源開關26斷開。藉此，控制部34於測試時，可將電源部22所產生的電源電壓經由電感負載部24而供給至被測試元件200。

又，控制部34對被測試元件200進行控制。於本實施形態中，控制部34供給IGBT即被測試元件200的閘極電壓，將被測試元件200控制為接通或斷開。

又，控制部34對阻斷開關28進行控制。於本實施形態中，控制部34於將電壓供給至被測試元件200時，使阻斷開關28所具有的多個半導體開關50接通。而且，控制部34於將朝向被測試元件200的電壓的供給予以阻斷時，使阻斷開關28所具有的多個半導體開關50斷開。

更具體而言，控制部34於正常時(亦即，當異常檢測部32未檢測出異常的動作時)，使多個半導體開關50接通。而且，控制部34於測試異常時(亦即，當異常檢測部32檢測出異常的動作時)，使多個半導體開關50斷開。藉此，控制部34於異常時，可使朝向被測試元件200的電流的供給停止。

圖2表示於IGBT即被測試元件200的累增崩潰耐受量的測試中，當被測試元件200正常地進行動作時，被測試元件200的閘極電壓、集極-射極之間的電壓、集極電流、阻斷開關28的控制信號以及連接點A的電壓的波形的一例。再者，於圖2中，Vge表示被測試元件200的閘極電壓(閘極-射極之間的電壓)。又，Vce表示被測試元件200的集極-射極之間的電壓。Ic表示被測試元件200的集極電流。SW表示阻斷開關28的控制信號的波形。Vsw表示電感負載部24與阻斷開關28之間的路徑(連接點A)的電位。

當對IGBT即被測試元件200的累增崩潰耐受量進行測試時，首先，控制部34使被測試元件200斷開，且使電源開關26接通。又，由於未檢測出異常，因此，控制部34使阻斷開關28接通。使被測試元件200斷開以及使電源開關26接通之後，連接點A的電位(Vsw)達到電源電壓Vcc。又，被測試元件200的集極-射極之間的電壓(Vce)亦達到電源電壓Vcc。

再者，控制部34接下來維持著使電源開關26接通的狀態。又，控制部34接下來維持著使阻斷開關28接通的狀態，直至檢測出異常為止。

接著，控制部34於時刻t1，將被測試元件200自斷開切換至接通。於時刻t1，被測試元件200接通之後，被測試元件200的集極-射極之間的電壓(Vce)成為與被測試元件200的特性相對應的電壓。又，連接點A的電位(Vsw)達到：自集極-射極之間的電壓(Vce)偏移了與阻斷開關28的接通電壓相當的量的電壓。

又，於時刻t1，被測試元件200接通之後，被測試元件200的集極電流Ic以與電感負載部24的電感相對應的變化速度而增加。接著，藉由自電源部22供給的電力，能量(energy)蓄積於電感負載部24。

接著，於自時刻t1經過了預定的時間的時刻t2，控制部34將被測試元件200自接通切換至斷開。若被測試元件200自接通切換至斷開，則流入至電感負載部24的電流被阻斷，從而於電感負載部24中產生反電動勢(back electromotive force)。因此，於時刻t2，被測試元件200斷開之後，連接點A的電位(Vsw)會上升至如下的電壓：該電壓是將電源部22所產生的電源電位Vcc與對應於電感負載部24的反電動勢的電壓相加所得的電壓。

又，於時刻t2，被測試元件200斷開之後，電感負載部24於自時刻t1至時刻t2的期間，將已積蓄的能量作為電流而予以放出。使集極電流Ic流動，藉此，被測試元件200將自電感負載部24放出的電流予以吸收。

因此，於時刻t2，被測試元件200斷開之後，直至蓄積於電感負載部24的能量完全被放出為止的期間，被測試元件200使集極電流Ic流動。接著，上述集極電流Ic以與電感負載部24的電感相對應的變化速度而減少。再者，將蓄積於電感負載部24的能量作為電流而被放出的期間稱為累增期間Tav。

接著，若蓄積於電感負載部24的能量完全被放出(時刻t3)，則集極電流Ic為0。又，電感負載部24所產生的反電動勢亦為0，因此，連接點A的電位(Vsw)成為電源電壓Vcc。又，被測試元件200的集極-射極之間的電壓(Vce)亦成為電源電壓Vcc。

測試裝置10於累增崩潰耐受量的測試中，對被測試元件200進行如上所述的控制。而且，若以上的動作正常地進行，即，若過電流未流入至被測試元件200，或被測試元件200未崩潰，則測試裝置10判定出被測試元件200為良品。

圖3表示於IGBT即被測試元件200的累增崩潰耐受量的測試中，當被測試元件200進行異常動作時，被測試元件200的閘極電壓、集極-射極之間的電壓、集極電流、阻斷開關28的控制信號以及連接點A的電壓的波形的一例。再者，於圖3中，Vge、Vce、Ic、SW以及Vsw與圖2相同。

於測試過程中，被測試元件200發生故障。於該情形時，被測試元件200的動作產生異常。

例如，於累增期間Tav中即時刻t4，被測試元件200以短路模式而發生故障。於該情形時，集極電流Ic會急速地增加。又，對於連接點A的電位(Vsw)而言，由於被測試元件200以短路模式而發生故障，因此，電位下降。

此處，當被測試元件200以上述方式發生故障時，若繼續使集極電流Ic流入至被測試元件200，則被測試元件200因集極電流Ic的增加而崩潰的可能性高。當被測試元件200以上述方式發生故障時，本實施形態的異常檢測部32會通知控制部34已產生了異常。作為一例，異常檢測部32於累增期間，檢測出集極電流Ic已急速地上升，且將該情形通知控制部34。

接著，控制部34自異常檢測部32接受通知，且相應地將阻斷開關28所具有的多個半導體開關50自接通切換至斷開(時刻t5)。藉此，當被測試元件200以上述方式發生故障時，控制部34可將急速地流入至被測試元件200的集極電流Ic予以阻斷。此時，連接點A的電位(Vsw)會因電感負載部24的反電動勢而上升，但會被限制為鉗位電壓。而且，經過固定時間之後，連接點A的電位(Vsw)會下降至電源電壓Vcc。

藉此，根據測試裝置10，於IGBT即被測試元件200的累增崩潰耐受量的測試中，可防止過電流流動而使被測試元件200崩潰，或可防止測試裝置10本身崩潰。

圖4表示於本實施形態中，當將在電感負載部24與被測試元件200之間流動的集極電流Ic予以阻斷時，流入至被測試元件200的電流的波形的一例。例如，如圖4所示，藉由串聯地連接的2個半導體開關來將集極電流Ic予以阻斷時的阻斷期間，比藉由一個半導體開關來將集極電流Ic予以阻斷時的阻斷期間更短。

於本實施形態中，阻斷開關28藉由串聯地連接的多個半導體開關50，將電感負載部24與被測試元件200之間予以連接(接通)或切斷(斷開)。因此，與藉由一個半導體開關50來將連接點A與被測試元件200之間自接通切換至斷開的情形相比較，阻斷開關28可迅速地使上述連接點A與被測試元件200之間斷開。

藉此，本實施形態的測試裝置10於測試異常時，可迅速地將在電感負載部24與被測試元件200之間流動的電流予以阻斷。因此，根據測試裝置10，可在過剩的電流流入至被測試元件200之前，將電流予以阻斷，從而避免被測試元件200的崩潰以及測試裝置10本身的崩潰。

又，多個半導體開關50各自可為耐受電壓比較低且廉價的半導體開關。作為一例，多個半導體開關50可為：耐受電壓比IGBT即被測試元件200更低的IGBT。藉此，可使測試裝置10的成本減小。

圖5一併表示本實施形態的第1變形例的測試裝置10的構成以及被測試元件200。本變形例的測試裝置10採用與圖1所示的相同符號的構件大致相同的構成以及功能，因此，以下除了不同點之外，將說明予以省略。

本變形例的測試裝置10更包括：調整部60。該調整部60對多個控制信號各自的波形進行調整，上述多個控制信號用以將阻斷開關28所具有的多個半導體開關50控制為接通或斷開。如上所述的調整部60可分別針對多個半導體開關50，對使多個半導體開關50自接通變化為斷開、或自斷開變化為接通的時序(timing)進行調整。

圖6表示分別針對第1半導體開關50-1及第2半導體開關50-2，將輸入時序予以改變的控制信號的一例。作為一例，調整部60對多個控制信號各自分別輸入至多個半導體開關50時的輸入時序進行調整。

於上述情形時，對於使多個半導體開關50分別自斷開變為接通時的多個控制信號各自的輸入時序，半導體開關50越靠近被測試元件200，則調整部60越遲將控制信號輸入至該半導體開關50。藉此，當使多個半導體開關50自斷開過渡至接通時，調整部60可使接地電位側(即，被測試元件200(DUT)側)的半導體開關50最後接通。

又，對於使多個半導體開關50分別自接通變為斷開時的多個控制信號各自的輸入時序，半導體開關50越靠近被測試元件200，則調整部60越早將控制信號輸入至該半導體開關50。藉此，當使多個半導體開關50自接通過渡至斷開時，調整部60可使接地電位側(即，被測試元件200側)的半導體開關50最先接通。

根據如上所述的調整部60，即便當電感負載部24中產生過大的電壓時，由於使平均化的電壓施加至多個半導體開關50，即，由於不會使過大的電壓僅施加至一個半導體開關50，所以可避免半導體開關50發生故障。

圖7表示分別針對第1半導體開關50-1及第2半導體開關50-2，將變化時的斜度予以改變的控制信號的一例。作為一例，調整部60對多個控制信號各自的變化時的斜度進行調整。

於上述情形時，對於使多個半導體開關50分別自斷開變為接通時的多個控制信號各自的斜度，半導體開關50越靠近被測試元件200，則調整部60使針對該半導體開關50的控制信號的斜度越緩和。藉此，當使多個半導體開關50自斷開過渡至接通時，調整部60可使接地電位側(即，被測試元件200側)的半導體開關50最後接通。

又，對於使多個半導體開關50分別自接通變為斷開時的多個控制信號各自的斜度，半導體開關50越靠近被測試元件200，則調整部60使針對該半導體開關50的控制信號的斜度越陡峭。藉此，當使多個半導體開關50自接通過渡至斷開時，調整部60可使接地電位側(即，被測試元件200側)的半導體開關50最先接通。

對於如上所述的調整部60而言，即便當電感負載部24中產生過大的電壓時，由於使平均化的電壓施加至多個半導體開關50，即，由於不會使過大的電壓僅施加至一個半導體開關50，所以可避免半導體開關50發生故障。

圖8一併表示本實施形態的第2變形例的測試裝置10的構成以及被測試元件200。本變形例的測試裝置10採用與圖1至圖7中所說明的測試裝置10相同的功能以及構成，因此，以下除了不同點之外，將說明予以省略。

測試裝置10平行地對形成於晶圓(wafer)部210的多個被測試元件200的累增崩潰耐受量進行測試。再者，晶圓部210亦可為配置為晶圓狀且保持著多個被測試元件200的托盤(tray)等。又，晶圓部210亦可為以晶圓狀以外的排列來保持著多個被測試元件200的構件(被測試單元(unit))。

於本實施形態中，多個被測試元件200各自為IGBT。測試裝置10包括：測試電路70、平台(stage)72、探針(probe)74、攝影部76、以及特別指定部78。

測試電路70分別針對成為測試對象的多個被測試元件200、而包括：與圖1所示的測試裝置10相同的構成的電路。除了不同點之外，將測試電路70的說明予以省略。

平台72載置著晶圓部210，且與多個被測試元件200各自的背面所配置的多個墊(pad)分別發生接觸。作為一例，平台72與如下的多個墊分別發生接觸，上述多個墊與多個被測試元件200各自的集極連接。而且，平台72將自測試電路70供給的電源電壓施加至多個被測試元件200各自的集極。

探針74與被測試元件200的表面所配置的多個墊分別發生接觸。作為一例，探針74分別接觸於：與多個被測試元件200各自的閘極連接的多個墊、以及與多個被測試元件200各自的射極連接的多個墊。而且，探針74將自測試電路70輸出的閘極電壓施加至多個被測試元件200各自的閘極。又，探針74將接地電位施加至多個被測試元件200各自的射極。

攝影部76藉由對被攝體中的溫度分布進行檢測的相機(camera)，對形成有多個被測試元件200的晶圓部210進行拍攝。藉此，攝影部76可對晶圓部210的表面的溫度分布進行檢測。

特別指定部78根據攝影部76所獲得的溫度分布，對晶圓部210中所含的多個被測試元件200中的已發生故障的被測試元件200進行特別指定。作為一例，特別指定部78根據被測試元件200的表面所配置的墊的溫度，對晶圓部210中所含的多個被測試元件200中的已發生故障的被測試元件200進行特別指定。例如，特別指定部78將溫度高於預定的基準溫度處的周圍的被測試元件200，特別指定為已發生故障的被測試元件200。

接著，特別指定部78通知測試電路70特別指定的被測試元件200已發生故障。測試電路70內的對特別指定的被測試元件200的測試進行控制的控制部34，接受表示作為測試對象的被測試元件200已發生故障的通知之後，將多個半導體開關50予以阻斷，上述多個半導體開關50是設置於將電源電壓供給至相對應的被測試元件200的路徑。接著，上述控制部34使相對應的被測試元件200的測試中止。

根據如上所述的測試裝置10，於平行地對形成於晶圓部210的多個被測試元件200進行測試的情形下，當一部分的被測試元件200發生故障時，可僅使該被測試元件200的測試中止，而繼續對其他被測試元件200進行測試。藉此，根據測試裝置10，不會因一部分的被測試元件200發生故障而使全部的被測試元件200的測試中斷，因此，可效率良好地進行測試。

以上，使用實施形態來對本發明進行了說明，但本發明的技術範圍並不限定於上述實施形態所揭示的範圍。對於本領域技術人員而言，顯然可對上述實施形態添加多種變更或改良。根據申請專利範圍的揭示，此種添加了變更或改良的形態顯然亦可包含於本發明的技術範圍。

對於申請專利範圍、說明書、及圖式中所示的裝置、系統(system)、程式(program)、及方法中的動作、順序、步驟(step)、以及階段等的各處理的執行順序而言，並不特別地明示為「先於」、「先」等，而且，應當留意只要並非於之後的處理中使用之前的處理的輸出，則能夠以任意的順序來實現。關於申請專利範圍、說明書、及圖式中的動作流程，即便為了方便而使用「首先，」、「接著，」等來進行說明，亦並不意味著必須按照該順序來實施。

10．．．測試裝置

22．．．電源部

24．．．電感負載部

26．．．電源開關

28．．．阻斷開關

30．．．鉗位部

32．．．異常檢測部

34．．．控制部

42．．．直流電源部

44．．．電源用電容器

45．．．電源用二極體

46．．．電感器

50．．．半導體開關

50-1．．．第1半導體開關

50-2．．．第2半導體開關

52．．．絕緣放大器

52-1．．．第1絕緣放大器

52-2．．．第2絕緣放大器

54．．．可變電壓源

56．．．鉗位用電容器

58．．．二極體

60．．．調整部

70．．．測試電路

72．．．平台

74．．．探針

76．．．攝影部

78．．．特別指定部

200．．．被測試元件

210．．．晶圓部

A．．．連接點

Ic．．．集極電流

SW．．．控制信號的波形

t1～t5．．．時刻

Tav．．．累增期間

Vcc．．．電源電壓/電源電位

Vce．．．集極-射極之間的電壓

Vge．．．閘極電壓/閘極-射極之間的電壓

Vsw．．．電位

圖1一併表示本實施形態的測試裝置10的構成以及被測試元件200。

圖2表示於IGBT即被測試元件200的累增崩潰耐受量的測試中，當被測試元件200正常地進行動作時，被測試元件200的閘極電壓、集極-射極之間的電壓、集極電流、阻斷開關28的控制信號以及連接點A的電壓的波形的一例。

圖3表示於IGBT即被測試元件200的累增崩潰耐受量的測試中，當被測試元件200進行異常動作時，被測試元件200的閘極電壓、集極-射極之間的電壓、集極電流、阻斷開關28的控制信號以及連接點A的電壓的波形的一例。

圖4表示於本實施形態中，阻斷開關28將電流予以阻斷時的流入至被測試元件200的電流的波形的一例。

圖5一併表示本實施形態的第1變形例的測試裝置10的構成以及被測試元件200。

圖6表示分別針對第1半導體開關50-1及第2半導體開關50-2，將輸入時序予以改變的控制信號的一例。

圖7表示分別針對第1半導體開關50-1及第2半導體開關50-2，將變化時的斜度予以改變的控制信號的一例。

圖8一併表示本實施形態的第2變形例的測試裝置10的構成以及被測試元件200。

10．．．測試裝置

22．．．電源部

24．．．電感負載部

26．．．電源開關

28．．．阻斷開關

30．．．鉗位部

32．．．異常檢測部

34．．．控制部

42．．．直流電源部

44．．．電源用電容器

45．．．電源用二極體

46．．．電感器

50-1．．．第1半導體開關

50-2．．．第2半導體開關

52-1．．．第1絕緣放大器

52-2．．．第2絕緣放大器

54．．．可變電壓源

56．．．鉗位用電容器

58．．．二極體

200．．．被測試元件

A．．．連接點

Claims (11)

1. 一種對被測試元件的累增崩潰耐受量進行測試之測試裝置，對被測試元件進行測試，該測試裝置包括：電源部，產生供給至上述被測試元件的電源電壓；電感負載部，設置於上述電源部與上述被測試元件之間的路徑上；多個半導體開關，串聯地連接於上述電感負載部與上述被測試元件之間的路徑上；控制部，當將朝向上述被測試元件的電壓的供給予以阻斷時，使上述多個半導體開關斷開；以及調整部，該調整部對多個控制信號各自的波形進行調整，上述多個控制信號用以將上述多個半導體開關控制為接通或斷開。
2. 如申請專利範圍第1項所述之對被測試元件的累增崩潰耐受量進行測試之測試裝置，其中，上述控制部於測試異常時，使上述多個半導體開關斷開。
3. 如申請專利範圍第1項所述之對被測試元件的累增崩潰耐受量進行測試之測試裝置，更包括：電源開關，該電源開關設置於上述電源部與上述電感負載部之間的路徑上。
4. 如申請專利範圍第1項所述之對被測試元件的累增崩潰耐受量進行測試之測試裝置，其中，上述被測試元件以及上述多個半導體開關各自為絕緣 閘極型雙極電晶體，上述多個半導體開關的集極-射極被串聯地連接。
5. 如申請專利範圍第1項所述之對被測試元件的累增崩潰耐受量進行測試之測試裝置，其中，上述調整部對於上述多個控制信號各自分別輸入至上述多個半導體開關時的輸入時序進行調整。
6. 如申請專利範圍第1項所述之對被測試元件的累增崩潰耐受量進行測試之測試裝置，其中，上述調整部對上述多個控制信號的每一個的變化時的斜度進行調整。
7. 如申請專利範圍第1項所述之對被測試元件的累增崩潰耐受量進行測試之測試裝置，更包括：鉗位部，該鉗位部將上述電感負載部與上述多個半導體開關之間的路徑的電壓限制於預先設定的範圍內。
8. 如申請專利範圍第1項所述之對被測試元件的累增崩潰耐受量進行測試之測試裝置，包括：攝影部，藉由對被攝體中的溫度分布進行檢測的相機，對包含多個上述被測試元件的被測試單元進行拍攝；以及特別指定部，根據已獲得的溫度分布，對上述被測試單元中所含的多個上述被測試元件中的已發生故障的上述被測試元件進行特別指定。
9. 如申請專利範圍第8項所述之對被測試元件的累增崩潰耐受量進行測試之測試裝置，其中， 上述攝影部對晶圓部進行拍攝，該晶圓部形成有多個上述被測試元件、或包括呈晶圓狀態地排列的多個上述被測試元件，上述特別指定部根據上述晶圓部的溫度分布，對已發生故障的被測試元件進行特別指定。
10. 如申請專利範圍第9項所述之對被測試元件的累增崩潰耐受量進行測試之測試裝置，其中，上述特別指定部根據配置於上述被測試元件的墊的溫度，對已發生故障的被測試元件進行特別指定。
11. 如申請專利範圍第10項所述之對被測試元件的累增崩潰耐受量進行測試之測試裝置，其中，上述特別指定部將溫度高於預定的基準溫度處的周圍的上述被測試元件，特別指定為已發生故障的被測試元件。