JP5258810B2 - 半導体装置の試験装置 - Google Patents
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図1は本発明の実施の形態1の半導体装置の短絡破壊耐量試験装置のブロック図である。本実施の形態の短絡破壊耐量試験装置の試験対象の被測定素子3はIGBTやMOSFET等の半導体装置である。本実施形態の試験装置は、被測定素子3に直流電圧を印加する直流電源1と、被測定素子3を所定の状態に制御するためのゲート駆動回路4およびゲート抵抗5と、被測定素子3と直列に接続されたパワースイッチ2と、パワースイッチ2用のゲート駆動電源9およびゲート抵抗10とを備える。特に、パワースイッチ2は、被測定素子3の最大出力電流よりも十分に高い最大出力電流を有する素子である。また、ゲート駆動電源9は、被測定素子3の最大出力電流(例えば100A)に対し、パワースイッチ2を適切な最大出力電流値(例えば150A)に制御するため、所望の電圧値に設定することが可能である。
図4は本発明の実施の形態2の半導体装置の短絡破壊耐量試験装置のブロック図である。実施の形態2の試験装置は、実施の形態1の試験装置に対してさらにパワースイッチ2のゲート駆動電源として、被測定素子3の最大出力電流よりパワースイッチ2の最大出力電流が高くなるようなゲート電圧を与えるゲート駆動電源9と、被測定素子3の最大出力電流よりパワースイッチ2の最大出力電流が低くなるようなゲート電圧を与えるゲート駆動電源11と、被測定素子3を駆動するゲート駆動回路4から出力されるゲート電圧の立下り点を検出するためのゲート立下り検出器12と、ゲート立下り検出器12の出力信号によって切り替わるリレー13、14とを有する。すなわち、第2の実施の形態では、パワースイッチ2の最大出力電流が2段階に制御可能に構成されている。
図6は本発明の実施の形態3の半導体装置の短絡破壊耐量試験装置のブロック図である。実施の形態3の試験装置は、実施の形態2の試験装置に対してさらにパワースイッチ2のコレクタ・エミッタ間電圧を検出する破壊検出判定回路15を有する。
Claims (3)
- 半導体装置の短絡破壊耐量の試験装置であって、
試験対象の半導体装置である被測定素子に直流電圧を印加する直流電源と、
被測定素子と直列に接続され、最大出力電流値が被測定素子の最大出力電流値よりも大きいパワースイッチと、
被測定素子の試験時に、パワースイッチがその最大出力電流値の電流を流すことが可能なようにパワースイッチを制御する制御回路と、
被測定素子のオフ状態への切り替えに同期させてパワースイッチのゲート電圧を切り替える回路と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の試験装置。 - 請求項1に記載の半導体装置の試験装置において、パワースイッチのコレクタ・エミッタ間電圧を検出する検出回路をさらに備えたことを特徴とする半導体装置の試験装置。
- 請求項2に記載の半導体装置の試験装置において、検出回路によるパワースイッチのコレクタ・エミッタ間電圧の検出結果に基づいて、直流電圧の被測定素子への供給を遮断することを特徴とする半導体装置の試験装置。
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