JP6317552B2 - 電解コンデンサの固体電解質用の非イオン性界面活性剤 - Google Patents
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Description
HLB=20*Mh/M
ここで、Mhは、界面活性剤の親水性部分の分子質量であり、Mは、界面活性剤の分子質量である。HLBスケールは、従って、0から20に及び、より低い数は、より高い親油性傾向を表し、より高い数は、より高い親水性傾向を表している。理論によって限定されることを意図しないが、このようなHLB値を有する非イオン性界面活性剤は、ポリマーと内部誘電体の表面との間の接触の程度を高めることができると考えられ、内部誘電体は、典型的に、より高い形成電圧の結果として性質上比較的滑らかである。これは、予想外に、得られるコンデンサの絶縁破壊電圧、サージ電流、キャパシタンス、及び/又は湿式対乾式キャパシタンスの増加、並びに等価直列抵抗(「ESR」)の低下のように電気特性を改善する。非イオン性界面活性剤はまた、それがコンデンサの形成中に化学的分解を最小にするように十分高いが、それが導電性ポリマーの性能に悪く干渉しないように十分低い分子量を保有することができる。例えば、表面活性剤の分子量は、典型的に、モル当たり約100から10,000グラム、一部の実施形態では約200から約2,000、一部の実施形態では約400から約5,000、及び一部の実施形態では約500から約2,500である。
アノードは、バルブ金属組成物から形成される。組成物の比電荷は、約2,000μF*V/gから約250,000μF*V/gのように異なる場合がある。コンデンサが高電圧用途に使用される時のようなある一定の実施形態において、グラム当たり約60,000マイクロファラッド*ボルト(「μF*V/g」)又はそれ未満、一部の実施形態では約2,000から約50,000μF*V/g、及び一部の実施形態では約5,000から約30,000μF*V/gのような低い比電荷を有する粉末が使用される。勿論、グラム当たり約60,000マイクロファラッド*ボルト(「μF*V/g」)又はそれよりも大きい、一部の実施形態では約70,000又はそれよりも大きい、一部の実施形態では約80,000μF*V/g又はそれよりも大きい、及び一部の実施形態では約100,000から約250,000μF*V/gのような高比電荷粉末を使用することができる。当業技術で公知のように、比電荷は、使用する陽極酸化電圧をキャパシタンスに乗算し、次に、この積を陽極酸化電極本体の重量で割ることによって判断することができる。
アノードはまた、誘電体で被覆される。誘電体は、誘電体層がアノードの上及び/又はアノード内に形成されるように、焼結アノードを陽極酸化する(「陽極処理する」)ことによって形成することができる。例えば、タンタル(Ta)アノードは、五酸化タンタル(Ta2O5)に陽極酸化することができる。典型的には、陽極酸化は、アノードを電解質の中に浸漬するなどによって溶液をアノードに最初に付加することによって実施される。水(例えば、脱イオン水)のような溶媒が一般的に使用される。イオン導電性を高めるために、化合物を使用することができ、これは、溶媒に溶解してイオンを形成することができる。このような化合物の例は、例えば、電解質に対して以下に説明するような酸を含む。例えば、酸(例えば、リン酸)は、陽極酸化溶液の約0.01重量パーセントから約5重量パーセント、一部の実施形態では約0.05重量パーセントから約0.8重量パーセント、及び一部の実施形態では約0.1重量パーセントから約0.5重量パーセントを構成することができる。必要に応じて、酸の混合物も使用することができる。
A.導電性ポリマー
上述のように、固体電解質は、一般的にコンデンサに対してカソードとして機能する誘電体の上に重なる。固体電解質は、導電性ポリマーを含有し、導電性ポリマーは、典型的にはπ共役し、少なくとも約1μS/cmの導電率のような酸化又は還元後導電性を有する。このようなπ共役導電性ポリマーの例は、例えば、ポリ複素環式化合物(例えば、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、その他)、ポリアセチレン、ポリ−p−フェニレン、ポリフェノラートなどを含む。一実施形態において、例えば、ポリマーは、以下の一般構造を有するような置換ポリチオフェンである。
ここで、TはO又はSであり、Dは、任意的に置換されたC1からC5のアルキレン基(例えば、メチレン、エチレン、n−プロピレン、n−ブチレン、n−ペンチレン、その他)であり、R7は、直鎖又は分枝の任意的に置換されたC1からC18のアルキル基(例えば、メチル、エチル、n−又はイソ−プロピル、n−、イソ−、sec−又はtert−ブチル、n−ペンチル、1−メチルブチル、2−メチルブチル、3−メチルブチル、1−エチルプロピル、1,1−ジメチルプロピル、1,2−ジメチルプロピル、2,2−ジメチルプロピル、n−ヘキシル、n−ヘプチル、n−オクチル、2−エチルヘキシル、n−ノニル、n−デシル、n−ウンデシル、n−ドデシル、n−トリデシル、n−テトラデシル、n−ヘキサデシル、n−オクダデシル、その他)、任意的に置換されたC5からC12のシクロアルキル基(例えば、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、その他)、任意的に置換されたC6からC14のアリール基(例えば、フェニル、ナフチル、その他)、任意的に置換されたC7からC18のアラルキル基(例えば、ベンジル、o−、m−、p−トリル、2,3−、2,4−、2,5−、2−6、3−4−、3,5−キシリル、メシチル、その他)、任意的に置換されたC1からC4のヒドロキシアルキル基、又はヒドロキシル基であり、qは、0から8、一部の実施形態では0から2、及び一部の実施形態では0の整数であり、nは、2から5,000、一部の実施形態では4から2,000、及び一部の実施形態では5から1,000である。ラジカル「D」又は「R7」の置換基の例は、例えば、アルキル、シクロアルキル、アリール、アラルキル、アルコキシ、ハロゲン、エーテル、チオエーテル、ジスルフィド、スルホキシド、スルホン、スルホン酸塩、アミノ、アルデヒド、ケト、カルボン酸エステル、カルボン酸、炭酸塩、カルボン酸塩、シアノ、アルキルシラン及びアルコキシシラン基、カルボキシルアミド基などを含む。
ここで、T、D、R7、及びqは、上で定義されている。特に適切なチオフェンモノマーは、「D」が、任意的に置換されたC2からC3のアルキレン基であるものである。例えば、任意的に置換された3,4−アルキレンジオキシチオフェンを使用することができ、これは以下の一般構造を有する。
ここで、R7及びqは、上で定義されている。1つの特定的な実施形態において、「q」は0である。3,4−エチレンジオキシチオフェンの1つの商業的に適切な例は、Clevios(登録商標)Mという名称で「H.C.Starck GmbH」から入手可能である。他の適切なモノマーも、Blohm他に付与された米国特許第5,111,327号明細書及びGroenendaal他に付与された米国特許第6,635,729号明細書に説明されており、当該特許は、全ての目的のためにこれらの全体が本明細書に引用により組み込まれている。これらのモノマーの誘導体も使用することができ、これらは、例えば、上記モノマーの二量体又は三量体である。より高分子の誘導体、すなわち、モノマーの四量体、五量体などは、本発明に使用するのに適している。誘導体は、同一又は異なるモノマーユニットで作り上げ、その物質だけで、及び互いに及び/又はモノマーと混合して使用することができる。これらの前駆体の酸化又は還元形態も使用することができる。
上で詳細に説明されているような非イオン性界面活性剤も固体電解質に含まれる。様々な異なる技術は、一般的に、界面活性剤を固体電解質の中に組み込むのに使用することができる。ある一定の実施形態において、例えば、非イオン性界面活性剤は、上述したような方法によって形成されたあらゆる導電性ポリマー層(例えば、原位置重合又は予備重合粒子分散剤)の中に簡単に組み込むことができる。このような実施形態において、層の中の非イオン性界面活性剤の濃度は、約1重量パーセントから約50重量パーセント、一部の実施形態では約5重量パーセントから約40重量パーセント、及び一部の実施形態では約10重量パーセントから約30重量パーセントとすることができる。
必須ではないが、外部ポリマーコーティングもアノード本体に付加され、固体電解質の上に重なることができる。外部ポリマーコーティングは、一般的に、上により詳細に説明されているように、予備重合導電粒子から形成された1つ又はそれよりも多くの層を含有する。外部コーティングは、コンデンサ本体の縁部領域の中に更に進入し、誘電体への接着を増大させ、より機械的に堅牢な部分をもたらすことができ、堅牢な部分は、等価直列抵抗及び漏れ電流を低減することができる。一般的に、アノード内に含浸するのではなくて縁部カバレージの程度を改善することを意図しているので、外部コーティングに使用する粒子は、典型的には、固体電解質のあらゆる任意的な分散剤に使用するものよりも大きいサイズを有する。例えば、外部ポリマーコーティングに使用する粒子の平均サイズ対固体電解質のあらゆる分散剤に使用する粒子の平均サイズの比率は、典型的には、約1.5から約30、一部の実施形態では約2から約20、及び一部の実施形態では約5から約15である。例えば、外部コーティングの分散剤に使用する粒子は、約50から約500ナノメートル、一部の実施形態では約80から約250ナノメートル、及び一部の実施形態では約100から約200ナノメートルの平均サイズを有することができる。
必要に応じて、コンデンサはまた、当業技術で公知のように他の層を収容することができる。例えば、比較的絶縁樹脂材料(天然又は合成)で作られるような保護コーティングを誘電体と固体電解質の間に任意的に形成することができる。このような材料は、約10Ω・cmよりも大きい、一部の実施形態では約100よりも大きい、一部の実施形態では約1,000Ω・cmよりも大きい、一部の実施形態では1×105Ω・cmよりも大きい、及び一部の実施形態では約1×1010Ω・cmよりも大きい比抵抗を有することができる。本発明に使用することができる一部の樹脂材料は、以下に限定されるものではないが、ポリウレタン、ポリスチレン、不飽和又は飽和脂肪酸のエステル(例えば、グリセリド)などを含む。例えば、好ましい脂肪酸のエステルは、以下に限定されるものではないが、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、エレオステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、アロイリチン酸、シェロリン酸などエステルを含む。脂肪酸のこれらのエステルは、比較的複雑な組合せに使用して「乾性油」を形成する時に特に有用であることが見出されており、乾性油は、得られる膜が急速に安定な層に重合することを可能にする。このような乾性油は、モノ−、ジ−、及び/又はトリ−グリセリドを含むことができ、これらは、エスエル化された1つ、2つ、及び3つのそれぞれ脂肪酸残基を有するグリセロール主鎖を有する。例えば、使用することができる一部の好ましい乾性油は、以下に限定されるものではないが、オリーブ油、亜麻仁油、ヒマシ油、キリ油、大豆油、及びセラックを含む。これら及び他の保護コーティング材料は、全ての目的のためにその全体が本明細書に引用により組み込まれているFife他に付与された米国特許第6,674,635号明細書により詳細に説明されている。
湿式対乾式キャパシタンス=(乾式キャパシタンス/湿式キャパシタンス)×100
等価直列抵抗(ESR)
等価直列抵抗は、2.2ボルトDCバイアス及び0.5ボルトのピーク間正弦波信号を用いてKelvinリードを有する「Keithley 3330 Precision LCZ」メータを使用して測定することができる。作動周波数は、100kHzであり、温度は室温であった。
キャパシタンスは、2.2ボルトDCバイアス及び0.5ボルトのピーク間正弦波信号を用いてKelvinリードを有する「Keithley 3330 Precision LCZ」メータを使用して測定された。作動周波数は、120kHzであり、温度は室温であった。「乾式キャパシタンス」は、固体電解質、グラファイト、及び銀層の付加後の部分のキャパシタンスを意味するが、「湿式キャパシタンス」は、1mFタンタルカソードを基準にした17%硫酸で測定される誘電体の形成後の部分のキャパシタンスを意味する。
V/I試験は、その温度で行われた。試験は、100オーム抵抗器(充電勾配dU/dt=100)により個々のコンデンサを充電することによって実施された。開始電圧は5Vであり、終了電圧は30Vであった(電圧のステップは、1分につき1Vであった)。電圧及び電流の値が記録された。
30 電解コンデンサ
33 コンデンサ要素
62 アノード終端
72 カソード終端
Claims (13)
- 焼結多孔質アノードと、
前記アノード本体の上に重なる誘電体層と、
前記誘電体層の上に重なる固体電解質であって、該固体電解質が、予備重合導電性ポリマー粒子を含む第1の層、及び該第1の層の上に重なる第2の層であって、予備重合導電性ポリマー粒子を含む混合物から形成された第2の層と、導電性ポリマーと、約10から約20の親水性/親油性バランス(「HLB」)及びモル当たり約100から約10,000グラムの分子量を有する非イオン性界面活性剤とを含み、該非イオン性界面活性剤が、疎水性ベースとアルコキシ部分を含有する親水性鎖とを有する前記固体電解質と、
を含み、
前記第1の層における非イオン性界面活性剤の濃度は、約2重量パーセント又はそれ未満であり、
前記第2の層における非イオン性界面活性剤の濃度は、約5重量パーセントから約40重量パーセントであることを特徴とする固体電解コンデンサ。 - 前記非イオン性界面活性剤は、約14から約18のHLBを有することを特徴とする請求項1に記載の固体電解コンデンサ。
- 前記非イオン性界面活性剤は、モル当たり約500から約2,500グラムの分子量を有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の固体電解コンデンサ。
- 前記非イオン性界面活性剤は、エトキシ化又はプロポキシ化アルキルフェノール、エトキシ化又はプロポキシ化C6−C24脂肪アルコール、ポリオキシエチレングリコールアルキルエーテル、ポリオキシエチレングリコールアルキルフェノールエーテル、C8−C24脂肪酸のポリオキシエチレングリコールエステル、C8−C24脂肪酸のポリオキシエチレングリコールエーテル、ポリエチレングリコール及びポリプロピレングリコールのブロックコポリマー、又はこれらの組合せであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の固体電解コンデンサ。
- 前記非イオン性界面活性剤の前記親水性鎖は、エトキシ部分を含有することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の固体電解コンデンサ。
- 前記非イオン性界面活性剤は、ポリオキシエチレングリコールソルビタンアルキルエステルであることを特徴とする請求項5に記載の固体電解コンデンサ。
- 前記導電性ポリマーは、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)のような置換ポリチオフェンであることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の固体電解コンデンサ。
- 前記固体電解質の上に重なる外部ポリマーコーティングを更に含み、
前記外部ポリマーコーティングは、複数の予備重合導電性ポリマー粒子を含有する、
ことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の固体電解コンデンサ。 - 請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の固体電解コンデンサを形成する方法であって、
焼結多孔質アノードを陽極酸化して該アノードの上に重なる誘電体層を形成する段階と、
予備重合導電性ポリマー粒子を含有する第1の層を形成する段階と、その後に、該第1の層の上に重なり、予備重合導電性ポリマー粒子を含有し、かつ約10から約20の親水性/親油性バランス(「HLB」)及びモル当たり約100から約10,000グラムの分子量を有する非イオン性界面活性剤を含有する第2の層を形成する段階であって、該非イオン性界面活性剤が、疎水性ベースとアルコキシ部分を含有する親水性鎖とを有する前記第2の層を形成する段階とを含む工程により、前記誘電体層の上に固体電解質を形成する段階と、
を含み、
前記第1の層における非イオン性界面活性剤の濃度は、約2重量%又はそれ未満であることを特徴とする方法。 - 前記第1の層には、前記非イオン性界面活性剤がほぼないことを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 非イオン性界面活性剤が、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)を含有する粒子のような複数の予備重合導電性ポリマー粒子を含有する分散剤の形態で付加されることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 非イオン性界面活性剤が、溶液の形態で付加されることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記外部ポリマーコーティングに使用する前記予備重合導電性ポリマー粒子の平均サイズ対前記固体電解質の前記第2の層に使用する前記予備重合導電性ポリマー粒子の平均サイズの比率は、約1.5から約30であることを特徴とする請求項8に記載の固体電解コンデンサ。
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| US4131520A (en) | 1977-11-10 | 1978-12-26 | Sprague Electric Company | Two-stage anodization of capacitor electrodes |
| US4278513A (en) | 1980-06-30 | 1981-07-14 | Sprague Electric Company | Two-stage differential anodization process |
| US4479168A (en) | 1983-12-19 | 1984-10-23 | Sprague Electric Company | Electrolytic capacitor with a hermetic seal |
| US4508563A (en) | 1984-03-19 | 1985-04-02 | Sprague Electric Company | Reducing the oxygen content of tantalum |
| DE3814730A1 (de) | 1988-04-30 | 1989-11-09 | Bayer Ag | Feststoff-elektrolyte und diese enthaltende elektrolyt-kondensatoren |
| JP2733618B2 (ja) * | 1989-03-09 | 1998-03-30 | 旭硝子株式会社 | 固体電解コンデンサとその製造方法 |
| JPH0364014A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-03-19 | Marcon Electron Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH0453115A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-20 | Japan Carlit Co Ltd:The | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| US5111327A (en) | 1991-03-04 | 1992-05-05 | General Electric Company | Substituted 3,4-polymethylenedioxythiophenes, and polymers and electro responsive devices made therefrom |
| TW278096B (ja) * | 1992-09-24 | 1996-06-11 | Dsm Nv | |
| JP2765462B2 (ja) | 1993-07-27 | 1998-06-18 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JPH07135126A (ja) | 1993-11-10 | 1995-05-23 | Nec Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP3070408B2 (ja) | 1993-12-28 | 2000-07-31 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP2770746B2 (ja) | 1994-09-02 | 1998-07-02 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP3434041B2 (ja) | 1994-09-28 | 2003-08-04 | スタルクヴイテック株式会社 | タンタル粉末及びそれを用いた電解コンデンサ |
| JP3068430B2 (ja) | 1995-04-25 | 2000-07-24 | 富山日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| US5643432A (en) | 1995-07-13 | 1997-07-01 | Avx Corporation | Selective anodization of capacitor anode body |
| US5812367A (en) | 1996-04-04 | 1998-09-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitors comprising a conductive layer made of a polymer of pyrrole or its derivative |
| GB9700566D0 (en) | 1997-01-13 | 1997-03-05 | Avx Ltd | Binder removal |
| JP3933778B2 (ja) * | 1997-12-22 | 2007-06-20 | 三菱レイヨン株式会社 | 導電性被覆用水性樹脂組成物 |
| US6308001B1 (en) * | 1998-12-22 | 2001-10-23 | Alliedsignal Inc. | Radiation curable fluorinated vinyl ethers derived from hexafluoropropene |
| US6416730B1 (en) | 1998-09-16 | 2002-07-09 | Cabot Corporation | Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides |
| US6391275B1 (en) | 1998-09-16 | 2002-05-21 | Cabot Corporation | Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides |
| US6322912B1 (en) | 1998-09-16 | 2001-11-27 | Cabot Corporation | Electrolytic capacitor anode of valve metal oxide |
| US6231993B1 (en) | 1998-10-01 | 2001-05-15 | Wilson Greatbatch Ltd. | Anodized tantalum pellet for an electrolytic capacitor |
| US6261434B1 (en) | 1999-10-19 | 2001-07-17 | Kemet Electronics Corporation | Differential anodization process for electrolytic capacitor anode bodies |
| JP3585791B2 (ja) | 1999-11-04 | 2004-11-04 | Necトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサ用陽極体の製造方法及びその製造方法に用いられる連続焼結装置 |
| DE10004725A1 (de) | 2000-02-03 | 2001-08-09 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von wasserlöslichen pi-konjugierten Polymeren |
| US6576099B2 (en) | 2000-03-23 | 2003-06-10 | Cabot Corporation | Oxygen reduced niobium oxides |
| US6958198B2 (en) * | 2000-07-17 | 2005-10-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Non-aqueous electrochemical apparatus |
| CZ20031556A3 (cs) | 2000-11-06 | 2004-03-17 | Cabot Corporation | Modifikované oxidy ventilových kovů se sníženým obsahem kyslíku |
| KR20030053529A (ko) | 2000-11-22 | 2003-06-28 | 바이엘 악티엔게젤샤프트 | 분산성 중합체 분말 |
| US6674635B1 (en) | 2001-06-11 | 2004-01-06 | Avx Corporation | Protective coating for electrolytic capacitors |
| JP4831108B2 (ja) * | 2001-07-16 | 2011-12-07 | パナソニック株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP4538448B2 (ja) | 2003-04-02 | 2010-09-08 | ハー・ツェー・シュタルク・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 導電性ポリマー製造用の遅延酸化剤 |
| US20040231119A1 (en) | 2003-05-21 | 2004-11-25 | Brenneman Keith R. | Method of electrolytic deposition of an intrinsically conductive polymer upon a non-conductive substrate |
| US6798644B1 (en) | 2003-07-10 | 2004-09-28 | Kemet Electronics Corporation | ESR of solid electrolytic capacitors using conductive polymer cathodes |
| DK1524678T3 (da) | 2003-10-17 | 2009-11-02 | Starck H C Gmbh | Elektrolytkondensatorer med polymere yderlag |
| US6804109B1 (en) | 2003-10-20 | 2004-10-12 | Kemet Electronics Corporation | Solid electrolyte capacitor having transition metal oxide underlayer and conductive polymer electrolyte |
| US7948069B2 (en) | 2004-01-28 | 2011-05-24 | International Rectifier Corporation | Surface mountable hermetically sealed package |
| DE102004022110A1 (de) | 2004-05-05 | 2005-12-01 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren |
| JP2006028214A (ja) | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Nagase Chemtex Corp | ポリ(3,4−ジアルコキシチオフェン)とポリ陰イオンとの複合体の水分散体の製造方法 |
| DE102004049040B4 (de) | 2004-10-08 | 2008-11-27 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Festelektrolytkondensatoren |
| JP4903421B2 (ja) | 2005-02-23 | 2012-03-28 | 京セラ株式会社 | セラミック容器およびこれを用いた電池または電気二重層キャパシタ |
| DE102005016727A1 (de) | 2005-04-11 | 2006-10-26 | H.C. Starck Gmbh | Elektrolytkondensatoren mit polymerer Außenschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| DE102005033839A1 (de) | 2005-07-20 | 2007-01-25 | H.C. Starck Gmbh | Elektrolytkondensatoren mit polymerer Außenschicht und Verfahren zur ihrer Herstellung |
| DE102005043829A1 (de) | 2005-09-13 | 2007-04-05 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit hoher Nennspannung |
| DE102005043828A1 (de) | 2005-09-13 | 2007-03-22 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren |
| DE102005053646A1 (de) | 2005-11-10 | 2007-05-16 | Starck H C Gmbh Co Kg | Polymerbeschichtungen mit verbesserter Lösungsmittelbeständigkeit |
| CN101982486A (zh) | 2005-11-17 | 2011-03-02 | 长濑化成株式会社 | 聚(3,4-二烷氧基噻吩)和聚阴离子的复合体的水分散体的制造方法 |
| WO2007130483A2 (en) | 2006-05-05 | 2007-11-15 | Cabot Corporation | Tantalum powder with smooth surface and methods of manufacturing same |
| US7563290B2 (en) | 2006-07-06 | 2009-07-21 | Kemet Electronics Corporation | High voltage solid electrolytic capacitors using conductive polymer slurries |
| US8124277B2 (en) * | 2006-08-29 | 2012-02-28 | Unitika Ltd. | Binder for electrode formation, slurry for electrode formation using the binder, electrode using the slurry, rechargeable battery using the electrode, and capacitor using the electrode |
| US7515396B2 (en) | 2007-03-21 | 2009-04-07 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a conductive polymer |
| US7724502B2 (en) * | 2007-09-04 | 2010-05-25 | Avx Corporation | Laser-welded solid electrolytic capacitor |
| DE102007048212A1 (de) | 2007-10-08 | 2009-04-09 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit polymerer Zwischenschicht |
| US8094434B2 (en) | 2008-04-01 | 2012-01-10 | Avx Corporation | Hermetically sealed capacitor assembly |
| DE102008023008A1 (de) | 2008-05-09 | 2009-11-12 | H.C. Starck Gmbh | Neuartige Polythiophene-Polyanion-Komplexe in unpolaren organischen Lösungsmitteln |
| US20090279233A1 (en) | 2008-05-12 | 2009-11-12 | Yuri Freeman | High volumetric efficiency anodes for electrolytic capacitors |
| DE102008032578A1 (de) | 2008-07-11 | 2010-01-14 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren |
| JP5340708B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2013-11-13 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| DE102009007594A1 (de) | 2009-02-05 | 2010-08-12 | H.C. Starck Clevios Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit polymerer Außenschicht. |
| US8310815B2 (en) | 2009-04-20 | 2012-11-13 | Kemet Electronics Corporation | High voltage and high efficiency polymer electrolytic capacitors |
| US8279583B2 (en) * | 2009-05-29 | 2012-10-02 | Avx Corporation | Anode for an electrolytic capacitor that contains individual components connected by a refractory metal paste |
| US8194395B2 (en) | 2009-10-08 | 2012-06-05 | Avx Corporation | Hermetically sealed capacitor assembly |
| US8125768B2 (en) | 2009-10-23 | 2012-02-28 | Avx Corporation | External coating for a solid electrolytic capacitor |
| JP2011134846A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Holy Stone Polytech Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
| JP5495311B2 (ja) * | 2010-01-21 | 2014-05-21 | Necトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP5465025B2 (ja) * | 2010-01-27 | 2014-04-09 | Necトーキン株式会社 | 導電性高分子懸濁液およびその製造方法、導電性高分子材料、固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| CN102834881B (zh) | 2010-03-31 | 2016-03-02 | 日本贵弥功株式会社 | 固体电解电容器 |
| US8279584B2 (en) | 2010-08-12 | 2012-10-02 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor assembly |
| US8808403B2 (en) | 2010-09-15 | 2014-08-19 | Kemet Electronics Corporation | Process for solid electrolytic capacitors using polymer slurries |
| DE102010047086A1 (de) | 2010-10-01 | 2012-04-05 | Heraeus Clevios Gmbh | Schichtaufbauten mit verbesserten elektrischen Kenngrößen beinthaltend PEDOT/PSS sowie einen Stabilisator |
| DE102010047087A1 (de) * | 2010-10-01 | 2012-04-05 | Heraeus Clevios Gmbh | Verfahren zur Verbesserung der elektrischen Kenngrößen in Kondensatoren enthaltend PEDOT/PSS als Feststoffelektrolyt durch ein Polyalkylenglykol |
| DE102010048032A1 (de) | 2010-10-12 | 2012-04-12 | Heraeus Clevios Gmbh | Polythiophene beinhaltende Dispersionen mit definiertem Gehalt an Thiophen-Monomer |
| DE102010048031A1 (de) | 2010-10-12 | 2012-04-12 | Heraeus Clevios Gmbh | Polythiophene beinhaltende Dispersionen mit definiertem Sulfat-Gehalt |
| US8824122B2 (en) * | 2010-11-01 | 2014-09-02 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor for use in high voltage and high temperature applications |
| US8848342B2 (en) * | 2010-11-29 | 2014-09-30 | Avx Corporation | Multi-layered conductive polymer coatings for use in high voltage solid electrolytic capacitors |
| JP6088435B2 (ja) * | 2010-12-15 | 2017-03-01 | バクスアルタ ゲーエムベーハー | 導電率グラディエントを用いる溶出液収集 |
| JP2014063567A (ja) | 2011-01-26 | 2014-04-10 | Sony Corp | 電池パック及び電力消費機器 |
| JP5894089B2 (ja) * | 2011-01-27 | 2016-03-23 | 出光興産株式会社 | ポリアニリン複合体、その製造方法及び組成物 |
| US9030807B2 (en) | 2011-02-15 | 2015-05-12 | Kemet Electronics Corporation | Materials and methods for improving corner and edge coverage of solid electrolytic capacitors |
| JP5995262B2 (ja) | 2011-03-06 | 2016-09-21 | ヘレウス ドイチェラント ゲーエムベーハー ウント カンパニー カーゲー | Pedot/pssを固体電解質として含有するコンデンサにおける電気パラメータをポリグリセロールによって改善するための方法 |
| DE102011016493A1 (de) | 2011-04-08 | 2012-10-11 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Verbesserung der elektrischen Kenngrößen in Kondensatoren enthaltend PEDOT/PSS als Feststoffelektrolyt durch Additive |
| US8349030B1 (en) | 2011-09-21 | 2013-01-08 | Kemet Electronics Corporation | Method for making anodes for high voltage electrolytic capacitors with high volumetric efficiency and stable D.C. leakage |
| EP2758786A4 (en) * | 2011-09-23 | 2015-04-29 | Rhode Island Education | SYSTEMS AND METHOD FOR PROVIDING MICROFLUIDIC DEVICES |
| JP5769742B2 (ja) | 2012-02-27 | 2015-08-26 | ケメット エレクトロニクス コーポレーション | 層間架橋を用いた固体電解コンデンサ |
| DE102013213720A1 (de) | 2012-07-19 | 2014-01-23 | Avx Corporation | Temperaturstabiler Festelektrolytkondensator |
| US9548163B2 (en) | 2012-07-19 | 2017-01-17 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved performance at high voltages |
| DE102013213723A1 (de) | 2012-07-19 | 2014-01-23 | Avx Corporation | Festelektrolytkondensator mit erhöhter Feucht-zu-Trocken-Kapazität |
| US9343239B2 (en) | 2013-05-17 | 2016-05-17 | Kemet Electronics Corporation | Solid electrolytic capacitor and improved method for manufacturing a solid electrolytic capacitor |
| WO2015013443A1 (en) | 2013-07-24 | 2015-01-29 | Kemet Electronics Corporation | Conductive polymer composition with a dual crosslinker system for capacitors |
-
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