JP6202721B2 - 回路基板およびそれを用いたサーマルプリントヘッド - Google Patents
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Description
そこで、本発明は、上記の従来技術の問題点を解決し、製造工程数を増やすことなく、金ペーストを必要以上に使用しなくても、ワイヤーボンディング強度を落とさずに、ワイヤーボンディングが可能な回路基板、およびサーマルプリントヘッドを提供することを目的とする。
本発明の回路基板は、次に記載の効果を奏する導体パターンを形成することができる。
1.焼成温度の変動(±20℃程度)により発生する、低純度金(18金〜22金)層の「金収縮」もなく、パターン全面において、安定した品位を供給できる。
2.金パターンの印刷回数を、例えば、4回から2回へと削減することができる。
3.ワイヤーボンディング専用のパターンが不要なことから使用するスクリーンの数を削減することができる。
4.上記の工程の削減により、焼成炉電力費、スクリーン費用、労務費などを節減することができる。
5.金材料の原単位を削減することができる。
6.ワイヤーボンディング領域を拡大でき高純度金表面であればどこでもワイヤーボンディングが可能である。
7.銀材料による共通電極との重なり部分で発生する「拡散」を1/2以下に減少させることが可能となり、共通電極の抵抗値上昇を抑えることができる。
8.ボンディング部の膜厚が均一になるため、ボンディング強度が広範囲で安定している。
9.発熱抵抗体の下層の金パターンを薄くできることにより、発熱抵抗体の放熱を抑えることが可能となり、サーマルプリントヘッドにおける発色性が向上する。
図2は従来の厚膜サーマルプリントヘッドの断面構造を、図3は本発明の厚膜サーマルプリントヘッドの断面構造を示している。従来は、セラミック基板上に、グレーズ層を設け、18〜22金ペーストによる配線形成を複数回繰り返した後、その上面に、発熱抵抗体13、ワイヤーボンディング部16、および共通電極14が設けられている積層構造となっている。
この複数の18〜22金による金層を設けることはワイヤーボンディング部の強度を確保するためである。ワイヤーボンディング部16は23〜24金からなっている。これに対し、本発明の回路基板では、セラミック基板上にグレーズ層を施すところまでは従来例と共通するものの、18〜22金からなる低純度金層を施した上に、23〜24金からなる層を施した積層構造としている。これにより、従来の複層からなるパターンよりも薄くなし得るので、個別電極からの放熱を防ぐことが可能となると共に、金材料の使用量を削減することができる。
低純度金層はグレーズ基板上に設けられその純度は18金から22金が好ましい。18金よりも純度が低いと電極の抵抗値が高くなりすぎ、また、22金よりも純度が高くなると材料費が高くなるなどの問題点が生じる。
低純度金層の形成数はできるだけ少ないことが原材料費から見て好ましく、単一層であることが最も好ましい。
本発明での低純度金層の膜厚は0.1〜0.6μmであることが好ましく、これよりも厚い膜厚とする必要はない。
高純度金層は低純度金層上の全面に積層されている。高純度金層は低純度金層よりも金の純度が高く、23〜24金からなることが好ましい。高純度金層は一度の印刷、焼成、フォトリソ法
により設けられた単一層であることが好ましい。この層は、0.2〜0.8μmの単一層であることが好ましく、比較的薄膜であることから金の原材料費は低減され、さらに電気的、熱的特性を改善することができる。
従来の回路基板にはワイヤーボンディング専用のパターンが設けられていて、ドライバーICと個別電極を接続する金ワイヤーがその表面に接合されている。しかしながら、本発明においては、金ワイヤーは高純度金(個別電極)の表面に直接接合することができ、接合強度において従来技術と比較して、むしろ優れている。また、高純度金層は広く低純度金層の上面全部に形成されているため、金ワイヤーを接続する箇所が限定されず、広範囲な高純度金層面から適宜選択することが可能である。
焼成条件(焼成ピーク温度、焼成ピーク時間、エアー流量など)を変えた実験を行い、焼成された膜状態について従来のものと対比して検討を行ったところ、本発明では、800℃の焼成ピーク温度のみならず、これより50℃低い750℃であっても、大差なく良好な成膜品位を保っていることがわかっており、焼成温度の変動により発生する低純度金層の「金収縮」がなくなりパターンの全面において安定した品位の印刷回路を提供することができる。
本発明と従来例に係る印刷回路(導体パターン)を作成してその評価を○、△、×によって表し、総合的な評価として印刷回路基板として適正かどうかを判断した結果を図6に示す。
図6に示すように、試料としては、基板上に22金被膜上に24金被膜を形成した本発明品、基板上に22金被膜上に22金被膜を形成した従来構造(比較例1)、および基板上に24金被膜上に22金被膜を形成した比較例構造(比較例2)を作成し、焼成後の被膜の「ポーラスの発生状態」および「金収縮状態」を観察した結果を示す。
本発明品では目立つ欠陥はなく適正と判断されたが、比較例1では「ポーラスの発生状態」および「金収縮状態」が観察されやや不満な状態を示し、比較例2では不適との評価となった。
図7に示す構造の試料を作成した。
比較例1:低純度金層を3層の表面に高純度金層を設けた試料、
比較例2:低純度金層を2層の表面に高純度金層を設けた試料
本発明の実施例:低純度金層1層の表面に高純度金層を設けた試料。
導体膜(図1の2)を作製するには、比較例1が13工程、比較例2が10工程、本発明が6工程を要した。図7には導体膜の構造と各性能の比較結果を示す。焼成は800℃で行った。この試験結果より、本発明の構造がフォトリソに際して膜厚変動が少なく、表面粗さについても滑らかな表面状態を維持していることが明らかとなった。
共通電極(図1の4)の拡散度合いは比較例に比して1/2程度まで抑えられており、これによりリード線の抵抗値上昇が防がれている。
図7に示した試験結果から、本発明の印刷回路は、製造工程数が大幅に削減され、使用する原材料は少なくて済むことがわかる。また、作製された印刷回路の性能を、エッチング後のファインライン性、エッチング後のワイヤーボンディンブ部(図1の6)膜厚および表面粗さ(Ra)の安定性、通電極(図1の4)の拡散度合い(焼成後の外観の変色部分の寸法により判定した。)、リード線の抵抗値を総合的に判断したところ、本発明は比較例1(従来品)に優る。
比較例2では共通電極抵抗値、発熱ドットの耐パルス性(図2の13)において劣る結果となった。
試験方法を次に述べる。試験結果を図4に示した。
図4は、ワイヤーボンディング部(図2の15)と、共通電極(図2の14)間に、パルス電圧を印加したときの、電圧(パルス電圧)と、発熱ドットの抵抗値の相関を示したものである。この試験の結果から、耐パルス性において、比較例1(従来)と遜色ないことが判明した。
2 個別電極
3 発熱抵抗体
4 共通電極
5 保護膜
6 ワイヤーボンディング部
7 金ワイヤー
8 ドライバーIC
11 セラミック基板
12 個別電極
13 発熱ドット(発熱抵抗体)
14 共通電極
15、16 ワイヤーボンディング部
17 金ワイヤー
18 ドライバーIC
20 グレーズ層
21 低純度金層
22 高純度金層
Claims (8)
- 絶縁基板上に金含有ペーストを用いて導体パターンを形成するための回路基板において、低純度金含有ペーストを用いて形成された、純度18〜22金からなる低純度金層と、その上層に、高純度金含有ペーストを用いて形成された、純度23〜24金からなる高純度金層が積層されていることを特徴とする回路基板。
- 高純度金層は低純度金層上に積層されている請求項1に記載の回路基板。
- 低純度金層および高純度金層のそれぞれが単層および多層からなる請求項1または2に記載の回路基板。
- 低純度金層が0.1〜1.0μmの膜厚であり、高純度金層が0.1〜1.0μmの膜厚である請求項1から3のいずれかに記載の回路基板。
- 低純度金層および高純度金層がそれぞれ有機金ペーストを用いて形成されている請求項1から4のいずれかに記載の回路基板。
- 回路基板の高純度金層に、ワイヤーボンディング専用のパターンを設けることなく、直接ワイヤーボンディングされている請求項1から5のいずれかに記載の回路基板。
- 回路基板の高純度金層上に銀による共通電極を設けた請求項6に記載の回路基板。
- 請求項1から7のいずれかに記載の回路基板の導体パターンを有するサーマルプリントヘッド。
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