JPH08181441A - 回路基板およびその製造方法、電子デバイス実装体、グリーンシート - Google Patents

回路基板およびその製造方法、電子デバイス実装体、グリーンシート

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JPH08181441A
JPH08181441A JP6318487A JP31848794A JPH08181441A JP H08181441 A JPH08181441 A JP H08181441A JP 6318487 A JP6318487 A JP 6318487A JP 31848794 A JP31848794 A JP 31848794A JP H08181441 A JPH08181441 A JP H08181441A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ガラスセラミックスと表面導体層との接合
性、表面導体層とピンとの接合性がともに良好なガラス
セラミック多層回路基板を提供すること。 【構成】 銅を主成分とした表面導体層のうち、少なく
ともパッド部分を2層構造とする。ガラスセラミックス
側の層(第1層)は、銅を主成分とし、これにガラスセ
ラミックスとの接合性を高める無機物(例えば、アルミ
ナ、ムライト、チタン)を添加したペーストを、グリー
ンシートに印刷することで形成する。さらにこの上の層
は、銅を主成分とし上記無機物を含まないペーストを、
第1層の上から印刷することで形成する。該表面導体層
を備えたグリーンシートを最外側に配置するように、他
のグリーンシートとともに積層し焼結する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体部品を取り付け
たり、電気信号の入出力のためのピンを取り付けて機能
モジュールを構成するのに好適な多層回路基板及びその
製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】回路基板は、その内部,表面に導体(通
常は、銅)からなる配線回路が形成されている。そし
て、表面に形成されている配線回路のうち、他の電子部
品の端子(あるいは、他の電子部品と接続するための入
出力用ピン)が接合される部分は、パッドとされてい
る。電気信号入出力用ピンの取り付け等は、該パッド
に、薄膜導体層、金属めっき層等を介してろう付けする
ことで行われている。
【0003】配線回路間を絶縁する絶縁体が、ガラス、
セラミックスでできている場合、配線回路を構成する導
体と、絶縁体と、の接合が弱いと考えられる。そのた
め、両者の接合(接着)性について様々な検討がなされ
てきた。また、接合性を改善するための技術も提案され
てきた。
【0004】例えば、特開平6−204656号公報に
は、添加物の無い純金属導体層とセラミックス基板とを
接合した場合でも、高い接合強度が得られることを述べ
ている。そして、その理由として、接合界面付近におい
て導体金属とセラミックス中の金属との合金層が形成さ
れることを挙げている。
【0005】特公平5−63110号公報には、チタネ
ート系カップリング剤を銅ペーストに添加することで、
銅導体層とガラスセラミックスとの接着性を向上させる
技術が開示されている。
【0006】特開平4−367575号公報には、アル
ミニウム等の金属を銅ペーストに添加することで、銅導
体層とガラスセラミックスとの接着性を向上させる技術
が開示されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
6−204656号公報に記載されている事実は、銅導
体とガラスセラミックスとを接着する場合には、あては
まるものではなかった。
【0008】また、特公平5−63110号公報、特開
平4−367575号公報に記載の技術は、銅導体とガ
ラスセラミックスとの接着強度を高めることはできるも
のの、逆に、銅導体でできたパッドへのピンの取付けが
困難になるという問題があった。これは、該先行技術に
おいて銅ペーストに添加している無機物は、ろう剤,め
っきと接着性が低いものであり、パッドの表面にはこれ
らの無機物が露出しているからである。
【0009】本発明は、ガラスセラミックスとの接合性
(接着性)が良好で、かつ入出力ピン接続のための金属
めっき層もしくはろう剤との接合性(接着性)も良好な
回路基板およびその製造方法を提供することを目的とす
る。また、このような回路基板の材料となるグリーンシ
ートを提供することを目的とする。さらに、このような
回路基板とこれに搭載された電子デバイスとを含んで構
成される電子デバイス実装体を提供することを目的とす
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するためになされたもので、その第1の態様としては、
銅の融点以下の温度で焼結可能なガラスセラミックスを
含んで構成される絶縁体と、上記絶縁体の表面に設けら
れ、少なくともその一部が複数層からなる配線と、を備
え、上記配線の複数層からなる部分は、銅を主成分とし
接合強化剤を含んで構成され、上記絶縁体に接して配置
された第1種導体層と、上記接合強化剤を含むことなく
銅を主成分として構成され、上記配線の最表面側に配置
された第2種導体層と、を含んで構成されること、を特
徴とする回路基板が提供される。
【0011】上記接合強化剤は、アルミナ、ムライト、
チタン、酸化チタン、クロム、酸化クロム、マンガン、
二酸化マンガンからなる群から選ばれた少なくとも1種
を含んだものであることが好ましい。
【0012】上記第1種導体層中における上記接合強化
剤の体積割合は、1〜15%であることが好ましい。
【0013】本発明の第2の態様としては、銅の融点以
下の温度で焼結可能なガラスセラミックスを含んで構成
される絶縁体と、上記絶縁体の表面に設けられ、少なく
ともその一部が複数層からなる配線と、を備え、上記配
線の複数層からなる部分は、銅とチタンの合金を含んで
構成され、上記絶縁体に接して配置された合金導体層
と、上記接合強化剤を含むことなく銅を主成分として構
成され、上記配線の最表面側に配置された第2種導体層
と、を含んで構成されることを特徴とする回路基板が提
供される。
【0014】上述の各態様における回路基板において
は、上記第2種導体層のさらに外側に設けられた金めっ
き層を有することが好ましい。上記金めっき層は、置換
金めっき層であることが好ましい。
【0015】本発明の第3の態様としては、上述した回
路基板と、上記第2種導体層の上に配置されたろう剤
と、上記ろう剤によって回路基板に固定された、導体か
らなるピンと、を有することを特徴とする回路基板が提
供される。
【0016】本発明の第4の態様としては、上述の回路
基板と、該回路基板に搭載された半導体素子と、を含ん
で構成される電子デバイス実装体が提供される。
【0017】本発明の第4の態様としては、その表面に
配線を形成されたグリーンシートにおいて、上記配線の
少なくとも一部は複数層からなり、該配線の複数層から
なる部分は、銅を主成分とし接合強化剤を含んで構成さ
れ、上記絶縁体に接して配置された第1種導体層と、上
記接合強化剤を含むことなく銅を主成分として構成さ
れ、上記配線の最表面側に配置された第2種導体層と、
を含んで構成されること、を特徴とするグリーンシート
が提供される。
【0018】この場合、上記接合強化剤は、アルミナ、
ムライト、チタン、酸化チタン、クロム、酸化クロム、
マンガン、二酸化マンガンからなる群から選ばれた少な
くとも1種を含んだものであることが好ましい。
【0019】本発明の第5の態様としては、その表面に
配線を形成されたグリーンシートにおいて、上記配線の
少なくとも一部は複数層からなり、該配線の複数層から
なる部分は、銅とチタンの合金を含んで構成され、上記
絶縁体に接して配置された合金導体層と、上記接合強化
剤を含むことなく銅を主成分として構成され、上記配線
の最表面側に配置された第2種導体層と、を含んで構成
されることを特徴とするグリーンシートが提供される。
【0020】本発明の第6の態様としては、表面に配線
の形成されたグリーンシートを積層し、これを焼結する
ことで回路基板を製造する回路基板の製造方法におい
て、最外側に位置させるグリーンシートの積層において
は、上述のグリーンシートを用い、これを上記第2種導
体層を外側に位置させるような向きで積層することを特
徴とする回路基板の製造方法が提供される。
【0021】
【作用】LSI素子と基板の接続信頼性を高めるため
に、回路基板の絶縁体には、銅の融点以下の温度で焼結
可能なガラスセラミックス製のものを使用する。具体的
には、低熱膨張であるホウケイ酸ガラス、コージェライ
ト析出型結晶化ガラス及び2Al23・B23および/
またはAl23・B23析出型結晶化ガラスなどを主成
分としたものを使用可能である。なお、本明細書中、”
ガラスセラミックス”という言葉は、非晶質のガラス
粉末と結晶性のセラミックスの粉末とを混合し焼成した
もの、結晶製のガラスあるいはセラミックス、の両方
含めた意味で用いている。
【0022】第1種導体層は、銅を主成分としこれに接
合強化剤を含ませたものとする。接合強化剤としては、
ガラスセラミック多層回路基板の焼結温度で軟化して形
状が変化することがなく、かつ、上記のようなガラスセ
ラミックスとの間にアンカー効果による接着性向上が見
られる、アルミナ、ムライト等の耐火物の粉末を使用可
能である。もしくは、上記のようなガラスセラミックス
と反応して反応層を形成することによって、銅とガラス
セラミックスとの接着性を向上させる効果のあるチタ
ン、酸化チタン、クロム、酸化クロム等を使用可能であ
る。さらには、マンガン、二酸化マンガンを使用可能で
ある。
【0023】焼成後の配線部の固有抵抗を出来る限り低
くするためには、接合強化剤の添加量はできるだけ少量
に抑えることが好ましい。従って、添加量が少なくても
前述のアンカー効果およびケミカルボンドが期待できる
ように、接合強化剤の平均粒径は5μm以下とすること
が望ましい。
【0024】接合強化剤の添加量は、1体積%以上、1
5体積%以下とすることが好ましい。この1体積%とい
う下限は、前述のアンカー効果およびケミカルボンドが
期待できる最低限の量としての観点から決定されたもの
である。15体積%という上限は、焼成後の該銅導体部
の固有抵抗が銅本来のそれに近く、充分に低くなるよう
にとの観点から決定されたものである。
【0025】上述の第1種導体層に代わって、銅とチタ
ンの合金を含んで構成される合金導体層を用いても良
い。この合金導体層を、銅粉末および銅とチタンの合金
粉末を含んだペーストを印刷することで形成する場合に
は、銅粉末および銅とチタンの合金粉末の平均粒径は、
ガラスセラミックスとの焼成収縮整合の点から2〜8μ
mが望ましい。
【0026】絶縁体表面の配線は、実際には第1種導体
層(あるいは、合金導体層)と第2種導体層とをそれぞ
れ一つずつ含んだ構造、すなわち、全体としては2層構
造とすることが好ましい。
【0027】第2種導体層のさらに外側に、適宜、金め
っき層(特に、置換金めっき層)を設けてもよい。金め
っき層を設けた状態での本発明の回路基板の要部拡大図
を図1に示した。
【0028】ピンの取り付けは、ろう剤(例えば、Au
Sn)を用いて行う。この場合、金めっき層はろう剤中
に溶け込んでしまい、図2のごとく、事実上存在しなく
なることが多い。
【0029】上述の回路基板を作製する方法としては、
回路の形成しやすさ、取扱いの容易さなどからグリーン
シート法を用いるのが望ましい。
【0030】グリーンシートは、原料粉末と樹脂、溶剤
等を混合撹拌して得たスラリーを脱気した後、グリーン
シート作製機によって作製される。この方法において
は、スラリーの粘度及びドクターブレードの間隙等の調
整によってグリーンシートの厚さを変えることが可能で
あるが、割れ等のないシートを作るためにシートの厚さ
は0.1〜1.0mmが望ましい。このシートを用途に
応じて、穴明け、導体ペースト充填、配線、パターンを
印刷した後、複数枚積層し、焼成する。上述の第1種導
体層、第2種導体層、合金導体層も、この焼成前に印刷
しておく。また、積層に際しては、第2種導体層を外側
に位置させるような向きで積層する。
【0031】焼成雰囲気としては、導体が酸化せず、樹
脂が飛散除去される非酸化性雰囲気もしくは真空中が望
ましい。雰囲気圧は、通常、常圧でよいが、必要に応じ
て加圧してもよい。焼成温度は、900〜1050℃で
ある。焼結時間は、通常0.5〜3時間である。また焼
成時、通常積層基板を加圧しないが、必要に応じて加圧
焼成してもよい。
【0032】本発明の回路基板は、絶縁体(ガラスセラ
ミックス)側に位置する第1種導体層は、銅以外にアル
ミナ、ムライト、チタン、酸化チタン、クロム、酸化ク
ロム、マンガン、二酸化マンガン等の無機物を含むた
め、アンカー効果およびケミカル・ボンド等によって基
板材であるガラスセラミックスとの接着性が良好であ
る。
【0033】一方、外側に位置する第2種導体層は無機
物としては銅粉のみからなるペーストを焼成してなるた
め、表面のほぼ全面に金属(銅)が露出している。その
ため、金属めっき層との接着性、ろう剤との接着性がと
もに良好である。
【0034】これらの2つの層(第1種導体層と第2種
導体層、あるいは、合金導体層と第2種導体層)はどち
らも銅が主成分であり、また、銅の融点に近い温度で焼
成するため、両層間の接着性は極めて良好である。
【0035】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに具体的に
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
【0036】実施例1 まずグリーンシートを作製するためのスラリーを作る。
【0037】スラリーは、平均粒径3μmのホウケイ酸
ガラス粉末63重量部と、平均粒径3μmのムライト粉
末37重量部と、メタクリル酸系のバインダを20重量
部と、トリクロルエチレン124重量部と、テトラクロ
ルエチレン32重量部と、n−ブチルアルコール44重
量部とを加え、ボールミルで24時間湿式混合して作製
する。ここで使用したホウケイ酸ガラスの組成は、Si
O2が84wt%、B2O3が9wt%、Al2O3が
3wt%、アルカリ金属酸化物が4wt%の組成からな
るものである。次に真空脱気処理により適当な粘度に調
整することでスラリーができる。
【0038】このスラリーを、ドクターブレードを用い
てシリコーンコートしたポリエステルフィルム上に0.
5mm厚さに塗布し、その後乾燥してグリーンシートを
作製した。
【0039】次に、このグリーンシートに、ポンチで直
径160μmの穴(スルーホール)を450μmピッチ
で明け、導体ペーストを印刷充填した。さらに導体ペー
ストの印刷により、表面層、信号拡大層、シールド層、
電源拡大層、電源層、X,Y配線層、変換層および裏面
層を形成した。
【0040】スルーホールに充填する導体ペーストは、
平均粒径3μmの還元銅粉末を50〜100体積%、前
述の平均粒径3μmのホウケイ酸ガラス粉末を50〜0
体積%で配合し、この混合粉末100重量部に、エチル
ヒドロキシエチルセルロース30重量部、ブチルカルビ
トールアセテート100 重量部を加えたものを、30
分間らいかい機にて混合し、その後、三本ロールを数回
通して混練し、適当な粘度に調整して作製した。
【0041】表面層、信号拡大層、シールド層、電源拡
大層、電源層、X、Y配線層、変換層の印刷に使用した
銅ペーストは、無機成分が銅のみからなる一般の銅ペー
ストである。
【0042】裏面層には、2種類のペースト(以下”第
1のペースト”、”第2のペースト”と呼ぶ)を印刷す
る。本実施例では、この第1のペーストは、特許請求の
範囲において言う第1種導体層を形成するためのもので
ある。第2のペーストは、第2種導体層を形成するため
のものである。裏面層は、第1のペーストをまず印刷
し、続いて同じ位置(パターン)に、第2のペーストを
印刷することで、作製した。第1のペーストは、平均粒
径3μmの還元銅粉末を85〜99体積%、平均粒径2
μmのαアルミナ粉末を15〜1体積%で配合し、この
混合粉末100重量部にエチルヒドロキシエチルセルロ
ース30重量部、ブチルカルビトールアセテート100
重量部を加えたものを、30分らいかい機にて混合
し、その後、三本ロールを数回通して混練し、適当な粘
度に調整したものある。第2のペーストは、無機成分が
銅のみからなる一般の銅ペーストである。
【0043】このようにして作製したグリーンシート6
0枚を位置合わせして積層した後、熱間プレスにより圧
着した。圧着条件は、温度130℃、圧力は150kg
f/cm2 である。圧着後、脱脂のため100℃/h
r以下の昇温速度で昇温し、850℃で15時間保持し
た。雰囲気は銅を酸化させず、グリーンシートのバイン
ダを飛散除去できるN2+H2+H2O気流中である。そ
の後、雰囲気をN2に変え、さらに1000℃で2時間
焼成した。
【0044】作製したガラスセラミック多層回路基板の
裏面導体層とガラスセラミックスとの接着強度を調べた
ところ、ピール強度が20kgf/m、引張り強度が8
00kgf/cm2以上と良好であった。またこの裏面
導体層に置換Auめっきを施したところ、ほぼ全面置換
Auめっきされ、密着性も良好であった。さらにその上
にAuSnはんだを用いて、CuZr製の電気信号入出
力用ピンをろう付けしたところ、ピンの接着性も良好で
あった。
【0045】実施例2 本実施例は、グリーンシートの裏面層に印刷する上述の
第1のペーストの具体的組成が、実施例1とは異なる。
それ以外の点は、実施例1と同様である。
【0046】本実施例では、第1のペーストとして、平
均粒径3μmの還元銅粉末を85〜99体積%、平均粒
径2μmのチタン粉末を15〜1体積%を配合し、この
混合粉末100 重量部にエチルヒドロキシエチルセル
ロース30重量部、ブチルカルビトールアセテート10
0 重量部を加えたものを、30分らいかい機にて混合
後、三本ロールを数回通して混練し、適当な粘度に調整
して作製したもの使用した。本実施例でのこの第1のペ
ーストが、特許請求の範囲において言う”合金導体層”
を形成するために用いられる。
【0047】本実施例のガラスセラミック多層回路基板
の裏面導体層と、ガラスセラミックスと、の接着強度を
調べたところ、ピール強度が22kgf/m、引張り強
度が800kgf/cm2以上と良好であった。またこ
の裏面導体層に置換Auめっきを施したところ、ほぼ全
面置換Auめっきされ、密着性も良好であった。さらに
その上にAuSnはんだを用いて、CuZr製の電気信
号入出力用ピンをろう付けしたところ、ピンの接着性も
良好であった。
【0048】実施例3 本実施例は、グリーンシートの裏面層に印刷する上述の
第1のペーストの具体的組成が、実施例1とは異なる。
それ以外の点は、実施例1と同様である。
【0049】本実施例では第1のペーストとして、平均
粒径3μmの銅チタン合金粉末(チタン0.1重量%)
100 重量部にエチルヒドロキシエチルセルロース3
0重量部、ブチルカルビトールアセテート100 重量
部を加えたものを、30分らいかい機にて混合後、三本
ロールを数回通して混練し、適当な粘度に調整して作製
したものを使用した。
【0050】本実施例のガラスセラミック多層回路基板
の裏面導体層と、ガラスセラミックスと、の接着強度を
調べたところ、ピール強度が30kgf/m、引張り強
度が800kgf/cm2以上と良好であった。またこ
の裏面導体層に置換Auめっきを施したところ、ほぼ全
面置換Auめっきされ、密着性も良好であった。さらに
その上にAuSnはんだを用いて、CuZr製の電気信
号入出力用ピンをろう付けしたところ、ピンの接着性も
良好であった。
【0051】実施例4 本実施例は、グリーンシートの裏面層に印刷する上述の
第1のペーストの具体的組成が、実施例1とは異なる。
それ以外の点は、実施例1と同様である。
【0052】本実施例では第1のペーストとして、平均
粒径3μmの還元銅粉末を85〜99体積%、平均粒径
2μmのムライト粉末を15〜1体積%で配合し、この
混合粉末100 重量部にエチルヒドロキシエチルセル
ロース30重量部、ブチルカルビトールアセテート10
0 重量部を加えたものを、30分らいかい機にて混合
後、三本ロールを数回通して混練し、適当な粘度に調整
して作製したものを使用した。
【0053】本実施例のガラスセラミック多層回路基板
の裏面導体層と、ガラスセラミックスと、の接着強度を
調べたところ、ピール強度が19kgf/m、引張り強
度が800kgf/cm2以上と良好であった。またこ
の裏面導体層の上に直接AuSnはんだを用いて、Cu
Zr製の電気信号入出力用ピンをろう付けしたところ、
ピンの接着性も良好であった。
【0054】実施例5 本実施例は、実施例1〜4で作製したガラスセラミック
多層回路基板1を含んで構成される電子素子の実装体で
ある。
【0055】実施例1〜4で作製したガラスセラミック
多層回路基板1には、ライン配線2およびスルーホール
3が形成されている。このガラスセラミック多層回路基
板1の上面に、銅とポリイミドとを用いて多層回路4を
形成した。さらに、LSIチップ5をはんだ6により装
着した。その後、この裏面導体層に置換Auめっきを施
し、その上にAuSnはんだを用いて、CuZr製の電
気信号入出力用ピンをろう付けした。このようにして作
成されたモジュールの内部構成を図3に示した。このモ
ジュールでは、LSIチップ5との高精度の接続が図ら
れている。
【0056】絶縁材料8の機械的強度が大きいため、ピ
ン7のろう付け、LSIチップ5のはんだ付け等による
ピン付け部周辺にはクラックは認められなかった。また
基板に反り、変形等は認められなかった。
【0057】実施例6 本実施例は、実施例1〜4で作製したガラスセラミック
多層回路基板1を含んで構成される電子素子の実装体で
ある。
【0058】本実施例では、ガラスセラミック多層回路
基板1と、LSIチップ5と、の間に多層回路基板1と
同じ材質のキャリア基板9をはさんでいる。そして、キ
ャリア基板9の上面端部およびLSIチップ5上面にお
いて、キャップ11をはんだ6により接合することで、
キャリア基板9を封止している。
【0059】ガラスセラミック多層回路基板1は、実施
例1〜4で作製したものである。キャリア基板9の上面
には、実施例5と同様、薄膜多層配線4が形成されてい
る。LSIチップ5と多層回路基板1との接続は、実施
例5と同様、はんだ6によってなされている。
【0060】実施例7 本実施例は、接合強化剤(ここでは、アルミナ)の添加
量を様々に変更したものである。これ以外の点は、実施
例1と同様である。この回路基板について、絶縁体(ガ
ラスセラミックス基板)と表面導体層(これは、第1種
導体層および第2種導体層から成る)との接着強度、表
面導体層の比抵抗を測定した結果を、図5に示した。
【0061】図5からわかるように、接着強度は約1体
積%を境としてその挙動が大きく変化する。添加量が1
体積%以下では、急激に接着強度が低下し始める。
【0062】一方、導体層の比抵抗は、添加量の増大と
ともに連続的に増大している。銅とほぼ同等の抵抗値
(ここでは、約2.3μΩ・cmを基準とした)を保つ
ためには、15体積%を超えることは好ましくない。
【0063】最後に、本発明を適用可能な基板の具体的
組成のいくつか挙げておく。本発明の基板としては、以
下の組成I,II,III,IVの材料を使用可能であ
る。
【0064】 組成I SiO2 50〜55 wt% Al23 18〜23 wt% MgO 18〜25 wt% P25 0〜 3 wt% B23 0〜 3 wt% 組成II アルカリ土類酸化物 9〜30 wt% B23 35〜58 wt% Al23 15〜37 wt% SiO2 0〜23 wt% 組成III MgO 28 wt% B23 47 wt% Al23 25 wt% SiO2 0 wt% 組成IV MgO 15 wt% B23 55 wt% Al23 10 wt% SiO2 20 wt%
【0065】
【発明の効果】以上説明したとおり本発明によれば、裏
面導体層と基材のガラスセラミックスとの接着性および
裏面導体層と金属めっき層、ろう剤との接着性を両立さ
せることができる。
【0066】ガラスセラミックスと銅の熱膨張差は大き
く、ガラスセラミックスと無機物としては銅粉のみから
なるペーストを焼成してなる銅導体層の間に、アルミナ
等の無機物を含有した銅導体層が挿入され、この層の熱
膨張係数はガラスセラミックスと銅の熱膨張係数の中間
の値となるため、熱膨張係数が傾斜し、熱膨張差による
熱応力を緩和する効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のガラスセラミック多層回路基板の断面
図である。
【図2】本発明のガラスセラミック多層回路基板に電気
信号入出力用ピンを取り付けた状態を示す断面図であ
る。
【図3】本発明のガラスセラミック多層回路基板にLS
Iチップを実装した、電子素子の実装体の内部構造を示
す模式図である。
【図4】本発明のガラスセラミック多層回路基板にLS
Iチップを実装した、電子素子の実装体の内部構造を示
す模式図である。
【図5】接合強化剤の添加量と接着強度との関係、およ
び、接合強化剤の添加量と比抵抗との関係を測定した結
果を示すグラフである。
【符号の説明】
1…ガラスセラミック多層回路基板 2…スルーホール 3…第1種導体層(あるいは、合金導体層) 4…第2種導体層 5…置換金めっき層 6…AuSnろう材 7…電気信号入出力用ピン 8…ライン配線 9…絶縁材料 10…薄膜多層回路 11…はんだ 12…LSIチップ 13…キャリア基板 14…キャップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿美 徳宏 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 中村 真人 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 小林 二三幸 神奈川県秦野市堀山下1番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 千石 則夫 神奈川県秦野市堀山下1番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】銅の融点以下の温度で焼結可能なガラスセ
    ラミックスを含んで構成される絶縁体と、 上記絶縁体の表面に設けられ、少なくともその一部が複
    数層からなる配線と、を備え、 上記配線の複数層からなる部分は、 銅を主成分とし接合強化剤を含んで構成され、上記絶縁
    体に接して配置された第1種導体層と、 上記接合強化剤を含むことなく銅を主成分として構成さ
    れ、上記配線の最表面側に配置された第2種導体層と、
    を含んで構成されること、 を特徴とする回路基板。
  2. 【請求項2】請求項1記載の回路基板において、 上記接合強化剤は、アルミナ、ムライト、チタン、酸化
    チタン、クロム、酸化クロム、マンガン、二酸化マンガ
    ンからなる群から選ばれた少なくとも1種を含んだもの
    であること、 を特徴とする回路基板。
  3. 【請求項3】請求項1記載の回路基板において、 上記第1種導体層中における上記接合強化剤の体積割合
    は、1〜15%であること、 を特徴とする回路基板。
  4. 【請求項4】銅の融点以下の温度で焼結可能なガラスセ
    ラミックスを含んで構成される絶縁体と、 上記絶縁体の表面に設けられ、少なくともその一部が複
    数層からなる配線と、を備え、 上記配線の複数層からなる部分は、 銅とチタンの合金を含んで構成され、上記絶縁体に接し
    て配置された合金導体層と、 上記接合強化剤を含むことなく銅を主成分として構成さ
    れ、上記配線の最表面側に配置された第2種導体層と、
    を含んで構成されること、を特徴とする回路基板。
  5. 【請求項5】請求項1,2または4記載の回路基板にお
    いて、 上記第2種導体層のさらに外側に設けられた金めっき層
    を有すること、 を特徴とする回路基板。
  6. 【請求項6】請求項5記載の回路基板において、 上記金めっき層は、置換金めっき層であること、 を特徴とする回路基板。
  7. 【請求項7】請求項1,2または4記載の回路基板と、 上記第2種導体層の上に配置されたろう剤と、 上記ろう剤によって回路基板に固定された、導体からな
    るピンと、 を有することを特徴とする回路基板。
  8. 【請求項8】請求項1,2,3,4,5,6または7記
    載の回路基板と、 該回路基板に搭載された半導体素子と、 を含んで構成される電子デバイス実装体。
  9. 【請求項9】その表面に配線を形成されたグリーンシー
    トにおいて、 上記配線の少なくとも一部は複数層からなり、該配線の
    複数層からなる部分は、 銅を主成分とし接合強化剤を含んで構成され、上記絶縁
    体に接して配置された第1種導体層と、 上記接合強化剤を含むことなく銅を主成分として構成さ
    れ、上記配線の最表面側に配置された第2種導体層と、
    を含んで構成されること、 を特徴とするグリーンシート。
  10. 【請求項10】請求項9記載のグリーンシートにおい
    て、 上記接合強化剤は、アルミナ、ムライト、チタン、酸化
    チタン、クロム、酸化クロム、マンガン、二酸化マンガ
    ンからなる群から選ばれた少なくとも1種を含んだもの
    であること、 を特徴とするグリーンシート。
  11. 【請求項11】その表面に配線を形成されたグリーンシ
    ートにおいて、 上記配線の少なくとも一部は複数層からなり、該配線の
    複数層からなる部分は、 銅とチタンの合金を含んで構
    成され、上記絶縁体に接して配置された合金導体層と、 上記接合強化剤を含むことなく銅を主成分として構成さ
    れ、上記配線の最表面側に配置された第2種導体層と、
    を含んで構成されること、 を特徴とするグリーンシート。
  12. 【請求項12】表面に配線の形成されたグリーンシート
    を積層し、これを焼結することで回路基板を製造する回
    路基板の製造方法において、 最外側に位置させるグリーンシートの積層においては、
    請求項9または11記載のグリーンシートを用い、これ
    を上記第2種導体層を外側に位置させるような向きで積
    層すること、 を特徴とする回路基板の製造方法。
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