JP2012111048A - サーマルプリントヘッド - Google Patents

Abstract

【課題】 個別電極およびワイヤの剥離を抑制することが可能なサーマルプリントヘッドを提供すること。
【解決手段】 セラミック基板１１と、基板１１に支持されており、複数のボンディング部３３６を有する電極層３と、電極層３に導通する抵抗体層と、上記抵抗体層を部分的に通電させる駆動ＩＣ７と、複数のボンディング部３３６と駆動ＩＣ７とに接続された複数のワイヤ８１と、を備えるサーマルプリントヘッド１０１であって、電極層３は、通常厚部３２１と、この通常厚部３２１よりも厚く、かつ複数のボンディング部３３６を含む厚肉部３２３と、を有する。
【選択図】 図５

Description

本発明は、サーマルプリントヘッドに関する。

図３７は、従来のサーマルプリントヘッドの一例を示している（たとえば、特許文献１参照）。同図に示されたサーマルプリントヘッド９００は、セラミック基板９１および配線基板９２を有している。セラミック基板９１には、グレーズ層９３が形成されている。グレーズ層９３は、たとえばガラスからなり、主走査方向と直角である断面形状が円弧状とされている。また、セラミック基板９１には、電極層９４が形成されている。電極層９４は、たとえばＡｕを主成分としており、複数の個別電極９４１と共通電極９４２とを有している。電極層９４上には、抵抗体層９５および保護層９６が積層されている。抵抗体層９５は、個別電極９４１と共通電極９４２とをまたぐように形成されている。保護層９６は、電極層９４および抵抗体層９５を保護するためのものであり、たとえばガラスからなる。セラミック基板９１の副走査方向一端寄り部分には、駆動ＩＣ９７が実装されている。駆動ＩＣ９７は、複数の個別電極９４１を介して抵抗体層９５に部分的に通電する機能を果たす。駆動ＩＣ９７と複数の個別電極９４１および配線基板９２とは、ワイヤ９８によって接続されている。

しかしながら、個別電極９４１とワイヤ９８との接合力が十分でないと、ワイヤ９８が個別電極９４１からはがれてしまうおそれがある。一方、個別電極９４１のうちボンディングされている部分は、ワイヤ９８をボンディングする際に高い圧力が加えられる。また、ワイヤ９８から個別電極９４１に引っ張り力が作用することもある。このため、個別電極９４１と基板９１との接合力が弱いと、個別電極９４１が基板９１からはがれてしまうという問題が生じる。

再表２００５−１２０８４１号公報

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、個別電極およびワイヤの剥離を抑制することが可能なサーマルプリントヘッドを提供することをその課題とする。

本発明によって提供されるサーマルプリントヘッドは、基板と、上記基板に支持されており、複数のボンディング部を有する電極層と、上記電極層に導通する抵抗体層と、上記抵抗体層を部分的に通電させる駆動ＩＣと、上記複数のボンディング部と上記駆動ＩＣとに接続された複数のワイヤと、を備えるサーマルプリントヘッドであって、上記電極層は、通常厚部と、この通常厚部よりも厚く、かつ上記複数のボンディング部を含む厚肉部と、を有することを特徴としている。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記電極層は、上記通常厚部を構成する本体Ａｕ層と、上記本体Ａｕ層上に積層されており、かつ上記本体Ａｕ層とともに上記厚肉部を構成する補助Ａｕ層と、からなる。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記補助Ａｕ層は、Ａｕにガラスが混入された材料からなる。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記補助Ａｕ層は、上記本体Ａｕ層よりもＡｕ比率が高い。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記本体Ａｕ層は、下層およびこの下層上に積層された上層からなる。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記下層、上記上層、および上記補助Ａｕ層は、いずれもＡｕを含むペーストを印刷した後に、これを焼成することによって形成されている。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記抵抗体層は、ＴａＳｉＯ₂またはＴａＮを含む。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記抵抗体層は、スパッタ法またはＣＶＤ法によって形成されている。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板上に形成されており、主走査方向に対して直角である断面形状が円弧状とされた主走査方向に延びる発熱抵抗体支持部、および副走査方向において上記発熱抵抗体支持部と離間したＩＣ電極支持部、を有するグレーズ層をさらに備えており、上記複数のボンディング部と上記基板との間には、上記ＩＣ電極支持部が介在している。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記電極層は、各々が一端が上記発熱抵抗体支持部上に形成された帯状部および上記ボンディング部を有する複数の個別電極と、これらの複数の個別電極とは上記抵抗体層を挟んで電気的に逆極性とされた共通電極と、を含んでおり、上記共通電極は、上記ＩＣ電極支持部に形成された基幹部を有しており、上記基幹部は、上記厚肉部によって構成されている。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記電極層は、上記発熱抵抗体支持部上において各々が副走査方向に互いに離間した１対の帯状部からなり、かつ主走査方向に配列された複数対の帯状部を有するとともに、主走査方向において隣り合う上記２対の帯状部のうち副走査方向において同じ側に位置する２つの上記帯状部、およびこの帯状部どうしを連結する連結部を有する複数の中継電極と、各々が上記各中継電極の一方の帯状部と上記１対の帯状部を構成する上記帯状部を有する上記複数の個別電極と、各々が上記複数の中継電極の他方の帯状部と上記１対の帯状部を構成する複数の上記帯状部を有する上記共通電極と、を有する。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記共通電極は、主走査方向に隣り合う２つの上記帯状部と、これらの帯状部に繋がる分岐部と、を有しており、上記共通電極の上記２つの帯状部は、２つの上記中継電極の上記帯状部と各別に上記１対の帯状部を構成している。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記電極層は、上記発熱抵抗体支持部上において各々が副走査方向に互いに離間した１対の帯状部からなり、かつ主走査方向に配列された複数対の帯状部を有するとともに、各々が上記１対の帯状部の一方を有する上記複数の個別電極と、これらの個別電極の上記帯状部と上記複数対の帯状部を構成する複数の帯状部、およびこれらの帯状部を繋ぐ連結部を有する上記共通電極と、を有する。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記連結部に重なるＡｇ層と、上記Ａｇ層を覆うＡｇ保護層と、をさらに備える。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記Ａｇ保護層は、ガラスからなる。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記基幹部は、副走査方向において上記複数のボンディング部よりも上記発熱抵抗体支持部から離間した位置に設けられている。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記駆動ＩＣは、上記基幹部によって支持されている。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記駆動ＩＣと上記基幹部との間には、樹脂層が介在している。

本発明の好ましい実施の形態においては、副走査方向において上記基板に隣接する配線基板をさらに備えており、上記基幹部と上記配線基板とがワイヤによって接続されている。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板は、セラミックからなる。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板が取り付けられた、金属からなる放熱板をさらに備える。

このような構成によれば、上記ボンディング部に、上記ワイヤをボンディングする際の圧力が負荷されても、これによって上記ボンディング部が損傷を受ける可能性が低い。また、上記ワイヤを介して上記ボンディング部に引っ張り力が作用した場合に、上記ワイヤと上記ボンディング部との接合部に生じる応力集中を弱める機能を果たす。これにより、上記ワイヤおよび上記ボンディング部のはがれを抑制することができる。

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本発明の第１実施形態に基づくサーマルプリントヘッドを示す平面図である。 図１のサーマルプリントヘッドを示す要部平面図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う要部断面図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う要部断面図である。 図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において基板にグレーズ層を形成した状態を示す要部断面図である。 図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において基板にグレーズ層を形成した状態を示す要部断面図である。 図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例においてガラス層を形成した状態を示す要部断面図である。 図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において本体Ａｕ層の下層を形成した状態を示す要部断面図である。 図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において本体Ａｕ層の下層を形成した状態を示す要部断面図である。 図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において本体Ａｕ層の上層を形成した状態を示す要部断面図である。 図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において本体Ａｕ層の上層を形成した状態を示す要部断面図である。 図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において補助Ａｕ層を形成した状態を示す要部断面図である。 図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において補助Ａｕ層を形成した状態を示す要部平面図である。 図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において本体Ａｕ層および補助Ａｕ層に対してエッチングを施した状態を示す要部平面図である。 図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う断面図である。 図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う断面図である。 図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において帯状部を沈降させた状態を示す要部断面図である。 図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において抵抗体層を形成した状態を示す要部平面図である。 図１９のＸＸ−ＸＸ線に沿う断面図である。 図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において抵抗体層にエッチングを施した状態を示す要部平面図である。 図２１のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に沿う断面図である。 図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において保護層の下層を形成した状態を示す要部断面図である。 図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において保護層の上層を形成した状態を示す要部断面図である。 図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において樹脂層を形成した状態を示す要部断面図である。 図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において駆動ＩＣを実装した状態を示す要部断面図である。 本発明の第１実施形態に基づくサーマルプリントヘッドの変形例を示す要部断面図である。 図２７のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において本体Ａｕ層の下層を形成した状態を示す要部断面図である。 図２７のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において本体Ａｕ層の上層を形成した状態を示す要部断面図である。 図２７のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において本体Ａｕ層および補助Ａｕ層に対してエッチングを施した状態を示す要部断面図である。 図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において帯状部を沈降させた状態を示す要部断面図である。 本発明の第２実施形態に基づくサーマルプリントヘッドを示す要部平面図である。 図３２のＸＸＸＩＩＩ−ＸＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。 図３１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において本体Ａｕ層および補助Ａｕ層に対してエッチングを施した状態を示す要部断面図である。 図３１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例においてＡｇ層を形成した状態を示す要部断面図である。 図３１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例においてＡｇ保護層を形成した状態を示す要部断面図である。 従来のサーマルプリントヘッドの一例を示す要部断面図である。

以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

図１〜図５は、本発明の第１実施形態に基づくサーマルプリントヘッドを示している。本実施形態のサーマルプリントヘッド１０１は、支持部１、グレーズ層２、電極層３、抵抗体層４、保護層５、樹脂層６、駆動ＩＣ７、および封止樹脂８２を備えている。サーマルプリントヘッド１０１は、たとえばバーコードシートやレシートを作成するために感熱紙に対する印刷を施すプリンタに組み込まれるものである。なお、理解の便宜上、図１においては、保護層５および樹脂層６を省略しており、図２においては、樹脂層６の一部および封止樹脂８２を省略するとともに、保護層５を二点鎖線によって示している。

支持部１は、サーマルプリントヘッド１０１の土台となっている部位であり、セラミック基板１１、配線基板１２、および放熱板１３によって構成されている。セラミック基板１１は、たとえばＡｌ₂Ｏ₃などのセラミックからなり、たとえばその厚さが０．６〜１．０ｍｍ程度とされている。図１に示すように、セラミック基板１１は、主走査方向ｘに長く延びる長矩形状とされている。配線基板１２は、たとえばガラスエポキシ樹脂からなる基材層とＣｕなどからなる配線層とが積層された構造を有する。図３に示すように、配線基板１２には、サーマルプリントヘッド１０１をプリンタに接続するためのコネクタ８３が取り付けられている。放熱板１３は、セラミック基板１１からの熱を放散させるためのものであり、たとえばＡｌなどの金属からなる。

グレーズ層２は、セラミック基板１１上に形成されており、たとえば非晶質ガラスなどのガラス材料からなる。このガラス材料の軟化点は、たとえば８００〜８５０℃である。グレーズ層２は、発熱抵抗体支持部２１とＩＣ電極支持部２２とを有している。発熱抵抗体支持部２１は、図２に示すように主走査方向ｘに長く延びており、図３および図４に示すように、副走査方向ｙおよび厚さ方向ｚを含むｙｚ平面の断面形状が円弧状とされている。発熱抵抗体支持部２１のサイズは、副走査方向ｙにおける寸法がたとえば７００μｍ程度、厚さ方向ｚにおける寸法がたとえば１８〜５０μｍ程度である。発熱抵抗体支持部２１は、抵抗体層４のうち発熱する部分を印刷対象である感熱紙などに押し当てるために設けられている。ＩＣ電極支持部２２は、発熱抵抗体支持部２１に対して副走査方向ｙに離間した位置に設けられており、電極層３の一部や駆動ＩＣ７を支持している。ＩＣ電極支持部２２の厚さは、たとえば１．７〜１．８μｍ程度である。

セラミック基板１１のうち発熱抵抗体支持部２１とＩＣ電極支持部２２とに挟まれた領域は、ガラス層２５によって覆われている。ガラス層２５は、軟化点がたとえば６８０℃程度と、グレーズ層２を形成するガラスよりも軟化点が低いガラスからなる。ガラス層２５の厚さは、たとえば２．０μｍ程度である。図３および図４に示すように、セラミック基板１１のうち発熱抵抗体支持部２１の図中左方領域の一部は、ガラス層２６によって覆われている。ガラス層２６は、ガラス層２５と同様の材質および厚さである。

電極層３は、抵抗体層４に通電するための経路を構成するためのものであり、本実施形態においては、本体Ａｕ層３０１および補助Ａｕ層３０４からなる。本体Ａｕ層３０１は、たとえばＡｕ比率が９７％程度のレジネートＡｕからなり、添加元素としてたとえばロジウム、バナジウム、ビスマス、シリコンなどが添加されている。本実施形態においては、本体Ａｕ層３０１は、下層３０２および上層３０３によって構成されている。下層３０２および上層３０３は、それぞれの厚さがたとえば０．３μｍ程度である。補助Ａｕ層３０４は、本体Ａｕ層３０１上に積層されており、たとえばＡｕ比率が９９．７％程度のレジネートＡｕからなる。補助Ａｕ層３０４は、その厚さが０．３μｍ程度である。なお、補助Ａｕ層３０４は、上述した材質のほかに、たとえばＡｕ比率が６０％程度であり、かつガラスフリットが混入された材質でもよい。この場合、補助Ａｕ層３０４の厚さは、１．１μｍ程度である。

電極層３は、複数の個別電極３３、複数の中継電極３７、および共通電極３５を有している。

複数の個別電極３３は、抵抗体層４に対して部分的に通電するためのものである。各個別電極３３は、帯状部３３１、屈曲部３３３、直行部３３４、斜行部３３５、およびボンディング部３３６を有している。帯状部３３１は、副走査方向ｙに沿って延びる帯状であり、発熱抵抗体支持部２１上に位置する。帯状部３３１の対向縁３３２は、主走査方向ｘに沿っている。屈曲部３３３は、帯状部３３１につながる部分であり、主走査方向ｘおよび副走査方向ｙのいずれに対しても傾斜した部分を有している。本実施形態においては、屈曲部３３３は、発熱抵抗体支持部２１上に形成されている。直行部３３４は、副走査方向ｙに平行にまっすぐ延びている。直行部３３４は、その大部分がガラス層２５上に形成されており、一端側部分が発熱抵抗体支持部２１に、他端側部分がＩＣ電極支持部２２に重なっている。斜行部３３５は、主走査方向ｘおよび副走査方向ｙのいずれに対しても傾斜した方向に延びており、ＩＣ電極支持部２２上に形成されている。ボンディング部３３６は、ワイヤ８１がボンディングされる部分であり、ＩＣ電極支持部２２上に形成されている。本実施形態においては、帯状部３３１、屈曲部３３３、直行部３３４、および斜行部３３５の幅が、たとえば４７．５μｍ程度とされており、ボンディング部３３６の幅がたとえば８０μｍ程度とされている。

共通電極３５は、複数の個別電極３３に対して電気的に逆極性となる部位であり、複数の帯状部３５１、複数の分岐部３５３、複数の直行部３５４、複数の斜行部３５５、複数の延出部３５６、および基幹部３５７を有している。複数の帯状部３５１は、それぞれが副走査方向ｙに延びる帯状であり、発熱抵抗体支持部２１上に位置する。帯状部３５１の対向縁３５２は、主走査方向ｘに沿っている。本実施形態においては、互いに隣接した２つずつの帯状部３５１が、２つの帯状部３３１に挟まれた配置とされている。分岐部３５３は、２つの帯状部３５１と１つの直行部３５４をつなぐ部分であり、Ｙ字状とされている。分岐部３５３は、発熱抵抗体支持部２１上に形成されている。直行部３５４は、副走査方向ｙに平行にまっすぐ延びている。直行部３５４は、その大部分がガラス層２５上に形成されており、一端側部分が発熱抵抗体支持部２１に、他端側部分がＩＣ電極支持部２２に重なっている。斜行部３５５は、主走査方向ｘおよび副走査方向ｙのいずれに対しても傾斜した方向に延びており、ＩＣ電極支持部２２上に形成されている。延出部３５６は、斜行部３５５につながる部分であり、副走査方向ｙに沿って延びている。基幹部３５７は、主走査方向ｘに延びる帯状であり、複数の延出部３５６がつながっている。本実施形態においては、帯状部３５１、直行部３５４、斜行部３５５、および延出部３５６の幅が、たとえば４７．５μｍ程度とされている。

複数の中継電極３７は、複数の個別電極３３と共通電極３５との間に電気的に介在するものである。各中継電極３７は、２つの帯状部３７１と連結部３７３とを有する。帯状部３７１は、副走査方向ｙに延びる帯状であり、発熱抵抗体支持部２１上に形成されている。帯状部３７１の対向縁３７２は、主走査方向ｘに沿っている。連結部３７３は、２つの帯状部３７１を連結する部分であり、主走査方向ｘに沿って延びている。

複数の帯状部３３１，３５１は、主走査方向ｘに配列されている。複数の帯状部３７１は、発熱抵抗体支持部２１上において複数の帯状部３３１，３５１とは副走査方向ｙにおいて反対側に配置されている。隣り合う帯状部３５１の対向縁３５２と隣り合う中継電極３７の隣り合う帯状部３７１の対向縁３７２とが副走査方向ｙに隙間を隔てて互いに対向している。また、隣り合う中継電極３７の残りの２つの帯状部３７１の対向縁３７２と２つの帯状部３３１の対向縁３３２とが副走査方向ｙに隙間を隔てて互いに対向している。副走査方向ｙにおいて対向しあう帯状部３３１と帯状部３７１とが本発明で言う１対の帯状部を構成している。また、副走査方向ｙにおいて対向しあう帯状部３５１と帯状部３７１とが、本発明で言う１対の帯状部を構成している。そして、主走査方向ｘに配列されたこれらの帯状部３３１，３５１，３７１が、本発明で言う複数対の帯状部を構成している。

図４および図５に示すように、電極層３は、通常厚部３２１、薄肉部３２２、および厚肉部３２３に区分されている。通常厚部３２１は、本体Ａｕ層３０１によって構成されており、電極層３の大部分を占めている。薄肉部３２２は、下層３０２によって構成されており、複数の帯状部３３１，３５１，３７１の対向縁３３２，３５２，３７２側部分がこれに該当する。厚肉部３２３は、本体Ａｕ層３０１と補助Ａｕ層３０４とが重なった部分であり、ボンディング部３３６、延出部３５６、および基幹部３５７がこれに相当する。本実施形態においては、通常厚部３２１の厚さが０．６μｍ程度、薄肉部３２２の厚さが０．３μｍ程度、厚肉部３２３の厚さが０．９μｍ程度である。なお、補助Ａｕ層３０４が上述したガラスフリットが混入された材質からなる場合、厚肉部３２３の厚さは、１．７μｍ程度である。

図３に示すように、帯状部３３１，３７１（帯状部３５１も同様）は、先端寄りの部分が発熱抵抗体支持部２１に対して沈降している。この沈降は、帯状部３３１，３５１，３７１の先端より部分の上面が、発熱抵抗体支持部２１と面一となるかこれよりも若干上位に位置する程度である。

抵抗体層４は、電極層３によって部分的に通電されることにより発熱する部位であり、この発熱によって印字ドットが形成される。抵抗体層４は、たとえばＴａＳｉＯ₂またはＴａＮからなり、その厚さが３００〜２０００Å程度である。抵抗体層４は、複数の発熱部４１および複数の電極被覆部４２に区分されている。各発熱部４１は、発熱抵抗体支持部２１上において、対向縁３３１，３５１と対向縁３７１とに挟まれた隙間を覆う部分であり、通電によって発熱する。電極被覆部４２は、電極層３と保護層５との間に介在するように形成されている。本実施形態においては、電極被覆部４２は、すべての中継電極３７と、すべての帯状部３３１，３５１と、すべての屈曲部３３３と、すべての分岐部３５３と、すべての直行部３３４，３５４と、を覆っている。電極被覆部４２は、帯状部３３１，３５１，３７１などのから幅方向において４μｍ程度はみ出した格好となっている。

保護層５は、電極層３および抵抗体層４を保護するためのものであり、本実施形態においては、互いに積層された下層５１および上層５２からなる。下層５１は、たとえばＳｉＯ₂からなり、その厚さが２μｍ程度である。上層５２は、たとえばＳｉＣを含む材料からなり、その厚さが６μｍ程度である。保護層５は、セラミック基板１１の副走査方向ｙにおける一端付近から直行部３３４，３５４のうちＩＣ電極支持部２２上に形成された部分にわたる領域に形成されている。保護層５と電極層３との間には抵抗体層４の電極被覆部４２が介在している。これにより、保護層５と電極層３とは接していない。

樹脂層６は、絶縁性の樹脂からなり、電極部６１およびＩＣ部６２を有している。電極部６１は、斜行部３３５，３５５や延出部３５６を覆っている。ＩＣ部６２は、共通電極３５の基幹部３５７上に形成されており、駆動ＩＣ７を支持している。樹脂層６の材質としては、たとえば透明なエポキシ樹脂が挙げられる。

駆動ＩＣ７は、複数の個別電極３３を介して抵抗体層４の発熱部４１を選択的に通電させるものである。駆動ＩＣ７は、樹脂層６のＩＣ部６２に搭載されている。駆動ＩＣ７の上面には、複数のパッド７１が２列に形成されている。これらのパッド７１のうち副走査方向ｙにおいて個別電極３３に近い側の列に含まれるものは、ワイヤ８１を介してボンディング部３３６に接続されている。複数のパッド７１のうち副走査方向ｙにおいて個別電極３３に対して遠い側の列に含まれるものは、ワイヤ８１を介して配線基板１２に形成された配線パターンに接続されている。この配線パターンは、コネクタ８３と駆動ＩＣ７とを導通させる。また、共通電極３５の基幹部３５７と配線基板１２の上記配線パターンとは、ワイヤ８１によって接続されている。

封止樹脂８２は、たとえば黒色の樹脂からなり、駆動ＩＣ７、およびワイヤ８１を保護している。本実施形態においては、封止樹脂８２の副走査方向ｙにおける一端が樹脂層６の電極部６１に重なっている。また、封止樹脂８２の副走査方向ｙにおける他端は、配線基板１２におよんでいる。

次に、サーマルプリントヘッド１０１の製造方法について、図６〜図２６を参照しつつ以下に説明する。

まず、図６および図７に示すように、セラミック基板材料１０を用意する。セラミック基板材料１０は、セラミック基板１１を複数個取り可能な板状材料であり、たとえばＡｌ₂Ｏ₃などのセラミックからなり、たとえばその厚さが０．６〜１．０ｍｍ程度とされている。このセラミック基板材料１０に対して、グレーズ層２を形成する。グレーズ層２の形成は、たとえばガラスを含むペーストを発熱抵抗体支持部２１およびＩＣ電極支持部２２に相当する部分に厚膜印刷した後に、これを焼成することによって行う。本実施形態においては、発熱抵抗体支持部２１を、副走査方向ｙにおける寸法がたとえば７００μｍ程度、厚さ方向ｚにおける寸法がたとえば１８〜５０μｍ程度となるように仕上げる。

次いで、図８に示すようにガラス層２５，２６を形成する。ガラス層２５，２６の形成は、たとえばガラスを含むペーストを発熱抵抗体支持部２１とＩＣ電極支持部２２との間の領域および発熱抵抗体支持部２１の図中左方領域に厚膜印刷し、これを焼成することによって行う。このときの焼成温度は、たとえば７９０〜８００℃である。また、印刷および焼成は、ガラス層２５の厚さが２．０μｍ程度となるように行う。

次いで、図９および図１０に示すように、下層３１２を形成する。下層３１２の形成は、たとえばレジネートＡｕペーストをセラミック基板材料１０の全面に厚膜印刷した後に、これを焼成することによって行う。このときの焼成温度は、たとえば７９０℃程度である。下層３１２は、その厚さがたとえば０．３μｍ程度であり、Ａｕ比率が９７％程度である。

次いで、図１１および図１２に示すように、上層３１３を形成する。上層３１３の形成は、下層３１２上にたとえばレジネートＡｕペーストを厚膜印刷した後に、これを焼成することによって行う。この厚膜印刷においては、図１１に示すように、下層３１２のうち発熱抵抗体支持部２１を覆う部分のほとんどを露出させる。このときの焼成温度は、たとえば７９０℃である。上層３１３は、その厚さがたとえば０．３μｍ程度であり、Ａｕ比率が９７％程度である。下層３１２および上層３１３を形成することにより本体Ａｕ層３１１が得られる。

次いで、図１３に示すように、補助Ａｕ層３１４を形成する。補助Ａｕ層３１４の形成は、本体Ａｕ層３１１の一部を覆うようにたとえばレジネートＡｕペーストを厚膜印刷した後に、これを焼成することによって行う。補助Ａｕ層３１４は、その厚さがたとえば０．３μｍ程度であり、Ａｕ比率が９９．７％程度である。本体Ａｕ層３１１および補助Ａｕ層３１４を形成することにより、図１４に示すＡｕ層３０が得られる。なお、補助Ａｕ層３１４の形成は、粒状のガラスとＡｕとを含むペーストを厚膜印刷した後に、これを焼成することによって行ってもよい。この場合に得られる補助Ａｕ層３１４は、その厚さが１．１μｍ程度であり、Ａｕ比率が６０％程度である。なお、本図に示す切断領域１５は、後の工程においてセラミック基板材料１０を切断することにより複数のセラミック基板１１を得る際に削除される領域である。

次いで、Ａｕ層３０に対してパターニングを施す。このパターニングは、Ａｕ層３０上にフォトリソグラフの手法を用いた感光処理によってマスクを形成し、このマスクを利用したエッチングを施すことによって行う。このパターニングにより、図１５〜図１７に示すように、下層３０２および上層３０３からなる本体Ａｕ層３０１と補助Ａｕ層３０４とを含む電極層３が得られる。電極層３は、上述した通常厚部３２１、薄肉部３２２、および厚肉部３２３を有している。また、電極層３は、上述した複数の個別電極３３、複数の中継電極３７、および共通電極３５に区分けされている。

次いで、上述した各要素が形成されたセラミック基板材料１０に対して加熱処理を施す。この加熱処理は、たとえばセラミック基板材料１０全体を８３０℃に昇温する工程をたとえば２回程度繰り返す。この加熱処理によって、グレーズ層２の発熱抵抗体支持部２１が軟化する。そして、図１８に示すように、複数の帯状部３３１，３５１，３７１が発熱抵抗体支持部２１に対して若干沈降する。本実施形態においては、発熱抵抗体支持部２１の厚さが１８〜５０μｍ程度と比較的薄い。このため、複数の帯状部３３１，３５１，３７１の先端寄り部分は、その上面が発熱抵抗体支持部２１の上面とほぼ面一となる程度に沈降するが、これらの根元寄り部分は、発熱抵抗体支持部２１に対してほとんど沈降しない。

次いで、図１９および図２０に示すように、抵抗体層４０を形成する。抵抗体層４０の形成は、たとえばセラミック基板材料１０の全面を覆うように、たとえばＴａＳｉＯ₂またはＴａＮを材料としたスパッタを施すことによって行う。抵抗体層４０は、その厚さがたとえば３００〜２０００Åμｍ程度である。

次いで、抵抗体層４０に対してパターニングを施す。このパターニングは、抵抗体層４０上にフォトリソグラフの手法を用いた感光処理によってマスクを形成し、このマスクを利用したエッチングを施すことによって行う。このパターニングにより、図２１および図２２に示すように、複数の発熱部４１および複数の電極被覆部４２を有する抵抗体層４が得られる。

次いで、図２３に示すように、下層５１を形成する。下層５１の形成は、所望の領域を露出させるマスクを形成した後に、たとえばＳｉＯ₂を用いたスパッタ法またはＣＶＤ法を施すことによって行う。下層５１は、その厚さがたとえば２．０μｍ程度である。下層５１と電極層３との間には、抵抗体層４の電極被覆部４２が介在している。

次いで、図２４に示すように、上層５２を形成する。上層５２の形成は、下層５１と重なるように、たとえばＳｉＣを用いたスパッタ法またはＣＶＤ法を施すことによって行う。上層５２は、その厚さがたとえば６．０μｍ程度である。下層５１および上層５２を形成することにより、厚さがたとえば８．０μｍ程度の保護層５が得られる。

次いで、図２５に示すように、樹脂層６を形成する。樹脂層６は、たとえば透明な樹脂材料を電極部６１およびＩＣ部６２に相当する領域に塗布することによって行う。

次いで、図２６に示すように、ＩＣ部６２に駆動ＩＣ７を搭載する。次いで、セラミック基板材料１０を図１３に示した要領で切断することにより複数のセラミック基板１０に分割する。さらに、セラミック基板１１とコネクタ８３を取り付けた配線基板１２とを放熱板１３に取り付ける。そして、複数のワイヤ８１をボンディングする。こののちは、封止樹脂８２の形成を行う。以上の工程を経ることにより、サーマルプリントヘッド１０１が完成する。

次に、サーマルプリントヘッド１０１の作用について説明する。

本実施形態によれば、ボンディング部３３６は、厚肉部３２３によって構成されている。厚肉部３２３は、通常厚部３２１の厚さが０．６μｍ程度であるのに対し、厚さが０．９μｍ程度（あるいは、１．７μｍ程度）と厚い。これにより、ワイヤ８１をボンディングする際の圧力が負荷されても、これによって損傷を受ける可能性が低い。また、ワイヤ８１を介してボンディング部３３６に引っ張り力が作用した場合に、ワイヤ８１とボンディング部３３６との接合部に生じる応力集中を弱める機能を果たす。これにより、ワイヤ８１およびボンディング部３３６のはがれを抑制することができる。

厚肉部３２３は、本体Ａｕ層３０１と補助Ａｕ層３０４からなる。補助Ａｕ層３０４は、本体Ａｕ層３０１よりもＡｕ比率が高いため、Ａｕからなるワイヤ８１との接合力を高めるのに適している。また、補助Ａｕ層３０４がＡｕおよびガラスが混入された材料からなる場合、補助Ａｕ層３０４の表面が比較的凹凸が多い形状となりやすい。これにより、ボンディング部３３６とワイヤ８１との接触面積を増大させることが可能である。これによっても、ワイヤ８１とボンディング部３３６との接合力を高めることができる。

本体Ａｕ層３０１には、添加元素としてロジウム、バナジウム、ビスマス、シリコンなどが添加されている。これらの添加元素は、特にガラスからなるグレーズ層２のＩＣ電極支持部２２との接合力を高める効果を発揮する。これにより、ボンディング部３３６の剥離を好適に防止することができる。

本実施形態においては、共通電極３５の基幹部３５７も厚肉部３２３によって構成されている。この厚肉部３２３には、樹脂層６のＩＣ部６２を介して駆動ＩＣ７が実装されている。このような構成は、基幹部３５７のうち駆動ＩＣ７が実装された領域に不当な応力集中が生じることを回避するのに適している。また、基幹部３５７には、配線基板１２に繋がるワイヤ８１がボンディングされている。基幹部３５７が厚肉部３２３によって構成されていることは、ワイヤ８１との接合力、およびグレーズ層２のＩＣ電極支持部２２との接合力の双方を高めるのに適しており、このワイヤ８１および基幹部３５７の剥離を抑制するのに有利である。

また、本実施形態によれば、帯状部３３１，３５１，３７１の先端寄り部分は、薄肉部３２２によって構成されている。これにより、帯状部３３１，３５１，３７１の先端縁３３２，３５２，３７２が顕著な段差となることを抑制することが可能である。これは、抵抗体層４が顕著な段差を覆う構成となることを避けるものであり、抵抗体層４の損傷を回避するのに適している。

帯状部３３１，３５１，３７１の根元側部分や、電極層３のうちこれらにつながる部分は、通常厚部３２１によって構成されている。これにより、電極層３の電気抵抗値が不当に大きくなってしまうことを防止することができる。

帯状部３３１，３５１，３７１の先端寄り部分をグレーズ層２の発熱抵抗体支持部２１に対して沈降させることにより、発熱抵抗体支持部２１と帯状部３３１，３５１，３７１との境界に段差が生じることをさらに抑制することができる。帯状部３３１，３５１，３７１の先端寄り部分と発熱抵抗体支持部２１とを面一とすれば段差の解消に好適である。

通常厚部３２１を下層３０２および上層３０３からなる本体Ａｕ層３０１によって構成し、薄肉部３２２を下層３０２のみによって構成することにより、通常厚部３２１と薄肉部３２２との境界を所望の場所に設けるのに都合がよい。この境界の位置は、厚膜印刷によって規定できるため、相応の精度を確保することができる。

また、本実施形態によれば、保護層５には、電極層３と直接接する部分がない。Ａｕを主成分とする電極層３とスパッタ法を用いてガラスによって形成された保護層５とは、比較的結合力が弱い。一方、たとえばＴａＳｉＯ₂またはＴａＮからなる抵抗体層４は、保護層５との結合力が比較的強い。したがって、保護層５の剥離を抑制することができる。

また、本実施形態によれば、電極層３のうち発熱抵抗体支持部２１とＩＣ電極支持部２２との間にある部分は、ガラス層２５上に形成されている。これらの部分は細かい帯状とされているため、下地が粗いと断線などの不具合を生じやすい。ガラス層２５は、たとえばグレーズ層２を形成するガラスよりも軟化点が低いガラスからなるため、その表面を平滑に仕上げやすい。これにより、電極層３の断線を回避することができる。また、電極層３のうちガラス層２５上に位置するのは、直行部３３４，３５４のみである。直行部３３４，３５４は、直線状であるため、たとえば屈曲部に生じやすい偏った応力が作用するおそれがない。したがって、直行部３３４，３５４が不当にずれたり曲がったりすることを防止することができる。

複数の直行部３３４，３５４は、互いに平行であり、かつ副走査方向ｙに沿っている。これにより、同数の直行部３３４，３５４を配置する場合に、互いのピッチを最大化することが可能である。これは、直行部３３４，３５４どうしが接触してしまうと言った不具合を防止するのに適している。

また、本実施形態においては、直行部３３４，３５４を抵抗体層４の電極被覆部４２が覆っている。電極被覆部４２の当該部分は細い帯状とされている。直行部３３４，３５４がずれたり曲がったりしにくいため、電極被覆部４２の当該部分どうしが接触してしまうことを回避することができる。

図２７〜図３６は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。

図２７は、サーマルプリントヘッド１０１の変形例を示している。同図に示されたサーマルプリントヘッド１０１は、電極層３の構成が上述したサーマルプリントヘッド１０１と異なっている。この変形例においては、薄肉部３２２が、本体Ａｕ層３０１の上層３０３によって構成されている。下層３０２は、発熱抵抗体支持部２１の副走査方向ｙにおける中心から退避した位置に形成されている。

図２８〜図３１は、サーマルプリントヘッド１０１の変形例の製造方法を示している。まず、セラミック基板１１にグレーズ層２およびガラス層２５を形成した後に、下層３１２を形成する。このとき、発熱抵抗体支持部２１の大部分を露出させるように、下層３１２を形成する。次いで、セラミック基板材料１０のほぼ全面を覆うように、上層３１３を形成する。さらに、補助Ａｕ層３１４を形成する。そして、Ａｕ層３０に対してパターニングを施すことにより、図３０に示すように、本体Ａｕ層３０１を有する電極層３を形成する。そして、セラミック基板材料１０全体を加熱する処理を施すことにより、図３１に示すように帯状部３３１，３５１，３７１の先端寄り部分が発熱抵抗体支持部２１に対して沈降する。こののちは、図１９〜図２６を参照して説明した工程を経ることによりサーマルプリントヘッド１０１の変形例が完成する。

このような変形例によっても、抵抗体層４の損傷を抑制しつつ、電極層３の電気抵抗値が不当に大きくなってしまうことを回避することができる。

図３２および図３３は、本発明の第２実施形態に基づくサーマルプリントヘッドを示している。本実施形態のサーマルプリントヘッド１０２は、電極層３の構成と、Ａｇ層３６１およびＡｇ保護層５３を備える点とが、上述した実施形態と異なっている。

図３２に示すように、電極層３は、複数の個別電極３３および共通電極３５を有する。各個別電極３３は、サーマルプリントヘッド１０１の個別電極３３と類似の構成である。共通電極３５は、複数の帯状部３５１、連結部３５８、迂回部３５９、および基幹部３５７を有している。複数の帯状部３５１は、それぞれが副走査方向ｙに沿って延びており、主走査方向ｘに配列されている。各帯状部３５１の対向縁３５２は、個別電極３３の帯状部３３１の対向縁３３２と対向している。連結部３５８は、基板１１の副走査方向ｙ一端寄り部分に形成されており、主走査方向ｘに長く延びている。連結部３５８は、複数の帯状部３５１を連結している。迂回部３５９は、セラミック基板１１の主走査方向ｘ一端寄り部分に形成されており、連結部３５８と基幹部３５７とを繋いでいる。

本実施形態においては、帯状部３３１，３５１の幅が２７．３μｍ程度、主走査方向ｘにおける隙間が１５μｍ程度とされている。また、ボンディング部３３６の主走査方向ｘにおける寸法が５５μｍ程度とされている。

Ａｇ層３６１は、共通電極３５の連結部３５８および迂回部３５９に重なる帯状であり、Ａｇによって形成されている。Ａｇ層３６１の厚さは、たとえば１６μｍ程度である。

Ａｇ保護層５３は、Ａｇ層３６１を保護するためのものであり、Ａｇ層３６１のすべてを覆う帯状とされている。Ａｇ保護層５３は、たとえばガラスからなり、その厚さが４〜１０μｍ程度とされている。

次に、サーマルプリントヘッド１０２の製造方法の一例について、図３４〜３６を参照しつつ、以下に説明する。

まず、図６〜図１７を参照して説明した工程と類似の工程を経ることにより、図３４に示すように、セラミック基板材料１０上にグレーズ層２、ガラス層２５，２６、および電極層３を形成する。同図に示された状態においては、帯状部３３１，３５１は、いまだ発熱抵抗体支持部２１に対して沈降していない。

次いで、図３５に示すようにＡｇ層３６１を形成する。Ａｇ層３６１の形成は、たとえばＡｇを含むペーストを厚膜印刷した後に、これを焼成することによって行う。このときの焼成工程において、発熱抵抗体支持部２１が加熱される。これにより、帯状部３３１，３５１が発熱抵抗体支持部２１に対して沈降する。

次いで、Ａｇ保護層５３を形成する。Ａｇ保護層５３の形成は、たとえばガラスペーストを印刷した後に、これを焼成することによって行う。このときの焼成工程において、発熱抵抗体支持部２１が再び加熱される。これにより、帯状部３３１，３５１の発熱体支持部２１に対する沈降が促進される。こののちは、図１９〜図２６を参照して説明した工程と類似の工程を経ることにより、サーマルプリントヘッド１０２が完成する。

このような実施形態によれば、共通電極３５の連結部３５８および迂回部３５９を流れるべき電流が、Ａｇ層３６１にも流れることとなる。このため、共通電極３５の電気抵抗値を低減させることが可能である。また、Ａｇ層３６１は、ガラスからなるＡｇ保護層５３によって、そのすべてが覆われている。サーマルプリントヘッド１０２の製造工程において、抵抗体層４０を形成するときには、Ａｇ層３６１は、Ａｇ保護層５３によってすでに覆われている格好となっている。このため、たとえばスパッタ法やＣＶＤ法などを用いて抵抗体層４０を形成するときに発生するＣＦ₄ガスやＯ₂によってＡｇ層３６１が変質してしまうことを防止することができる。

また、Ａｇ層３６１およびＡｇ保護層５３の製造工程と、帯状部３３１，３５１の先端寄り部分を沈降させる工程とを兼ねることが可能である。これにより、サーマルプリントヘッド１０２の製造効率を高めることができる。

本発明に係るサーマルプリントヘッドは、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係るサーマルプリントヘッドの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

１０１，１０２ サーマルプリントヘッド
１ 支持部
１０ セラミック基板材料
１１ セラミック基板（基板）
１２ 配線基板
１３ 放熱板
２ グレーズ層
２１ 発熱抵抗体支持部
２２ ＩＣ電極支持部
２５，２６ ガラス層
３ 電極層
３０１ 本体層
３０２ 下層
３０３ 上層
３０４ 補助層
３０ Ａｕ層
３１１ 本体Ａｕ層
３１２ 下層
３１３ 上層
３１４ 補助Ａｕ層
３２１ 通常厚部
３２２ 薄肉部
３２３ 厚肉部
３３ 個別電極
３３１ 帯状部
３３２ 対向縁
３３３ 屈曲部
３３４ 直行部
３３５ 斜行部
３３６ ボンディング部
３５ 共通電極
３５１ 帯状部
３５２ 対向縁
３５３ 分岐部
３５４ 直行部
３５５ 斜行部
３５６ 延出部
３５７ 基幹部
３５８ 連結部
３５９ 迂回部
３６１ Ａｇ層
３７ 中継電極
３７１ 帯状部
３７２ 対向縁
３７３ 連結部
４ 抵抗体層
４０ 抵抗体層
４１ 発熱部
４２ 電極被覆部
５ 保護層
５１ 下層
５２ 上層
５３ Ａｇ保護層
６ 樹脂層
６１ 電極部
６２ ＩＣ部
７ 駆動ＩＣ
７１ パッド
８１ ワイヤ
８２ 封止樹脂
８３ コネクタ
ｘ 主走査方向
ｙ 副走査方向
ｚ 厚さ方向

Claims (21)

1. 基板と、
   上記基板に支持されており、複数のボンディング部を有する電極層と、
   上記電極層に導通する抵抗体層と、
   上記抵抗体層を部分的に通電させる駆動ＩＣと、
   上記複数のボンディング部と上記駆動ＩＣとに接続された複数のワイヤと、
   を備えるサーマルプリントヘッドであって、
   上記電極層は、通常厚部と、この通常厚部よりも厚く、かつ上記複数のボンディング部を含む厚肉部と、を有することを特徴とする、サーマルプリントヘッド。
2. 上記電極層は、上記通常厚部を構成する本体Ａｕ層と、上記本体Ａｕ層上に積層されており、かつ上記本体Ａｕ層とともに上記厚肉部を構成する補助Ａｕ層と、からなる、請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
3. 上記補助Ａｕ層は、Ａｕにガラスが混入された材料からなる、請求項２に記載のサーマルプリントヘッド。
4. 上記補助Ａｕ層は、上記本体Ａｕ層よりもＡｕ比率が高い、請求項２に記載のサーマルプリントヘッド。
5. 上記本体Ａｕ層は、下層およびこの下層上に積層された上層からなる、請求項２ないし４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
6. 上記下層、上記上層、および上記補助Ａｕ層は、いずれもＡｕを含むペーストを印刷した後に、これを焼成することによって形成されている、請求項５に記載のサーマルプリントヘッド。
7. 上記抵抗体層は、ＴａＳｉＯ₂またはＴａＮを含む、請求項１ないし６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
8. 上記抵抗体層は、スパッタ法またはＣＶＤ法によって形成されている、請求項７に記載のサーマルプリントヘッド。
9. 上記基板上に形成されており、主走査方向に対して直角である断面形状が円弧状とされた主走査方向に延びる発熱抵抗体支持部、および副走査方向において上記発熱抵抗体支持部と離間したＩＣ電極支持部、を有するグレーズ層をさらに備えており、
   上記複数のボンディング部と上記基板との間には、上記ＩＣ電極支持部が介在している、請求項１ないし８のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
10. 上記電極層は、各々が一端が上記発熱抵抗体支持部上に形成された帯状部および上記ボンディング部を有する複数の個別電極と、これらの複数の個別電極とは上記抵抗体層を挟んで電気的に逆極性とされた共通電極と、を含んでおり、
    上記共通電極は、上記ＩＣ電極支持部に形成された基幹部を有しており、
    上記基幹部は、上記厚肉部によって構成されている、請求項９に記載のサーマルプリントヘッド。
11. 上記電極層は、上記発熱抵抗体支持部上において各々が副走査方向に互いに離間した１対の帯状部からなり、かつ主走査方向に配列された複数対の帯状部を有するとともに、主走査方向において隣り合う上記２対の帯状部のうち副走査方向において同じ側に位置する２つの上記帯状部、およびこの帯状部どうしを連結する連結部を有する複数の中継電極と、各々が上記各中継電極の一方の帯状部と上記１対の帯状部を構成する上記帯状部を有する上記複数の個別電極と、各々が上記複数の中継電極の他方の帯状部と上記１対の帯状部を構成する複数の上記帯状部を有する上記共通電極と、を有する、請求項１０に記載のサーマルプリントヘッド。
12. 上記共通電極は、主走査方向に隣り合う２つの上記帯状部と、これらの帯状部に繋がる分岐部と、を有しており、
    上記共通電極の上記２つの帯状部は、２つの上記中継電極の上記帯状部と各別に上記１対の帯状部を構成している、請求項１１に記載のサーマルプリントヘッド。
13. 上記電極層は、上記発熱抵抗体支持部上において各々が副走査方向に互いに離間した１対の帯状部からなり、かつ主走査方向に配列された複数対の帯状部を有するとともに、各々が上記１対の帯状部の一方を有する上記複数の個別電極と、これらの個別電極の上記帯状部と上記複数対の帯状部を構成する複数の帯状部、およびこれらの帯状部を繋ぐ連結部を有する上記共通電極と、を有する、請求項１０に記載のサーマルプリントヘッド。
14. 上記連結部に重なるＡｇ層と、
    上記Ａｇ層を覆うＡｇ保護層と、をさらに備える、請求項１３に記載のサーマルプリントヘッド。
15. 上記Ａｇ保護層は、ガラスからなる、請求項１４に記載のサーマルプリントヘッド。
16. 上記基幹部は、副走査方向において上記複数のボンディング部よりも上記発熱抵抗体支持部から離間した位置に設けられている、請求項１０ないし１５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
17. 上記駆動ＩＣは、上記基幹部によって支持されている、請求項１０ないし１６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
18. 上記駆動ＩＣと上記基幹部との間には、樹脂層が介在している、請求項１７に記載のサーマルプリントヘッド。
19. 副走査方向において上記基板に隣接する配線基板をさらに備えており、
    上記基幹部と上記配線基板とがワイヤによって接続されている、請求項１０ないし１８のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
20. 上記基板は、セラミックからなる、請求項１ないし１９のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
21. 上記基板が取り付けられた、金属からなる放熱板をさらに備える、請求項２０に記載のサーマルプリントヘッド。

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