JP6150479B2 - ビットライン接触面積確保のための半導体素子、その半導体素子を有するモジュール及びシステム - Google Patents
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Description
Claims (15)
- 活性領域内の第1トレンチ下部に埋め込まれた第1ゲート;
前記活性領域内の第2トレンチ下部に埋め込まれた第2ゲート; 及び
前記第1ゲートと前記第2ゲートに共有され、前記第1ゲートと前記第2ゲートとの間の活性領域の上部を取り囲むコンタクトを含むことを特徴とする半導体素子。 - 前記コンタクトと前記ゲートとの間に位置するシーリング膜をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の半導体素子。
- 前記コンタクトは
前記第1ゲートと前記第2ゲートとの間の活性領域の上部面及び全ての上部側面と接触されることを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体素子。 - 活性領域を画成する素子分離膜を形成する段階;
前記活性領域に第1埋め込みゲートと第2埋め込みゲートを形成する段階;
前記第1埋め込みゲートと前記第2埋め込みゲートとの間の活性領域の上部面及び全ての上部側面を露出させるコンタクトホールを形成する段階;
前記コンタクトホールを埋め込むコンタクト層を形成する段階;
前記コンタクト層上部に導電膜を形成する段階; 及び
前記導電膜及び前記コンタクト層をエッチングしてビットライン及びビットラインコンタクトを形成する段階を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記第1埋め込みゲートと前記第2埋め込みゲートを形成する段階は
前記活性領域をエッチングして第1トレンチ及び第2トレンチを形成する段階;
前記第1トレンチと前記第2トレンチとの下部にゲート導電膜を形成する段階; 及び
前記第1トレンチと前記第2トレンチが埋め込まれるように、前記ゲート導電膜上部にシーリング膜を形成する段階を含むことを特徴とする請求項4記載の半導体素子の製造方法。 - 前記コンタクトホールを形成する段階は
前記ゲート導電膜と前記シーリング膜を含む活性領域上部に層間絶縁膜を形成する段階; 及び
ビットラインコンタクトマスクを利用して前記層間絶縁膜、前記素子分離膜及び前記シーリング膜をエッチングして前記第1埋め込みゲートと前記第2埋め込みゲートとの間の活性領域の上部面及び上部側面を露出させる段階を含むことを特徴とする請求項4または請求項5記載の半導体素子の製造方法。 - 前記ビットライン及び前記ビットラインコンタクトを形成する段階は
ビットラインマスクを利用して前記導電膜及び前記コンタクト層を順次エッチングすることを特徴とする請求項4乃至請求項6のいずれか1項記載の半導体素子の製造方法。 - 前記ビットラインコンタクトを形成する段階は
前記コンタクト層が前記活性領域の上部面及び前記第1トレンチと前記第2トレンチの内側面にのみ接触されるように、前記コンタクト層をエッチングすることを特徴とする請求項4乃至請求項7のいずれか1項記載の半導体素子の製造方法。 - 活性領域に埋め込まれた第1ワードラインと第2ワードライン、コンタクトを介して前記第1ワードラインと前記第2ワードラインとの間の活性領域と連結されるビットライン、及び前記ワードラインと前記ビットラインに連結されるメモリーセルを含むセルアレイ; 及び
前記ビットラインに連結され前記セルに格納されたデータをセンシングするセンスアンプを含み、
前記コンタクトは第1ワードラインと前記第2ワードラインとの間の前記活性領域の上部面及び全ての上部側面と接触されることを特徴とする半導体素子。 - 前記セルアレイでデータがリード又はライトされるセルを選択するための選択信号を出力するローデコーダ; 及び
前記選択信号により選択されたセルと連結されたセンスアンプを動作させるための駆動信号を出力するカラムデコーダをさらに含むことを特徴とする請求項9記載の半導体素子。 - 基板に搭載された複数個の半導体素子を有する半導体モジュールにおいて、
前記半導体素子は
活性領域内の第1トレンチ下部に埋め込まれた第1ゲート;
前記活性領域内の第2トレンチ下部に埋め込まれた第2ゲート; 及び
前記第1ゲートと前記第2ゲートに共有され、前記第1ゲートと前記第2ゲートとの間の活性領域の上部面及び全ての上部側面と接触されるコンタクトを含むことを特徴とする半導体モジュール。 - 基板に搭載された複数個の半導体素子を有する半導体モジュール、及び前記半導体モジュールの動作を制御する制御機を含む半導体システムにおいて、
前記半導体素子は
活性領域内の第1トレンチ下部に埋め込まれた第1ゲート;
前記活性領域内の第2トレンチ下部に埋め込まれた第2ゲート; 及び
前記第1ゲートと前記第2ゲートに共有され、前記第1ゲートと前記第2ゲートとの間の活性領域の上部面及び全ての上部側面と接触されるコンタクトを含むことを特徴とする半導体システム。 - 少なくとも一つの半導体モジュールを有する半導体システム、及び前記半導体システムに格納されたデータを処理するプロセッサを含むコンピューターシステムにおいて、
前記半導体モジュールは基板に搭載された半導体素子などを含み、
前記半導体素子は
活性領域内の第1トレンチ下部に埋め込まれた第1ゲート;
前記活性領域内の第2トレンチ下部に埋め込まれた第2ゲート; 及び
前記第1ゲートと前記第2ゲートに共有され、前記第1ゲートと前記第2ゲートとの間の活性領域の上部面及び全ての上部側面と接触されるコンタクトを含むことを特徴とするコンピューターシステム。 - 基板に搭載された少なくとも一つの半導体素子を含むデータプロセッシングシステムにおいて、
前記半導体素子は
活性領域内の第1トレンチ下部に埋め込まれた第1ゲート;
前記活性領域内の第2トレンチ下部に埋め込まれた第2ゲート; 及び
前記第1ゲートと前記第2ゲートに共有され、前記第1ゲートと前記第2ゲートとの間の活性領域の上部面及び全ての上部側面と接触されるコンタクトを含むことを特徴とするデータプロセッシングシステム。 - 少なくとも一つのデータプロセッシングシステムを有する電子システムにおいて、
前記データプロセッシングシステムは基板に搭載された少なくとも一つの半導体素子を含み、
前記半導体素子は
活性領域内の第1トレンチ下部に埋め込まれた第1ゲート;
前記活性領域内の第2トレンチ下部に埋め込まれた第2ゲート; 及び
前記第1ゲートと前記第2ゲートに共有され、前記第1ゲートと前記第2ゲートとの間の活性領域の上部面及び全ての上部側面と接触されるコンタクトを含むことを特徴とする含むことを特徴とする電子システム。
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