JP6121424B2 - ウエハ形状物の表面を処理する装置 - Google Patents

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Description

本発明は、一般に、半導体ウエハ等のウエハ形状物の表面を処理する装置に関し、密閉型処理チャンバ内部から1つ以上の処理流体を回収可能な装置に関する。
半導体ウエハに対し、エッチング、洗浄、研磨、材料蒸着等、種々の表面処理が行われる。このような処理を可能にするために、たとえば、米国特許No.4,903,717及びNo.5,513,668に記載されるように、回転可能なキャリアを伴うチャックにより、1つ以上の処理流体ノズルに関連させて、個々のウエハを支持するようにしてもよい。
あるいは、たとえば、国際公開WO2007/101764及び米国特許No.6,485,531に記載されるように、ウエハを支持するように構成される環状ロータの形状のチャックを、密閉型処理チャンバ内に配置し、能動型磁気軸受を介した物理的接触なしに駆動されるようにしてもよい。遠心力の作用によって回転するウエハの端部から外側に駆動される処理流体は、廃棄用の共通排出管に送られる。
従来の密閉型処理チャンバは、チャンバが閉じている間ウエハ処理に用いられる有害物質を適宜収容しているが、ウエハのローディング及びアンローディングのためにはチャンバを開く必要があった。この際に、処理ガス、化学物質の煙霧、イソプロピルアルコール蒸気、オゾン蒸気等の熱蒸気などがツール環境に放出され、その結果、周囲の部品やツールに対して大きな安全性のリスク及びダメージを与える危険性がある。
本発明の発明者は、ウエハ形状物を処理する改良型の密閉型処理チャンバを開発した。この密閉型処理チャンバでは、外側チャンバ内に内側チャンバを備え、内側チャンバ及び外側チャンバは各々気密エンクロージャを備えるように構成される。
したがって、本発明の一つの態様は、密閉型処理チャンバを備える、ウエハ形状物を処理する装置に関する。密閉型処理チャンバは、気密エンクロージャを提供するハウジングと、密閉型処理チャンバ内に設置される回転チャックであって、回転チャック上でウエハ形状物を保持するように構成される回転チャックと、密閉型処理チャンバ内に配置される内側カバーと、を備える。内側カバーは、回転チャックが密閉型処理チャンバの外壁と連通する第1の位置と、回転チャックに隣接する密閉型処理チャンバの内表面に対して内側カバーをシールして、気密な内側処理チャンバを規定する第2の位置との間を移動可能である。第1の位置と第2の位置との間の移動は、回転チャックの回転軸に沿った軸方向の移動であることが望ましい。
本発明に従う装置の好適な実施形態において、内側カバーが第2の位置にある場合に、内側カバーは内側処理チャンバの下部を形成する。
本発明に従う装置の好適な実施形態において、内側カバーは、基部と、少なくとも1つの直立壁とを備え、基部は、シールを介して密閉型処理チャンバを貫通するシャフトに接続される。このシールは、外側処理チャンバの気密性を維持しつつ、シャフトと密閉型処理チャンバとの間の相対的な移動を可能にする。相対的な移動は、回転チャックの回転軸に沿った軸方向の移動であることが望ましい。
本発明に従う装置の好適な実施形態において、少なくとも1つの処理流体捕集部が、内側カバーの下部に形成され、処理流体捕集部は、内側カバーから懸架される吐出管であってシールを介して密閉型処理チャンバを貫通する吐出管と連通する。このシールは、外側処理チャンバの気密性を維持しつつ、吐出管と密閉型処理チャンバとの間の相対的な移動を可能にする。
本発明に従う装置の好適な実施形態において、密閉型処理チャンバは、独立に制御される複数の吐出口を備え、第1の吐出口は、内側カバーが第2の位置にある場合に、内側チャンバの内側の領域において、密閉型処理チャンバに対して開口し、第2の吐出口は、内側カバーが第2の位置にある場合に、内側チャンバの外側の領域において、密閉型処理チャンバに対して開口する。
本発明に従う装置の好適な実施形態において、内側カバーは、内側カバーに対して独立に軸方向に変位可能な複数のスプラッシュガードを備え、スプラッシュガードと内側カバーとは、内側カバーが第2の位置にある場合に、内側チャンバ内に複数の別々の処理領域を規定するように構成される。
本発明に従う装置の好適な実施形態において、別々の各処理領域は、これに流体接続される各液体吐出管を備える。
本発明に従う装置の好適な実施形態において、軸方向に変位可能な各スプラッシュガードは、密閉型処理チャンバの外側から所定の鉛直方向の位置に選択的に駆動される。
本発明に従う装置の好適な実施形態において、軸方向に変位可能な各スプラッシュガードは、回転チャックにより支持される回転するウエハから放出される所定の処理流体を捕集するように、選択的に位置決め可能である。
本発明に従う装置の好適な実施形態において、回転チャックは、磁気軸受を介した物理的接触なしに駆動されるように構成され、回転チャックと内側カバーとは、互いに鉛直方向に移動可能である。
本発明に従う装置の好適な実施形態において、磁気軸受は、密閉型処理チャンバの外側に位置するステータを備える。
本発明に従う装置の好適な実施形態において、磁気軸受は、回転チャックにより支持される回転するウエハから放出される所定の処理流体が所定の流体捕集部に向かうように、選択的に位置決め可能である。
本発明に従う装置の好適な実施形態において、磁気軸受は、能動型磁気軸受である。
本発明に従う装置の好適な実施形態において、密閉型処理チャンバは、半導体ウエハの各ウエハを湿式処理するステーションにおけるモジュールである。
本発明に従う装置の好適な実施形態において、密閉型処理チャンバは、パーフルオロアルコキシ樹脂で被覆されたアルミニウムから形成される。
本発明の他の目的、特徴及び利点は、添付の図面を参照する以下の本発明の好適な実施形態の詳細な説明からより明らかになるであろう。
本発明の第1の実施形態に従う処理チャンバを、第1の位置にある内側カバーと共に示す垂直断面説明図。 本発明の第1の実施形態に従う処理チャンバを、第2の位置にある内側カバーと共に示す垂直断面説明図。 本発明の第2の実施形態に従う処理チャンバを、第1の位置にある内側カバーと共に示す垂直断面説明図。 本発明の第2の実施形態に従う処理チャンバを、第2の位置にある内側カバーと第1の配置のスプラッシュガードと共に示す垂直断面説明図。 本発明の第2の実施形態に従う処理チャンバを、第2の位置にある内側カバーと第2の配置のスプラッシュガードと共に示す垂直断面説明図。 本発明の第2の実施形態に従う処理チャンバを、第2の位置にある内側カバーと第3の配置のスプラッシュガードと共に示す垂直断面説明図。 本発明の第3の実施形態に従う処理チャンバを、第1の位置にある内側カバーと共に示す垂直断面説明図。 本発明の第3の実施形態に従う処理チャンバを、第2の位置にある内側カバーと共に示す垂直断面説明図。 本発明の第4の実施形態に従う処理チャンバを、第1の位置にある内側カバーと共に示す垂直断面説明図。 本発明の第4の実施形態に従う処理チャンバを、第2の位置にある内側カバーと共に示す垂直断面説明図。
図1に示すように、本発明の第1の実施形態に従うウエハ形状物の表面を処理する装置は外側処理チャンバ1を備え、外側処理チャンバ1は、望ましくはPFA(パーフルオロアルコキシ)樹脂で被覆されたアルミニウムから形成される。本実施形態のチャンバは、主円筒形壁部10と、下部12と、上部15と、を備える。上部15から、より狭い円筒形壁部34が伸長し、円筒形壁部34は蓋部36によって閉じられる。
回転チャック30が、チャンバ1の上部に配置され、円筒形壁部34により周りを取り囲まれる。回転チャック30は、装置の使用時に、ウエハWを回転可能に支持する。回転チャック30には、リングギア38を備える回転駆動部が内蔵される。リングギア38は、ウエハWの周縁部と選択的に接触し、また、接触を解除するように、複数の偏心可動把持部材を係合及び駆動する。
本実施形態において、回転チャック30は、円筒形壁部34の内表面に隣接して備えられる環状ロータである。ステータ32は、円筒形壁部34の外表面に隣接して、環状ロータの反対側に備えられる。ロータ30及びステータ34は、モータとして機能し、能動型磁気軸受を介して環状ロータ30(及びそれに支持されるウエハW)を回転させることができる。たとえば、ステータ34は、複数の電磁コイル又は巻線を備えるものでもよく、この電磁コイル又は巻線は、ロータ上に備えられる対応する永久磁石を介して回転チャック30を回転可能に駆動するように能動的に制御されるものでもよい。ステータの能動的制御により、又は、永久磁石により、回転チャック30のアキシャル軸受及びラジアル軸受を実現することもできる。したがって、回転チャック30を、機械的に接触させることなく、浮揚させ、回転可能に駆動させることが可能である。あるいは、チャンバの外側の外側ロータ上に周方向に配置される対応する高温超電導磁石(HTS(high temperature superconducting)磁石)によってローターの磁石が保持されるような受動型軸受によって、ロータを保持するようにしてもよい。この実施形態では、環状ロータの各磁石は、外側ロータの対応するHTS磁石に固定される。したがって、内側ロータは、物理的に接続されることなく、外側ロータと同じ動きをする。
蓋部36は、外側に設置されるマニホールド42を備え、マニホールド42は、蓋部36を貫通してウエハW上のチャンバに対して開口する媒体入口44を提供する。この実施形態で留意すべきことは、入口44から供給される流体がウエハWの上向き表面上に衝突するように、ウエハWが回転チャック30から下方に懸架され、把持部材40により支持されることである。
ウエハ30が例えば直径300mm又は450mmの半導体ウエハである場合には、ウエハWの上向き側は、装置側又はウエハWの表側のいずれでもよく、回転チャック30上でウエハがどのように位置決めされるかによって決まる。また、このウエハの位置は、チャンバ1内で実施されている特定の処理によって決まる。
図1の装置は、さらに、処理チャンバ1に対して移動可能な内側カバー2を備える。図1に示す状態では、内側カバー2は第1の位置すなわち開放位置にあり、この第1の位置では、回転チャック30はチャンバ1の外側円筒形壁部10に連通する。この実施形態において、カバー2は、通常カップ形状であって、垂直円筒形壁部21によって周りを取り囲まれる基部20を備える。カバー2は、さらに、基部20を支持し、チャンバ1の下側壁部14を貫通する中空シャフト22を備える。
中空シャフト22は、主チャンバ1内に形成されるボス12によって周りを取り囲まれ、動的シールを介してこれらの構成要素が接続される。動的シールにより、チャンバ1に対する気密シールを維持しつつ、ボス12に対して中空シャフト22を移動させることができる。
円筒形壁部21の上部に環状デフレクタ部材24が取り付けられ、環状デフレクタ部材24の上向き表面上にガスケット26が支持される。カバー2は、チャンバ内でウエハWの下向き表面上に処理流体及びリンス液が導入可能なように、基部20を貫通する流動媒体入口28を備えることが望ましい。
カバー2は、さらに、吐出管25に対して開口する処理流体吐出口23を備える。管25は、カバー2の基部20に強固に取り付けられる一方で、動的シール17を介してチャンバ1の底壁部14を貫通する。これにより、管25は、気密シールを維持しつつ、底壁部14に対して軸方向に摺動可能である。
排出口16がチャンバ1の壁部10を貫通する一方で、別の排出口46は、回転チャック30の内表面近傍で蓋部36を貫通する。各排出口は、(図示しない)適当な排出管に接続され、排出管は、各バルブ及び通気装置を介して独立に制御されることが望ましい。
図1に示す位置は、ウエハWのローディング又はアンローディング位置に対応する。具体的には、蓋部36を介して、又は、より望ましくは、チャンバ壁部10の(図示しない)サイドドアを介して、回転チャック30上にウエハWをローディングできる。ただし、蓋部36が所定の位置にあり、サイドドアが閉じた状態では、チャンバ1は、気密であり、規定された内圧を維持可能である。
図2では、内側カバー2は、第2の位置すなわち閉鎖位置に動かされている。この第2の位置は、ウエハWの処理位置に対応する。すなわち、回転チャック30上にウエハWをローディング後、中空シャフト22上で作動する(図示しない)適当なモータにより、チャンバ1に対して上向きにカバー2を動かす。チャンバ1の上部15の内表面にデフレクタ部材24が接触するまで、内側カバー2を上向きに動かし続ける。具体的には、デフレクタ24に支持されるガスケット26が上部15の下側をシールする一方で、上部15に支持されるガスケット18がデフレクタ24の上側表面をシールする。
内側カバー2が図2に示す第2の位置に到達すると、密閉型処理チャンバ1内に第2のチャンバ48が形成される。内側チャンバ48は、チャンバ1の残りの部分から気密になるようにシールされる。さらに、チャンバ48は、チャンバ1の残りの部分とは別に通気されることが望ましい。本実施形態では、通常はチャンバ1に対して作用し、図2の配置ではチャンバ1の残りの部分に作用する排出口16とは独立に、チャンバ48に開口する排出口46を備えることにより、別々の通気が可能になる。
ウエハ処理の際に、処理中のウエハのエッチング、洗浄、リンスやその他任意の所望の表面処理など、種々の処理を実行するために、媒体入口44及び/又は28を介して、回転するウエハWに処理流体を向けるようにしてもよい。
外側処理チャンバ1内に内側チャンバ48を設けることで、処理チャンバの外部環境からウエハ処理に用いられるガスや液体を隔離することが可能になるため、環境に対して密閉されるチャンバの安全性を向上させ、処理ガス、化学薬品の煙霧、イソプロピルアルコール蒸気、オゾン蒸気等の熱蒸気などがツール環境に放出される危険を抑制することができる。
図3〜図6は、本発明の第2の実施形態を示す。第2の実施形態では、内側カバー2が、内側チャンバ48内に別々の処理領域を規定可能な一組の分割部を備える。具体的には、内側カバー2内に、1つ以上の鉛直方向に移動可能なスプラッシュガード37、39を備える。2つの円形スプラッシュガード37及び39が図3〜図6に図示されているが、当然のことながら、任意の所望の数のスプラッシュガードを備えるようにしてもよい。スプラッシュガードの実際の数は、部分的に、別々に捕集されるはずの種類の異なる処理流体の数によって決まるものでもよい。
外側スプラッシュガード37は、内側スプラッシュガード39の周りに同心円状に配置される。したがって、内側スプラッシュガード39は、その内部に内側処理流体捕集部を規定する。中央処理流体捕集部は、内側スプラッシュガード39の外表面と外側スプラッシュガード37の内表面との間に形成される環状領域によって規定される。外側処理流体捕集部は、外側スプラッシュガード37の外表面と円筒形壁部21の内表面との間に形成される環状領域によって規定される。
このような各流体捕集部に伴って、各流体捕集部から密閉型処理チャンバの外側に捕集した処理媒体を送るための排出管を備える。図3に示すように、排出管31、33及び35は、各々、内側カバーの基部20を通って、また、主チャンバ1の底壁部14を通って、伸長する。排出管31、33及び35の集合体は、上述したように、動的シールを介して底壁部14と接続されて、気密シールを維持しつつ、内側カバー2が移動する際の排出管と外側チャンバ1との間の相対的な移動を可能にする。
本実施形態におけるデフレクタ27は、スプラッシュガード37及び39の上側部分を収容するようにいくぶん伸長されているが、それ以外は、第1の実施形態に関連して上述した構成と同様である。
スプラッシュガード37及び39は、空気圧シリンダ、空気圧シリンダ及び油圧シリンダの組み合わせ、リニアモーター、ボーデンワイヤ等、適当なアクチュエータにより、内側カバー2に対して上下動する。添付図面には図示されていないが、スプラッシュガード37及び39用のアクチュエータも、同様に、動的シールを介して底壁部14を貫通して取り付けられる。
各スプラッシュガードは、独立に鉛直方向に移動可能である。したがって、各スプラッシュガードを、回転チャック30に対して、他のスプラッシュガードに対して、また、内側カバー2に対して、選択的に上げる、及び/又は、下げることができる。この結果、回転チャック30の後縁から放出される過剰の処理流体が、選択された流体捕集部の方に向かう。
図3及び図4では、スプラッシュガード37及び39は両方とも上がった状態であり、図4に示す動作位置では、回転チャック30の後縁から放出される過剰の処理流体は、内側スプラッシュガード39の内表面に向けられ、内側流体捕集部31内に入る。したがって、処理中のウエハ表面から放出される過剰な流体を、排出管31を介して選択的に回収でき、必要に応じてリサイクルや再生することができる。
図5では、スプラッシュガード37及び39は両方とも内側カバー2に対して下がった位置にあり、内側カバー2は、第2の位置すなわち閉鎖位置にある。この配置では、回転チャック30の後縁から放出される過剰の処理流体は、円筒形壁部21の内表面に向けられ、外側流体捕集部35内に入る。したがって、処理中のウエハ表面から放出される過剰な流体を、排出管35を介して選択的に回収でき、必要に応じてリサイクルや再生することができる。
図6では、内側カバー2に対して、スプラッシュガード39は下がった位置で、一方、スプラッシュガード37は上がった位置にあり、内側カバー2は、第2の位置すなわち閉鎖位置にある。この配置では、回転チャック30の後縁から放出される過剰の処理流体は、外側スプラッシュガード37の内表面に向けられ、中央流体捕集部33内に入る。したがって、処理中のウエハ表面から放出される過剰な流体を、排出管33を介して選択的に回収でき、必要に応じてリサイクルや再生することができる。
図7及び図8は、本発明の第3の実施形態を示す。第3の実施形態では、第1の実施形態のチャンバ設計が、スピンチャックと共に用いられるように改変される。スピンチャックでは、中心シャフト上のモータの動作によって回転するチャックの上側にウエハWが載置される。
具体的には、内側カバー2が図7に示すローディング/アンローディング位置にある時に、ウエハWがスピンチャック50上にローディングされ、ウエハWは、把持部材40によってチャック50に対して所定の姿勢で固定される。その後、内側カバー2が第2の位置に動くと、第1の実施形態に関して上述したように、内側チャンバ48が規定される。
この実施形態において、スピンチャック50も、内側カバー2に対して鉛直方向に移動可能であり、チャンバ48内の最適な処理位置までスピンチャック50を上げることができる。その後、シャフト55上で作動する(図示しない)モーターにより、スピンチャック50を回転させる。
図9及び図10は、本発明の第4の実施形態を示す。第4の実施形態では、先の実施形態と異なり、スピンチャック50は、内側カバー2に対して回転するものの、内側カバー2に対して軸方向には動かない。
したがって、内側カバー2が図9に示すローディング/アンローディング位置にある時に、ウエハWがスピンチャック50上にローディングされ、ウエハWは、把持部材40によってチャック50に対して所定の姿勢で固定される。その後、内側カバー2が第2の位置に動くと、図10に示すように、また、第1の実施形態に関して上述したように、内側チャンバ48が規定される。
本実施形態のスピンチャック50は、内側カバー2に対して鉛直方向に移動しないため、内側カバー2の動きにより、同時に、チャンバ48内における最終的な処理位置にウエハWが位置決めされる。その後、シャフト55上で作動する(図示しない)モーターにより、スピンチャック50を回転させる。
本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
[適用例1]
ウエハ形状物を処理する装置であって、
密閉型処理チャンバを備え、
前記密閉型処理チャンバは、
気密エンクロージャを提供するハウジングと、
前記密閉型処理チャンバ内に設置される回転チャックであって、前記回転チャック上で前記ウエハ形状物を保持するように構成される回転チャックと、
前記密閉型処理チャンバ内に配置される内側カバーと、を備え、
前記内側カバーは、前記回転チャックが前記密閉型処理チャンバの外壁と連通する第1の位置と、前記回転チャックに隣接する前記密閉型処理チャンバの内表面に対して前記内側カバーをシールして、気密な内側処理チャンバを規定する第2の位置と、の間を移動可能である、装置。
[適用例2]
適用例1に記載の装置であって、
前記内側カバーが前記第2の位置にある場合に、前記内側カバーは、前記内側処理チャンバの下部を形成する、装置。
[適用例3]
適用例2に記載の装置であって、
前記内側カバーは、基部と、少なくとも1つの直立壁とを備え、
前記基部は、シールを介して前記密閉型処理チャンバを貫通するシャフトに接続され、
前記シールは、前記外側処理チャンバの気密性を維持しつつ、前記シャフトと前記密閉型処理チャンバとの間の相対的な移動を可能にする、装置。
[適用例4]
適用例1に記載の装置であって、さらに、
前記内側カバーの下部に形成される少なくとも1つの処理流体捕集部を備え、
前記処理流体捕集部は、前記内側カバーから懸架される吐出管であってシールを介して前記密閉型処理チャンバを貫通する吐出管と連通し、
前記シールは、前記外側処理チャンバの気密性を維持しつつ、前記吐出管と前記密閉型処理チャンバとの間の相対的な移動を可能にする、装置。
[適用例5]
適用例1に記載の装置であって、
前記密閉型処理チャンバは、独立に制御される複数の吐出口を備え、
第1の吐出口は、前記内側カバーが前記第2の位置にある場合に、前記内側チャンバの内側の領域において、前記密閉型処理チャンバに対して開口し、
第2の吐出口は、前記内側カバーが前記第2の位置にある場合に、前記内側チャンバの外側の領域において、前記密閉型処理チャンバに対して開口する、装置。
[適用例6]
適用例1に記載の装置であって、
前記内側カバーは、前記内側カバーに対して独立に軸方向に変位可能な複数のスプラッシュガードを備え、
前記スプラッシュガードと前記内側カバーとは、前記内側カバーが前記第2の位置にある場合に、前記内側チャンバ内に複数の別々の処理領域を規定するように構成される、装置。
[適用例7]
適用例6に記載の装置であって、
別々の各前記処理領域は、これに流体接続される各液体吐出管を備える、装置。
[適用例8]
適用例6に記載の装置であって、
軸方向に変位可能な各前記スプラッシュガードは、前記密閉型処理チャンバの外側から所定の鉛直方向の位置に選択的に駆動される、装置。
[適用例9]
適用例6に記載の装置であって、
軸方向に変位可能な各前記スプラッシュガードは、前記回転チャックにより支持される回転するウエハから放出される所定の処理流体を捕集するように、選択的に位置決め可能である、装置。
[適用例10]
適用例1に記載の装置であって、
前記回転チャックは、磁気軸受を介した物理的接触なしに駆動されるように構成され、
前記回転チャックと前記内側カバーとは、互いに鉛直方向に移動可能である、装置。
[適用例11]
適用例10に記載の装置であって、
前記磁気軸受は、前記密閉型処理チャンバの外側に位置するステータを備える、装置。
[適用例12]
適用例10に記載の装置であって、
前記磁気軸受は、前記回転チャックにより支持される回転するウエハから放出される所定の処理流体が所定の流体捕集部に向かうように、選択的に位置決め可能である、装置。
[適用例13]
適用例10に記載の装置であって、
前記磁気軸受は、能動型磁気軸受である、装置。
[適用例14]
適用例3に記載の装置であって、さらに、
前記内側カバーの基部を貫通する流動媒体入口を備え、前記内側チャンバ内でウエハの下向き表面上に処理流体を導入可能とする、装置。
[適用例15]
適用例1に記載の装置であって、
前記密閉型処理チャンバは、パーフルオロアルコキシ樹脂で被覆されたアルミニウムから形成される、装置。

Claims (15)

  1. ウエハ形状物を処理する装置であって、
    密閉型処理チャンバを備え、
    前記密閉型処理チャンバは、
    気密エンクロージャを提供するハウジングと、
    前記密閉型処理チャンバ内に設置される回転チャックであって、前記回転チャック上で前記ウエハ形状物を保持するように構成される回転チャックと、
    前記密閉型処理チャンバ内に配置される内側カバーと、を備え、
    前記内側カバーは、前記回転チャックが前記密閉型処理チャンバの外壁と連通する第1の位置と、前記回転チャックに隣接する前記密閉型処理チャンバの内表面に対して前記内側カバーをシールして、気密な内側処理チャンバを規定する第2の位置と、の間を移動可能であり、
    前記内側カバーの前記第1の位置は、前記ウエハ形状物のローディング又はアンローディングを行うウェハ搬送位置であり、
    前記内側カバーの前記第2の位置は、前記ウエハ形状物に液体を塗布する液体塗布位置であり、
    前記内側カバーの前記第1の位置は、前記第2の位置よりも低い、装置。
  2. 請求項1に記載の装置であって、
    前記内側カバーが前記第2の位置にある場合に、前記内側カバーは、前記内側処理チャンバの下部を形成する、装置。
  3. 請求項2に記載の装置であって、
    前記内側カバーは、基部と、少なくとも1つの直立壁とを備え、
    前記基部は、シールを介して前記密閉型処理チャンバを貫通するシャフトに接続され、
    前記シールは、前記密閉型処理チャンバの気密性を維持しつつ、前記シャフトと前記密閉型処理チャンバとの間の相対的な移動を可能にする、装置。
  4. 請求項1に記載の装置であって、さらに、
    前記内側カバーの下部に形成される少なくとも1つの処理流体捕集部を備え、
    前記処理流体捕集部は、前記内側カバーから懸架される吐出管であってシールを介して前記密閉型処理チャンバを貫通する吐出管と連通し、
    前記シールは、前記密閉型処理チャンバの気密性を維持しつつ、前記吐出管と前記密閉型処理チャンバとの間の相対的な移動を可能にする、装置。
  5. 請求項1に記載の装置であって、
    前記密閉型処理チャンバは、独立に制御される複数の吐出口を備え、
    第1の吐出口は、前記内側カバーが前記第2の位置にある場合に、前記内側処理チャンバの内側の領域において、前記密閉型処理チャンバに対して開口し、
    第2の吐出口は、前記内側カバーが前記第2の位置にある場合に、前記内側処理チャンバの外側の領域において、前記密閉型処理チャンバに対して開口する、装置。
  6. 請求項1に記載の装置であって、
    前記内側カバーは、前記内側カバーに対して独立に軸方向に変位可能な複数のスプラッシュガードを備え、
    前記スプラッシュガードと前記内側カバーとは、前記内側カバーが前記第2の位置にある場合に、前記内側処理チャンバ内に複数の別々の処理領域を規定するように構成される、装置。
  7. 請求項6に記載の装置であって、
    別々の各前記処理領域は、これに流体接続される各液体吐出管を備える、装置。
  8. 請求項6に記載の装置であって、
    軸方向に変位可能な各前記スプラッシュガードは、前記密閉型処理チャンバの外側から所定の鉛直方向の位置に選択的に駆動される、装置。
  9. 請求項6に記載の装置であって、
    軸方向に変位可能な各前記スプラッシュガードは、前記回転チャックにより支持される回転するウエハから放出される所定の処理流体を捕集するように、選択的に位置決め可能である、装置。
  10. 請求項1に記載の装置であって、
    前記回転チャックは、磁気軸受を介した物理的接触なしに駆動されるように構成され、
    前記回転チャックと前記内側カバーとは、互いに鉛直方向に移動可能である、装置。
  11. 請求項10に記載の装置であって、
    前記磁気軸受は、前記密閉型処理チャンバの外側に位置するステータを備える、装置。
  12. 請求項10に記載の装置であって、
    前記磁気軸受は、前記回転チャックにより支持される回転するウエハから放出される所定の処理流体が所定の流体捕集部に向かうように、選択的に位置決め可能である、装置。
  13. 請求項10に記載の装置であって、
    前記磁気軸受は、能動型磁気軸受である、装置。
  14. 請求項3に記載の装置であって、さらに、
    前記内側カバーの基部を貫通する流動媒体入口を備え、前記内側処理チャンバ内でウエハの下向き表面上に処理流体を導入可能とする、装置。
  15. 請求項1に記載の装置であって、
    前記密閉型処理チャンバは、パーフルオロアルコキシ樹脂で被覆されたアルミニウムから形成される、装置。
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Families Citing this family (214)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9633890B2 (en) * 2011-12-16 2017-04-25 Lam Research Ag Device for treating surfaces of wafer-shaped articles and gripping pin for use in the device
JP5973731B2 (ja) 2012-01-13 2016-08-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法
KR101501362B1 (ko) 2012-08-09 2015-03-10 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판처리장치 및 기판처리방법
KR101512560B1 (ko) 2012-08-31 2015-04-15 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판처리장치
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US20140283994A1 (en) * 2013-03-22 2014-09-25 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
US10043686B2 (en) * 2013-12-31 2018-08-07 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
US9597701B2 (en) 2013-12-31 2017-03-21 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
US9657397B2 (en) 2013-12-31 2017-05-23 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
US10589321B2 (en) * 2014-04-24 2020-03-17 Struers ApS Method of, and an apparatus for, rinsing materialographic samples
KR102255792B1 (ko) 2014-06-26 2021-05-27 주식회사 만도 페달감 모사 장치
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10167552B2 (en) * 2015-02-05 2019-01-01 Lam Research Ag Spin chuck with rotating gas showerhead
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10014198B2 (en) * 2015-08-21 2018-07-03 Lam Research Corporation Wear detection of consumable part in semiconductor manufacturing equipment
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US9887120B2 (en) * 2015-11-03 2018-02-06 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
TW201731600A (zh) * 2016-03-02 2017-09-16 Els System Technology Co Ltd 晶圓清洗機的防噴濺裝置
US10249521B2 (en) 2016-03-17 2019-04-02 Lam Research Ag Wet-dry integrated wafer processing system
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
CN109923659B (zh) * 2016-11-09 2024-03-12 东京毅力科创Fsi公司 用于在处理室中处理微电子衬底的磁悬浮且旋转的卡盘
TWI645913B (zh) * 2016-11-10 2019-01-01 辛耘企業股份有限公司 液體製程裝置
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
TWI765936B (zh) 2016-11-29 2022-06-01 美商東京威力科創Fsi股份有限公司 用以對處理腔室中之微電子基板進行處理的平移與旋轉夾頭
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
WO2018140789A1 (en) 2017-01-27 2018-08-02 Tel Fsi, Inc. Systems and methods for rotating and translating a substrate in a process chamber
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
WO2018161205A1 (en) * 2017-03-06 2018-09-13 Acm Research (Shanghai) Inc. Apparatus for cleaning semiconductor substrates
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
JP7357625B2 (ja) 2018-02-19 2023-10-06 ティーイーエル マニュファクチュアリング アンド エンジニアリング オブ アメリカ,インコーポレイテッド 制御可能なビームサイズの処理噴霧を有する小型電子機器処理システム
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11545387B2 (en) 2018-07-13 2023-01-03 Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. Magnetic integrated lift pin system for a chemical processing chamber
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4448799A (en) * 1983-04-21 1984-05-15 Multi-Arc Vacuum Systems Inc. Arc-initiating trigger apparatus and method for electric arc vapor deposition coating systems
AT389959B (de) 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben
US5156174A (en) * 1990-05-18 1992-10-20 Semitool, Inc. Single wafer processor with a bowl
EP0611274B1 (de) 1993-02-08 1998-12-02 SEZ Semiconductor-Equipment Zubehör für die Halbleiterfertigung AG Träger für scheibenförmige Gegenstände
KR100248565B1 (ko) * 1993-03-30 2000-05-01 다카시마 히로시 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치
US5352898A (en) * 1993-05-18 1994-10-04 Atlantic Richfield Company Method and apparatus for preparing slurry specimens for cryo-scanning electron microscopy
US5472502A (en) * 1993-08-30 1995-12-05 Semiconductor Systems, Inc. Apparatus and method for spin coating wafers and the like
JP3099054B2 (ja) * 1994-09-09 2000-10-16 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及びその方法
US5772770A (en) 1995-01-27 1998-06-30 Kokusai Electric Co, Ltd. Substrate processing apparatus
CA2210762C (en) * 1995-04-03 2008-06-17 Sulzer Electronics Ag Rotary machine with an electromagnetic rotary drive
DE19622402C1 (de) * 1996-06-04 1997-10-16 Siemens Ag Vorrichtung zum Behandeln wenigstens eines Substrats sowie Verwendung der Vorrichtung
JPH11297800A (ja) * 1998-04-09 1999-10-29 Nec Kyushu Ltd 半導体装置製造用装置
US6416647B1 (en) * 1998-04-21 2002-07-09 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates
JP4526136B2 (ja) * 1998-06-08 2010-08-18 株式会社日立国際電気 被処理物搬送装置、半導体製造装置及び被処理物の処理方法
EP0986162B1 (de) * 1998-08-24 2007-12-05 Levitronix LLC Sensoranordnung in einem elektromagnetischen Drehantrieb
US6485531B1 (en) * 1998-09-15 2002-11-26 Levitronix Llc Process chamber
US6680253B2 (en) * 1999-01-22 2004-01-20 Semitool, Inc. Apparatus for processing a workpiece
US6221781B1 (en) * 1999-05-27 2001-04-24 Fsi International, Inc. Combined process chamber with multi-positionable pedestal
TW504776B (en) * 1999-09-09 2002-10-01 Mimasu Semiconductor Ind Co Wafer rotary holding apparatus and wafer surface treatment apparatus with waste liquid recovery mechanism
US6774056B2 (en) * 1999-11-10 2004-08-10 Semitool, Inc. Sonic immersion process system and methods
JP2002134596A (ja) * 2000-10-25 2002-05-10 Tokyo Electron Ltd 処理装置
KR100887360B1 (ko) * 2001-01-23 2009-03-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP3511514B2 (ja) * 2001-05-31 2004-03-29 エム・エフエスアイ株式会社 基板浄化処理装置、ディスペンサー、基板保持機構、基板の浄化処理用チャンバー、及びこれらを用いた基板の浄化処理方法
US7171973B2 (en) * 2001-07-16 2007-02-06 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP3984004B2 (ja) * 2001-07-16 2007-09-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
WO2003021642A2 (en) 2001-08-31 2003-03-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing a wafer
JP4018958B2 (ja) * 2001-10-30 2007-12-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR100422452B1 (ko) * 2002-06-18 2004-03-11 삼성전자주식회사 로드락 챔버용 스토리지 엘리베이터 샤프트의 실링장치
JP3866655B2 (ja) * 2002-12-26 2007-01-10 励起 渡辺 処理装置及び処理方法
US7837803B2 (en) 2003-03-20 2010-11-23 Lam Research Ag Device and method for wet treating disc-shaped articles
CN101308766B (zh) * 2003-06-24 2010-06-09 兰姆研究股份公司 湿处理盘状基片的部件和方法
US7654221B2 (en) * 2003-10-06 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
US20070000527A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Aegerter Brian K Workpiece support for use in a process vessel and system for treating microelectronic workpieces
JP2007088398A (ja) * 2004-12-14 2007-04-05 Realize Advanced Technology Ltd 洗浄装置、この洗浄装置を用いた洗浄システム、及び被洗浄基板の洗浄方法
US8544483B2 (en) * 2005-04-01 2013-10-01 Tel Fsi, Inc. Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids
US7416607B2 (en) * 2005-05-25 2008-08-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Fluid injection apparatus for semiconductor processing
TWI343840B (en) * 2005-07-06 2011-06-21 Applied Materials Inc Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
WO2007080707A1 (ja) * 2006-01-10 2007-07-19 Tokyo Electron Limited 基板洗浄装置、基板洗浄方法、基板処理システムならびに記録媒体
US7794546B2 (en) * 2006-03-08 2010-09-14 Tokyo Electron Limited Sealing device and method for a processing system
JP4937278B2 (ja) * 2006-03-08 2012-05-23 ラム・リサーチ・アクチエンゲゼルシヤフト 板状物品の流体処理用装置
KR100797079B1 (ko) * 2006-07-12 2008-01-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR100816740B1 (ko) * 2006-08-30 2008-03-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US7378618B1 (en) 2006-12-14 2008-05-27 Applied Materials, Inc. Rapid conductive cooling using a secondary process plane
TWI359456B (en) * 2006-12-15 2012-03-01 Lam Res Ag Device and method for wet treating plate-like arti
JP2008153521A (ja) 2006-12-19 2008-07-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回収カップ洗浄方法および基板処理装置
WO2010070562A2 (en) * 2008-12-19 2010-06-24 Lam Research Ag Device for treating disc-like articles and method for oparating same
EP2372749B1 (de) * 2010-03-31 2021-09-29 Levitronix GmbH Behandlungsvorrichtung zur Behandlung einer Oberfläche eines Körpers
US8485204B2 (en) * 2010-05-25 2013-07-16 Lam Research Ag Closed chamber with fluid separation feature
US20130101372A1 (en) * 2011-10-19 2013-04-25 Lam Research Ag Method and apparatus for processing wafer-shaped articles
US8899246B2 (en) * 2011-11-23 2014-12-02 Lam Research Ag Device and method for processing wafer shaped articles
US8974632B2 (en) * 2011-11-30 2015-03-10 Lam Research Ag Device and method for treating wafer-shaped articles
US9548223B2 (en) * 2011-12-23 2017-01-17 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles

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