JP6117652B2

JP6117652B2 - 表示装置

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Publication number: JP6117652B2
Application number: JP2013170219A
Authority: JP
Inventors: 山崎　舜平; 舜平山崎; 平形　吉晴; 吉晴平形; 毅西
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2012-08-28
Filing date: 2013-08-20
Publication date: 2017-04-19
Anticipated expiration: 2033-08-20
Also published as: KR102161078B1; JP6415622B2; US20160336538A1; JP2017126081A; US20140065430A1; JP2014063723A; US9406698B2; KR20140029181A; US10170726B2

Description

本発明は、物、方法、または、製造方法に関する。本発明は、例えば、半導体装置、表示装置、発光装置、または、それらの製造方法に関する。特に、本発明は、例えば、酸化物半導体を有する半導体装置、表示装置、または、発光装置に関する。または、本発明は、画像を表示するための表示装置に関する。

近年、携帯電話機、スマートフォン、パーソナルコンピュータ、タブレット端末、携帯型ゲーム機器、携帯型音楽プレーヤなど様々な携帯型の電子機器の普及が進んでいる。

表示部には、代表的には発光素子を備える発光装置、液晶表示装置、電気泳動方式や電子粉流体方式などにより表示を行う電子ペーパなどを適用することができる。

例えば発光素子においては、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の物質を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の物質からの発光が得られる。

上述の発光素子は自発光型であるため、これを用いた発光装置は、視認性に優れ、バックライトが不要であり、消費電力が少ない等の利点を有する。さらに、薄型軽量に作製でき、応答速度が高いなどの利点も有する。

また、薄型軽量化に加えて、可撓性や耐衝撃性の向上を目的に、上述の発光素子を有する発光装置に可撓性を有する基板（以下、可撓性基板という。）を採用することが検討されている。

一方で、表示装置における表示素子を駆動するためのトランジスタとして、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を用いたトランジスタが広く用いられている。このようなトランジスタに適用可能な半導体薄膜としてシリコン系半導体材料が広く知られているが、近年酸化物半導体が注目されている。

酸化物半導体として、例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）を用いるトランジスタや、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍを用いるトランジスタが挙げられる。チャネル形成領域に酸化物半導体膜を用いてトランジスタなどのスイッチング素子を形成し、アクティブマトリクス型の表示装置を作製する技術も進められている。

例えば、特許文献１及び特許文献２では、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを、表示素子の制御に用いた表示装置が記載されている。酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、広く普及している非晶質シリコンを用いたトランジスタよりも電界効果移動度が高く、多結晶シリコンを用いたトランジスタよりも高いスループットや低コストで作製が可能であり、またトランジスタのオフリークが極めて低く、スイッチング特性が良好である等の多くの利点を有する。

特開２００７−１２３８６１号公報特開２００７−１６５８６１号公報

しかしながら、従来の表示装置においては表示装置の長期信頼性という点で、必ずしも十分な信頼性が確保されていないという問題があった。すなわち、従来の表示装置では、一組の基板の間に表示領域を設け、さらに該表示領域を囲むように基板間にシール材を設けて基板を貼り合わせることで、表示素子を封止している。しかし、封止領域の内部へ外部から水等の水分が侵入した場合、表示素子や表示素子を駆動するためのトランジスタの特性が悪化し、素子の破壊や動作不良が生じるおそれがある。

特に、一組の基板に可撓性基板を用いた場合には、１回又は複数回にわたる基板の湾曲により、封止性能が劣化して、より信頼性を損ねるおそれがある。

また、携帯型の電子機器等では、表示部の大面積化が求められている。一般に表示装置は、表示領域と周辺領域（額縁ともいう）を有し、周辺領域は面積が小さいことが好ましい。周辺領域の面積が大きくなると、表示領域の基板面積に対する占有面積が小さくなるため、結果として表示装置における表示部分が小さくなってしまう。

そこで、本発明の一態様において、表示装置が有する表示素子の信頼性を向上させた表示装置を提供することを課題の一とする。

あるいは、本発明の一態様において、表示装置が有するトランジスタの信頼性を向上させた表示装置を提供することを課題の一とする。

あるいは、本発明の一態様において、表示装置における周辺領域の面積の増大を抑制した表示装置を提供することを課題の一とする。

あるいは、本発明の一態様において、表示装置が有する表示素子の信頼性を向上させた表示装置の作製方法を提供することを課題の一とする。

あるいは、本発明の一態様において、表示装置が有するトランジスタの信頼性を向上させた表示装置の作製方法を提供することを課題の一とする。

あるいは、本発明の一態様において、表示装置における周辺領域の面積の増大を抑制した表示装置の作製方法を提供することを課題の一とする。

または、本発明の一態様は、オフ電流の低い半導体装置などを提供することを課題とする。または、本発明の一態様は、消費電力の低い半導体装置などを提供することを課題とする。または、本発明の一態様は、目に優しい表示装置などを提供することを課題とする。または、本発明の一態様は、透明な半導体層を用いた半導体装置などを提供することを課題とする。または、本発明の一態様は、信頼性の高い半導体層を用いた半導体装置などを提供することを課題とする。

なお、本発明の一態様では、上記に掲げる課題のうち、少なくとも一つを解決すればよい。

そこで、本発明の一態様は、可撓性を有する一組の基板の間に表示素子を含む表示領域を有し、表示領域は、一続きの第１の部材によって囲まれ、第１のシール材は、一続きの第２の部材によって囲まれ、第２のシール材は、一組の基板間、及び一組の基板の少なくとも一方の基板の側面に設けられている表示装置である。

ここで、第２のシール材とは、表示素子やトランジスタに対して不純物となる物質（水など）が、外部から侵入することを防止又は抑制する機能を少なくとも有するものをいう。なお、第２のシール材に別の機能を付加してもよい。例えば、構造を強化する機能、接着性を強化する機能、耐衝撃性を強化する機能などを第２のシール材が有していてもよい。

また、本明細書において「可撓性を有する基板」又は「可撓性基板」とは、基板の資質として湾曲することが可能な基板のことをいう。従って、製造した表示装置が湾曲を有した一定の形態で固定されたものであって、これに用いられる基板は「可撓性を有する基板」又は「可撓性基板」から除外されるものではない。

また、本明細書においてシール材又はそれを構成する部材が「一続き」であるとは、シール材又はそれを構成する部材が閉ループを形成するように連続していることであり、これにより外部の汚染物質の侵入を防止又は抑制する機能を発現することを趣旨とする。従って、シール材又はそれを構成する部材の形成段階において、これらを断続的に又は部分的に形成しても最終的に「一続き」となればよく、シール材又はそれを構成する部材が分かれるような形状であっても、全体として「一続き」の部分を有していればよい。

また、本発明の一態様は、可撓性を有する第１の基板上に、表示領域を囲んで一続きの第１のシール材を形成し、第１の基板上に、第１のシール材を介して可撓性を有する第２の基板を貼り合わせ、第１の基板と第２の基板の間隙、及び第１の基板と第２の基板の少なくとも一方の基板の側面に、第１のシール材を囲んで一続きの第２のシール材を形成する表示装置の作製方法である。

本発明の一態様により、表示装置が有する表示素子の信頼性を向上させた表示装置を提供することができる。

また本発明の一態様により、表示装置が有するトランジスタの信頼性を向上させた表示装置を提供することができる。

また本発明の一態様により、表示装置における周辺領域の面積の増大を抑制した表示装置を提供することができる。

また本発明の一態様により、表示装置が有する表示素子の信頼性を向上させた表示装置の作製方法を提供することができる。

また本発明の一態様により、表示装置が有するトランジスタの信頼性を向上させた表示装置の作製方法を提供することができる。

また本発明の一態様により、表示装置における周辺領域の面積の増大を抑制した表示装置の作製方法を提供することができる。

表示装置の一態様を示す斜視図及び平面図。表示装置の一態様を示す断面図。表示装置の一態様を示す断面図。表示装置の作製方法の一例を示す図。表示装置の作製方法の一例を示す図。表示装置の一態様を示す斜視図及び平面図。表示装置の一態様を示す断面図。表示装置の一態様を示す断面図。表示装置の作製方法の一例を示す図。表示装置の作製方法の一例を示す図。表示装置の作製方法の一例を示す図。表示装置の一態様を示す断面図。表示装置の一態様を示す断面図。表示装置の発光素子を説明する図。電子機器を示す図。電子機器を示す図。

以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、膜の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。

なお、本明細書等において、第１、第２等として付される序数詞は、便宜上用いるものであり、工程順又は積層順を示すものではない。また、本明細書等において発明を特定するための事項として固有の名称を示すものではない。

本明細書において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置されている状態をいう。従って、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態をいう。従って、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。

また、本明細書において、結晶が三方晶または菱面体晶である場合、六方晶系として表す。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明に係る表示装置の一形態を、図１乃至図３を用いて説明する。

図１（Ａ）は、本発明に係る表示装置の一形態を鳥瞰した斜視図である。表示装置１００は、可撓性基板１０１と、可撓性基板１０１に対向して設けられた可撓性基板１０２と、可撓性基板１０１に電気的に接続されたＦＰＣ（フレキシブルプリント回路基板）１０８を有する。可撓性基板１０１と可撓性基板１０２とはシール材（図示せず）により接着され、さらにその側面に該シール材とは異なるシール材１０６が設けられている。

図１（Ａ）に示すように、本発明に係る表示装置は、対向する一組の基板にそれぞれ可撓性を有する基板を用いている。このため、表示装置１００全体が可撓性（フレキシビリティ）を有する。従って、本発明に係る表示装置は、図１（Ａ）に示すように表示装置が上に凸になるように湾曲することができ、また図示しないが、下に凸となるように、あるいは波状となるように湾曲させることができ、さらに表示装置を捻った形状とすることもできる。このため、本発明に係る表示装置を、電子機器等の曲面形状を有する表示部に適用することができる。

図１（Ｂ）は、本発明に係る表示装置の上面図である。図１（Ｂ）においては、表示装置は湾曲していない状態を示している。図１（Ｂ）に示すように、本発明に係る表示装置１００は、可撓性基板１０１と、可撓性基板１０１上に対向して設けられた可撓性基板１０２と、可撓性基板１０１に電気的に接続されたＦＰＣ１０８とを有する。本実施の形態に係る表示装置が有する可撓性基板１０１には、ＦＰＣ１０８を接続するための領域が必要である。このため、可撓性基板１０１が有する四辺のうち少なくとも１辺には、可撓性基板１０２と対向しないオフセット領域を有する。すなわち、可撓性基板１０２は、可撓性基板１０１よりも面積が小さい。

表示装置１００は、表示領域１０３を有する。表示領域１０３には表示素子が設けられ、一続きのシール材１０５によって囲まれている。またシール材１０５は、可撓性基板１０１と、これに対向する可撓性基板１０２とを接着している。

図１に示す表示装置１００においては、シール材１０５で囲まれた領域に走査線駆動回路１０４ａ、１０４ｂが表示領域１０３を挟んで設けられている。一方、信号線駆動回路は、ＩＣチップ１０７に形成され、ＣＯＦ（チップオンフィルム）技術を用いて可撓性基板１０１のオフセット領域に設けられている。また、外部信号の入力や電力の供給を行うため可撓性基板１０１のオフセット領域における外部入力端子１０９に、ＦＰＣ１０８が電気的に接続している。しかし、本発明に係る表示装置においてはこのような構成に限られず、走査線駆動回路及び信号線駆動回路の双方をそれぞれＩＣチップに形成して可撓性基板１０１に配置してもよく、あるいは走査線駆動回路及び信号線駆動回路の双方を可撓性基板１０１上に一体形成してもよい。

ここで、表示装置１００の側面には、シール材１０５とは異なるシール材１０６が設けられている。具体的には、シール材１０６は、表示装置１００においてＦＰＣ１０８が接続する１辺（オフセット領域が設けられた辺）では可撓性基板１０２の側面及び可撓性基板１０１の上面に設けられており、その他の３辺（オフセット領域が設けられていない辺）では可撓性基板１０１の側面及び可撓性基板１０２の側面に、全体として閉ループを形成するように一続きに設けられている。

このように、表示装置１００において、シール材１０５及びシール材１０６により表示領域１０３を囲む二重の封止構造を形成することで、表示領域１０３に水や水分等の侵入を防止又は抑制することが可能になり、可撓性を有する表示装置１００の信頼性を向上させることができる。

次に、図２及び図３を用いて、本発明の態様の一に係る表示装置１００の封止構造について詳説する。図２（Ａ）乃至（Ｃ）及び図３は、それぞれ異なる封止構造をとる表示装置であり、いずれも図１（Ｂ）の表示装置１００の上面図に示すＡ−Ａ’の箇所の断面を示す。

図２（Ａ）は、表示装置１００の封止構造の一例を示す表示装置１００ａの断面図である。可撓性基板１０１上に、可撓性基板１０１に対向して可撓性基板１０２が設けられている。可撓性基板１０１と可撓性基板１０２とはシール材１０５によって貼り合わされている。可撓性基板１０１上には絶縁層１１０が設けられ、絶縁層１１０上に素子層１１１が設けられている。従って、可撓性基板１０１は素子基板とよぶこともできる。

絶縁層１１０は、素子層１１１の下地膜として機能するもので、素子層１１１を形成するための平坦性の確保や、素子層１１１と可撓性基板１０１との絶縁分離、可撓性基板１０１から素子層１１１への汚染物質の侵入防止等、種々の機能を持たせることができる。

素子層１１１は、表示領域１０３に画像を表示するための表示素子や、表示素子を駆動するための素子を少なくとも含む層である。表示素子とは例えば有機ＥＬを用いた発光素子であり、表示素子を駆動するための素子とは例えばチャネル形成領域に半導体膜を用いたトランジスタである。また、これらを電気的に接続する配線層や、外部からの信号を伝達するための配線層、絶縁分離するための絶縁層、その他走査線駆動回路等を素子層１１１に含んでいてもよい。

なお、図中では素子層１１１は、シール材１０５に囲まれた領域内に設けられているが、素子層１１１を構成する全ての要素がシール材１０５内のみに設けられている必要はなく、例えば表示素子を駆動するための素子の形成に用いられる絶縁層がそのままシール材１０５の外部へ延在していてもよく、該素子に接続する配線層がそのままシール材１０５の外部へ延在していてもよい。すなわち、シール材の素子層１１１が含む表示素子及び表示素子を駆動するための素子が少なくともシール材１０５の内部にのみ設けられていればよい。

表示素子としては、有機ＥＬを用いた発光素子を用いることができる。図２（Ａ）では、発光素子を表示素子として用いることで、発光素子からの光を上方に射出させる上方射出型（トップエミッション型）の表示装置とすることができる。

一方、可撓性基板１０１に対向して設けられた可撓性基板１０２上（図においては可撓性基板１０２の下）には、カラーフィルタ層１１２が設けられている。カラーフィルタ層１１２は、例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色それぞれのカラーフィルタ、遮光層（ブラックマトリクス）、オーバーコート層等により構成される。ただし、これらの構成は表示装置１００の表示方式等に応じて適宜付加、削除することができる。例えば、表示装置１００が素子層１１１に発光素子を有する発光装置である場合において、ＲＧＢそれぞれの光を発光する発光素子がそれぞれ設けられている場合には、カラーフィルタを用いない構成としてもよい。また、可撓性基板１０１が透明又は半透明な部材を用いた場合には、下方へ発光素子の光を照射する下方射出方式の発光装置とすることができ、この場合にはカラーフィルタ層１１２は不要となる。

図２（Ａ）に示すように、可撓性基板１０２は可撓性基板１０１よりも面積が小さく、可撓性基板１０１が可撓性基板１０２と対向せずに露出する部分を有する。これを本明細書ではオフセット領域とよぶ。このオフセット領域に、外部信号の入力や電力の供給を行うためのＦＰＣ１０８が電気的に接続されている。図示しないが、ＦＰＣ１０８は外部入力端子において、異方性導電膜１１３を介して、シール材１０５内部に設けられた素子層１１１と電気的に接続する。

異方性導電膜１１３は、熱硬化性、又は熱硬化性及び光硬化性の樹脂に導電性粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート状の材料を硬化させたものである。光照射や熱圧着によって異方性の導電性を示す材料となる。異方性導電膜１１３に用いられる導電性粒子としては、例えば球状の有機樹脂をＡｕやＮｉ、Ｃｏ等の薄膜状の金属で被覆した粒子を用いることができる。

シール材１０５は、上述したような可撓性基板１０１と可撓性基板１０２とを接着する機能を有するとともに、シール材１０５により囲まれた領域内部へ、表示素子や表示素子を駆動するための素子に対して不純物となる水等の汚染物質の侵入を防止又は抑制する機能を有する。従って、シール材１０５は、表示領域１０３を囲んで一続きに形成されていることが好ましい。さらに、可撓性基板１０１と可撓性基板１０２との基板間隔を保持する機能を有していてもよく、また表示装置１００ａに加わる衝撃や応力を緩和する機能を有していてもよい。

シール材１０５としては、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂などの樹脂材料を用いることができる。これらの樹脂材料には、熱硬化型、光硬化型又はその両方のいずれを用いてもよい。また、シール材１０５として、アクリル系樹脂とエポキシ系樹脂とを混合するような、異なる種類の樹脂を混合した樹脂を用いてもよい。これらの樹脂に、ＵＶ開始剤、熱硬化剤、カップリング剤など適宜混合して用いる。また、シール材１０５はフィラーを含んでいてもよい。フィラーには、シリカ等の無機絶縁物からなる球体又は円柱体等を用いることができる。フィラーを混入させることで、シール材１０５の粘度や強度を調整することができる。また、フィラーの大きさを適切に設計することで、可撓性基板１０１及び可撓性基板１０２の間隔を一定に保持させる機能を具備させることができる。

また、シール材１０５としては、上記の樹脂の他に、低融点ガラスを含むフリットガラス（ガラスフリットを用いたガラス材料）を用いることができる。シール材１０５としてフリットガラスを用いた場合、樹脂を用いた場合に比べて高い気密性を得ることができる。

このように、シール材１０５を配置することで、表示領域１０３を外部から遮断して、水分等の汚染物質の表示領域１０３への侵入を防止又は抑制することができる。また、これに加えて、可撓性基板１０１と可撓性基板１０２とを接着して、表示装置の強度を向上させることができる。従って、信頼性の高い可撓性を有する表示装置を作製することができる。

シール材１０６は、部材１０６ａと部材１０６ｂとにより構成される。シール材１０６は、シール材１０５を囲むようにシール材１０５の外側に設けられており、可撓性基板１０１と可撓性基板１０２とシール材１０５とで形成される基板間の間隙部分と、可撓性基板１０１と可撓性基板１０２との側面に接して設けられている。ただし、表示装置１００ａのオフセット領域のある辺においては、シール材１０６は、該間隙部分と、可撓性基板１０２の側面及び可撓性基板１０１の上面に接して設けられている。

シール材１０６は、表示素子やトランジスタに対して不純物となる物質（水など）が、外部から侵入することを防止又は抑制する機能を少なくとも有するものである。なお、シール材１０６は、その他の機能を有していてもよい。例えば、構造を強化する機能、接着性を強化する機能、耐衝撃性を強化する機能などがあげられる。

以上に示したシール材１０５及びシール材１０６は、透湿度が低いほど好ましい。

ここで、透湿度とは、１日当たりに単位面積（１ｍ^２）のフィルム等の材料を透過する水の質量（単位ｇ／ｍ^２・ｄａｙ）を表したものである。透湿度を低くすることにより、外部からの水や水分等の不純物の侵入を防止又は抑制することができる。

上記透湿度は、ＭＯＣＯＮ法やカップ法と呼ばれる透湿性試験により算出することができる。ＭＯＣＯＮ法とは、測定対象となる材料を透過する水蒸気を、赤外線センサを用いて測定する方法である。また、カップ法は、測定対象となる材料を透過した水蒸気を、カップに入っている吸湿剤に吸水させ、吸水した吸湿剤の重量変化から透湿度を測定する方法である。

透湿度としては、例えば発光装置用途に市販されているシール材では、１００μｍの膜厚とした場合に１６ｇ／ｍ^２・ｄａｙである。また、ガラスフリットを用いて形成されたガラス層をシール材として用いる場合には、０．０１ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下である。従って、本願発明に係る封止構造を用いることで、表示装置の上記透湿度を上記に記載した透湿度以下とすることができる。

シール材１０６には、種々の材料及び構造を適用することができる。以下、具体的なシール材１０６の例について、図２（Ａ）乃至図２（Ｃ）、及び図３を用いて説明する。

図２（Ａ）に示す表示装置１００ａにおいては、シール材１０６は、最外周に設けられた部材１０６ｂと、該部材１０６ｂと基板との間に設けられた部材１０６ａとにより構成される。

部材１０６ｂは、例えば金属材料又はプラスチック材料等を適用することができ、金属材料としては、例えばアルミニウム、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、鉛、ニッケルなどを含む材料を適用できる。このような材料は樹脂材料に比べて透湿度が低いため、部材１０６ｂを設けることで表示装置の信頼性を向上させることができる。

また、部材１０６ｂとしてはんだを用いてもよい。はんだは、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｐｂ−Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ系、Ｐｂ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｚｎ系等の成分の材料を用いることができる。特にＰｂは人体又は環境に有害であるため、無鉛はんだを使用することが好ましい。このとき、はんだの融点は、部材１０６ａの融点よりも低いことが好ましい。

部材１０６ａは、可撓性基板１０１の側面及び可撓性基板１０２の側面と、部材１０６ｂとの間に位置し、表示領域１０３を封止する機能を有する他、これら可撓性基板１０１、１０２と部材１０６ｂとを接着させる機能を有していてもよい。

部材１０６ａとしては、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂などの樹脂材料を用いることができる。これらの樹脂材料には、熱硬化型、光硬化型又はその両方のいずれを用いてもよい。また、部材１０６ａとして、アクリル系樹脂とエポキシ系樹脂とを混合するような、異なる種類の樹脂を混合した樹脂を用いてもよい。これらの樹脂に、ＵＶ開始剤、熱硬化剤、カップリング剤など適宜混合して用いる。

また、部材１０６ａとして、上記の樹脂の他に、上述したフリットガラスを用いることができる。

なお、部材１０６ｂに適用可能な材料を用いて部材１０６ａを構成してもよい。このとき、必ずしも部材１０６ｂを設けなくてもよい。

図２（Ａ）において、部材１０６ａ及び部材１０６ｂは、可撓性基板１０１及び可撓性基板１０２の側面の一部に設けられているが、該側面の全面に設けられていてもよく、また可撓性基板１０１と可撓性基板１０２とが対向する面と反対の面（すなわち、素子層１１１やカラーフィルタ層１１２が設けられていない面）の一部にわたって設けられていてもよい。

部材１０６ｂ及び部材１０６ａの幅は、１ｍｍ以下、好ましくは０．５ｍｍ以下であることが好ましい。

このように、表示装置１００ａにおいては、素子層により形成された表示領域を、シール材１０５とシール材１０６とで二重に囲むことにより外部からの汚染物質の侵入を防止又は抑制することができる。このため、表示装置１００ａの長期にわたる十分な信頼性を確保することが可能になる。

図２（Ｂ）に示す表示装置１００ｂは、上述の表示装置１００ａに対し、シール材１０６を単一の部材１０６ｃのみで構成した点において異なる。従って、表示装置１００ｂの他の構成については、表示装置１００ａと同様である。

部材１０６ｃには、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂などの樹脂材料を用いることができる。これらの樹脂材料には、熱硬化型、光硬化型又はその両方のいずれを用いてもよい。また、部材１０６ｃとして、アクリル系樹脂とエポキシ系樹脂とを混合するような、異なる種類の樹脂を混合した樹脂を用いてもよい。これらの樹脂に、ＵＶ開始剤、熱硬化剤、カップリング剤など適宜混合して用いる。

また、部材１０６ｃとしてはんだを用いてもよい。はんだは、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｐｂ−Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ系、Ｐｂ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｚｎ系等の成分の材料を用いることができる。特にＰｂは人体又は環境に有害であるため、無鉛はんだを使うことが好ましい。このとき、はんだの融点は、シール材１０５の融点よりも低いことが好ましい。

また、部材１０６ｃとして、上記の樹脂やはんだの他に、上述したフリットガラスを用いることができる。

図２（Ｃ）に示す表示装置１００ｃは、上述の表示装置１００ｂと同様に、シール材１０６を単一の部材１０６ｄで構成した表示装置であるが、部材１０６ｄを可撓性基板１０１及び可撓性基板１０２の側面に加えて、可撓性基板１０１と可撓性基板１０２とが対向する面と反対の面（すなわち、素子層１１１やカラーフィルタ層１１２が設けられていない面）の一部にわたって設けられている。また、オフセット領域においては、ＦＰＣ１０８の一部や異方性導電膜１１３を覆うように、部材１０６ｄが設けられている。

このような構造とすることで、基板と部材１０６ｄとの接触面積を増加させて、封止性を高めることができる。また、基板端部や基板の角部を部材１０６ｄで覆うことにより、物理的な衝撃から基板を保護することができる。

特に、可撓性基板を用いた本発明に係る表示装置においては、表示装置が極めて薄型であるため、基板側面の全体を被覆することが、表示領域１０３の封止及び表示装置１００ｃの保護の点で好ましい。

図３に示す表示装置１００ｄは、部材１０６ｆ、１０６ｇ及び１０６ｅにより構成されるシール材１０６により封止された表示装置である。部材１０６ｆ及び部材１０６ｇは、それぞれ底蓋と上蓋として機能し、部材１０６ｅはそれら部材１０６ｆ及び部材１０６ｇと基板との間隙を埋める接着層としての機能を有する。

可撓性基板１０１と可撓性基板１０２とで挟持された構造体は、部材１０６ｆ及び部材１０６ｇからなる箱に内封されるため、基板側面が十分に封止され、表示装置１００ｄの信頼性が向上する。

部材１０６ｆ及び部材１０６ｇには、透湿度が低く、かつ可撓性を有する材料を用いることができる。部材１０６ｆ及び部材１０６ｇとしては、例えば金属材料やプラスチック材料、弾性を有する合成ゴム等を適用することができ、金属材料としては、例えばアルミニウム、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、鉛、ニッケルなどを含む材料を薄く延ばして用いることができる。

本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明に係る表示装置の作製方法の一例として、実施の形態１で示した表示装置１００ａの作製方法を、図４及び図５を用いて説明する。

まず、図４（Ａ）に示すように、可撓性基板１０１上に、絶縁層１１０を介して素子層１１１を形成する。

可撓性基板１０１は、例えば可撓性を有する金属基材を用いることができる。当該基材としては金属元素を含む材料で構成され、厚さが薄い基材（シート又はフィルムなど）を用いることができ、具体的にはチタンなどの金属シート又は金属フィルム、若しくはステンレス鋼などの合金シート又は合金フィルムを用いることができる。中でも、比較的安価で入手しやすいステンレス鋼のシート又はフィルムとすることが好ましい。

また、金属基材の他、耐熱性を有する樹脂基材を用いてもよい。樹脂基材としては、可撓性を有する基板を用いることができ、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、環状非晶ポリオレフィン（ＣＯＰ）などを好適に用いることができる。また、可撓性基板１０１は、熱膨張係数が３０ｐｐｍ／Ｋ以下、さらに好ましくは１０ｐｐｍ／Ｋ以下がよい。また、可撓性基板１０１にはあらかじめ窒化シリコンや酸化窒化シリコン等の窒素と珪素を含む膜や窒化アルミニウム等の窒素とアルミニウムを含む膜のような透水性の低い保護膜を成膜しておいても良い。なお、可撓性基板１０１として繊維体に有機樹脂が含浸された構造物（所謂、プリプレグとも言う）を用いてもよい。

本実施の形態において、シール材にフリットガラスを用いる場合、レーザー照射を行うため、可撓性基板１０１には樹脂材料に比べて耐熱性を有する金属基材を用いることが好ましい。

絶縁層１１０は、スパッタリング法やＣＶＤ法により成膜することができる。絶縁層１１０としては無機絶縁膜で形成されていることが好ましく、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜及び窒化酸化絶縁膜から選択される絶縁膜の単層構造又は多層構造とすればよい。なお、「窒化酸化」とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いことをいい、「酸化窒化」とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いことをいう。

またシール材１０５にフリットガラスを用いる場合、一般に、酸化珪素を含む基材（板状、シート状、又はフィルム状のガラス基板、若しくは酸化シリコン膜など）との密着性と比較した場合、フリットガラスは金属元素を含む材料の基材（例えば、金属板、金属シート又は金属フィルムなど）との密着性に乏しいとされるが、酸化珪素膜等の絶縁層１１０を形成することで十分な密着性を確保することができる。

素子層１１１は、少なくとも発光素子等の表示素子と、該表示素子を駆動するトランジスタ等の素子とを含む層である。素子層１１１については後述する。

素子層１１１に含まれ、走査線駆動回路１０４ａ、１０４ｂ等と電気的に接続する配線は、素子層１１１に含まれる表示素子を駆動する素子と電気的に接続されている。当該配線は当該表示素子を駆動する素子を構成する導電層を用いて形成してもよく、当該表示素子を駆動する素子とは別に設ける導電層で形成してもよい。

次に、図４（Ｂ）に示すように、表示領域１０３を囲むようにシール材１０５を設ける。

シール材１０５に例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂などの樹脂材料を用いる場合、例えばスクリーン印刷装置、インクジェット装置、又はディスペンス装置などを用いて、閉ループ状に一続きのシールパターンを形成する。なお、シールパターンを、矩形状、円形状、楕円形状、又は多角形状にしてもよい。

シール材１０５にフリットガラスを用いて形成する場合、例えばディスペンス装置や印刷装置を用いて、ガラス粉末と接着性を有する有機樹脂を混合したフリットペーストを、絶縁層１１０上に、表示領域１０３を囲んで一続きに形成する。その後熱処理を行い、該フリットペースト中の有機物を除去し、該フリットペーストを硬化させることによりシール材１０５を形成する。

また、フリットガラスに用いられるガラス粉末としては、例えば酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化テルル、酸化アルミニウム、二酸化シリコン、酸化鉛、酸化スズ、酸化リン、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化鉄、酸化銅、酸化チタン、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化アンチモン、ホウ酸鉛ガラス、リン酸スズガラス、バナジン酸塩ガラス、及びホウケイ酸ガラスのうち、一つ又は複数を含む材料を適用できる。

この後、図示しないがフリットガラスに、可撓性基板１０１の上面方向から第１のレーザー光を照射して焼成し、フリットガラス中のガラス粉末成分を結合させる。

第１のレーザー光は、フリットガラスを加熱することができれば特に限定はなく、様々なレーザー光源を用いることができる。例えば、エキシマレーザーに代表される気体レーザー、ＹＡＧレーザーに代表される固体レーザーを光源として用いることができる。固体レーザーは、気体レーザーよりも小型であり量産性に優れているため、レーザー光の波長としては、赤外光域であることが好ましく、波長７８０ｎｍから２０００ｎｍが適用される。例えば、波長８１０ｎｍ又は波長９４０ｎｍのレーザー光は有機樹脂に吸収されにくく、加熱されにくいため、後述する部材１０６ａの位置をフリットガラスにできる限り近づけて形成することができる。そして、表示領域１０３の端部をフリットガラスにできる限り近づけて形成できることから、表示装置１００を狭額縁化、及び高精細化することができる。なお、レーザー光において、ビーム形状は特に限定はなく、矩形状、線状、又は円状などとすることができる。

次に、図４（Ｃ）に示すように、可撓性基板１０１に対向するように可撓性基板１０２を貼り合わせる。

可撓性基板１０２には、例えば強度が高く、光透光性を有する可撓性の薄板ガラスを用いることができる。

可撓性基板１０２にはあらかじめカラーフィルタ層１１２を設けておく。

位置合わせして可撓性基板１０１上に可撓性基板１０２を配置した後、シール材１０５を硬化させて、可撓性基板１０１と可撓性基板１０２を接着する。

シール材１０５にエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料を用いる場合には、紫外線硬化型であれば紫外光１２０を照射し、熱硬化型であれば加熱して硬化させる。

一方、シール材１０５がフリットガラスを用いる場合には、透光性を有する可撓性基板１０２を介して、第２のレーザー照射によりフリットペースト中の有機物を除去し、該フリットペーストを硬化させてもよい。第２のレーザー照射は、第１のレーザー照射と同様のレーザー光を用いることができる。

次に、シール材１０５の外周にシール材１０６を設ける。本実施の形態においては、シール材１０６は、部材１０６ａと部材１０６ｂにより構成される。

まず、図４（Ｄ）において、シール材１０５を用いて可撓性基板１０１及び可撓性基板１０２を貼り合わせた構造体の側面を、部材１０６ａを用いて封止する。

部材１０６ａは、ディスペンス装置等を用いて、可撓性基板１０１及び可撓性基板１０２の側面、可撓性基板１０１及び可撓性基板１０２の基板間、オフセット領域においては可撓性基板１０２の側面、可撓性基板１０１及び可撓性基板１０２の基板間、可撓性基板１０１の上面に形成する。

部材１０６ａとしては、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂などの樹脂材料を用いることができる。これらの樹脂材料には、熱硬化型、光硬化型又はその両方のいずれを用いてもよい。また、部材１０６ａとして、アクリル系樹脂とエポキシ系樹脂とを混合するような、異なる種類の樹脂を混合した樹脂を用いてもよい。これらの樹脂に、ＵＶ開始剤、熱硬化剤、カップリング剤など適宜混合して用いる。また、部材１０６ａとして、上述したフリットガラスを用いることができる。これらの材料を用いて可撓性基板１０１及び可撓性基板１０２の側面等に部材１０６ａを配置する場合、例えばディスペンス装置を用いることができる。可撓性基板１０２の外周に沿って、樹脂材料やフリットペーストを滴下する。

フリットガラスを部材１０６ａとして用いる場合には、ディスペンス装置等により滴下した後に、レーザー光を照射して仮焼成する。

また部材１０６ａは、これらの材料に限定されず、例えばガラスリボンなどを可撓性基板の周縁に沿って貼り、その後熱処理を行い、可撓性基板１０１及び可撓性基板１０２との間隙等を閉塞させて、部材１０６ａを形成してもよい。

次に、図５（Ａ）において、ペースト状の部材１０６ａの外側に、部材１０６ａと接して部材１０６ｂを設ける。部材１０６ｂとしては、例えば金属材料又はプラスチック材料等を適用することができ、金属材料としては、例えばアルミニウム、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、鉛、ニッケルなどを含む材料を適用できる。

また、部材１０６ｂとしてはんだを用いてもよい。はんだは、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｐｂ−Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ系、Ｐｂ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｚｎ系等の成分の材料を用いることができる。特にＰｂは人体又は環境に有害であるため、無鉛はんだを使うことが好ましい。このとき、はんだの融点は、部材１０６ａの融点よりも低いことが好ましい。

また、部材１０６ｂとしてはんだを用いる場合、例えば、加熱された工具（はんだこて）の先端部分から超音波を発振させながら、該工具によりはんだを部材１０６ａに付けることにより部材１０６ｂを形成してもよい。超音波により空洞現象が起こり、例えば部材１０６ａに形成される被膜を除去しつつ、部材１０６ｂを形成できるため、部材１０６ａと部材１０６ｂとの密着性を高めることができる。

次に、図５（Ｂ）において、部材１０６ａを硬化させて、シール材１０６による封止構造を形成する。

部材１０６ａがエポキシ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂材料を用いる場合には、紫外線硬化型であれば紫外光を照射し、熱硬化型であれば加熱して硬化させる。

一方、部材１０６ａにフリットガラスを用いる場合には、図５（Ｂ）に示すように、部材１０６ｂを介して、第２のレーザー照射によりフリットペースト中の有機物を除去し、該フリットペーストを硬化させる。第２のレーザー照射は、可撓性基板１０１及び可撓性基板１０２の側面方向から照射させる。例えば、可撓性基板１０１及び可撓性基板１０２の積層体を水平方向に回転させながら、該積層体と水平方向からレーザー光１２１を照射する。また、第２のレーザー照射は、第１のレーザー照射と同様のレーザー光を用いることができる。

なお、部材１０６ｂにはんだを用いる場合には、部材１０６ａに用いるフリットペーストをあらかじめ第２のレーザー光を照射して硬化させておくとよい。

次に、図５（Ｃ）において、オフセット領域にＦＰＣ１０８を接続する。接続は、異方性導電膜１１３を用いて可撓性基板１０１上に設けられた外部入力端子と電気的に接続する。

以上のようにして、シール材１０５及びシール材１０６を用いた表示領域１０３の二重の封止構造を形成することができる。

このような封止構造を形成することで、外部から水等の汚染物質が表示領域１０３に侵入することを困難にすることができ、表示装置１００ａの信頼性を向上させることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１で示した表示装置とは異なる本発明に係る表示装置の一形態を、図６乃至図８を用いて説明する。

図６（Ａ）は、本発明に係る表示装置の一形態を鳥瞰した斜視図である。表示装置２００は、実施の形態１で説明した表示装置１００に対して、可撓性基板２０１と可撓性基板２０２が概略同形であり、オフセット領域を有していない点において異なる。

可撓性基板２０１と、可撓性基板２０１に対向して設けられた可撓性基板２０２と、可撓性基板２０１に電気的に接続されたＦＰＣ（フレキシブルプリント回路基板）２０８を有する。可撓性基板２０１とＦＰＣ２０８とは、後述するが可撓性基板２０２に設けられた開口を介して電気的に接続されている。可撓性基板２０１と可撓性基板２０２とはシール材（図示せず）により接着され、さらにその側面に該シール材とは異なるシール材２０６が設けられている。

図６（Ａ）に示すように、本発明に係る表示装置は、対向する一組の基板にそれぞれ可撓性を有する基板を用いている。このため、表示装置２００全体が可撓性（フレキシビリティ）を有する。図６（Ａ）では表示装置が上に凸になるように湾曲しているが、下に凸となるように、あるいは波状や表示装置を捻った形状とすることもできる。このため、本発明に係る表示装置を、電子機器等の曲面形状を有する表示部に適用することができる。

図６（Ｂ）は、本発明の一態様に係る表示装置の上面図である。図６（Ｂ）においては、表示装置は湾曲していない状態を示している。図６（Ｂ）に示すように、本発明に係る表示装置２００は、可撓性基板２０１と、可撓性基板２０１上に対向して設けられた可撓性基板２０２と、可撓性基板２０１に電気的に接続されたＦＰＣ２０８とを有する。

ＦＰＣ２０８は可撓性基板２０２に設けられた開口を介して可撓性基板２０１と接続する。このため、実施の形態１で示した表示装置１００とは異なり、表示装置２００では、可撓性基板２０１と可撓性基板２０２のそれぞれの側面が概略同一平面上に位置する。

本発明に係る表示装置の一態様においては、可撓性基板２０１上に走査線駆動回路２０４ａ、走査線駆動回路２０４ｂが表示領域２０３を挟んで設けられている。一方、信号線駆動回路は、ＩＣチップ２０７に形成され、ＦＰＣ２０８上に設けられている。ＦＰＣ２０８は可撓性基板２０２に設けられた開口を介して可撓性基板２０１上に設けられた外部入力端子２０９と電気的に接続する。しかし、本発明に係る表示装置においてはこのような構成に限らず、走査線駆動回路及び信号線駆動回路の双方をそれぞれＩＣチップに形成してＦＰＣ２０８上に設けてもよく、走査線駆動回路及び信号線駆動回路の双方を可撓性基板２０１上に一体形成してもよい。

表示装置２００は上述した構造であるため、表示装置１００に比べ、比較的容易に基板側面にシール材２０６を設けることができる。なお、図６（Ｂ）においては、シール材は基板の側面のみに配置し、基板間には配置していないが、シール材２０６と異なるシール材を、基板間に別途配置してもよい。

このように、表示装置２００において、シール材２０６により表示領域２０３を囲む封止構造を基板側面に形成することで、表示領域２０３に水や水分等の侵入を防止又は抑制することが可能になり、表示装置２００の信頼性を向上させることができる。また、基板側面にのみシール材を設けた場合には、表示領域２０３の周辺領域の占有面積を縮小することができるため、狭額縁である表示装置を作製することができる。

次に、図７及び図８を用いて、本発明の態様の一に係る表示装置２００の封止構造について詳説する。図７（Ａ）乃至（Ｃ）及び図８は、それぞれ異なる封止構造をとる表示装置であり、いずれも図６（Ｂ）の表示装置２００の上面図に示すＢ−Ｂ’の箇所の断面を示す。

図７（Ａ）は、表示装置２００の封止構造の一例を示す表示装置２００ａの断面図である。可撓性基板２０１上に、可撓性基板２０１に対向して可撓性基板２０２が設けられている。

可撓性基板２０１と可撓性基板２０２との間には、素子層２１６、カラーフィルタ層２１８が設けられている。これらの層を可撓性基板上に形成するために、本実施の形態に係る表示装置２００においては、ガラス基板や石英基板といった基材上に薄膜トランジスタなどの半導体素子を作製した後、当該基材から半導体素子を分離して、他の基材（例えば可撓性基板）へと半導体素子を転置する技術を用いる。

後に詳説するが、上述の転置技術を用いるために、可撓性基板２０１上には被剥離層２１５、２１９及び接着層２１４、２１７、２２０が設けられている。

被剥離層２１５、２１９は、表示素子や表示素子を駆動する素子等を有する素子層２１６や、カラーフィルタ、遮光膜、オーバーコート膜等を有するカラーフィルタ層２１８を形成する際に用いる基材から分離するために必要な層であり、該基材上の剥離層から素子層２１６やカラーフィルタ層２１８を分離する際のバッファ層（緩衝層）として機能する層である。被剥離層２１５、２１９は、窒素を含む絶縁膜で形成することが好ましく、例えば、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、及び窒化酸化シリコンなどを単層構造又は多層構造で形成することができる。

また、接着層２１４、２１７、２２０は、分離した素子層２１６やカラーフィルタ層２１８どうし、又はこれらと可撓性基板とを貼り合わせるための層である。接着層２１４、２１７、２２０としては、紫外線硬化型接着剤などの光硬化型の接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、または嫌気型接着剤を用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、イミド樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂等を用いることができる。また、接着剤に光の波長以下の大きさの乾燥剤（ゼオライト等）や、屈折率の大きいフィラー（酸化チタンや、ジルコニウム等）を混合することにより、表示素子に発光素子を用いた場合には信頼性が向上し、又は発光素子からの光取り出し効率が向上するため好適である。

図７（Ａ）に示す表示装置２００ａにおいては、可撓性基板２０１、接着層２１４、被剥離層２１５、素子層２１６、接着層２１７、カラーフィルタ層２１８、被剥離層２１９、接着層２２０、可撓性基板２０２の順に積層されている。

ここで、接着層２１７、カラーフィルタ層２１８、被剥離層２１９からなる積層体は、可撓性基板２０１、接着層２１４、被剥離層２１５、素子層２１６からなる積層体よりも面積が小さい。すなわち表示部の端部において、素子層２１６が、接着層２１７、カラーフィルタ層２１８、被剥離層２１９からなる積層体に対して露出する部分（オフセット領域）を有する。このオフセット領域において、該領域上の接着層２２０及び可撓性基板２０２の一部を除去して開口を設け、該開口を介して素子層２１６とＦＰＣ２０８とが電気的に接続されている。

該開口内には異方性導電膜２１３が設けられている。従って、素子層２１６に設けられた外部入力端子とＦＰＣ２０８とは、異方性導電膜２１３を介して電気的に接続される。

表示装置２００ａにおいては、表示装置２００ａの側面に部材２０６ａが設けられ、部材２０６ａで表示領域を囲むことにより封止構造を形成している。

部材２０６ａには、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂などの樹脂材料を用いることができる。これらの樹脂材料には、熱硬化型、光硬化型又はその両方のいずれを用いてもよい。また、部材２０６ａとして、アクリル系樹脂とエポキシ系樹脂とを混合するような、異なる種類の樹脂を混合した樹脂を用いてもよい。これらの樹脂に、ＵＶ開始剤、熱硬化剤、カップリング剤など適宜混合して用いる。

また、部材２０６ａとしてはんだを用いてもよい。はんだは、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｐｂ−Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ系、Ｐｂ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｚｎ系等の成分の材料を用いることができる。特にＰｂは人体又は環境に有害であるため、無鉛はんだを使うことが好ましい。このとき、はんだの融点は、可撓性基板２０１、２０２や接着層の融点よりも低いことが好ましい。また、可撓性基板２０１、２０２や接着層に用いる材料を、はんだの融点に対して耐熱性のある材料を用いてもよい。

図７（Ｂ）に示す表示装置２００ｂは、上述した表示装置２００ａに比べ、シール材として機能する部材２０６ｂを可撓性基板の上面又は底面の一部にわたって設けた表示装置である。また、ＦＰＣ２０８と素子層２１６とが電気的に接続する部分にも部材２０６ｂが設けられている。

部材２０６ｂをこのように配置することにより、さらに封止性能を向上させ、さらに表示装置２００ｂの信頼性を向上させることができる。

部材２０６ｂには、部材２０６ａで用いた材料を用いることができる。

図７（Ｃ）に示す表示装置２００ｃは、図７（Ａ）で説明した表示装置２００ａの構造に対して、さらにシール材２０５が可撓性基板２０１と可撓性基板２０２の間に設けられた表示装置である。シール材２０５は表示領域２０３を囲むように一続きに形成されている。図７（Ｃ）においては、シール材２０５は被剥離層２１５上に設けられ、被剥離層２１５とカラーフィルタ層２１８と接している。しかし、積層構造はこれに限られず、シール材２０５は素子層２１６が有する絶縁層上に設けられていてもよく、また被剥離層２１９等の他の層や基板、基材と接していてもよい。

シール材２０５の部材には、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂などの樹脂材料を用いることができる。これらの樹脂材料には、熱硬化型、光硬化型又はその両方のいずれを用いてもよい。また、シール材２０５として、アクリル系樹脂とエポキシ系樹脂とを混合するような、異なる種類の樹脂を混合した樹脂を用いてもよい。これらの樹脂に、ＵＶ開始剤、熱硬化剤、カップリング剤など適宜混合して用いる。

シール材２０５は、その外側において他のシール材である部材２０６ａにより囲まれる。このように表示領域２０３をシール材２０５及び部材２０６ａを用いて二重に封止することにより、表示装置２００ｃの信頼性を向上させることができる。

図８に示す表示装置２００ｄは、図７（Ａ）に示した表示装置２００ａを、部材２０６ｄ、部材２０６ｅ及び部材２０６ｃにより構成されるシール材２０６により封止された表示装置である。部材２０６ｄ及び部材２０６ｅは、それぞれ底蓋と上蓋として機能し、部材２０６ｃはそれら部材２０６ｄ及び部材２０６ｅと基板との間隙を埋める接着層としての機能を有する。

可撓性基板２０１と可撓性基板２０２とで挟持された構造体は、部材２０６ｄ及び部材２０６ｅからなる箱に内封されるため、基板側面が十分に封止され、表示装置２００ｄの信頼性が向上する。

部材２０６ｄ及び部材２０６ｅには、透湿度が低く、かつ可撓性を有する材料を用いることができる。部材２０６ｄ及び部材２０６ｅとしては、例えば金属材料やプラスチック材料、弾性を有する合成ゴム等を適用することができ、金属材料としては、例えばアルミニウム、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、鉛、ニッケルなどを含む材料を薄く延ばして用いることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明に係る表示装置の作製方法の一例として、実施の形態３で示した表示装置２００ａの作製方法の一例を、図９乃至図１１を用いて説明する。

まず、支持基板２３０に素子層２１６等を形成する工程（素子基板を作製する工程）を説明する。

まず、支持基板２３０上に、下地層２３１、剥離層２３２、被剥離層２１５を順に形成する（図９（Ａ）参照）。

支持基板２３０は、本実施の形態の処理温度に耐えることができ、可撓性を有していない基材を用いることが好ましい。例えば、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。

ガラス基板としては、後の加熱処理の温度が高い場合には、歪み点が７３０℃以上のものを用いるとよい。また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料が用いられている。ガラス基板は、あらかじめ熱処理を行い、基板を収縮させておくとよい。例えば、該熱処理として、６５０℃の加熱を２回行うとよい。

このように、可撓性を有していない基材である支持基板２３０に素子層２１６等を形成することで、表示装置２００の作製工程において形成過程における積層体のハンドリングが容易になり、表示装置２００を歩留まりよく作製することができる。

下地層２３１は、支持基板２３０としてガラス基板等の不純物を含有する基材を用いる場合に、ガラス基板等からの汚染を防止できるので、より好ましい。

下地層２３１としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの絶縁層を用いることができる。

下地層２３１は、上記した絶縁膜をプラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの化学気相成長法、又はスパッタリング法などの物理気相成長法を用いて形成する。なお、下地層２３１は、これらの方法に限らず塗布法又は印刷法などで形成してもよい。

剥離層２３２は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、又は前記元素を含む合金材料、又は前記元素を含む化合物材料からなり、単層構造又は多層構造の層である。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。

剥離層２３２が単層構造の場合、好ましくは、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成する。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。

剥離層２３２は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により形成することができる。なお、塗布法はスピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。

被剥離層２１５は、窒素を含む絶縁膜で形成することが好ましく、例えば、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、及び窒化酸化シリコンなどを単層構造又は多層構造で形成することができる。被剥離層２１５は、上記した物理気相成長法、上記した化学気相成長法、塗布法、又は印刷法などを用いて形成することが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００℃以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。なお、被剥離層２１５の厚さは１０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下、さらには２００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下が好ましい。

次に、熱処理を行い、剥離層２３２の全部又は一部を改質する。すなわち、熱処理を加えることで、剥離層２３２の全部又は一部を酸化や窒化して、酸化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜又は窒化酸化絶縁膜を形成する。例えば、剥離層２３２として、タングステンを含む層を形成し、加熱処理によって酸化物で形成される絶縁層を形成して、タングステン層と絶縁層との界面にタングステンの酸化物を含む層を形成することができる。熱処理の温度は用いる基板によって異なるが、例えば４５０℃以上７００℃以下の範囲の温度で行う。また、剥離層２３２として形成したタングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行って、被剥離層２１５であるタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは前記ガスとその他のガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい。

その後、被剥離層２１５上に表示素子や表示素子を駆動する素子を含む素子層２１６を形成する（図９（Ｂ）参照）。

表示素子としては例えば有機ＥＬを用いた発光素子が挙げられ、表示素子を駆動する素子としては、チャネル形成領域に半導体膜を用いたトランジスタが挙げられる。該トランジスタは公知のトランジスタの作製方法を用いて形成することができる。なお、外部入力端子２０９は、トランジスタの作製工程を利用して形成してもよいし、該トランジスタの作製工程を利用せずに別途形成してもよい。

表示素子の一例とした発光素子は、一対の電極間に発光性の物質を含む層を形成する。具体的には、当該発光性の物質を含む層は、第１電極層及び第２電極層の間に形成する。発光素子の構造及び材料等については後述する。

また、水や酸素などの不純物を透過させない無機絶縁膜で当該発光素子を覆うことにより、発光素子が露出しないため発光素子及び表示装置２００の信頼性を向上させることができる。当該無機絶縁膜としては、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、窒化酸化絶縁膜などを用いることができる。具体的には、シリコンやアルミニウムを含む絶縁膜を用いることができる。

次に、支持基板２３５にカラーフィルタ層２１８等を形成する工程（対向基板を作製する工程）を説明する。

支持基板２３０とは異なる支持基板２３５上に、下地層２３６、剥離層２３７、被剥離層２１９を順に形成する。

支持基板２３５は、支持基板２３０と同様の基材を用いることができる。また、下地層２３６、剥離層２３７、被剥離層２１９は、下地層２３１、剥離層２３２、被剥離層２１５と同様にして形成することができる。

次に、熱処理によって剥離層２３７の全部又は一部を改質する。この熱処理は上述した剥離層２３２の熱処理と同様の処理を行えばよく、熱処理に代わって剥離層２３７の表面を改質する他の処理を行ってもよい。

その後、被剥離層２１９上にカラーフィルタ層２１８を形成する。

カラーフィルタ層２１８は、例えばカラーフィルタ、遮光層（ブラックマトリクス）、オーバーコート層を有する。

遮光層は、公知の材料を用いて、印刷法、塗布法、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。

その後、離間して設けられている遮光層の間にカラーフィルタを形成する。カラーフィルタは、公知の材料を用いて、印刷法、塗布法、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。

カラーフィルタ及び遮光層を覆うオーバーコート層を設ける場合は、公知の材料を用いて物理気相成長法、化学気相成長法、塗布法、又は印刷法などを用いて形成すればよい。オーバーコート層は、カラーフィルタ層に含まれる水分や不純物成分が素子層２１６中の表示素子へ拡散することを防ぐため、設けることが好ましい。オーバーコート層を設けない場合には、オーバーコート層を形成する工程数を削減することができる。

以上のようにしてそれぞれ形成された、素子層２１６を有する支持基板２３０と、カラーフィルタ層２１８を有する支持基板２３５とを、間に接着層２１７を介して貼り合わせる（図９（Ｃ）参照）。接着層２１７には、例えばエポキシ樹脂等の上述した材料を用いればよい。

ここで、外部入力端子を形成するオフセット領域を確保するため、カラーフィルタ層２１８を有する支持基板２３５よりも素子層２１６を有する支持基板２３０の方の基板面積を大きく作製する。このため、接着層２１７は、基板面積の小さいカラーフィルタ層２１８を有する支持基板２３５側にあらかじめ設けることが好ましい。

その後、支持基板２３５に形成された剥離層２３７と被剥離層２１９との間で剥離（分離）を行う（図９（Ｄ）参照）。

剥離方法としては、機械的な力を加えること（人間の手や治具で引き剥がす処理や、ローラーを回転させながら分離する処理等）を用いて行えばよい。また、密着性の弱い部分、又は密着性の弱い部分に形成した溝に液体を滴下し、剥離層２３７と被剥離層２１９の界面に液体を浸透させての被剥離層２１９から剥離層２３７を剥離してもよい。このとき、超音波などの振動を加えながら剥離することが好ましい。また、密着性の弱い部分、又は密着性の弱い部分に形成した溝にＮＦ_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ガスを導入し、剥離層２３７をフッ化ガスでエッチングし除去して、被剥離層２１９から剥離層２３７を剥離する方法を用いてもよい。

その他の剥離方法としては、剥離層２３７をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と過酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うことができる。

該剥離は、被剥離層２１９と剥離層２３７との界面、又は剥離層２３７中において行われる。このため、剥離後の素子層２１６やカラーフィルタ層２１８を有する基板には、被剥離層２１９又は被剥離層２１９と剥離層２３７の一部が残留する。

次に、上記剥離により露出した面上に、接着層２２０を介して可撓性基板２０２を貼り合わせる（図１０（Ａ）参照）。

可撓性基板２０２としては、可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板を用いることができ、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、環状非晶ポリオレフィン（ＣＯＰ）などを好適に用いることができる。また、可撓性基板２０２は、熱膨張係数が３０ｐｐｍ／Ｋ以下、さらに好ましくは１０ｐｐｍ／Ｋ以下がよい。また、可撓性基板２０２にはあらかじめ窒化シリコンや酸化窒化シリコン等の窒素と珪素を含む膜や窒化アルミニウム等の窒素とアルミニウムを含む膜のような透水性の低い保護膜を成膜しておいても良い。なお、可撓性基板２０２として繊維体に有機樹脂が含浸された構造物（所謂、プリプレグとも言う）を用いてもよい。

可撓性基板２０２の材料中に繊維体が含まれている場合、繊維体は有機化合物または無機化合物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率またはヤング率の高い繊維のことを言い、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは、織布または不織布の状態で用い、この繊維体に有機樹脂を含浸させ、有機樹脂を硬化させた構造物を可撓性基板２０２として用いても良い。可撓性基板２０２として繊維体と有機樹脂からなる構造物を用いると、曲げや局所的押圧による破損に対する信頼性が向上するため好ましい。

この後、可撓性基板２０２を含む、素子層２１６やカラーフィルタ層２１８を有する積層体と、支持基板２３０とを分離する（図１０（Ｂ）参照）。剥離は、支持基板２３０と吸着ステージとが接するように、吸着ステージ上に設置し、素子層２１６やカラーフィルタ層２１８を有する積層体に引っ張り応力を印加しながら剥離を行う。これにより、被剥離層２１５と剥離層２３２との界面、または剥離層２３２中において剥離が進行する。

この際、剥離が生じる部分に水等の液体を付与すると、毛細管現象により該液体が剥離部分に侵入して、剥離プロセスを促進させることができる。

これにより、剥離後の素子層２１６やカラーフィルタ層２１８を有する積層体には、被剥離層２１５又は被剥離層２１５と剥離層２３２の一部が残留する。

次に、接着層２１４を間に挟んで、素子層２１６やカラーフィルタ層２１８を有する剥離後の積層体と、可撓性基板２０１とを貼り合わせる（図１０（Ｃ）参照）。可撓性基板２０１は、上述した可撓性基板２０２と同様の材料を用いることができる。

これにより、可撓性基板２０１及び可撓性基板２０２により挟持された素子層２１６やカラーフィルタ層２１８を有する積層体が形成される。

次に、積層体の側面にシール材として機能する部材２０６ａを配置する（図１１（Ａ）参照）。

部材２０６ａには、先の実施の形態で説明した材料を用いることができる。

例えば部材２０６ａには、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂材料を用いることができる。これらの樹脂材料には、熱硬化型、光硬化型又はその両方のいずれを用いてもよい。また、部材２０６ａとして、アクリル系樹脂とエポキシ系樹脂とを混合するような、異なる種類の樹脂を混合した樹脂を用いてもよい。これらの樹脂に、ＵＶ開始剤、熱硬化剤、カップリング剤など適宜混合して用いる。

また、部材２０６ａとしてはんだを用いてもよい。はんだは、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｐｂ−Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ系、Ｐｂ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｚｎ系等の成分の材料を用いることができる。特にＰｂは人体又は環境に有害であるため、無鉛はんだを使うことが好ましい。このとき、はんだの融点は、部材１０６ａの融点よりも低いことが好ましい。

これにより、表示装置２００の信頼性を向上させることができる。

次に、素子層２１６とＦＰＣ２０８とを電気的に接続するための開口２４０を形成する。

まず、ＦＰＣ２０８を電気的に接続するための素子層２１６における外部入力端子が形成された領域（図示せず）を囲むように、可撓性基板２０２及び接着層２２０に切り込みをいれる。切り込みの形成は、鋭利な刃物等の工具やレーザー光の照射によって行えばよい。工具により切り込みを行う場合にはその加圧の程度、レーザー光を照射する場合にはその強度を適宜調整して、素子層２１６等が損壊されないように行う。また、工具とレーザー光の照射を組み合わせて、切り込みの作製を行ってもよい。

次に、切り込みを入れた外部入力端子を囲む領域における可撓性基板２０２を、積層体と概略直交する方向に引っ張ることで、当該領域における可撓性基板２０２及び接着層２２０を剥離することができる。接着層２２０と外部入力端子となる導電層との界面は密着性が低いため、外部入力端子を容易に露出させることができる（図１１（Ｂ）参照）。以上により、可撓性基板２０２及び接着層２２０の一部に開口２４０を形成することができる。

次に、上記の方法により形成した開口２４０の内部に、異方性導電膜２１３を設ける。異方性導電膜２１３上にＦＰＣ２０８を設けて熱圧着することで、素子層２１６に電源の供給や外部信号の入力が可能な電気的経路が確立する（図１１（Ｃ）参照）。

以上の方法により、側面にシール構造を有することで、信頼性の高い可撓性を有する表示装置２００を作製することができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の表示装置の一態様について、実施の形態１で説明した表示装置１００ａの構造を用いた可撓性を有する発光装置について、図１２を用いて説明する。

図１２は、図２（Ａ）に示した表示装置１００ａの断面図を発光装置に適用した場合として、より詳細に描いた断面模式図の一部である。なお、図１２は発光装置の封止領域内に設けられている表示領域３００の一部のみを示している。

なお、図示しないが、本実施の形態に係る発光装置は、走査線駆動回路をシール材３２３の内側に有していてもよい。発光装置が走査線駆動回路を有する場合、表示領域３００と同様に、素子層に走査線駆動回路を形成することができる。可撓性基板３０２に設けられた絶縁層３０３上に、複数のｎチャネル型のトランジスタを組み合わせたＮＭＯＳ回路を形成することができる。なお、走査線駆動回路はＮＭＯＳ回路に限られず、ｎチャネル型のトランジスタとｐチャネル型のトランジスタを組み合わせた種々のＣＭＯＳ回路や、ｐチャネル型のトランジスタで構成されるＰＭＯＳ回路などを有する構成としてもよい。なお、信号線駆動回路を可撓性基板３０２上に一体として設ける場合についても同様である。

図１２には、表示領域３００の一例として画素の一部の断面構造を示している。画素は、スイッチング用のトランジスタや電流制御用のトランジスタを含むが、ここでは発光素子３１３と電気的に接続する電流制御用のトランジスタ３０４、３０５を示す。電流制御用のトランジスタ３０４、３０５のソース電極層又はドレイン電極層３０９ｂは、発光素子３１３が有する第１電極層３１４と電気的に接続されている。また、第１電極層３１４の端部を覆う隔壁３１５が設けられている。

なお、表示領域３００や、図示しない走査線駆動回路、信号線駆動回路、保護回路等その他の回路を構成するトランジスタの構造は特に限定されない。例えばスタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のトランジスタのいずれのトランジスタ構造としてもよい。また、図１２ではチャネルエッチ型の構造のトランジスタを示しているが、チャネル保護膜を用いたチャネル保護型のトランジスタとしてもよい。また、トランジスタのチャネル形成領域に用いる半導体材料としては、例えばシリコンやゲルマニウムなどの半導体材料を用いてもよいし、インジウム、ガリウム、及び亜鉛のうち少なくともひとつを含む酸化物半導体を用いてもよい。特に、酸化物半導体は、電界効果移動度が高く、またトランジスタのオフ時のリークが極めて低い等の多くの利点を有する点で、その使用が好ましい。酸化物半導体については、他の実施の形態で詳説する。また、トランジスタに用いる半導体の結晶性についても特に限定されず、非結晶半導体、又は結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。

図１２に示すトランジスタは、一例としてボトムゲート型のトランジスタである。ゲート電極層３０６上にゲート絶縁層３０７を有し、ゲート絶縁層３０７上にチャネル形成領域を含む半導体層３０８を有する。半導体層３０８上には、ソース電極層又はドレイン電極層３０９ａ、３０９ｂが設けられ、これらを覆って絶縁層３１１が設けられている。

ゲート電極層３０６、ソース電極層又はドレイン電極層３０９ａ、３０９ｂとしては、例えばモリブデン、チタン、クロム、タンタル、マグネシウム、銀、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、又はスカンジウムなどの金属材料を含む層を適用できる。また、これらは単層であっても２層以上の積層であってもよい。

ゲート絶縁層３０７や絶縁層３１１としては、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、又は酸化ハフニウムなどの材料を含む層を適用できる。例えば、ゲート絶縁層３０７としては、窒化シリコン層及び酸化窒化シリコン層の積層を適用できる。このとき、上記窒化シリコン層を、組成の異なる複数の窒化シリコン層の積層としてもよい。

なお、半導体層３０８に酸化物半導体を用いる場合には、酸化物半導体を酸素が過飽和の状態とするため、酸化物半導体層に接する絶縁層（ゲート絶縁層３０７や絶縁層３１１）は、過剰酸素を含むことが好ましい。

過剰酸素を含む絶縁層は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法における成膜条件を適宜設定して膜中に酸素を多く含ませた酸化シリコン膜や、酸化窒化シリコン膜を用いる。また、イオン注入法やイオンドーピング法やプラズマ処理によって酸素を添加してもよい。

さらに過剰酸素を含む絶縁層の外側に配置されるように、酸化物半導体層の酸素の放出を抑えるブロッキング層（ＡｌＯｘなど）をゲート絶縁層３０７や絶縁層３１１として設けると好ましい。

過剰酸素を含む絶縁層又はブロッキング層で酸化物半導体層を包み込むことで、酸化物半導体層において化学量論比組成とほぼ一致するような状態、または化学量論的組成より酸素が多い過飽和の状態とすることができる。

絶縁層３１１上には絶縁層３１２が設けられている。絶縁層３１２は、例えばアクリル等の有機樹脂で形成され、トランジスタ上に発光素子３１３を形成するための平坦面を形成している。また、絶縁層３１２を設けることで、絶縁層３１２より上方に設けられる導電層と絶縁層３１２より下方に設けられる導電層とにより形成される寄生容量を低減することができる。

一方、絶縁層３１２にアクリル等の有機樹脂を用いた場合には、絶縁層３１２中に水素や水等の汚染物質が含有されるおそれがある。このため、絶縁層３１２を用いなくてもよく、表示素子や表示素子を駆動する素子の直上の絶縁層３１２を除去するなど、必要に応じて適宜、絶縁層３１２の形成を行うとよい。

発光素子３１３は、一対の電極である第１電極層３１４及び第２電極層３１７、並びに発光性の物質を含む層であるＥＬ層３１６によって構成されている。発光素子３１３は、画素回路、走査線駆動回路等を構成するトランジスタ上に設けられる層間絶縁層上に設けることができる（図１２参照）。なお、発光素子３１３の構造及び材料等については、後の実施の形態で説明する。

また、発光素子３１３と重畳してカラーフィルタ３２０が設けられている。そして、遮光層３２１は隔壁３１５に重畳し、且つカラーフィルタ３２０に端部を覆われて設けられている。さらに、遮光層３２１及びカラーフィルタ３２０を覆ってオーバーコート層３１９が設けられている。

第１電極層３１４及び第２電極層３１７に用いる導電性材料として、光射出側に設ける電極には、ＥＬ層３１６からの発光に対して透光性を有する材料を用い、光射出側とは反対側に設ける電極には、当該発光に対して反射性を有する材料を用いる。

本構成例では、第１電極層３１４に反射性を有する材料を用い、第２電極層３１７に透光性を有する材料を用いる。したがって、ＥＬ層３１６からの発光は、可撓性基板３２２から射出される。

なお、必要であれば、可撓性基板３２２に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）などの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。

光射出側の電極（第２電極層３１７）に用いることのできる透光性を有する材料としては、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ、酸化インジウム酸化亜鉛、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、グラフェンなどを用いることができる。また、上記導電層として、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタンなどの金属材料や、これらを含む合金を用いることができる。又は、これら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いても良い。なお、金属材料（又はその窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金と酸化インジウム酸化スズの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるためこのましい。

なお、光射出側の電極として用いる上述の導電性酸化物をスパッタリング法により形成することができる。導電性酸化物膜は、アルゴン及び酸素を含む雰囲気下で成膜すると、光透過性を向上させることができる。

また、上面射出型の場合、ＥＬ層３１６上に成膜される導電性酸化物膜を、酸素濃度が低減されたアルゴンを含む雰囲気下で成膜した第１の導電性酸化物膜と、アルゴン及び酸素を含む雰囲気下で成膜した第２の導電性酸化物膜との積層膜とすると、ＥＬ層３１６への成膜ダメージを低減させることができるため好ましい。ここで第１の導電性酸化物膜を成膜する際のアルゴンガスの純度が高いことが好ましく、例えば露点が−７０℃以下、好ましくは−１００℃以下のアルゴンガスを用いることが好ましい。

光射出側とは反対側の電極（第１電極層３１４）に用いることのできる反射性を有する材料としては、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属、又はこれらを含む合金を用いることができる。またこれら金属材料を含む金属又は合金にランタンやネオジム、ゲルマニウムなどを添加してもよい。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とマグネシウムの合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅の合金は耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜、又は金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記透光性を有する材料を含む膜と金属材料を含む膜とを積層しても良い。例えば、銀と酸化インジウム酸化スズの積層膜、銀とマグネシウムの合金と酸化インジウム酸化スズの積層膜などを用いることができる。

隔壁３１５は、第１電極層３１４の端部を覆って設けられている。そして、隔壁３１５の上層に形成される第２電極層３１７の被覆性を良好なものとするため、隔壁３１５の上端部又は下端部に曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせるのが好ましい。隔壁３１５の側面は当該曲面を有した傾斜面を有することが好ましい。また、隔壁３１５の材料としては、ネガ型の感光性樹脂、あるいはポジ型の感光性樹脂などの有機化合物や、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機化合物を用いることができる。

表示領域３００や走査線駆動回路等への電源の供給、又は外部信号の入力には導電層３１０からなる配線を用いて行う。導電層３１０は、周辺領域３０１を介して可撓性基板３０２の端部に延在する。可撓性基板３０２の端部（すなわち、外部入力端子）において、絶縁層３１１に開口が設けられ、該開口部内に露出した導電層３１０は、異方性導電膜３２６等の導電部材を介してＦＰＣ３２７と電気的に接続する。

ここで、周辺領域３０１は、シール材３２３によって囲まれている。図１２の発光装置の例においては、シール材３２３は、絶縁層３１１及び可撓性基板３２２と直接接しているが、シール材３２３が接する層、基板、基材についてはこれに限られず、発光装置の構成において種々の構成をとることができる。また、図１２の発光装置の例においては、表示領域３００中に設けた絶縁層３１２は周辺領域３０１においては除去されている。

シール材３２３は、先の実施の形態で説明した材料を用いることができ、先の実施の形態で説明した作製方法により作製することができる。

また、シール材３２３と可撓性基板３０２との間には、導電層３２８が設けられている。導電層３２８を設けることで、外部入力端子を有する辺のシール材下の構造と類似の構造を形成することができ、これによってシール材３２３を形成する際の条件を揃え、基板内での作製のバラツキを低減することが可能となる。

なお、シール材３２３により囲まれた空間３１８内は、発光素子３１３やトランジスタ３０４、３０５の信頼性を確保するために、真空、又は窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガスで充填されていることが好ましい。

また、可撓性基板３０２と可撓性基板３２２との間隙、及び可撓性基板３０２と可撓性基板３２２の側面には、シール材３２９が設けられている。ただし、ＦＰＣ３２７を接続するためのオフセット領域が設けられた辺においては、可撓性基板３０２と可撓性基板３２２との間隙、可撓性基板３２２の側面、及び絶縁層３１１の上面にシール材３２９が設けられている。

シール材３２９は、内側に位置する部材３２４と、部材３２４の外側に設けられた部材３２５とにより構成される。それぞれ先の実施の形態で説明した材料及び作製方法を用いて作製することができる。

このように発光装置において、表示領域３００をシール材３２３及びシール材３２９を用いて二重に封止することにより、外部から発光素子３１３やトランジスタ３０４、３０５の半導体層の特性を害する水分等の侵入を防止又は抑制することができる。

以上より、薄く軽量であり可撓性及び耐衝撃性に加えて、信頼性に優れた発光装置を作製することができる。また、薄く軽量であり可撓性及び耐衝撃性に加えて、気密性の高い発光装置を作製することができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の表示装置の一態様について、実施の形態５で説明した発光装置とは異なる構造の発光装置について、図１３を用いて説明する。本実施の形態で説明する発光装置は、実施の形態３で説明した表示装置２００ａの構造を用いた可撓性を有する発光装置である。

図１３は、図７（Ａ）に示した表示装置２００ａの断面図を発光装置に適用した場合として、より詳細に描いた断面模式図の一部である。なお、図１３は発光装置の封止領域内に設けられている表示領域４００の一部のみを示している。

なお、図示しないが本実施の形態に係る発光装置は、実施の形態５で説明した発光装置と同様に走査線駆動回路や信号線駆動回路を有していてもよい。

本実施の形態に係る発光装置は、実施の形態４で説明した作製方法を用いて作製することができる。従って、該発光装置は剥離工程等を用いて形成されるため、可撓性基板４０２上に、接着層４０３、被剥離層４０５、下地層４０６を有する。同様に、これに対向する可撓性基板４３０上（図においては下）に、接着層４２９、被剥離層４２７、下地層４２６を有する。また、素子層とカラーフィルタ層とは、接着層４２２により貼り合わされている。これらの層は、実施の形態４で示した材料、作製方法を用いて作製することができる。

本実施の形態に係る発光装置においては、図１３に示すように、周辺領域４０１内に保護回路が設けられている。保護回路は、表示領域４００に用いるトランジスタと同様のトランジスタ４０９で構成することができる。

保護回路を外部入力端子と表示領域４００との間に設けることにより、外部入力端子等に誤って印加される過大な電圧から、表示領域４００中のトランジスタ４０７、４０８等を保護することができる。

なお、保護回路を構成するトランジスタ４０９上には、発光素子４１７の有する第１電極層と同一工程で形成された導電層４３５を形成してもよい。導電層４３５は、トランジスタ４０９が有する半導体層に重畳して設けることで、トランジスタのバックゲートとしての機能を有する。例えば、Ｎチャネル型トランジスタの場合、上記バックゲートとソースの間の電圧を負電圧にしてもよい。これにより、トランジスタの閾値電圧を正方向にシフトさせることができる。また、上記バックゲートを例えば０Ｖ等の定電位に固定させてもよい。

バックゲートとしての機能を有する導電層の形成は、保護回路に限らず、走査線駆動回路や信号線駆動回路、画素回路においても用いることができる。

図１３には、表示領域４００の一例として画素の一部の断面構造を示している。画素は、スイッチング用のトランジスタや電流制御用のトランジスタを含むが、ここでは発光素子４１７と電気的に接続する電流制御用のトランジスタ４０７、４０８を示す。電流制御用のトランジスタ４０７、４０８のソース電極層又はドレイン電極層４１３ｂは、発光素子４１７が有する第１電極層４１８と電気的に接続されている。また、第１電極層４１８の端部を覆う隔壁４１９が設けられている。

なお、表示領域４００や、図示しない走査線駆動回路、信号線駆動回路、その他の回路を構成するトランジスタの構造は特に限定されない。例えばスタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のトランジスタのいずれのトランジスタ構造としてもよい。また、トランジスタのチャネル形成領域に用いる半導体材料としては、例えばシリコンやゲルマニウムなどの半導体材料を用いてもよいし、インジウム、ガリウム、及び亜鉛のうち少なくともひとつを含む酸化物半導体を用いてもよい。特に、酸化物半導体は、電界効果移動度が高く、またトランジスタのオフ時のリークが極めて低い等の多くの利点を有する点で、その使用が好ましい。酸化物半導体については、他の実施の形態で詳説する。また、トランジスタに用いる半導体の結晶性についても特に限定されず、非結晶半導体、又は結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。

図１３に示すトランジスタは、一例としてボトムゲート型のトランジスタである。ゲート電極層４１０上にゲート絶縁層４１１を有し、ゲート絶縁層４１１上にチャネル形成領域を含む半導体層４１２を有する。半導体層４１２上には、ソース電極層又はドレイン電極層４１３ａ、４１３ｂが設けられ、これらを覆って絶縁層４１５が設けられている。

ゲート電極層４１０、ソース電極層又はドレイン電極層４１３ａ、４１３ｂとしては、例えばモリブデン、チタン、クロム、タンタル、マグネシウム、銀、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、又はスカンジウムなどの金属材料を含む層を適用できる。また、これらは単層であっても２層以上の積層であってもよい。

ゲート絶縁層４１１や絶縁層４１５としては、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、又は酸化ハフニウムなどの材料を含む層を適用できる。例えば、ゲート絶縁層４１１としては、窒化シリコン層及び酸化窒化シリコン層の積層を適用できる。このとき、上記窒化シリコン層を、組成の異なる複数の窒化シリコン層の積層としてもよい。

なお、半導体層４１２に酸化物半導体を用いる場合には、酸化物半導体を酸素が過飽和の状態とするため、酸化物半導体層に接する絶縁層（ゲート絶縁層４１１や絶縁層４１５）は、過剰酸素を含むことが好ましい。

さらに過剰酸素を含む絶縁層の外側に配置されるように、酸化物半導体層の酸素の放出を抑えるブロッキング層（ＡｌＯｘなど）をゲート絶縁層４１１や絶縁層４１５として設けると好ましい。

絶縁層４１５上には絶縁層４１６が設けられている。絶縁層４１６は、例えばアクリル等の有機樹脂で形成され、トランジスタ上に発光素子４１７を形成するための平坦面を形成している。また、絶縁層４１６を設けることで、絶縁層４１６より上方に設けられる導電層と絶縁層４１６より下方に設けられる導電層とにより形成される寄生容量を低減することができる。

一方、絶縁層４１６にアクリル等の有機樹脂を用いた場合には、絶縁層４１６中に水素や水等の汚染物質が含有されるおそれがある。このため、絶縁層４１６を用いなくてもよく、表示素子や表示素子を駆動する素子の直上の絶縁層４１６を除去するなど、必要に応じて適宜、絶縁層４１６の形成を行うとよい。

発光素子４１７は、一対の電極である第１電極層４１８及び第２電極層４２１、並びに発光性の物質を含む層であるＥＬ層４２０によって構成されている。発光素子４１７は、画素回路、走査線駆動回路等を構成するトランジスタ上に設けられる層間絶縁層上に設けることができる（図１３参照）。なお、発光素子４１７の構造及び材料等については、後の実施の形態で説明する。

また、発光素子４１７と重畳してカラーフィルタ４２４が設けられている。そして、遮光層４２５は隔壁４１９に重畳し、且つカラーフィルタ４２４に端部を覆われて設けられている。さらに、遮光層４２５及びカラーフィルタ４２４は、オーバーコート層４２３に覆われている。

第１電極層４１８及び第２電極層４２１に用いる導線性材料として、光射出側に設ける電極には、ＥＬ層４２０からの発光に対して透光性を有する材料を用い、光射出側とは反対側に設ける電極には、当該発光に対して反射性を有する材料を用いる。

本構成例では、第１電極層４１８に反射性を有する材料を用い、第２電極層４２１に透光性を有する材料を用いる。したがって、ＥＬ層４２０からの発光は、可撓性基板４３０から射出される。

光射出側の電極（第２電極層４２１）に用いることのできる透光性を有する材料としては、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ、酸化インジウム酸化亜鉛、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、グラフェンなどを用いることができる。また、上記導電層として、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタンなどの金属材料や、これらを含む合金を用いることができる。又は、これら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いても良い。なお、金属材料（又はその窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金と酸化インジウム酸化スズの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。

また、上面射出型の場合、ＥＬ層４２０上に成膜される導電性酸化物膜を、酸素濃度が低減されたアルゴンを含む雰囲気下で成膜した第１の導電性酸化物膜と、アルゴン及び酸素を含む雰囲気下で成膜した第２の導電性酸化物膜との積層膜とすると、ＥＬ層４２０への成膜ダメージを低減させることができるため好ましい。ここで第１の導電性酸化物膜を成膜する際のアルゴンガスの純度が高いことが好ましく、例えば露点が−７０℃以下、好ましくは−１００℃以下のアルゴンガスを用いることが好ましい。

光射出側とは反対側の電極（第１電極層４１８）に用いることのできる反射性を有する材料としては、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属、又はこれらを含む合金を用いることができる。またこれら金属材料を含む金属又は合金にランタンやネオジム、ゲルマニウムなどを添加してもよい。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とマグネシウムの合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅の合金は耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜、又は金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記透光性を有する材料を含む膜と金属材料を含む膜とを積層しても良い。例えば、銀と酸化インジウム酸化スズの積層膜、銀とマグネシウムの合金と酸化インジウム酸化スズの積層膜などを用いることができる。

隔壁４１９は、第１電極層４１８の端部を覆って設けられている。そして、隔壁４１９の上層に形成される第２電極層４２１の被覆性を良好なものとするため、隔壁４１９の上端部又は下端部に曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせるのが好ましい。隔壁４１９の側面は当該曲面を有した傾斜面を有することが好ましい。また、隔壁４１９の材料としては、ネガ型の感光性樹脂、あるいはポジ型の感光性樹脂などの有機化合物や、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機化合物を用いることができる。

表示領域４００や走査線駆動回路等への電源の供給、又は外部信号の入力には導電層４１４からなる配線を用いて行う。導電層４１４は、周辺領域４０１を介して可撓性基板４０２の端部に延在する（図示せず）。可撓性基板４０２の端部（すなわち、外部入力端子）において、絶縁層４１５に開口が設けられ、該開口部内に露出した導電層４１４は、異方性導電膜４３１等の導電部材を介してＦＰＣ４３３と電気的に接続する。

ここで、可撓性基板４０２と可撓性基板４３０の側面には、シール材として機能する部材４３４が設けられている。部材４３４は、先の実施の形態で説明した材料及び作製方法を用いて作製することができる。

このように発光装置において、表示領域４００を、部材４３４を用いて封止することにより、外部から発光素子４１７やトランジスタ４０７、４０８、４０９の半導体層の特性を害する水分等の侵入を防止又は抑制することができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、表示装置の表示素子を駆動する素子にトランジスタを用いた場合において、該トランジスタのチャネル形成領域に用いることのできる酸化物半導体について詳述する。

トランジスタのチャネル形成領域に用いる酸化物半導体としては、少なくともインジウム（Ｉｎ）または亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。特にＩｎ及びＺｎを含むことが好ましい。また、それらに加えて、酸素を強く結びつけるスタビライザーを有することが好ましい。スタビライザーとしては、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）及びアルミニウム（Ａｌ）の少なくともいずれかを有すればよい。

また、他のスタビライザーとして、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）のいずれか一種または複数種を有してもよい。

例えば、四元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物や、三元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物や、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物や、二元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｚｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｓｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｍｇ系酸化物や、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物、一元系金属の酸化物であるＩｎ系酸化物、Ｓｎ系酸化物、Ｚｎ系酸化物などを用いることができる。

なお、ここで、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの比率は問わない。

また、酸化物半導体として、ＩｎＭＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＞０）で表記される材料を用いてもよい。なお、Ｍは、Ｇａ、Ｆｅ、Ｍｎ及びＣｏから選ばれた一の金属元素または複数の金属元素を示す。また、酸化物半導体として、Ｉｎ_２ＳｎＯ_５（ＺｎＯ）_ｎ（ｎ＞０）で表記される材料を用いてもよい。

例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝３：１：２、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１の原子数比のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いることができる。または、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２：１：３またはＩｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２：１：５の原子数比のＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いるとよい。

なお、例えば、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎの原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ａ：ｂ：ｃ（ａ＋ｂ＋ｃ＝１）である酸化物の組成が、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝Ａ：Ｂ：Ｃ（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＝１）の酸化物の組成の近傍であるとは、ａ、ｂ、ｃが、式（１）を満たすことをいう。

（ａ―Ａ）^２＋（ｂ―Ｂ）^２＋（ｃ―Ｃ）^２≦ｒ^２（１）
（ｒ^２は（ａ―Ａ）^２＋（ｂ―Ｂ）^２＋（ｃ―Ｃ）^２以上）

式（１）中に記載のｒとしては、例えば、０．０５とすればよい。他の酸化物でも同様である。

しかし、これらに限られず、必要とする半導体特性（電界効果移動度、閾値電圧等）に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とする半導体特性を得るために、キャリア濃度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離、密度等を適切なものとすることが好ましい。

また、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、酸化物半導体を高純度化することにより、オフ電流（ここでは、オフ状態のとき、例えばソース電位を基準としたときのゲート電位との電位差がしきい値電圧以下のときのドレイン電流とする）を十分に低くすることができる。例えば酸化物半導体の高純度化は、加熱成膜により水素や水酸基を酸化物半導体中に含ませないようにし、または成膜後の加熱により膜中から除去することで、実現できる。高純度化されることにより、チャネル領域にＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物を用いたトランジスタで、チャネル幅あたりのオフ電流を１×１０^−２４Ａ／μｍ（１ｙＡ／μｍ）から１×１０^−２２Ａ／μｍ（１００ｙＡ／μｍ）程度とすることが可能である。

以下では、酸化物半導体膜の構造について説明する。

酸化物半導体膜は、単結晶酸化物半導体膜と非単結晶酸化物半導体膜とに大別される。非単結晶酸化物半導体膜とは、非晶質酸化物半導体膜、微結晶酸化物半導体膜、多結晶酸化物半導体膜、ＣＡＡＣ−ＯＳ（ＣＡｘｉｓＡｌｉｇｎｅｄＣｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜などをいう。

非晶質酸化物半導体膜は、膜中における原子配列が不規則であり、結晶成分を有さない酸化物半導体膜である。微小領域においても結晶部を有さず、膜全体が完全な非晶質構造の酸化物半導体膜が典型である。

微結晶酸化物半導体膜は、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の大きさの微結晶（ナノ結晶ともいう。）を含む。従って、微結晶酸化物半導体膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも原子配列の規則性が高い。そのため、微結晶酸化物半導体膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低いという特徴がある。

ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、複数の結晶部を有する酸化物半導体膜の一つであり、ほとんどの結晶部は、一辺が１００ｎｍ未満の立方体内に収まる大きさである。従って、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる結晶部は、一辺が１０ｎｍ未満、５ｎｍ未満または３ｎｍ未満の立方体内に収まる大きさの場合も含まれる。ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、微結晶酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低いという特徴がある。以下、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜について詳細な説明を行う。

ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：ＴｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎＥｌｅｃｔｒｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によって観察すると、結晶部同士の明確な境界、即ち結晶粒界（グレインバウンダリーともいう。）を確認することができない。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。

ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を、試料面と概略平行な方向からＴＥＭによって観察（断面ＴＥＭ観察）すると、結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原子の各層は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の膜を形成する面（被形成面ともいう。）または上面の凹凸を反映した形状であり、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面または上面と平行に配列する。

一方、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を、試料面と概略垂直な方向からＴＥＭによって観察（平面ＴＥＭ観察）すると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列していることを確認できる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られない。

断面ＴＥＭ観察および平面ＴＥＭ観察より、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の結晶部は配向性を有していることがわかる。

ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ＲａｙＤｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）装置を用いて構造解析を行うと、例えばＩｎＧａＺｎＯ_４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳ膜のｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、回折角（２θ）が３１°近傍にピークが現れる場合がある。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ_４の結晶の（００９）面に帰属されることから、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の結晶がｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面または上面に概略垂直な方向を向いていることが確認できる。

一方、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、ｃ軸に概略垂直な方向からＸ線を入射させるｉｎ−ｐｌａｎｅ法による解析では、２θが５６°近傍にピークが現れる場合がある。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ_４の結晶の（１１０）面に帰属される。ＩｎＧａＺｎＯ_４の単結晶酸化物半導体膜であれば、２θを５６°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸（φ軸）として試料を回転させながら分析（φスキャン）を行うと、（１１０）面と等価な結晶面に帰属されるピークが６本観察される。これに対し、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の場合は、２θを５６°近傍に固定してφスキャンした場合でも、明瞭なピークが現れない。

以上のことから、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜では、異なる結晶部間ではａ軸およびｂ軸の配向は不規則であるが、ｃ軸配向性を有し、かつｃ軸が被形成面または上面の法線ベクトルに平行な方向を向いていることがわかる。従って、前述の断面ＴＥＭ観察で確認された層状に配列した金属原子の各層は、結晶のａｂ面に平行な面である。

なお、結晶部は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を成膜した際、または加熱処理などの結晶化処理を行った際に形成される。上述したように、結晶のｃ軸は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面または上面の法線ベクトルに平行な方向に配向する。従って、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の形状をエッチングなどによって変化させた場合、結晶のｃ軸がＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面または上面の法線ベクトルと平行にならないこともある。

また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜中の結晶化度が均一でなくてもよい。例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の結晶部が、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の上面近傍からの結晶成長によって形成される場合、上面近傍の領域は、被形成面近傍の領域よりも結晶化度が高くなることがある。また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に不純物を添加する場合、不純物が添加された領域の結晶化度が変化し、部分的に結晶化度の異なる領域が形成されることもある。

なお、ＩｎＧａＺｎＯ_４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳ膜のｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、２θが３１°近傍のピークの他に、２θが３６°近傍にもピークが現れる場合がある。２θが３６°近傍のピークは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜中の一部に、ｃ軸配向性を有さない結晶が含まれることを示している。ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、２θが３１°近傍にピークを示し、２θが３６°近傍にピークを示さないことが好ましい。

ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を用いたトランジスタは、可視光や紫外光の照射による電気特性の変動が小さい。よって、当該トランジスタは、信頼性が高い。

なお、酸化物半導体膜は、例えば、非晶質酸化物半導体膜、微結晶酸化物半導体膜、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜のうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。

（実施の形態８）
本実施の形態は、先の実施の形態で説明した表示装置に含まれる発光素子３１３、発光素子４１７に適用可能な発光素子の一例について図１４を用いて説明する。

図１４（Ａ）に示す発光素子は、一対の電極（第１電極層８４０３、第２電極層８４０７）間に発光領域を含むＥＬ層８４５０が挟まれた構造を有する。第１電極層８４０３及び第２電極層８４０７は先の実施の形態で説明した発光装置の第１電極層３１４、４１８及び第２電極層３１７、４２１として適用することができる。

また、ＥＬ層８４５０は、少なくとも発光層を含んで形成されていればよく、発光層以外の機能層を含む積層構造であっても良い。発光層以外の機能層としては、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層を用いることができる。具体的には、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の機能層を適宜組み合わせて用いることができる。

図１４（Ａ）に示す発光素子８４００は、第１電極層８４０３と第２電極層８４０７との間に生じた電位差により電流が流れ、ＥＬ層８４５０において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまりＥＬ層８４５０に発光領域が形成されるような構成となっている。

なお、ＥＬ層８４５０は図１４（Ｂ）のように第１電極層８４０３と第２電極層８４０７との間に複数積層されていても良い。ｎ（ｎは２以上の自然数）層の積層構造を有する場合には、ｍ（ｍは自然数、ｍは１以上ｎ−１以下）番目のＥＬ層と、（ｍ＋１）番目のＥＬ層との間には、それぞれ電荷発生層８４５０ａを設けることが好ましい。

電荷発生層８４５０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料、金属酸化物、有機化合物とアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はこれらの化合物との複合材料の他、これらを適宜組み合わせて形成することができる。有機化合物と金属酸化物の複合材料としては、例えば、有機化合物と酸化バナジウムや酸化モリブデンや酸化タングステン等の金属酸化物を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上であるものを適用することが好ましい。ただし、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、電荷発生層８４５０ａに用いるこれらの材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、図１４に示した発光素子の低電流駆動、及び低電圧駆動を実現することができる。

なお、電荷発生層８４５０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料と他の材料とを組み合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電膜とを組み合わせて形成してもよい。

このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方の発光層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。

なお、電荷発生層８４５０ａとは、第１電極層８４０３と第２電極層８４０７に電圧を印加したときに、電荷発生層８４５０ａに接して形成される一方のＥＬ層８４５０に対して正孔を注入する機能を有し、他方のＥＬ層８４５０に電子を注入する機能を有する。

図１４（Ｂ）に示す発光素子８４００は、ＥＬ層８４５０に用いる発光物質の種類を変えることにより様々な発光色を得ることができる。また、発光物質として発光色の異なる複数の発光物質を用いることにより、ブロードなスペクトルの発光や白色発光を得ることもできる。

図１４（Ｂ）に示す発光素子を用いて、白色発光を得る場合、複数のＥＬ層の組み合わせとしては、赤、青及び緑色の光を含んで白色に発光する構成であればよく、例えば、青色の蛍光材料を発光物質として含む第１の発光層と、緑色と赤色の燐光材料を発光物質として含む第２の発光層を有する構成が挙げられる。また、赤色の発光を示す第１の発光層と、緑色の発光を示す第２の発光層と、青色の発光を示す第３の発光層とを有する構成とすることもできる。又は、補色の関係にある光を発する発光層を有する構成であっても白色発光が得られる。発光層が２層積層された積層型素子において、第１の発光層から得られる発光の発光色と第２の発光層から得られる発光の発光色を補色の関係にする場合、補色の関係としては、青色と黄色、あるいは青緑色と赤色などが挙げられる。

なお、上述した積層型素子の構成において、積層される発光層の間に電荷発生層を配置することにより、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での長寿命素子を実現することができる。また、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。

（実施の形態９）
フレキシブルな形状を備える表示装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。

また、照明装置や表示装置を、家屋やビルの内壁または外壁や、自動車の内装または外装の曲面に沿って組み込むことも可能である。

本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置が適用された電子機器や照明装置の例について、図１５及び図１６を用いて説明する。

図１５（Ａ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機９４００は、筐体９４０１に組み込まれた表示部９４０２の他、操作ボタン９４０３、外部接続ポート９４０４、スピーカ９４０５、マイク９４０６などを備えている。なお、携帯電話機９４００は、本発明の一態様に係る表示装置を表示部９４０２に用いることにより作製される。

図１５（Ａ）に示す携帯電話機９４００は、表示部９４０２を指やペンなどで触れることで情報を入力することができるように、抵抗膜方式や静電容量方式、表面弾性波方式、赤外線方式等のタッチスクリーンが設けられている。また、電話をかける、あるいは文字を入力するなどのあらゆる操作は、表示部９４０２を指などで触れることにより行うことができる。

また操作ボタン９４０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦや、表示部９４０２に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュー画面に切り替えることができる。

表示部９４０２には、本発明の一態様に係る表示装置が組み込まれているため、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯電話機とすることができる。

図１５（Ｂ）は、スマートフォン等の多用途に対応可能な多機能の携帯型情報端末の一例を示している。携帯型情報端末９４１０は、筐体９４１１に組み込まれた表示部９４１２の他、操作ボタン９４１３、スピーカ９４１４、マイク９４１５、その他図示しないステレオヘッドフォンジャック、メモリカード挿入口、カメラ、ＵＳＢコネクタなどの外部接続ポート等を備えている。なお、携帯型情報端末９４１０は、本発明の一態様に係る表示装置を表示部９４１２に用いることにより作製される。

図１５（Ｂ）に示す携帯型情報端末９４１０は、表示部９４１２を指やペンなどで触れることで情報を入力することができるように、抵抗膜方式や静電容量方式等のタッチスクリーンが設けられている。また、電話をかける、あるいは文字を入力するなどのあらゆる操作は、表示部９４１２を指などで触れることにより行うことができる。

また操作ボタン９４１３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦや、表示部９４１２に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュー画面に切り替えることができる。

表示部９４１２には、本発明の一態様に係る表示装置が組み込まれているため、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯型情報端末とすることができる。

図１５（Ｃ）は、リストバンド型の表示装置の一例を示している。携帯表示装置９５００は、筐体９５０１、表示部９５０２、操作ボタン９５０３、及び送受信装置９５０４を備える。

携帯表示装置９５００は、送受信装置９５０４によって映像信号を受信可能で、受信した映像を表示部９５０２に表示することができる。また、音声信号を他の受信機器に送信することもできる。

また、操作ボタン９５０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替え、または音声のボリュームの調整などを行うことができる。

ここで、表示部９５０２には、本発明の一態様の表示装置が組み込まれている。したがって、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯表示装置とすることができる。

図１６（Ａ）〜図１６（Ｃ）は、照明装置の一例を示している。照明装置９２００、照明装置９２１０、照明装置９２２０はそれぞれ、操作スイッチ９２０３を備える台部９２０１と、台部９２０１に支持される発光部を有する。

図１６（Ａ）に示す照明装置９２００は、波状の発光面を有する発光部９２０２を備える。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。

図１６（Ｂ）に示す照明装置９２１０の備える発光部９２１２は、凸状に湾曲した２つの発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置９２１０を中心に全方位を照らすことができる。

図１６（Ｃ）に示す照明装置９２２０は、凹状に湾曲した発光部９２２２を備える。したがって、発光部９２２２からの発光を、照明装置９２２０の前面に集光するため、特定の範囲を明るく照らす場合に適している。

また、照明装置９２００、照明装置９２１０及び照明装置９２２０の備える各々の発光部はフレキシブル性を有しているため、当該発光部を可塑性の部材や可動なフレームなどで固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。

ここで、発光部９２０２、発光部９２１２及び発光部９２２２には、表示素子として発光素子を用いた本発明の一態様の表示装置が組み込まれている。したがって、湾曲した発光部を備え、且つ信頼性の高い照明装置とすることができる。

以上のように、本実施の一態様である表示装置を適用することで、薄く軽量であり、可撓性及び耐衝撃性に加えて信頼性に優れた電子機器及び照明装置を提供することができる。

１００表示装置
１００ａ表示装置
１００ｂ表示装置
１００ｃ表示装置
１００ｄ表示装置
１０１可撓性基板
１０２可撓性基板
１０３表示領域
１０４ａ走査線駆動回路
１０４ｂ走査線駆動回路
１０５シール材
１０６シール材
１０６ａ部材
１０６ｂ部材
１０６ｃ部材
１０６ｄ部材
１０６ｅ部材
１０６ｆ部材
１０６ｇ部材
１０７ＩＣチップ
１０８ＦＰＣ
１０９外部入力端子
１１０絶縁層
１１１素子層
１１２カラーフィルタ層
１１３異方性導電膜
１２０紫外光
１２１レーザー光
２００表示装置
２００ａ表示装置
２００ｂ表示装置
２００ｃ表示装置
２００ｄ表示装置
２０１可撓性基板
２０２可撓性基板
２０３表示領域
２０４ａ走査線駆動回路
２０４ｂ走査線駆動回路
２０５シール材
２０６シール材
２０６ａ部材
２０６ｂ部材
２０６ｃ部材
２０６ｄ部材
２０６ｅ部材
２０７ＩＣチップ
２０８ＦＰＣ
２０９外部入力端子
２１３異方性導電膜
２１４接着層
２１５被剥離層
２１６素子層
２１７接着層
２１８カラーフィルタ層
２１９被剥離層
２２０接着層
２３０支持基板
２３１下地層
２３２剥離層
２３５支持基板
２３６下地層
２３７剥離層
２４０開口
３００表示領域
３０１周辺領域
３０２可撓性基板
３０３絶縁層
３０４トランジスタ
３０５トランジスタ
３０６ゲート電極層
３０７ゲート絶縁層
３０８半導体層
３０９ａソース電極層又はドレイン電極層
３０９ｂソース電極層又はドレイン電極層
３１０導電層
３１１絶縁層
３１２絶縁層
３１３発光素子
３１４第１電極層
３１５隔壁
３１６ＥＬ層
３１７第２電極層
３１８空間
３１９オーバーコート層
３２０カラーフィルタ
３２１遮光層
３２２可撓性基板
３２３シール材
３２４部材
３２５部材
３２６異方性導電膜
３２７ＦＰＣ
３２８導電層
３２９シール材
４００表示領域
４０１周辺領域
４０２可撓性基板
４０３接着層
４０５被剥離層
４０６下地層
４０７トランジスタ
４０８トランジスタ
４０９トランジスタ
４１０ゲート電極層
４１１ゲート絶縁層
４１２半導体層
４１３ａソース電極層又はドレイン電極層
４１３ｂソース電極層又はドレイン電極層
４１４導電層
４１５絶縁層
４１６絶縁層
４１７発光素子
４１８第１電極層
４１９隔壁
４２０ＥＬ層
４２１第２電極層
４２２接着層
４２３オーバーコート層
４２４カラーフィルタ
４２５遮光層
４２６下地層
４２７被剥離層
４２９接着層
４３０可撓性基板
４３１異方性導電膜
４３３ＦＰＣ
４３４部材
４３５導電層
８４００発光素子
８４０３第１電極層
８４０７第２電極層
８４５０ＥＬ層
８４５０ａ電荷発生層
９２００照明装置
９２０１台部
９２０２発光部
９２０３操作スイッチ
９２１０照明装置
９２１２発光部
９２２０照明装置
９２２２発光部
９４００携帯電話機
９４０１筐体
９４０２表示部
９４０３操作ボタン
９４０４外部接続ポート
９４０５スピーカ
９４０６マイク
９４１０携帯型情報端末
９４１１筐体
９４１２表示部
９４１３操作ボタン
９４１４スピーカ
９４１５マイク
９５００表示装置
９５０１筐体
９５０２表示部
９５０３操作ボタン
９５０４送受信装置

Claims

第１の可撓性基板と第２の可撓性基板を有し、
前記第１の可撓性基板と前記第２の可撓性基板の間に表示領域を有し、
前記第１の可撓性基板上に絶縁層を有し、
前記絶縁層と前記第２の可撓性基板との間に一続きの第１のシール材を有し、
前記表示領域は、前記第１のシール材によって囲まれ、
前記第１のシール材は、一続きの第２のシール材によって囲まれ、
前記第１のシール材は、樹脂材料又はフリットガラスを有し、
前記第２のシール材は、樹脂材料又はフリットガラスを有し、
前記第２のシール材は、第１の部材と第２の部材を有し、
前記第１の部材は、前記第１の可撓性基板の側面と接し、
前記第１の部材は、前記第２の可撓性基板の側面と接し、
前記第２の部材は、前記第１の部材の側面と接し、
前記第２の部材は、前記絶縁層の上面に接することを特徴とする表示装置。
請求項１において、
前記第１の部材は、樹脂材料又はフリットガラスを有し、
前記第２の部材は、樹脂材料又は金属材料を有することを特徴とする表示装置。