JP6070164B2 - スイッチング電源装置 - Google Patents
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Description
まず、時刻t1で直流電源Eが入力されると、起動回路1では抵抗R1を介して定電流回路CC1に入力電圧Vstが印加される。このとき、比較器CPの出力はLレベルであるため、スイッチSW1はオンしている。従って、定電流回路CC1により所定の定電流Ic(例えば2.5mA)が起動電流Istとして流れ、ダイオードD1を介してコンデンサC10が充電され、コンデンサC10の電圧が上昇する。コンデンサC10の電圧は、制御回路3の電源入力端子VCCに供給され、制御回路3の電源電圧Vccとなる。
さらに、本発明のスイッチング電源装置において、前記第1の閾電圧は、前記制御回路の停止電圧よりも低く設定しても良い。
また、本発明の起動回路は、トランスの一次巻線を介して直流電源に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子のオンオフを制御する制御回路と、前記トランスの二次巻線に発生する電圧を整流及び平滑して負荷に供給する第1整流平滑回路と、前記トランスの三次巻線に発生する電圧を整流及び平滑して前記制御回路に電源電圧として供給する第2整流平滑回路とを備えるスイッチング電源装置に設けられ、前記直流電源の投入時に起動電流を前記制御回路に供給する起動回路であって、前記電源電圧が前記制御回路の起動電圧よりも低い第1の閾電圧以下の場合と前記起動電圧を超える場合とには、第1の定電流を起動電流として前記制御回路に供給すると共に、前記電源電圧が前記閾電圧を超えて前記起動電圧以下の場合には、前記第1の定電流より大きい第2の定電流を起動電流として前記制御回路に供給、前記電源電圧が前記制御回路の起動電圧よりも高い第2の閾電圧を超えると、前記電源電圧の上昇に伴って前記第1の定電流を低下させることを特徴とする。
第1の実施の形態のスイッチング電源装置は、図1を参照すると、コンデンサC1と、起動回路1aと、一次巻線P1、二次巻線S1及び三次巻線P2を有するトランスTと、例えばMOSFETからなるスイッチング素子Q10と、スイッチング素子Q10に流れる電流を検出する抵抗R10と、スイッチング素子Q10のオンオフを制御する制御回路3と、ダイオードD11及びコンデンサC11からなる第1整流平滑回路と、ダイオードD10及びコンデンサC10からなる第2整流平滑回路と、検出回路7とを備えている。
また、トランジスタQ5のベースと抵抗R8の接続点には、制御回路3aの停止信号出力端子OFFに接続されている。
起動回路1では抵抗R1を介して定電流回路CC1に入力電圧Vstが印加され、定電流回路CC1により所定の定電流Ic(例えば2.5mA)が起動電流Istとして流れる。ここで、制御回路3の電源入力端子VCCと接地端子GNDとの間が短絡しているため、コンデンサC10が充電されることなく、電源電圧Vccは、上昇せず0Vのままである。従って、定電流回路CC1から定電流Icが流れ続け、起動回路1の損失は、直流電源Eの電圧Vst×定電流Icとなり発熱が大きくなる。これにより、起動回路1、スイッチング素子Q10の損失が増大し、素子を破壊させることがある。
第2の実施の形態のスイッチング電源装置の起動回路1bは、図4を参照すると、第1の実施の形態のスイッチング電源装置の起動回路1aの構成に加え、ダイオードD2とツェナーダイオードZD4とを備えている。ダイオードD2は、ツェナーダイオードZD2と直列に接続され、ツェナーダイオードZD2のアノードとダイオードD1のアノードとの間に接続されている。ツェナーダイオードZD4は、ツェナーダイオードZD2のアノードとダイオードD2のアノードとの接続点と、制御回路3aの接地端子GNDとの間に接続されている。また、ツェナーダイオードZD4のツェナー電圧VZ4は、制御回路3aの起動電圧Von(例えば18V)よりも高い電圧値に設定され、第2の閾電圧V2として機能する。
VZ2+VZ4=Vcc+VFD1+VBE2+R3×Ib+Vgs1となる。
ここで、VFD1はダイオードD1の順方向電圧、VBE2はトランジスタQ2のベース・エミッタ間電圧、Vgs1はMOSFETQ1のゲート・ソース間電圧である。
Ia=(VZ2+VZ4―(V3+VFD1+VBE2+Vgs1))/R3となり、電源電圧Vccの大きさにより低下する関係式であることがわかる。
例えば、第1の実施の形態に、電源電圧Vccと、制御回路3aの起動電圧Vonよりも高い閾電圧とを比較するコンパレータ等の比較回路を設け、電源電圧Vccが制御回路3aの起動電圧Vonよりも高い閾電圧を超えると、比較回路の出力に基づいて第1の定電流Iaを遮断させるように構成してもよい。
3、3a 制御回路
5 負荷
7 検出回路
E 直流電源
C1、C10、C11 コンデンサ
R1〜R10 抵抗
Q1、Q3、Q4 MOSFET
Q2,Q5 トランジスタ
D1、D2、D10、D11 ダイオード
ZD1〜ZD4 ツェナーダイオード
T トランス
Claims (3)
- トランスの一次巻線を介して直流電源に接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子のオンオフを制御する制御回路と、
前記トランスの二次巻線に発生する電圧を整流及び平滑して負荷に供給する第1整流平滑回路と、
前記トランスの三次巻線に発生する電圧を整流及び平滑して前記制御回路に電源電圧として供給する第2整流平滑回路とを備えるスイッチング電源装置であって、
前記電源電圧が前記制御回路の起動電圧よりも低い第1の閾電圧以下の場合と前記起動電圧を超える場合とには、第1の定電流を起動電流として前記制御回路に供給すると共に、前記電源電圧が前記第1の閾電圧を超えて前記起動電圧以下の場合には、前記第1の定電流より大きい第2の定電流を前記起動電流として前記制御回路に供給する起動回路を具備し、
前記起動回路は、前記電源電圧が前記制御回路の起動電圧よりも高い第2の閾電圧を超えると、前記電源電圧の上昇に伴って前記第1の定電流を低下させることを特徴とするスイッチング電源装置。 - 前記第1の閾電圧は、前記制御回路の停止電圧よりも低く設定されていることを特徴とする請求項1記載のスイッチング電源装置。
- トランスの一次巻線を介して直流電源に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子のオンオフを制御する制御回路と、前記トランスの二次巻線に発生する電圧を整流及び平滑して負荷に供給する第1整流平滑回路と、前記トランスの三次巻線に発生する電圧を整流及び平滑して前記制御回路に電源電圧として供給する第2整流平滑回路とを備えるスイッチング電源装置に設けられ、前記直流電源の投入時に起動電流を前記制御回路に供給する起動回路であって、
前記電源電圧が前記制御回路の起動電圧よりも低い第1の閾電圧以下の場合と前記起動電圧を超える場合とには、第1の定電流を起動電流として前記制御回路に供給すると共に、前記電源電圧が前記閾電圧を超えて前記起動電圧以下の場合には、前記第1の定電流より大きい第2の定電流を起動電流として前記制御回路に供給し、前記電源電圧が前記制御回路の起動電圧よりも高い第2の閾電圧を超えると、前記電源電圧の上昇に伴って前記第1の定電流を低下させることを特徴とする起動回路。
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