CN202550872U - 一种ac-dc芯片、系统及其高压启动控制电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于电力转换领域,尤其涉及一种AC-DC芯片、系统及其高压启动控制电路。本实用新型利用现有的AC-DC芯片和系统,在不增加外围应用元器件的基础上,去掉了传统电路系统中的高压启动电阻,提供了一种待机功耗极低的AC-DC芯片、系统及其高压启动控制电路,一方面解决了传统AC-DC系统待机功耗消耗过大的技术问题;另一方面,本实用新型也使电路系统得以简化,也节省了系统板的空间和成本。
Description
技术领域
本实用新型属于电力转换领域,尤其涉及一种AC-DC芯片、系统及其高压启动控制电路。
背景技术
在许多情况下,一般电力(如市电)需要经过转换才能符合工业生产和生活使用的需要。为了达到将交流转换成直流、高电压变成低电压等的转换目的,手段是多种多样的。广义上讲,凡是用半导体功率器件作为开关,将一种电源形态转换为另一形态的主电路都叫做开关变换器电路;转变时用自动控制、闭环稳定输出并有保护电路的则称为开关电源。
一般而言,AC-DC变换包括整流及离线式变换,市电AC输入经过整流以后变成一个直流高压,再经过DC-DC变换就得到可用的低压直流电。之所以称为离线是因为变换器中有高频变压器隔离,使输出的直流离线的缘故。
一般的AC-DC系统如图1所示,虚线框内所示为AC-DC芯片200。市电AC输入经过整流以后,得到一个直流高压。系统刚上电时,VDD的电压为0,此时电源开关M1一直关闭,输出电压也为0。为了给VDD充电,传统的做法如图1所示,会采用一个启动电阻Rr给VDD的外挂电容C1充电。当输入VDD的电压达到启动电压阈值时,电源开关M1开始开关动作,而输出电压或电流将反馈到FB端口,来控制M1的打开时间,达到使输出电压或电流稳定的目的。这样一个AC-DC系统有一个缺点就是待机功耗较大。若AC电压为220V,则所得直流电压约为300V;若Rr=1MΩ,则充电电流Ir约为300uA,那么其待机功耗约为300V×300uA=90mW。在提倡节能环保的今天,此种AC-DC系统的待机功耗太大了,这样的启动电路已经慢慢不适应时代的发展了。
实用新型内容
本实用新型旨在提供一种待机功耗极低的高压启动控制电路,以解决现有的AC-DC系统待机功耗过大的问题。
改进后的AC-DC系统将图1所示的原系统中消耗了很大待机功耗的启动电阻Rr去掉了,取而代之的是在系统内部增加的高压启动控制电路。本实用新型是这样实现的:
一种AC-DC芯片的高压启动控制电路,与AC-DC系统变压器初级线圈的第二端与所述AC-DC芯片的电源开关M1的高电位端的公共连接端相连,用以控制对所述AC-DC芯片外的外挂电容C1的充电快慢,所述AC-DC芯片的高压启动控制电路包括:
高压启动开关管M0、二极管D0、电阻R0、电流源单元、PMOS管M3、PMOS管M4、NMOS管M5、开关管M6和比较器U0;
所述高压启动开关管M0的高电位端接所述AC-DC芯片的电源开关M1的高电位端,所述高压启动开关管M0的低电位端接所述二极管D0的阳极,所述二极管D0的阴极通过所述电阻R0同时接所述电流源单元的输入端、所述PMOS管M3的源极、所述PMOS管M4的源极和所述开关管M6的高电位端,所述PMOS管M3的漏极同时接所述PMOS管M3的栅极和所述电流源单元的第一输出端,所述PMOS管M3的栅极与所述PMOS管M4的栅极相连,所述PMOS管M4的漏极同时接所述NMOS管M5的漏极和所述开关管M6的控制端,所述NMOS管M5的栅极接所述比较器U0的输出端,所述NMOS管M5的源极与所述电流源单元的第二输出端相连并接地,所述比较器U0的同相输入端接所述开关管M6的低电位端,所述高压启动开关管M0的控制端与所述开关管M6的控制端相连,所述比较器U0的反相输入端接参考电压,所述外挂电容C1接在所述比较器U0的同相输入端与地之间。
其中,所述的电流源单元100包括:电阻R1、电阻R2、NMOS管M2和NMOS管M7;所述电阻R1的第一端是所述电流源单元100的输入端,所述电 阻R1的第二端同时接所述NMOS管M2的栅极和所述NMOS管M7的漏极,所述NMOS管M2的漏极作为所述电流源单元100的第一输出端与所述PMOS管M3的漏极相连,所述NMOS管M2的源极同时接所述NMOS管M7的栅极和所述电阻R2的第一端,所述NMOS管M7的源极与所述电阻R2的第二端相连作为所述电流源单元100的第二输出端。
进一步的,所述的高压启动开关管M0可以为耗尽型高压NMOS管,所述耗尽型高压NMOS管的漏极为所述高压启动开关管M0的高电位端,所述耗尽型高压NMOS管的源极为所述高压启动开关管M0的低电位端,所述耗尽型高压NMOS管的栅极为所述高压启动开关管M0的控制端。
所述的高压启动开关管M0也可以为高压JFET,所述高压JFET的漏极为所述高压启动开关管M0的高电位端,所述高压JFET的源极为所述高压启动开关管M0的低电位端,所述高压JFET的栅极为所述高压启动开关管M0的控制端。
更进一步的,所述开关管M6为NMOS管,所述NMOS管的栅极为所述开关管M6的控制端,所述NMOS管的漏极为所述开关管M6的高电位端,所述NMOS管的源极为所述开关管M6的低电位端。
所述开关管M6也可以为PMOS管,所述PMOS管的栅极为所述开关管M6的控制端,所述PMOS管的源极为所述开关管M6的高电位端,所述PMOS管的漏极为所述开关管M6的低电位端。
本实用新型的另一目的在于提供一种AC-DC芯片,芯片连接在AC-DC系统变压器初级线圈的第二端与地之间,包括电源开关M1和电源控制电路,所述的AC-DC芯片还包括如上所述的高压启动控制电路,通过该高压启动控制电路调整对外挂电容C1充电的电流大小,进而控制AC-DC芯片的上电速度。
本实用新型的另一目的还在于提供一种AC-DC系统,所述AC-DC系统包括变压器T、二极管D1、二极管D2、电容C1、电容C2、电阻R4、电感L0和上述的AC-DC芯片,所述变压器T的初级线圈的第一端接市电高压输入端, 所述变压器T的初级线圈的第二端接所述AC-DC芯片上的电源开关M1的高电位端,所述AC-DC芯片同时接所述电容C1的第一端和所述电阻R4的第一端,所述电容C1的第二端接地,所述电阻R4的第二端接所述二极管D1的阴极,所述二极管D1的阳极通过所述电感L0与所述AC-DC芯片上的电源开关M1的低电位端相连并接地,所述变压器T的次级线圈通过所述二极管D2和所述电容C2输出低压直流电。
本实用新型是在不增加外围应用元器件的基础上,将传统AC-DC电路系统中的高压启动电阻去掉,在系统芯片内增加高压启动控制电路,一方面解决了传统AC-DC系统功耗过大的技术问题,另一方面,也使电路系统得以简化,节省了系统板的空间和成本。
附图说明
图1是现有技术中的AC-DC系统的结构框图;
图2是本实用新型提供的高压启动控制电路应用于AC-DC系统后的结构框图;
图3是本实用新型实施例提供的高压启动控制电路的具体电路结构图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
图1是现有技术中的AC-DC系统的结构框图。
图2是本实用新型提供的高压启动控制电路300应用于AC-DC芯片200后的AC-DC系统结构框图,虚线框内为AC-DC芯片200,本实用新型提供的高压启动控制电路为图中300所示部分。与图1所示的原系统不同的是,将消耗了很大待机功耗的启动电阻Rr去掉了,取而代之的是在系统芯片内部增加的 高压启动控制电路。通过该高压启动控制电路调整对外挂电容C1充电的电流大小,进而控制AC-DC芯片的上电速度。
图3是本实用新型实施例提供的高压启动控制电路的具体电路结构图,如图3所示:
一种高压启动控制电路,与AC-DC系统变压器初级线圈的第二端与所述AC-DC芯片的电源开关M1的高电位端的公共连接端相连,用以控制对所述AC-DC芯片外的外挂电容C1的充电快慢,包括:高压启动开关管M0、二极管D0、电阻R0、电流源单元100、PMOS管M3、PMOS管M4、NMOS管M5、开关管M6、比较器U0;电容C1是外挂电容;
高压启动开关管M0的高电位端接AC-DC芯片的电源开关M1的高电位端,即电源开关M1的DRAIN端,高压启动开关管M0的低电位端接二极管D0的阳极,二极管D0的阴极通过电阻R0同时接电流源单元100的输入端、PMOS管M3的源极、PMOS管M4的源极和开关管M6的高电位端,PMOS管M3的漏极同时接PMOS管M3的栅极和电流源单元100的第一输出端,PMOS管M3的栅极与PMOS管M4的栅极相连,PMOS管M4的漏极同时接NMOS管M5的漏极和开关管M6的控制端,NMOS管M5的栅极接比较器U0的输出端,NMOS管M5的源极与电流源单元100的第二输出端相连并接地,比较器U0的同相输入端接开关管M6的低电位端,高压启动开关管M0的控制端与开关管M6的控制端相连,比较器U0的反相输入端接参考电压,外挂电容C1连接在比较器U0的同相输入端与地之间。
作为本实用新型的一种实施例,电流源单元100包括:电阻R1、电阻R2、NMOS管M2和NMOS管M7;电阻R1的第一端是电流源单元100的输入端,电阻R1的第二端同时接NMOS管M2的栅极和NMOS管M7的漏极,NMOS管M2的漏极作为电流源单元100的第一输出端与PMOS管M3的漏极相连,NMOS管M2的源极同时接NMOS管M7的栅极和电阻R2的第一端,NMOS管M7的源极与电阻R2的第二端相连作为电流源单元100的第二输出端并接 地。
作为本实用新型的一种实施例,高压启动开关管M0为耗尽型高压NMOS管,该耗尽型高压NMOS管的阈值电压Vth(M0)为负压,且漏极耐压可高达700V。将耗尽型高压NMOS管的漏极作为高压启动开关管M0的高电位端,耗尽型高压NMOS管的源极为高压启动开关管M0的低电位端,耗尽型高压NMOS管的栅极为高压启动开关管M0的控制端。
作为本实用新型的另一种实施例,高压启动开关管M0为高压JFET,同样的,其阈值电压Vth(M0)为负压,且漏极耐压可高达700V。高压JFET的漏极为高压启动开关管M0的高电位端,高压JFET的源极为高压启动开关管M0的低电位端,高压JFET的栅极为高压启动开关管M0的控制端。
作为本实用新型的又一种实施例,开关管M6为NMOS管,NMOS管的栅极为开关管M6的控制端,NMOS管的漏极为开关管M6的高电位端,NMOS管的源极为开关管M6的低电位端。
作为本实用新型的又一种实施例,开关管M6为PMOS管,PMOS管的栅极为开关管M6的控制端,PMOS管的源极为开关管M6的高电位端,PMOS管的漏极为开关管M6的低电位端。
下面针对图3所示的高压启动控制电路的具体结构,对其工作原理进行说明。其中:开关管M6采用NMOS管、高压启动开关管M0采用耗尽型高压NMOS管或者高压JFET时。
高压启动开关管M0为耗尽型高压NMOS管或高压JFET,开关管M0的阈值电压Vth(M0)为负压,且漏极耐压可高达700V。系统刚上电时,高压启动开关管M0的栅极电压Vg=0,源极电压Vs=0,Vgs>Vth,高压启动开关管M0导通,二极管D0也导通,电流通过二极管D0和电阻R0进入由电阻R1、电阻R2、NMOS管M2和NMOS管M7组成的电流源100。当电阻R0第二端处的电压值V1>Vth(M7)+Vth(M2)时,NMOS管M2和NMOS管M7都导通,其所在的电流源100开始工作,向PMOS管M3输出电流,且流过PMOS管M3的 电流值为Vgs(M7)/R2。
此时比较器U0同相输入端的电位VDD还较低,使能信号输出端E N为低电平,NMOS管M5不导通,所以Vgs(M0)=-(VD0+I*R0),其中VD0和I分别为二极管D0的压降和流过电阻R0的电流。充电期间高压启动开关管M0一直导通,即只要保证Vgs(M0)=-(VD0+I*R0)>Vth(M0),当高压启动开关管M0栅极电压升高到Vg>Vth(M6)时,因图中所示的开关管M6采用的是NMOS管,故NMOS管M6导通。设计使得流过电阻R0的电流足够大,那么流过NMOS管M6的电流,也即是对比较器U0同相输入端的外挂电容C1充电的电流,就约等于流过电阻R0的电流;所以通过调整电阻R0的大小,可以限制对外挂电容C1充电的电流大小,进而在一个较大范围内控制比较器U0的上电速度,即是控制AC-DC芯片的上电速度。
流过高压启动管M0的电流持续对比较器U0的外挂电容C1充电,使同相输入端电压VDD一直上升,直到VDD>VR,使得比较器U0的芯片达到启动电压,开始正常工作,比较器U0将会翻转,使能信号输出端EN电平由低变高,NMOS管M5导通。NMOS管M5一导通,高压启动开关管M0栅极电压Vg被拉低,使得高压启动开关管M0和NMOS管M6都被关断,此时NMOS管M6相当于一个二极管,给PMOS管M3、PMOS管M4提供电流,并且V1=VDD-Vd(M6),Vd(M6)是NMOS管M6的寄生二极管的压降,则V1跟随VDD维持较高电压。二极管D0阻止了高压启动开关管M0的反向导通,即阻止VDD向电源开关M1的DRAIN端倒灌电流。
此时,该电路工作过程中必须保证Vgs(M0)<Vth(M0),即0-(V1+VD0)<Vth(M0),解这个不等式就是V1>-Vth(M0)-VD0,这也说明要使高压启动开关管M0重新开启的条件是V1≤-Vth(M0)-VD0,即VDD≤-Vth(M0)-VD0+Vd(M6)。换言之,当VDD满足:VDD>-Vth(M0)-VD0+Vd(M6)时,才能保证系统开始正常工作后,高压启动开关管M0被关断,不会再有电流从高压启动开关管M0进入系统。因图1所示的传统电路系统中消耗很大待机功耗的高 压启动电阻Rr已不复存在,故采用本实用新型提供的高压启动控制电路的AC-DC系统的待机功耗极低。
本实用新型提供的AC-DC芯片和AC-DC系统,包括所述的任何一种实施例提供的高压启动控制电路。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种AC-DC芯片的高压启动控制电路,与AC-DC系统变压器初级线圈的第二端与所述AC-DC芯片的电源开关M1的高电位端的公共连接端相连,用以控制对所述AC-DC芯片外的外挂电容C1的充电快慢,其特征在于,所述AC-DC芯片的高压启动控制电路包括:
高压启动开关管M0、二极管D0、电阻R0、电流源单元、PMOS管M 3、PMOS管M4、NMOS管M5、开关管M6和比较器U0;
所述高压启动开关管M0的高电位端接所述AC-DC芯片的电源开关M1的高电位端,所述高压启动开关管M0的低电位端接所述二极管D0的阳极,所述二极管D0的阴极通过所述电阻R0同时接所述电流源单元的输入端、所述PMOS管M3的源极、所述PMOS管M4的源极和所述开关管M6的高电位端,所述PMOS管M3的漏极同时接所述PMOS管M3的栅极和所述电流源单元的第一输出端,所述PMOS管M3的栅极与所述PMOS管M4的栅极相连,所述PMOS管M4的漏极同时接所述NMOS管M5的漏极和所述开关管M6的控制端,所述NMOS管M5的栅极接所述比较器U0的输出端,所述NMOS管M5的源极与所述电流源单元的第二输出端相连并接地,所述比较器U0的同相输入端接所述开关管M6的低电位端,所述高压启动开关管M0的控制端与所述开关管M6的控制端相连,所述比较器U0的反相输入端接参考电压,所述外挂电容C1接在所述比较器U0的同相输入端与地之间。
2.如权利要求1所述的高压启动控制电路,其特征在于,所述的电流源单元包括:电阻R1、电阻R2、NMOS管M2和NMOS管M7;
所述电阻R1的第一端是所述电流源单元的输入端,所述电阻R1的第二端同时接所述NMOS管M2的栅极和所述NMOS管M7的漏极,所述NMOS管M2的漏极作为所述电流源单元的第一输出端与所述PMOS管M3的漏极相连,所述NMOS管M2的源极同时接所述NMOS管M7的栅极和所述电阻R2的第一端,所述NMOS管M7的源极与所述电阻R2的第二端相连作为所述电流源单元的第二输出端。
3.如权利要求1或2所述的高压启动控制电路,其特征在于,所述的高压启动开关管M0为耗尽型高压NMOS管,所述耗尽型高压NMOS管的漏极为所述高压启动开关管M0的高电位端,所述耗尽型高压NMOS管的源极为所述高压启动开关管M0的低电位端,所述耗尽型高压NMOS管的栅极为所述高压启动开关管M0的控制端。
4.如权利要求1或2所述的高压启动控制电路,其特征在于,所述的高压启动开关管M0为高压JFET,所述高压JFET的漏极为所述高压启动开关管M0的高电位端,所述高压JFET的源极为所述高压启动开关管M0的低电位端,所述高压JFET的栅极为所述高压启动开关管M0的控制端。
5.如权利要求1或2所述的高压启动控制电路,其特征在于,所述开关管M6为NMOS管,所述NMOS管的栅极为所述开关管M6的控制端,所述NMOS管的漏极为所述开关管M6的高电位端,所述NMOS管的源极为所述开关管M6的低电位端。
6.如权利要求1或2所述的高压启动控制电路,其特征在于,所述开关管M6为PMOS管,所述PMOS管的栅极为所述开关管M6的控制端,所述PMOS管的源极为所述开关管M6的高电位端,所述PMOS管的漏极为所述开关管M6的低电位端。
7.一种AC-DC芯片,连接在AC-DC系统变压器初级线圈的第二端与地之间,包括电源开关M1和电源控制电路,所述AC-DC芯片外接一个外挂电容C1,其特征在于,所述的AC-DC芯片还包括如权利要求1-6任一项所述的高压启动控制电路。
8.一种AC-DC系统,其特征在于,所述AC-DC系统包括变压器T、二极管D1、二极管D2、电容C1、电容C2、电阻R4、电感L0和如权利要求7所述的AC-DC芯片,所述变压器T的初级线圈的第一端接市电高压输入端,所述变压器T的初级线圈的第二端接所述AC-DC芯片上的电源开关M1的高电位端,所述AC-DC芯片同时接所述电容C1的第一端和所述电阻R4的第一端,所述电容C1的第二端接地,所述电阻R4的第二端接所述二极管D1的阴极,所述二极管D1的阳极通过所述电感L0与所述AC-DC芯片上的电源开关M1的低电位端相连并接地,所述变压器T的次级线圈通过所述二极管D2和所述电容C2输出低压直流电。
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---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
AV01 | Patent right actively abandoned |
Granted publication date: 20121121 Effective date of abandoning: 20141210 |
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RGAV | Abandon patent right to avoid regrant |