JP6062565B1 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

［課題］小型化を図ることができ、配線抵抗が小さく高効率な半導体装置を提供する。［解決手段］実施形態の半導体装置１は、絶縁基板２と、第１の方向に延在する導電部３と、導電部３から第２の方向に離間し且つ第１の方向に延在する導電部４と、導電部３と導電部４との間に第１の方向に沿って並ぶ複数の導電部５と、導電部３上に実装されたハイサイドスイッチ１１，１２，１３と、各々が対応する導電部５上に実装されたローサイドスイッチ１４，１５，１６と、複数の導電部５との間に導電部３が位置するように第１の方向に沿って配列された複数の信号端子と、導電部３に電気的に接続された電源端子２１と、導電部４に電気的に接続されたグランド端子２２と、各々が対応する導電部５に電気的に接続され、絶縁基板２の他端側に第１の方向に沿って配列され、導電部４を通り且つ第１の方向に延びる直線Ｌを跨ぐ出力端子２３，２４，２５とを備える。

Description

本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
従来、半導体装置の一つとして、直流電源から入力した直流電力を交流電力に変換して出力するインバータ装置が知られている。インバータ装置は、例えば、直流電圧を３相の交流電圧に変換し、３相モータを駆動するために用いられる。このような半導体装置に対し、近年、ますます小型化および高効率化が求められている。
特許文献１には、インダクタンスの低減と装置の小型化を目的としたインバータ装置が記載されている。このインバータ装置では、電源端子（インバータ入力端子）やグランド端子（インバータグランド端子）はいずれも、一つに束ねられず、一方向に配列されている（特許文献１の図２０参照）。
特許文献２には、損失やノイズを低減することを目的としたインバータ装置が記載されている。このインバータ装置では、電源端子に電気的に接続された電源ブロックと、グランドに接続されるグランドブロックとが隣接して配置されている（特許文献２の図１５参照）。
特開２０１１−２５０４９１号公報 特開２０１４−７２３１６号公報
しかしながら、特許文献１のインバータ装置では、電源端子やグランド端子が一つに束ねられてないため横幅が大きくなり、小型化を進めることが困難である。また、特許文献２のインバータ装置では、電源ブロックとグランドブロックとが隣接して配置されているため、電流経路が長くなって配線抵抗が大きくなり、効率が低下するという問題がある。
そこで、本発明は、小型化を図ることができ、配線抵抗が小さく高効率な半導体装置を提供することを目的とする。
本発明に係る半導体装置は、
直流電力を交流電力に変換する半導体装置であって、
絶縁基板と、
第１の方向に延在するように前記絶縁基板上に設けられた第１の導電部と、
前記第１の導電部から前記第１の方向と異なる第２の方向に離間し且つ前記第１の方向に延在するように前記絶縁基板上に設けられた第２の導電部と、
前記第１の導電部と前記第２の導電部との間に前記第１の方向に沿って並ぶように前記絶縁基板上に設けられた複数の第３の導電部と、
第１の主電極、第２の主電極および制御電極を有し、前記第１の方向に沿って前記第１の導電部上に実装され、前記第１の主電極が前記第１の導電部に電気的に接続された複数の第１のスイッチと、
第３の主電極、第４の主電極および制御電極を有し、各々が対応する前記第３の導電部上に実装され、前記第３の主電極が前記第１のスイッチの前記第２の主電極に電気的に接続され、前記第４の主電極が前記第２の導電部に電気的に接続された複数の第２のスイッチと、
前記複数の第３の導電部との間に前記第１の導電部が位置するように前記第１の方向に沿って配列された複数の信号端子と、
前記第１の導電部に電気的に接続され、前記複数の信号端子が設けられた前記絶縁基板の一端側に配置された電源端子と、
前記第２の導電部に電気的に接続され、前記絶縁基板の前記一端側に配置されたグランド端子と、
各々が対応する前記第３の導電部に電気的に接続され、前記絶縁基板の前記一端側の反対側である他端側に前記第１の方向に沿って配列され、前記第２の導電部を通り且つ前記第１の方向に延びる直線を跨ぐ複数の出力端子と、
を備えることを特徴とする。
また、前記半導体装置において、
前記第２のスイッチの前記第４の主電極と、前記第２の導電部とは導電ワイヤーにより電気的に接続されており、前記導電ワイヤーは、前記第４の主電極に一端が接続され、前記第２の導電部のうち、隣り合う前記出力端子に挟まれた領域に他端が接続されていてもよい。
また、前記半導体装置において、
前記複数の信号端子の先端部は、前記第１の方向に沿って千鳥状に配置されているようにしてもよい。
また、前記半導体装置において、
前記電源端子および前記グランド端子の先端部は、前記複数の信号端子に対して千鳥状に配置されているようにしてもよい。
また、前記半導体装置において、
前記電源端子、前記グランド端子および前記出力端子のうち少なくともいずれか一つは、前記絶縁基板の隅部に設けられた導電部を回避する平面形状を有するようにしてもよい。
また、前記半導体装置において、
前記平面形状はＬ字型であるようにしてもよい。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、
直流電力を交流電力に変換する半導体装置の製造方法であって、
絶縁基板と、第１の方向に延在するように前記絶縁基板上に設けられた第１の導電部と、前記第１の導電部から前記第１の方向と異なる第２の方向に離間し且つ前記第１の方向に延在するように前記絶縁基板上に設けられた第２の導電部と、前記第１の導電部と前記第２の導電部との間に前記第１の方向に沿って並ぶように前記絶縁基板上に設けられた複数の第３の導電部とを有する配線板を用意する工程と、
複数の信号端子、電源端子およびグランド端子を含む第１の端子群と、複数の出力端子を含む第２の端子群とを有するリードフレームを用意する工程と、
前記第１の導電部上にクリームはんだを介して複数の第１のスイッチを前記第１の方向に沿って載置し、前記各第３の導電部上にクリームはんだを介して第２のスイッチを載置する工程と、
前記電源端子の基部、前記グランド端子の基部、および前記出力端子の基部が、前記第１の導電部上、前記第２の導電部に接続され前記第２の方向に延在する第４の導電部上、および前記第３の導電部上にクリームはんだを介してそれぞれ接するように前記配線板と前記リードフレームとを位置合わせする工程と、
リフロー処理により、前記電源端子、前記グランド端子および前記出力端子を、前記第１の導電部、前記第２の導電部および前記第３の導電部にそれぞれ接合させる工程と、
前記第２の導電部と前記第２のスイッチの主電極とを導電ワイヤーで接続するボンディング工程と、
を備えることを特徴とする。
また、前記半導体装置の製造方法において、
前記ボンディング工程は、前記導電ワイヤーの一端を前記第２のスイッチの前記主電極に接続する第１接続工程と、前記第１接続工程の後、前記導電ワイヤーの他端を、前記第２の導電部のうち、隣り合う前記出力端子に挟まれた領域に接続する第２接続工程と、を有してもよい。
本発明に係る半導体装置では、第１の方向に延在する第１の導電部と、第１の方向と異なる第２の方向に離間し且つ第１の方向に延在する第２の導電部と、第１の導電部と第２の導電部との間に第１の方向に沿って並ぶ複数の第３の導電部と、第１の方向に沿って第１の導電部上に実装された複数の第１のスイッチと、各々が対応する第３の導電部上に実装された複数の第２のスイッチと、複数の第３の導電部との間に第１の導電部が位置するように第１の方向に沿って配列された複数の信号端子と、第１の導電部に電気的に接続された電源端子と、第２の導電部に電気的に接続されたグランド端子と、各々が対応する第３の導電部に電気的に接続された複数の出力端子とを備える。そして、電源端子およびグランド端子は、複数の信号端子が設けられた絶縁基板の一端側に配置され、複数の出力端子は、絶縁基板の他端側に第１の方向に沿って配列される。また、各出力端子は、第２の導電部を通り且つ第１の方向に延びる直線を跨ぐ。このような構成により本発明によれば、半導体装置の小型化を図ることができ、配線抵抗が小さく高効率な半導体装置を提供することができる。
実施形態に係る半導体装置１の概略的な構成を示す平面図である。 実施形態に係る半導体装置１の回路構成を示す回路図である。 実施形態に係る半導体装置１の製造に用いられるリードフレーム７０の平面図である。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法について説明する。
（半導体装置）
本発明の実施形態に係る半導体装置１について図１および図２を参照して説明する。実施形態に係る半導体装置１は、図２の回路図に示すように、電源端子２１とグランド端子２２に接続された直流電源（図示せず）から入力した直流電力を３相の交流電力に変換して出力端子２３，２４，２５から出力する半導体装置（インバータ装置）である。
半導体装置１では、上面に導電部３〜７が設けられた絶縁基板２の上に、ハイサイドスイッチ１１，１２，１３およびローサイドスイッチ１４，１５，１６が実装され、三相フルブリッジ回路を構成している。
半導体装置１は、図１に示すように、セラミック基板等の絶縁基板２と、導電部３（第１の導電部）と、導電部４（第２の導電部）と、複数の導電部５（第３の導電部）と、導電部６（第４の導電部）と、導電部７と、ハイサイドスイッチ１１，１２，１３（複数の第１のスイッチ）と、ローサイドスイッチ１４，１５，１６（複数の第２のスイッチ）と、制御端子３１〜３６と、モニタ端子４１〜４５と、電源端子２１と、グランド端子２２と、複数の出力端子２３，２４，２５と、サーミスタ１７と、Ａｌワイヤー等の導電ワイヤー５１〜５３と、封止部６０とを備えている。以下、半導体装置１の各構成要素について詳しく説明する。
導電部３〜７は、絶縁基板２の上面に設けられた導電パターンである。この導電部３〜７は、銅、アルミ等の金属からなる。なお、絶縁基板２の下面は、放熱性を高めるために金属層（図示せず）で覆われていてもよい。
導電部３は、図１に示すように、第１の方向に延在するように絶縁基板２上に設けられている。この導電部３上には、ハイサイドスイッチ１１，１２，１３が実装されている。
導電部４は、図１に示すように、導電部３から第２の方向に離間し且つ第１の方向に延在するように絶縁基板２上に設けられている。すなわち、導電部４は、導電部３と略平行に設けられている。ここで、第２の方向は、第１の方向と異なる方向であり、例えば、第１の方向と直交する方向である。
導電部４は、導電部６を介してグランド端子２２に電気的に接続されている。導電部６は、導電部４に接続され、第２の方向に延在している。なお、導電部６は必須の構成ではなく、導電部４はグランド端子２２に直接接続されてもよい。例えば、グランド端子２２として、導電部６の長さに相当する分だけ長く形成された端子を使用し、出力端子２５としては、グランド端子２２と干渉しない形状（Ｉ字型等）の端子が使用される。
複数の導電部５は、図１に示すように、導電部３と導電部４との間に、第１の方向に沿って並ぶように絶縁基板２上に設けられている。各導電部５上には、ローサイドスイッチ１４，１５，１６が一つずつ実装されている。
導電部７は、図１に示すように、絶縁基板２の隅部に島状に設けられている。この導電部７は、半導体装置１の製造において封止部６０を形成するときに、モールド金型が当接する部分である。
ハイサイドスイッチ１１，１２，１３は、ドレイン電極（第１の主電極）、ソース電極（第２の主電極）およびゲート電極（制御電極）を有する。ドレイン電極、ソース電極およびゲート電極は、ハイサイドスイッチ１１，１２，１３の下面、上面および側面にそれぞれ設けられている。なお、ハイサイドスイッチ１１〜１３およびローサイドスイッチ１４〜１６は、例えばパワーＭＯＳＦＥＴであるが、ＩＧＢＴ等の他の半導体スイッチング素子であってもよい。
ハイサイドスイッチ１１，１２，１３は、第１の方向に沿って導電部３上に実装されている。ハイサイドスイッチ１１，１２，１３のドレイン電極は、はんだ（図示せず）を介して、導電部３に電気的に接続されている。また、ハイサイドスイッチ１１，１２，１３のソース電極は、Ａｌワイヤー等の導電ワイヤーおよび導電部５を介して、対応するローサイドスイッチ１４，１５，１６のドレイン電極にそれぞれ電気的に接続されている。ハイサイドスイッチ１１，１２，１３のゲート電極は、金線等の金属細線５４を介して、制御端子３１，３３，３５にそれぞれ電気的に接続されている。
ローサイドスイッチ１４，１５，１６は、ドレイン電極（第３の主電極）、ソース電極（第４の主電極）およびゲート電極（制御電極）を有する。ドレイン電極、ソース電極およびゲート電極は、ローサイドスイッチ１４，１５，１６の下面、上面および側面にそれぞれ設けられている。
ローサイドスイッチ１４，１５，１６は、各々が対応する導電部５上に実装されている。ローサイドスイッチ１４，１５，１６のドレイン電極は、導電部５および導電ワイヤーを介して、対応するハイサイドスイッチ１１，１２，１３のソース電極に電気的に接続されている。ローサイドスイッチ１４，１５，１６のソース電極は、導電ワイヤー５１，５２，５３を介して、導電部４に電気的に接続されている。ローサイドスイッチ１４，１５，１６のゲート電極は、金属細線を介して、制御端子３２，３４，３６にそれぞれ電気的に接続されている。
半導体装置１は、信号端子として、制御端子３１〜３６およびモニタ端子４１〜４５を有する。制御端子３１，３３，３５はハイサイドスイッチ１１，１２，１３をオン／オフ制御するための端子であり、制御端子３２，３４，３６はローサイドスイッチ１４，１５，１６をオン／オフ制御するための端子である。
モニタ端子４１，４２，４３は、各相の出力電圧をモニタするための端子である。モニタ端子４１は、ハイサイドスイッチ１１のソース電極およびローサイドスイッチ１４のドレイン電極に電気的に接続されている。同様に、モニタ端子４２は、ハイサイドスイッチ１２のソース電極およびローサイドスイッチ１５のドレイン電極に電気的に接続され、モニタ端子４３は、ハイサイドスイッチ１３のソース電極およびローサイドスイッチ１６のドレイン電極に電気的に接続されている。
モニタ端子４４，４５は、サーミスタ１７の電圧をモニタするための端子である。サーミスタ１７は、半導体装置１の内部温度を測定するために設けられている。このサーミスタ１７として、例えば、温度が高くなるほど抵抗が小さくなるＮＴＣタイプのものが使用される。
図１に示すように、制御端子３１〜３６およびモニタ端子４１〜４５は、絶縁基板２の一端に沿って並んで配置されている。換言すれば、制御端子３１〜３６およびモニタ端子４１〜４５は、複数の導電部５との間に導電部３が位置するように第１の方向に沿って配列されている。
なお、複数の信号端子の先端部は、第１の方向に沿って千鳥状に配置されていてもよい。本実施形態では、図１に示すように、制御端子３１〜３６およびモニタ端子４１〜４５の先端部を第２の方向へ交互にずらしている。これにより、半導体装置１が実装される制御基板（図示せず）のスルーホールのピッチを緩和することができる。
電源端子２１は直流電源に接続するための端子であり、グランド端子２２は接地用の端子である。電源端子２１およびグランド端子２２は、図１に示すように、複数の信号端子が設けられた絶縁基板２の一端側に先端部が配置されている。
電源端子２１は、導電部３に電気的に接続されている。より具体的には、電源端子２１は、その基部２１ａにおいて導電部３にはんだ付けされている。グランド端子２２は、導電部４に電気的に接続されている。より具体的には、グランド端子２２は、その基部２２ａにおいて導電部６にはんだ付けされている。電源端子２１とグランド端子２２は、図１に示すように、制御端子３１〜３６およびモニタ端子４１〜４５を挟むように設けられている。
なお、図１に示すように、電源端子２１およびグランド端子２２の先端部は、制御端子３１〜３６およびモニタ端子４１〜４５（複数の信号端子）に対して千鳥状に配置されていてもよい。
出力端子２３，２４，２５（複数の出力端子）は、三相フルブリッジ回路により変換された三相交流を出力するための端子であり、各々が対応する導電部５に電気的に接続されている。より具体的には、出力端子２３，２４，２５は、その基部２３ａ，２４ａ，２５ａにおいて、対応する導電部５にはんだ付けされている。
図１に示すように、出力端子２３，２４，２５は、制御端子３１〜３６およびモニタ端子４１〜４５と反対側に配置されている。すなわち、出力端子２３，２４，２５は、絶縁基板２の一端側の反対側である他端側に第１の方向に沿って配列されている。出力端子２３，２４，２５の先端部は、絶縁基板２の他端側に配置されている。また、出力端子２３，２４，２５は、図１に示すように、直線Ｌを跨ぐように設けられている。この直線Ｌは、導電部４を通り且つ第１の方向に延びる直線である。
なお、電源端子２１、グランド端子２２および出力端子２３，２４，２５のうち少なくともいずれか一つは、絶縁基板２の四隅にある導電部７を回避する平面形状を有してもよい。これにより、封止部６０を形成する際に、端子がモールド金型と干渉することを防止できる。本実施形態では、電源端子２１、グランド端子２２および出力端子２３，２５は、図１に示すように、導電部７を回避するように平面形状がＬ字型である。ただし、平面形状はＬ字型に限らず、導電部７を回避する形状であれば他の形状（例えば弧状）でもよい。
前述のように、ローサイドスイッチ１４のソース電極と導電部４とは、導電ワイヤー５１により電気的に接続されている。この導電ワイヤー５１は、図１に示すように、ローサイドスイッチ１４のソース電極に一端が接続され、導電部４のうち、隣り合う出力端子２３および出力端子２４に挟まれた領域Ａに他端が接続されている。同様に、ローサイドスイッチ１５のソース電極と導電部４とを電気的に接続する導電ワイヤー５２は、ローサイドスイッチ１５のソース電極に一端が接続され、領域Ａに他端が接続されている。ローサイドスイッチ１６のソース電極と導電部４とを電気的に接続する導電ワイヤー５３は、図１に示すように、ローサイドスイッチ１６のソース電極に一端が接続され、導電部４のうち、隣り合う出力端子２４および出力端子２５に挟まれた領域Ｂに他端が接続されている。
封止部６０は、絶縁基板２の上面側、導電部３〜７、ハイサイドスイッチ１１，１２，１３、ローサイドスイッチ１４，１５，１６、サーミスタ１７、導電ワイヤー５１，５２，５３および各種端子の一部を封止している。
上記のように、本実施形態に係る半導体装置１は、第１の方向に延在する導電部３と、第１の方向と異なる第２の方向に離間し且つ第１の方向に延在する導電部４と、導電部３と導電部４との間に第１の方向に沿って並ぶ複数の導電部５と、第１の方向に沿って導電部３上に実装されたハイサイドスイッチ１１，１２，１３と、各々が対応する導電部５上に実装されたローサイドスイッチ１４，１５，１６と、複数の導電部５との間に導電部３が位置するように第１の方向に沿って配列された複数の信号端子と、導電部３に電気的に接続された電源端子２１と、導電部４に電気的に接続されたグランド端子２２と、各々が対応する導電部５に電気的に接続された出力端子２３，２４，２５とを備える。そして、電源端子２１およびグランド端子２２は、複数の信号端子が設けられた絶縁基板２の一端側に配置され、出力端子２３，２４，２５は、絶縁基板２の他端側に第１の方向に沿って配列されている。また、出力端子２３，２４，２５は、導電部４を通り且つ第１の方向に延びる直線Ｌを跨ぐように設けられている。このような構成により、配線長が抑えられ、インピータンスやインダクタンスを低減することができるとともに、装置サイズを小さくすることができる。
よって本実施形態によれば、半導体装置の小型化を図ることができ、配線抵抗が小さく高効率な半導体装置を提供することができる。
（半導体装置の製造方法）
次に、上記の半導体装置１の製造方法について説明する。
まず、絶縁基板２と、絶縁基板２上に設けられた導電部３，４，５とを有する配線板（図示せず）、およびリードフレーム７０を用意する。このリードフレーム７０は、図３に示すように、複数の信号端子（制御端子３１〜３６、モニタ端子４１〜４５）、電源端子２１およびグランド端子２２を含む第１の端子群と、複数の出力端子２３，２４，２５を含む第２の端子群とを有する。第１の端子群に含まれる端子の基部と、第２の端子群に含まれる端子の基部とは対向するように設けられている。
次に、導電部３上にクリームはんだを介してハイサイドスイッチ１１，１２，１３を第１の方向に沿って載置し、各導電部５上にクリームはんだを介してローサイドスイッチ１４，１５，１６を載置する。なお、サーミスタ１７も配線板の所定の場所に載置する。
次に、電源端子２１の基部２１ａ、グランド端子２２の基部２２ａ、および出力端子２３，２４，２５の基部２３ａ，２４ａ，２５ａがそれぞれ、導電部３上、導電部６上、および導電部５上にクリームはんだを介して接するように配線板とリードフレーム７０とを位置合わせする。
なお、上記の手順に限らず、配線板とリードフレーム７０との位置合わせを行った後にハイサイドスイッチ１１，１２，１３、ローサイドスイッチ１４，１５，１６を配線板上に載置してもよい。
次に、リフロー処理により、電源端子２１、グランド端子２２および出力端子２３，２４，２５をそれぞれ、導電部３、導電部４および導電部５に接合させる。その後、フラックス残渣を洗浄し除去する。
次に、導電部４とローサイドスイッチ１４，１５，１６のソース電極とを導電ワイヤー５１，５２，５３で接続する（ボンディング工程）。このボンディング工程は、導電ワイヤー５１，５２，５３の一端をローサイドスイッチ１４，１５，１６のソース電極に接続する第１接続工程と、第１接続工程の後、導電ワイヤー５１，５２，５３の他端を、導電部４のうち、隣り合う出力端子に挟まれた領域Ａ，Ｂに接続する第２接続工程と、を有する。
次に、トランスファーモールド法により、絶縁基板２の上面側、ハイサイドスイッチ１１，１２，１３、ローサイドスイッチ１４，１５，１６、導電ワイヤー５１，５２，５３、各種端子の一部を封止して、図１に示す封止部６０を形成する。その後、リードフレーム７０の不要部分（タイバー等）を切断し、各種端子のフォーミングを行うことで、半導体装置１が得られる。なお、フォーミング工程において、複数の信号端子の先端部が第１の方向に沿って千鳥状に配置されるように、各種端子をフォーミングしてもよい。
上述した製造方法においては、ボンディング工程の際、導電ワイヤー５１，５２，５３の他端を出力端子間の領域Ａ，Ｂに接続することで、ボンディング装置と出力端子２３，２４，２５が干渉せず、ボンディング装置が導電ワイヤーを導電部４上で容易に切断することができる。その結果、本実施形態によれば、半導体装置の製造性を向上させることができる。
上記の記載に基づいて、当業者であれば、本発明の追加の効果や種々の変形を想到できるかもしれないが、本発明の態様は、上述した個々の実施形態に限定されるものではない。異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。特許請求の範囲に規定された内容及びその均等物から導き出される本発明の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更及び部分的削除が可能である。
１ 半導体装置
２ 絶縁基板
３，４，５，６，７ 導電部
１１，１２，１３ ハイサイドスイッチ
１４，１５，１６ ローサイドスイッチ
１７ サーミスタ
２１ 電源端子
２２ グランド端子
２３，２４，２５ 出力端子
２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａ 基部
３１〜３６ 制御端子
４１〜４５ モニタ端子
５１〜５３ 導電ワイヤー
５４ 金属細線
６０ 封止部
７０ リードフレーム
Ａ，Ｂ 領域
Ｌ 直線

Claims (8)

  1. 直流電力を交流電力に変換する半導体装置であって、
    絶縁基板と、
    第１の方向に延在するように前記絶縁基板上に設けられた第１の導電部と、
    前記第１の導電部から前記第１の方向と異なる第２の方向に離間し且つ前記第１の方向に延在するように前記絶縁基板上に設けられた第２の導電部と、
    前記第１の導電部と前記第２の導電部との間に前記第１の方向に沿って並ぶように前記絶縁基板上に設けられた複数の第３の導電部と、
    第１の主電極、第２の主電極および制御電極を有し、前記第１の方向に沿って前記第１の導電部上に実装され、前記第１の主電極が前記第１の導電部に電気的に接続された複数の第１のスイッチと、
    第３の主電極、第４の主電極および制御電極を有し、各々が対応する前記第３の導電部上に実装され、前記第３の主電極が前記第１のスイッチの前記第２の主電極に電気的に接続され、前記第４の主電極が前記第２の導電部に電気的に接続された複数の第２のスイッチと、
    前記複数の第３の導電部との間に前記第１の導電部が位置するように前記第１の方向に沿って配列された複数の信号端子と、
    前記第１の導電部に電気的に接続され、前記複数の信号端子が設けられた前記絶縁基板の一端側に配置された電源端子と、
    前記第２の導電部に電気的に接続され、前記絶縁基板の前記一端側に配置されたグランド端子と、
    各々が対応する前記第３の導電部に電気的に接続され、前記絶縁基板の前記一端側の反対側である他端側に前記第１の方向に沿って配列され、前記第２の導電部を通り且つ前記第１の方向に延びる直線を跨ぐ複数の出力端子と、
    を備えることを特徴とする半導体装置。
  2. 前記第２のスイッチの前記第４の主電極と、前記第２の導電部とは導電ワイヤーにより電気的に接続されており、前記導電ワイヤーは、前記第４の主電極に一端が接続され、前記第２の導電部のうち、隣り合う前記出力端子に挟まれた領域に他端が接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記複数の信号端子の先端部は、前記第１の方向に沿って千鳥状に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  4. 前記電源端子および前記グランド端子の先端部は、前記複数の信号端子に対して千鳥状に配置されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
  5. 前記電源端子、前記グランド端子および前記出力端子のうち少なくともいずれか一つは、前記絶縁基板の隅部に設けられた導電部を回避する平面形状を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  6. 前記平面形状はＬ字型であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
  7. 直流電力を交流電力に変換する半導体装置の製造方法であって、
    絶縁基板と、第１の方向に延在するように前記絶縁基板上に設けられた第１の導電部と、前記第１の導電部から前記第１の方向と異なる第２の方向に離間し且つ前記第１の方向に延在するように前記絶縁基板上に設けられた第２の導電部と、前記第１の導電部と前記第２の導電部との間に前記第１の方向に沿って並ぶように前記絶縁基板上に設けられた複数の第３の導電部とを有する配線板を用意する工程と、
    複数の信号端子、電源端子およびグランド端子を含む第１の端子群と、複数の出力端子を含む第２の端子群とを有するリードフレームを用意する工程と、
    前記第１の導電部上にクリームはんだを介して複数の第１のスイッチを前記第１の方向に沿って載置し、前記各第３の導電部上にクリームはんだを介して第２のスイッチを載置する工程と、
    前記電源端子の基部、前記グランド端子の基部、および前記出力端子の基部が、前記第１の導電部上、前記第２の導電部に接続され前記第２の方向に延在する第４の導電部上、および前記第３の導電部上にクリームはんだを介してそれぞれ接するように前記配線板と前記リードフレームとを位置合わせする工程と、
    リフロー処理により、前記電源端子、前記グランド端子および前記出力端子を、前記第１の導電部、前記第２の導電部および前記第３の導電部にそれぞれ接合させる工程と、
    前記第２の導電部と前記第２のスイッチの主電極とを導電ワイヤーで接続するボンディング工程と、
    を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  8. 前記ボンディング工程は、前記導電ワイヤーの一端を前記第２のスイッチの前記主電極に接続する第１接続工程と、前記第１接続工程の後、前記導電ワイヤーの他端を、前記第２の導電部のうち、隣り合う前記出力端子に挟まれた領域に接続する第２接続工程と、を有することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
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