CN110752208A - 三相全桥模块及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种功率器件电子模块，具体涉及一种三相全桥模块及其制造方法。所述三相全桥模块包括：第一相桥臂、第二相桥臂、第三相桥臂和金属框架；所述第一相桥臂、第二相桥臂和第三相桥臂各自分别包括第一功率器件M1和第二功率器件M2；在各相桥臂中，第一功率器件M1的漏极和第二功率器件M2的源极相连形成相连引脚；第一相桥臂、第二相桥臂和第三相桥臂的相连引脚为别为相连引脚A1、相连引脚A2和相连引脚A3；所述金属框架包括金属臂，所述金属臂将所述第一相桥臂的第二功率器件M2漏极、第二相桥臂的第二功率器件M2漏极，和第三相桥臂的第二功率器件M2漏极相连。本发明能够抑制寄生电阻与寄生电容。

Description

三相全桥模块及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种功率器件电子模块，具体涉及一种三相全桥模块及其制造方法。
背景技术
功率器件及其模块为实现多种形式电能之间转换提供了有效的途径，在国防建设、交通运输、工业生产、医疗卫生等领域得到了广泛应用。自上世纪50年代第一款功率器件应用以来，每一代功率器件的推出，都使得能源更为高效地转换和使用。
传统功率电子模块内的电子元件由硅基功率器件主导，主要以晶闸管、功率PIN器件、功率双极结型器件、功率MOSFET以及绝缘栅场效应晶体管等器件为主。在进行电子模块设计时，电子元件的电极与电极之间、电极与引脚之间往往通过金属线连接，这导致电子模块内部的寄生电阻、寄生电感偏大，使得电子模块的能量损耗增加。
故而，亟需一种能够抑制寄生电阻与寄生电容的打线方式，以克服现有技术所存在的不足。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提出了一种抑制寄生电阻与寄生电容的三相全桥模块和制造方法。
根据本发明提供的技术方案，作为本发明的第一方面，提供一种三相全桥模块，所述三相全桥模块包括：第一相桥臂、第二相桥臂、第三相桥臂和金属框架；
所述第一相桥臂、第二相桥臂和第三相桥臂各自分别包括第一功率器件M1和第二功率器件M2；在各相桥臂中，第一功率器件M1的漏极和第二功率器件M2的源极相连形成相连引脚；第一相桥臂、第二相桥臂和第三相桥臂的相连引脚分别为相连引脚A1、相连引脚A2和相连引脚A3；
所述金属框架包括金属臂，所述金属臂将所述第一相桥臂的第二功率器件M2漏极、第二相桥臂的第二功率器件M2漏极，和第三相桥臂的第二功率器件M2漏极相连。
优选的，所述金属臂的左、右两端分别形成左金属板、右金属板；
所述第一相桥臂的第二功率器件M2的漏极面，贴附在所述左金属板的左部分表面；所述左金属板的左部分形成漏极引脚B1；
所述第二相桥臂的第二功率器件M2的漏极面，贴附在所述左金属板的右部分表面；所述左金属板的右部分形成漏极引脚B2；
所述第三相桥臂的第二功率器件M2的漏极面，贴附在所述右金属板的表面；所述右金属板形成漏极引脚B3。
优选的，所述左金属板的左侧设有第一金属板，所述左金属板和右金属板之间设有第二金属板，所述右金属板的右侧设有第三金属板；
所述第一相桥臂的第一功率器件M1的漏极面，贴附在所述第一金属板表面；所述第一金属板形成所述相连引脚A1；
所述第二相桥臂的第一功率器件M1的漏极面，贴附在所述第二金属板表面；所述第二金属板形成所述相连引脚A2；
所述第三相桥臂的第一功率器件M1的漏极面，贴附在所述第三金属板表面；所述第三金属板形成所述相连引脚A3。
优选的，所述漏极引脚B1、漏极引脚B2、漏极引脚B3、相连引脚A1、相连引脚A2和相连引脚A3的引脚宽度范围为：0.5~10mm。
优选的，所述左金属板、金属臂和右金属板三面包围形成凹口，所述第二金属板位于所述凹口中。
优选的，所述第一相桥臂的第二功率器件M2的源极，通过连接桥连接所述第一金属板；
所述第二相桥臂的第二功率器件M2的源极，通过连接桥连接所述第二金属板；
所述第三相桥臂的第二功率器件M2的源极，通过连接桥连接所述第三金属板；
所述连接桥的宽度为0.3~10mm。
优选的，所述第一相桥臂的第一功率器件M1的源极，引出源极引脚C1；
所述第二相桥臂的第一功率器件M1的源极，引出源极引脚C2；
所述第三相桥臂的第一功率器件M1的源极，引出源极引脚C3；
所述第一相桥臂的第一功率器件M1的栅极引出栅极引脚D1；所述第一相桥臂的第二功率器件M2的栅极，引出栅极引脚D2；
所述第二相桥臂的第二功率器件M2的栅极引出栅极引脚D3；所述第二相桥臂的第一功率器件M1的栅极引出栅极引脚D4；
所述第三相桥臂的第二功率器件M2的栅极，引出栅极引脚D5；所述第三相桥臂的第一功率器件M1的栅极引出栅极引脚D6。
优选的，所述栅极引脚D1、栅极引脚D2、栅极引脚D3、栅极引脚D4、栅极引脚D5和栅极引脚D6的宽度范围为0.3~5mm。
优选的，还包括封装部，所述封装部用于封装所述金属框架。
作为本发明的第二方面，提供三相全桥模块制造方法，所述三相全桥模块制造方法包括：
第一步：提供第一相桥臂、第二相桥臂、第三相桥臂和金属框架；
第二步：将各相桥臂的第一功率器件M1的漏极面和第二功率器件M2的漏极面贴附在金属框架对应位置；
第三步：通过连接桥将各相桥臂的第一功率器件M1的漏极和第二功率器件M2源极连接；
第四步：将金属框架的各栅极引脚对应连接在功率器件的栅极；
第五步：通过封装部进行封装；
第六步：高温固化第五步封装后得到的产品，并打印和测试，从而形成三相全桥模块。
从以上所述可以看出，本发明提供的三相全桥模块和制造方法，与现有技术相比具备以下优点：通过金属框架的金属臂将所述第一相桥臂、第二相桥臂和第三相桥臂连在一起，相比现有技术中通过繁杂的金属线打线方式，金属框架400能够使得连接关系稳定简洁，避免因繁杂交错连接而产生的寄生效应，能够明显降低模块内功率器件之间的寄生电阻和寄生电感，此外还能够降低制造成本。
附图说明
图1为本发明的电原理图。
图2为本发明的具体结构示意图。
图3为本发明封装后的外部结构示意图。
图4为本发明A1引脚结构的示意图。
图5为本发明C1引脚结构的示意图。
图6为本发明制造方法中提供金属引线框架步骤的示意图。
图7为本发明制造方法中将功率器件的背面漏极贴装在引线框架上的示意图。
图8为本发明制造方法中将功率器件的栅极与引脚通过金属线连接的示意图。
100.第一相桥臂，200.第二相桥臂，300.第三相桥臂，400.金属框架，410.金属臂，420.左金属板，430.右金属板，440.第一金属板，450.第二金属板，460.第三金属板，470.凹口，500.连接桥，600.引线，700.封装部。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。其中相同的零部件用相同的附图标记表示。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向。使用的词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。
作为本发明的第一方面，如图1和图2所示，提供一种三相全桥模块，所述三相全桥模块包括：第一相桥臂100、第二相桥臂200、第三相桥臂300和金属框架400；所述第一相桥臂100、第二相桥臂200和第三相桥臂300各自分别包括第一功率器件M1和第二功率器件M2；在各相桥臂中，第一功率器件M1的漏极和第二功率器件M2的源极相连形成相连引脚；第一相桥臂100、第二相桥臂200和第三相桥臂300的相连引脚为别为相连引脚A1、相连引脚A2和相连引脚A3；所述金属框架400包括金属臂410，所述金属臂410将所述第一相桥臂100的第二功率器件M2漏极、第二相桥臂200的第二功率器件M2漏极，和第三相桥臂300的第二功率器件M2漏极相连。
可以理解的是，通过金属框架400的金属臂410将所述第一相桥臂100、第二相桥臂200和第三相桥臂300连在一起，相比现有技术中通过繁杂的金属线打线方式，金属框架400能够使得连接关系稳定简洁，避免因繁杂交错连接而产生的寄生效应，能够明显降低模块内功率器件之间的寄生电阻和寄生电感，此外还能够降低制造成本。
所述金属臂410的左、右两端分别形成左金属板420、右金属板430；所述第一相桥臂100的第二功率器件M2的漏极面，贴附在所述左金属板420的左部分表面；所述左金属板420的左部分形成漏极引脚B1；所述第二相桥臂200的第二功率器件M2的漏极面，贴附在所述左金属板420的右部分表面；所述左金属板420的右部分形成漏极引脚B2；所述第三相桥臂300的第二功率器件M2的漏极面，贴附在所述右金属板430的表面；所述右金属板430形成漏极引脚B3。
需要解释的是，所述漏极引脚B1与所述左金属板420的左部分连为一体；所述漏极引脚B2与所述左金属板420的右部分连为一体；所述漏极引脚B3与所述右金属板430连为一体。
可以理解的是，所述第二功率器件M2的漏极面通过贴附在对应的金属板表面上，从而实现第二功率器件M2与对应的金属板连接，并且从金属板的对应区域直接引出与所述金属板连为一体的漏极引脚，从而能够避免繁杂的布线，简化器件排布，避免器件之间出现寄生效应；此外所述第二功率器件M2的漏极面直接与金属板表面连接能够避免延时效应，提高本装置的工作效率。
所述左金属板420的左侧设有第一金属板440，所述左金属板420和右金属板430之间设有第二金属板450，所述右金属板430的右侧设有第三金属板460；所述第一相桥臂100的第一功率器件M1的漏极面，贴附在所述第一金属板440表面；所述第一金属板440形成所述相连引脚A1；所述第二相桥臂200的第一功率器件M1的漏极面，贴附在所述第二金属板450表面；所述第二金属板450形成所述相连引脚A2；所述第三相桥臂300的第一功率器件M1的漏极面，贴附在所述第三金属板460表面；所述第三金属板460形成所述相连引脚A3。
需要解释的是，所述相连引脚A1与所述第一金属板440连为一体；所述相连引脚A2与所述第二金属板450连为一体；所述相连引脚A3与所述第三金属板460连为一体。
可以理解的是，所述第一功率器件M1的漏极面通过贴附在对应的金属板表面上，从而实现第一功率器件M1与对应的金属板连接，并且从金属板的对应区域直接引出与所述金属板连为一体的相连引脚，从而能够避免繁杂的布线，简化器件排布，避免器件之间出现寄生效应；此外所述第一功率器件M1的漏极面直接与金属板表面连接能够避免延时效应，提高本装置的工作效率。
所述漏极引脚B1、漏极引脚B2、漏极引脚B3、相连引脚A1、相连引脚A2和相连引脚A3的引脚宽度范围为：0.5~10mm。
需要解释的是，如图2和图4所示，所述漏极引脚B1、漏极引脚B2、漏极引脚B3、相连引脚A1、相连引脚A2和相连引脚A3的根部形成第一弯折，所述第一弯折能够提高所述引脚在直插时的牢固程度，防止引脚折断，所述漏极引脚B1、漏极引脚B2、漏极引脚B3、相连引脚A1、相连引脚A2和相连引脚A3的结构相同。所述左金属板420、金属臂410和右金属板430三面包围形成凹口470，所述第三金属板460位于所述凹口470中。优选地，所述漏极引脚B1、漏极引脚B2、漏极引脚B3、相连引脚A1、相连引脚A2和相连引脚A3为直插型引脚或鸥型引脚。
所述第一相桥臂100的第二功率器件M2的源极，通过连接桥500连接所述第一金属板440；所述第二相桥臂200的第二功率器件M2的源极，通过连接桥500连接所述第二金属板450；所述第三相桥臂300的第二功率器件M2的源极，通过连接桥500连接所述第三金属板460。
可以理解的是，通过连接桥500将第一相桥臂100的第二功率器件M2的源极与第一金属板440，第二相桥臂200的第二功率器件M2的源极与第二金属板450，第三相桥臂300的第二功率器件M2的源极与第三金属板460相连；并且第一金属板440直接连接第一相桥臂100的第一功率器件M1漏极，第二金属板450直接连接第二相桥臂200的第一功率器件M1漏极，第三金属板460直接连接第三相桥臂300的第一功率器件M1的漏极；从而实现了在各相桥臂中，第一功率器件M1的漏极和第二功率器件M2的源极通过连接桥500相连。
所述第一相桥臂100的第一功率器件M1的源极，引出源极引脚C1；所述第二相桥臂200的第一功率器件M1的源极，引出源极引脚C2；所述第三相桥臂300的第一功率器件M1的源极，引出源极引脚C3。
需要解释的是，如图2和图5所示，所述源极引脚C1、源极引脚C2和源极引脚C3的根部分别形成第二弯折，所述第二弯折能够提高对应引脚的牢固程度，防止引脚直插折弯情况的出现；所述源极引脚C1、源极引脚C2和源极引脚C3的结构相同。优选地，所述源极引脚C1、源极引脚C2和源极引脚C3为直插型引脚或鸥型引脚。
所述第一相桥臂100的第一功率器件M1的栅极，引出栅极引脚D1；所述第一相桥臂100的第二功率器件M2的栅极，引出栅极引脚D2；所述第二相桥臂200的第二功率器件M2的栅极引出栅极引脚D3；所述第二相桥臂200的第一功率器件M1的栅极引出栅极引脚D4；所述第三相桥臂300的第二功率器件M2的栅极，引出栅极引脚D5；所述第三相桥臂300的第一功率器件M1的栅极引出栅极引脚D6。
需要解释的是，所述栅极引脚D1、栅极引脚D2、栅极引脚D3、栅极引脚D4、栅极引脚D5和栅极引脚D6为通过引线600连在对应的功率器件栅极上。优选地，所述栅极引脚D1、栅极引脚D2、栅极引脚D3、栅极引脚D4、栅极引脚D5和栅极引脚D6为直插型引脚或鸥型引脚。
所述栅极引脚D1、栅极引脚D2、栅极引脚D3、栅极引脚D4、栅极引脚D5和栅极引脚D6的宽度范围为0.3~5mm。
还包括封装部700，如图3所示，所述封装部700用于封装所述金属框架400。
对于本发明的制造方法，包括以下步骤：
第一步：如图6所示，提供金属框架400，所述金属框架400包括金属臂410，所述金属臂410的左、右两端分别形成左金属板420、右金属板430；所述左金属板420的左侧设有第一金属板440，所述左金属板420和右金属板430之间设有第二金属板450，所述右金属板430的右侧设有第三金属板460。
所述第一金属板440上形成所述相连引脚A1，所述左金属板420的左部分形成漏极引脚B1，所述左金属板420的右部分形成漏极引脚B2，所述第二金属板450上形成所述相连引脚A2，所述右金属板430上形成漏极引脚B3，所述第三金属板460上形成所述相连引脚A3。
所述相连引脚A1和漏极引脚B1之间设置栅极引脚D1，漏极引脚B1和漏极引脚B2之间设置栅极引脚D2，漏极引脚B2和相连引脚A2之间设置栅极引脚D3，相连引脚A2和漏极引脚B3之间设置栅极引脚D4，漏极引脚B3和相连引脚A3之间设置栅极引脚D5，所述相连引脚A3右侧设置栅极引脚D6。
第二步：如图7所示，将第一相桥臂100的第一功率器件M1的漏极面贴附在第一金属板440上，将第一相桥臂100的第二功率器件M2的漏极面贴附在左金属板420的左部分表面；第二相桥臂200的第二功率器件M2的漏极面贴附在所述左金属板420的右部分表面，第二相桥臂200的第一功率器件M1的漏极面第二金属板450表面；第三相桥臂300的第二功率器件M2的漏极面贴附在所述右金属板430的表面，第三相桥臂300的第一功率器件M1的漏极面贴附在第三金属板460。
第三步：如图8所示，通过连接桥500将第一相桥臂100第一功率器件M1的漏极和第一相桥臂100第二功率器件M2源极连接；通过连接桥500将第二相桥臂200第一功率器件M1漏极和第二相桥臂200第二功率器件M2的源极连接；通过连接桥500将第三相桥臂300第一功率器件M1的漏极和第三相桥臂300第二功率器件M2的源极连接。
第四步：将栅极引脚D1连接第一相桥臂100第一功率器件M1的栅极，栅极引脚D2连接第一相桥臂100第二功率器件M2的栅极，栅极引脚D3连接第二相桥臂200第二功率器件M2的栅极，栅极引脚D4连接第二相桥臂200第一功率器件M1的栅极，栅极引脚D5连接第三相桥臂300第二功率器件M2的栅极，栅极引脚D6连接第三相桥臂300第一功率器件M1的栅极。
第五步：通过封装部700将第一相桥臂100、第二相桥臂200、第三相桥臂300和金属框架400和部分引脚包裹封装。
第六步：高温固化第五步封装后得到的产品，并打印和测试，从而形成三相全桥模块。
所属领域的普通技术人员应当理解：以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的主旨之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种三相全桥模块，其特征在于，所述三相全桥模块包括：第一相桥臂（100）、第二相桥臂（200）、第三相桥臂（300）和金属框架（400）；
所述第一相桥臂（100）、第二相桥臂（200）和第三相桥臂（300）各自分别包括第一功率器件M1和第二功率器件M2；在各相桥臂中，第一功率器件M1的漏极和第二功率器件M2的源极相连形成相连引脚；第一相桥臂（100）、第二相桥臂（200）和第三相桥臂（300）的相连引脚分别为相连引脚A1、相连引脚A2和相连引脚A3；
所述金属框架（400）包括金属臂（410），所述金属臂（410）将所述第一相桥臂（100）的第二功率器件M2漏极、第二相桥臂（200）的第二功率器件M2漏极，和第三相桥臂（300）的第二功率器件M2漏极相连。
2.如权利要求1所述的三相全桥模块，其特征在于，
所述金属臂（410）的左、右两端分别形成左金属板（420）、右金属板（430）；
所述第一相桥臂（100）的第二功率器件M2的漏极面，贴附在所述左金属板（420）的左部分表面；所述左金属板（420）的左部分形成漏极引脚B1；
所述第二相桥臂（200）的第二功率器件M2的漏极面，贴附在所述左金属板（420）的右部分表面；所述左金属板（420）的右部分形成漏极引脚B2；
所述第三相桥臂（300）的第二功率器件M2的漏极面，贴附在所述右金属板（430）的表面；所述右金属板（430）形成漏极引脚B3。
3.如权利要求2所述的三相全桥模块，其特征在于，
所述左金属板（420）的左侧设有第一金属板（440），所述左金属板（420）和右金属板（430）之间设有第二金属板（450），所述右金属板（430）的右侧设有第三金属板（460）；
所述第一相桥臂（100）的第一功率器件M1的漏极面，贴附在所述第一金属板（440）表面；所述第一金属板（440）形成所述相连引脚A1；
所述第二相桥臂（200）的第一功率器件M1的漏极面，贴附在所述第二金属板（450）表面；所述第二金属板（450）形成所述相连引脚A2；
所述第三相桥臂（300）的第一功率器件M1的漏极面，贴附在所述第三金属板（460）表面；所述第三金属板（460）形成所述相连引脚A3。
4.如权利要求3所述的三相全桥模块，其特征在于，所述漏极引脚B1、漏极引脚B2、漏极引脚B3、相连引脚A1、相连引脚A2和相连引脚A3的引脚宽度范围为：0.5~10mm。
5.如权利要求3所述的三相全桥模块，其特征在于，所述左金属板（420）、金属臂（410）和右金属板（430）三面包围形成凹口（470），所述第二金属板（450）位于所述凹口（470）中。
6.如权利要求3中所述的三相全桥模块，其特征在于，
所述第一相桥臂（100）的第二功率器件M2的源极，通过连接桥（500）连接所述第一金属板（440）；
所述第二相桥臂（200）的第二功率器件M2的源极，通过连接桥（500）连接所述第二金属板（450）；
所述第三相桥臂（300）的第二功率器件M2的源极，通过连接桥（500）连接所述第三金属板（460）；
所述连接桥（500）的宽度为0.3~10mm。
7.如权利要求1中任意一项权利要求所述的三相全桥模块，其特征在于，
所述第一相桥臂（100）的第一功率器件M1的源极，引出源极引脚C1；
所述第二相桥臂（200）的第一功率器件M1的源极，引出源极引脚C2；
所述第三相桥臂（300）的第一功率器件M1的源极，引出源极引脚C3；
所述第一相桥臂（100）的第一功率器件M1的栅极，引出栅极引脚D1；所述第一相桥臂（100）的第二功率器件M2的栅极，引出栅极引脚D2；
所述第二相桥臂（200）的第二功率器件M2的栅极引出栅极引脚D3；所述第二相桥臂（200）的第一功率器件M1的栅极引出栅极引脚D4；
所述第三相桥臂（300）的第二功率器件M2的栅极，引出栅极引脚D5；所述第三相桥臂（300）的第一功率器件M1的栅极引出栅极引脚D6。
8.如权利要求7所述的三相全桥模块，其特征在于，所述栅极引脚D1、栅极引脚D2、栅极引脚D3、栅极引脚D4、栅极引脚D5和栅极引脚D6的宽度范围为0.3~5mm。
9.如权利要求1中任意一项权利要求所述的三相全桥模块，其特征在于，还包括封装部（700），所述封装部（700）用于封装所述金属框架（400）。
10.一种三相全桥模块制造方法，其特征在于，所述三相全桥模块制造方法包括：
第一步：提供第一相桥臂100、第二相桥臂200、第三相桥臂300和金属框架400；
第二步：将各相桥臂的第一功率器件M1的漏极面和第二功率器件M2的漏极面贴附在金属框架400对应位置；
第三步：通过连接桥500将各相桥臂的第一功率器件M1的漏极和第二功率器件M2源极连接；
第四步：将金属框架400的各栅极引脚对应连接在功率器件的栅极；
第五步：通过封装部700进行封装；
第六步：高温固化第五步封装后得到的产品，并打印和测试，从而形成三相全桥模块。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4250355A3 (en) * 2022-03-23 2023-10-11 Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd. Package structure of bidirectional switch, semiconductor device, and power converter

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102931182A (zh) * 2012-11-12 2013-02-13 杭州士兰微电子股份有限公司 紧凑型单相集成驱动电路的封装装置及单相集成驱动电路
CN103985693A (zh) * 2014-05-20 2014-08-13 安徽国晶微电子有限公司 无刷直流电机集成驱动电路的封装结构及其封装方法
CN106856669A (zh) * 2015-05-29 2017-06-16 新电元工业株式会社 半导体装置及其制造方法
US20180358285A1 (en) * 2017-06-12 2018-12-13 Magnachip Semiconductor, Ltd. Multi-chip package of power semiconductor
CN210778580U (zh) * 2019-11-26 2020-06-16 无锡电基集成科技有限公司 三相全桥模块

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102931182A (zh) * 2012-11-12 2013-02-13 杭州士兰微电子股份有限公司 紧凑型单相集成驱动电路的封装装置及单相集成驱动电路
CN103985693A (zh) * 2014-05-20 2014-08-13 安徽国晶微电子有限公司 无刷直流电机集成驱动电路的封装结构及其封装方法
CN106856669A (zh) * 2015-05-29 2017-06-16 新电元工业株式会社 半导体装置及其制造方法
US20180358285A1 (en) * 2017-06-12 2018-12-13 Magnachip Semiconductor, Ltd. Multi-chip package of power semiconductor
CN210778580U (zh) * 2019-11-26 2020-06-16 无锡电基集成科技有限公司 三相全桥模块

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4250355A3 (en) * 2022-03-23 2023-10-11 Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd. Package structure of bidirectional switch, semiconductor device, and power converter

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