JP6044551B2 - 研磨材分離方法 - Google Patents
研磨材分離方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6044551B2 JP6044551B2 JP2013551618A JP2013551618A JP6044551B2 JP 6044551 B2 JP6044551 B2 JP 6044551B2 JP 2013551618 A JP2013551618 A JP 2013551618A JP 2013551618 A JP2013551618 A JP 2013551618A JP 6044551 B2 JP6044551 B2 JP 6044551B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- abrasive
- slurry
- cerium oxide
- separation
- polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000926 separation method Methods 0.000 title claims description 74
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 119
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 92
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 92
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 60
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 59
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 46
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 claims description 44
- 159000000003 magnesium salts Chemical group 0.000 claims description 31
- -1 alkaline earth metal salt Chemical class 0.000 claims description 27
- 239000012452 mother liquor Substances 0.000 claims description 27
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 65
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 40
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 24
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 22
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 21
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 20
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 16
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 12
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 9
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 6
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 5
- JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N Magnesium ion Chemical compound [Mg+2] JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 5
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001425 magnesium ion Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 4
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 4
- 239000012488 sample solution Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 3
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 3
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 3
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 3
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000282320 Panthera leo Species 0.000 description 2
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004033 diameter control Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 2
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 2
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical group [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- JSYPRLVDJYQMAI-ODZAUARKSA-N (z)-but-2-enedioic acid;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)\C=C/C(O)=O JSYPRLVDJYQMAI-ODZAUARKSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000005156 Dehydration Diseases 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000288 alkali metal carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008041 alkali metal carbonates Chemical class 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 159000000009 barium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- PPYIVKOTTQCYIV-UHFFFAOYSA-L beryllium;selenate Chemical compound [Be+2].[O-][Se]([O-])(=O)=O PPYIVKOTTQCYIV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 159000000007 calcium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000005189 flocculation Methods 0.000 description 1
- 230000016615 flocculation Effects 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002649 leather substitute Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L magnesium acetate Chemical compound [Mg+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011654 magnesium acetate Substances 0.000 description 1
- 235000011285 magnesium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 229940069446 magnesium acetate Drugs 0.000 description 1
- OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L magnesium bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].[Br-] OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001623 magnesium bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L magnesium iodide Chemical compound [Mg+2].[I-].[I-] BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001641 magnesium iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MMKQUGHLEMYQSG-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);praseodymium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Pr+3].[Pr+3] MMKQUGHLEMYQSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Chemical group 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003447 praseodymium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 1
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D11/00—Solvent extraction
- B01D11/02—Solvent extraction of solids
- B01D11/0215—Solid material in other stationary receptacles
- B01D11/0223—Moving bed of solid material
- B01D11/0242—Moving bed of solid material in towers, e.g. comprising contacting elements
- B01D11/0246—Moving bed of solid material in towers, e.g. comprising contacting elements comprising rotating means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D21/00—Separation of suspended solid particles from liquids by sedimentation
- B01D21/01—Separation of suspended solid particles from liquids by sedimentation using flocculating agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/007—Use, recovery or regeneration of abrasive mediums
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/52—Treatment of water, waste water, or sewage by flocculation or precipitation of suspended impurities
- C02F1/5209—Regulation methods for flocculation or precipitation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/52—Treatment of water, waste water, or sewage by flocculation or precipitation of suspended impurities
- C02F1/5236—Treatment of water, waste water, or sewage by flocculation or precipitation of suspended impurities using inorganic agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D21/00—Separation of suspended solid particles from liquids by sedimentation
- B01D21/02—Settling tanks with single outlets for the separated liquid
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2221/00—Applications of separation devices
- B01D2221/14—Separation devices for workshops, car or semiconductor industry, e.g. for separating chips and other machining residues
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/10—Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Water Supply & Treatment (AREA)
- Hydrology & Water Resources (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
はじめに、本実施形態の研磨材分離方法を適用する研磨材再生工程の全体フローについて、図を用いて説明する。
次いで、分離した酸化セリウムを含む濃縮物では、酸化セリウム粒子が無機塩により凝集体(二次粒子)を形成しているため、独立した一次粒子に近い状態まで解きほぐすため、水及び分散剤を添加し、分散装置を用いて、所望の粒子径まで分散する(粒子径制御工程D)。
一般に、光学ガラスや半導体基板等の研磨材としては、ベンガラ(αFe2O3)、酸化セリウム、酸化アルミニウム、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、コロイダルシリカ等の微粒子を水や油に分散させてスラリー状にしたものが用いられているが、本発明においては、半導体基板の表面やガラスの研磨加工において、高精度に平坦性を維持しつつ、十分な加工速度を得るために、物理的な作用と化学的な作用の両方で研磨を行う、化学機械研磨(CMP)に適用が可能な酸化セリウムを主成分とする研磨材を用いる。
研磨材としては、下記に示すような使用形態(研磨工程)を有し、本発明はこのように使用された使用済み研磨材からの再生研磨材再生する研磨材分離方法である。
酸化セリウム主成分とする研磨材の粉体を水等の溶媒に対して1〜15質量%になるように添加、分散して研磨材スラリーを調製する。この研磨材スラリーを研磨機に対して循環供給して使用する。研磨材として使用される酸化セリウム微粒子は、平均粒子径が数十nmから数μmの大きさの粒子が使用される。
図1に示すように、研磨パット(研磨布)とガラス基板を接触させ、接触面に対して研磨材スラリーを供給しながら、加圧条件下でパットとガラスを相対運動させる。
研磨された直後のガラス基板及び、研磨機には大量の研磨材が付着している。そのため、図1で説明したように、研磨した後に研磨材スラリーの代わりに水等を供給し、ガラス及び研磨機に付着した研磨材の洗浄が行われる。この際に、研磨材を含む洗浄液は系外に排出される。
本発明でいう使用済み研磨材スラリーとは、研磨機及び研磨材スラリー用タンクからなる系の外部に排出される研磨材スラリーであって主として二種類ある。
2)研磨布等に付着しているガラス成分も、洗浄時にこの研磨材スラリー1中に流入する。
本発明の研磨材を再生し、再生酸化セリウム含有研磨材を製造する研磨材分離方法は、図1で概要を説明したように、概ねスラリー回収工程A、分離濃縮工程B、研磨材回収工程C、粒子径制御工程Dの4つの工程から構成されている。
研磨機及びスラリー用タンクからなる系から排出される研磨材スラリーを回収する工程である。回収する研磨材スラリーには、前記洗浄水を含む研磨材スラリー1と使用済みの研磨材スラリー2の2種類が含まれる。
回収した使用済み研磨材スラリーは、被研磨物由来のガラス成分を混入している。また、洗浄水の混入により濃度が低下している。研磨加工に再度使用するためには、ガラス成分の分離と、研磨材成分の濃縮を行う必要がある。
前工程であるスラリー回収工程Aで回収した研磨材スラリー(母液)13を、温度検知管T、攪拌機15を備え、外周部に保温ジャケットHを有する分離釜14に投入する。研磨材スラリー(母液)13を分離釜14に投入した後、保温ジャケットHにより、研磨材スラリー(母液)13の液温度を所望の温度に調整する。この保温ジャケットHには、温度検知管Tより検出した研磨材スラリー(母液)13の温度に対し、冷媒あるいは冷却水等の冷却媒体や、温水や蒸気スチーム等の加熱媒体を流入させて、研磨材スラリー(母液)13の温度を、設定した温度に調整する。
所望の温度に制御した研磨材スラリー(母液)13に対し、攪拌しながら、無機塩として2価のアルカリ土類金属塩を、添加容器16より添加し、母液の25℃換算のpH値を10.0未満の条件で維持する。
無機塩の添加により、研磨材スラリー(母液)13中に含まれる酸化セリウム粒子のみが凝集して底部に沈降し、凝集体18を形成する。酸化セリウムが分離沈降した上澄み液17には、ガラス等の非研磨材が含有され、ここで、研磨材と非研磨材とが分離される。
本発明においては、酸化セリウムの凝集に用いる無機塩が、2価のアルカリ土類金属塩であることを特徴とする。
2価のアルカリ土類金属塩の添加方法として、マグネシウム塩を例にして説明する。
添加するマグネシウム塩は、粉体を回収スラリーに直接供給しても良いし、水等の溶媒に溶解させてから研磨材スラリーに添加してもよいが、研磨材スラリーに添加した後に均一な状態になるように、溶媒に溶解させた状態で添加することが好ましい。
マグネシウム塩を添加する際の温度は、回収した研磨材スラリーが凍結する温度以上であって、90℃までの範囲で有れば適宜選択することができるが、研磨材スラリーの温度制御を安定に行い、ガラス成分との分離を効率的に行う観点からは、10℃〜70℃であることが好ましく、10℃〜40℃あることがより好ましい。
マグネシウム塩を添加する速度は、回収した研磨材スラリー中でのマグネシウム濃度が一度に変化せず、均一になるように添加することが好ましい。1分間当たりの添加量が全添加量の20質量%以下であることが好ましく、10質量%以下であることがより好ましい。
本発明の技術的な特徴は、分離濃縮工程Bでマグネシウム塩を添加する際に、予め回収した研磨材スラリーのpH値を調整せずに、母液の25℃換算のpH値が10.0未満の条件で分離濃縮を行うことを特徴とする。一般に、回収した研磨材スラリーのpH値はガラス成分のためややアルカリ性を示し、8〜10未満であるので、予め回収した研磨材スラリーのpH値を調整する必要はない。
マグネシウム塩を添加した後、少なくとも10分以上撹拌を継続することが好ましく、より好ましくは30分以上である。マグネシウム塩を添加すると同時に研磨材粒子の凝集が開始されるが、撹拌状態を維持することで凝集状態が系全体で均一となり凝集物の粒度分布が狭くなり、その後の分離が容易となる。
本発明の研磨材分離方法においては、2価のアルカリ土類金属塩であるマグネシウム塩を、研磨材スラリーに添加する際、研磨材スラリーの温度を10〜70℃の範囲内から選択される任意の温度条件で温度制御しながら添加することを特徴の一つとする。
(3:研磨材回収工程C)
図2に示すような分離濃縮工程Bで、ガラス成分を含む上澄み液17と酸化セリウム粒子を含む凝集体18に分離した後、凝集体18を回収する。
マグネシウム塩の添加により凝集した研磨材の凝集体と上澄み液とを分離する方法としては、一般的な凝集物の分離方法をいずれも採用することができる。すなわち、自然沈降を行って上澄みだけを分離することができ、また遠心分離機等の物理的な方法を行うこともできる。再生酸化セリウム含有研磨材の純度の点から、自然沈降を行うことが好ましい。
本発明の研磨材分離方法においては、上記各工程を経て回収した使用済みの酸化セリウムを再利用するため、最終工程として、酸化セリウム粒子の粒子径分布を調整することができる。
本発明においては、上記粒子径制御工程Dを経て得られる最終的な酸化セリウム含有研磨材は、粒度分布の経時変動が小さく、回収した時の濃度より高く、マグネシウムの含有量としては、0.0005〜0.08質量%の範囲であることが好ましく、その他の物質の含有量は1.0質量%以下であることが好ましい。
〔再生研磨材1の調製:本発明〕
以下の製造工程に従って、再生研磨材1を調製した。
図1に記載の研磨工程で、ハードディスク用ガラス基板の研磨加工を行った後、洗浄水を含む研磨材スラリー1を210リットル、使用済み研磨材を含む研磨材スラリー2を30リットル回収し、回収スラリー液として240リットルとした。この回収スラリー液は比重1.03であり、8.5kgの酸化セリウムが含まれている。
次いで、この回収スラリー液を分離釜に移送し、回収スラリー液の液温度を20±1℃の範囲内で制御し、酸化セリウムが沈降しない程度に撹拌しながら、塩化マグネシウム10質量%水溶液2.5リットルを10分間かけて添加した。塩化マグネシウムを添加した直後の25℃換算のpH値は8.60で、この条件を維持した。
上記の状態で30分撹拌を継続した後、1.5時間静置し、自然沈降法により、上澄み液と凝集物とを沈降・分離した。1.5時間後、図2の工程(4)に従って、排水ポンプを用いて上澄み液を排出し、凝集物を分離回収した。回収した凝集物は60リットルであった。
分離した凝集物に水12リットルを添加した。さらに、金属分離剤(高分子分散剤)としてポリティーA550(ライオン(株)製)を300g添加し、30分撹拌した後、超音波分散機を用いて、凝集物を分散して解きほぐした。
上記再生研磨材1の調製において、2)分離濃縮工程Bで用いた無機塩を、塩化マグネシウムに代えて、硫酸マグネシウムを用いた以外は同様にして、再生研磨材2を得た。
上記再生研磨材1の調製において、2)分離濃縮工程Bにおける温度制御条件を5℃に変更した以外は同様にして、再生研磨材3を得た。
上記再生研磨材1の調製において、2)分離濃縮工程Bにおける温度制御条件を、それぞれ、10℃、30℃、40℃、50℃、70℃に変更した以外は同様にして、再生研磨材4〜8を得た。
上記再生研磨材1の調製において、2)分離濃縮工程Bにおける温度制御条件を80℃に変更した以外は同様にして、再生研磨材9を得た。
上記再生研磨材1の調製において、2)分離濃縮工程Bで用いた無機塩を、塩化マグネシウムに代えて、炭酸カリウムを用いた以外は同様にして、再生研磨材10を得た。
上記再生研磨材1の調製において、2)分離濃縮工程Bで無機塩として塩化マグネシウムを添加した後、回収スラリー液のpH値を、pH調整剤として水酸化カリウムを用いて、母液のpHを10.10に調整した以外は同様にして、再生研磨材11を得た。
〔再生研磨材12の調製:比較例〕
上記再生研磨材1の調製において、2)分離濃縮工程Bで無機塩として塩化マグネシウムを添加した後、回収スラリー液のpH値を、pH調整剤として水酸化カリウムを用いて、母液のpHを10.80に調整した以外は同様にして、再生研磨材12を得た。
〔再生研磨材の純度評価:ガラス成分との分離能の評価〕
上記再生研磨材1〜12の調製において、2)分離濃縮工程Bの無機塩を添加する前の回収スラリー液と、各無機塩を添加して、静置して分離した後の上澄み液のそれぞれをサンプリングし、下記の方法に従って、ICP発光分光プラズマ分析装置により成分分析を行った。未処理の回収スラリー液に対して、セリウム濃度が減少し、かつケイ素濃度が変化していなければ、分離時に、酸化セリウム粒子のみが沈降し、非研磨材であるガラス粒子は沈降せずに、上澄み液中にとどまっていることを示し、セリウム濃度及びケイ素濃度が共に、未処理の回収スラリー液に対して低下していれば、沈殿物中に酸化セリウム粒子と共にガラス粒子も沈降し、効率的に両者を分離することができなかったことを示す。
上記分離した各上澄み液に対して、ICP発光分光プラズマにより、セリウム成分、ガラス成分(Si成分)の濃度を測定し、未処理(添加剤無し)の使用済みスラリーと比較した。具体的には、下記の手順に従って行った。
(a)試料(未処理の回収スラリー液、上澄み液)を、スターラーなどで撹拌しながら1ml採取した
(b)原子吸光用フッ化水素酸を5ml加えた
(c)超音波分散してシリカを溶出させた
(d)室温で30分静置した
(e)超純水で、総量を50mlに仕上げた
以上の手順に従って調製した各検体液を、試料液Aと称する。
(a)試料液Aをメンブレンフィルター(親水性PTFE)で濾過した
(b)濾液を誘導結合プラズマ発光分光分析装置(ICP−AES)で測定した
(c)Siは標準添加法、Mgはマトリクスマッチングの検量線法により定量した。
(a)試料液Aをよく分散し、5ml採取した
(b)高純度硫酸を5ml加え、溶解させた
(c)超純水で50mlに仕上げた
(d)超純水で適宜希釈しICP−AESで測定した
(e)マトリクスマッチングの検量線法により、セリウムを定量した。
エスアイアイナノテクノロジー社製のICP−AESを使用した。
上記再生研磨材1〜12の調製の各分離濃縮工程Bで、分離濃縮に要したエネルギー量を比較し、再生研磨材1におけるエネルギー量を、ランクAとし、下記の基準に従って、エネルギー効率の評価を行った。
S:再生研磨材1におけるエネルギー量の0.95倍未満である
A:再生研磨材1におけるエネルギー量の0.95倍〜1.05倍に範囲内である
B:再生研磨材1におけるエネルギー量の1.06倍〜1.10倍に範囲内である
C:再生研磨材1におけるエネルギー量の1.11倍以上である
以上により得られた解析結果を、表1に示す。
なお、表1に記載のpH値は、25℃換算のpH値として表示してある。
2 研磨定盤
3 被研磨物
4 研磨材液
5 スラリーノズル
7 洗浄水
8 洗浄水噴射ノズル
10 研磨材を含む洗浄液
13 研磨材スラリー(母液)
14、21 分離釜
15 攪拌機
16 添加容器
17 上澄み液
18 凝集体
19 排液パイプ
20 ポンプ
F 研磨布
H 保温ジャケット
T 温度検知管
T1 スラリー槽
T2 洗浄水貯蔵槽
T3 洗浄液貯蔵槽
Claims (4)
- 酸化セリウムを含有する使用済みの研磨材スラリーから、酸化セリウム研磨材を分離する研磨材分離方法であって、該使用済みの研磨材スラリーを10〜70℃の範囲内で温度制御しながら、2価のアルカリ土類金属塩を添加して母液を調製し、該母液の25℃換算のpH値が、10.0未満である条件下で、研磨材粒子を被研磨成分から分離して凝集及び沈殿させ、該研磨材粒子を母液より分離することを特徴とする研磨材分離方法。
- 前記2価のアルカリ土類金属塩が、マグネシウム塩であることを特徴とする請求項1に記載の研磨材分離方法。
- 前記研磨材スラリーの保温温度が、10〜40℃の範囲の値であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の研磨材分離方法。
- 前記研磨材の分離に用いる分離釜が、温度制御手段を有していることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の研磨材分離方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011285033 | 2011-12-27 | ||
JP2011285033 | 2011-12-27 | ||
PCT/JP2012/082607 WO2013099666A1 (ja) | 2011-12-27 | 2012-12-17 | 研磨材分離方法及び再生研磨材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013099666A1 JPWO2013099666A1 (ja) | 2015-05-07 |
JP6044551B2 true JP6044551B2 (ja) | 2016-12-14 |
Family
ID=48697158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013551618A Active JP6044551B2 (ja) | 2011-12-27 | 2012-12-17 | 研磨材分離方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10017675B2 (ja) |
EP (1) | EP2799185B1 (ja) |
JP (1) | JP6044551B2 (ja) |
KR (1) | KR20140102696A (ja) |
CN (1) | CN104023915B (ja) |
MY (1) | MY176270A (ja) |
PH (1) | PH12014501377B1 (ja) |
SG (1) | SG11201403175PA (ja) |
WO (1) | WO2013099666A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MY176592A (en) * | 2012-02-16 | 2020-08-18 | Konica Minolta Inc | Abrasive regeneration method |
DE102014015549A1 (de) * | 2014-10-22 | 2016-04-28 | Thyssenkrupp Ag | Mahlanlage zum Zerkleinern von Mahlgut sowie Verfahren zum Zerkleinern von Mahlgut |
US11244834B2 (en) * | 2018-07-31 | 2022-02-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Slurry recycling for chemical mechanical polishing system |
US11642754B2 (en) * | 2018-08-30 | 2023-05-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Slurry recycling for chemical mechanical polishing system |
JP2022172678A (ja) * | 2021-05-06 | 2022-11-17 | コニカミノルタ株式会社 | 再生研磨剤スラリーの調製方法及び研磨剤スラリー |
Family Cites Families (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1997114A (en) * | 1930-09-29 | 1935-04-09 | Martin Michael James | Filtration and clarification of water |
US2816824A (en) * | 1953-12-28 | 1957-12-17 | Corning Glass Works | Cerium oxide polishing composition |
DE1752163A1 (de) * | 1968-04-11 | 1971-05-13 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zum Polieren von Halbleiteroberflaechen |
US4419246A (en) * | 1982-09-30 | 1983-12-06 | E. I. Du Pont De Nemours & Co. | Removal of heavy metal ions |
JPH06254764A (ja) | 1993-03-03 | 1994-09-13 | Asahi Glass Co Ltd | 研磨液の再生方法 |
US5593339A (en) * | 1993-08-12 | 1997-01-14 | Church & Dwight Co., Inc. | Slurry cleaning process |
JP2606156B2 (ja) * | 1994-10-14 | 1997-04-30 | 栗田工業株式会社 | 研磨剤粒子の回収方法 |
JP3249373B2 (ja) * | 1996-02-21 | 2002-01-21 | 信越半導体株式会社 | 水溶性スラリー廃液の再利用システム |
CN1282226C (zh) * | 1996-09-30 | 2006-10-25 | 日立化成工业株式会社 | 氧化铈研磨剂以及基板的研磨方法 |
JPH1110540A (ja) * | 1997-06-23 | 1999-01-19 | Speedfam Co Ltd | Cmp装置のスラリリサイクルシステム及びその方法 |
JPH1150168A (ja) | 1997-07-31 | 1999-02-23 | Canon Inc | 光学ガラス汚泥からレアアースメタル成分を回収する方法 |
JP3134189B2 (ja) * | 1997-09-18 | 2001-02-13 | 福島県 | 研磨材の回収方法 |
DE19819785A1 (de) * | 1998-05-04 | 1999-11-11 | Leybold Systems Gmbh | Zerstäubungskathode nach dem Magnetron-Prinzip |
JP3615943B2 (ja) | 1998-09-16 | 2005-02-02 | 三井金属鉱業株式会社 | 使用済希土類元素系研摩材からの希土類元素の回収方法 |
JP3426149B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2003-07-14 | 富士通株式会社 | 半導体製造における研磨廃液再利用方法及び再利用装置 |
AU1929600A (en) * | 1999-01-15 | 2000-08-01 | Nalco Chemical Company | Composition and method for simultaneously precipitating metal ions from semiconductor wastewater and enhancing microfilter operation |
JP4168520B2 (ja) | 1999-03-12 | 2008-10-22 | 栗田工業株式会社 | Cmp排液の処理方法 |
JP3316484B2 (ja) * | 1999-05-27 | 2002-08-19 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6746309B2 (en) * | 1999-05-27 | 2004-06-08 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor device |
DE19960380C2 (de) * | 1999-12-14 | 2002-05-29 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Fraktionieren einer Zerspanungssuspension |
SG115439A1 (en) * | 2001-12-28 | 2005-10-28 | Jetsis Int Pte Ltd | Method and apparatus for abrasive recycling and waste separation system |
JP3557197B2 (ja) * | 2002-05-17 | 2004-08-25 | 三洋電機株式会社 | コロイド溶液の濾過方法 |
JP4248937B2 (ja) * | 2002-06-07 | 2009-04-02 | 昭和電工株式会社 | 希土類元素を含有する廃液から希土類酸化物を回収する方法 |
CN101357776A (zh) * | 2002-06-07 | 2009-02-04 | 昭和电工株式会社 | 回收稀土氧化物的方法、生产包含稀土氧化物的磨料的方法以及使用该磨料的抛光方法 |
WO2004084287A1 (ja) * | 2003-03-18 | 2004-09-30 | Nomura Micro Science Co., Ltd. | 半導体研磨スラリー精製用素材、半導体研磨スラリー精製用モジュールおよび半導体研磨スラリーの精製方法 |
JP2004306210A (ja) | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Speedfam Co Ltd | ガラス研磨における排出水中の酸化セリウム系研磨剤と水を再利用するための処理方法とその処理装置 |
JPWO2005090511A1 (ja) * | 2004-03-19 | 2008-01-31 | ▲吉▼田 和昭 | 研磨用組成物および研磨方法 |
JP5012026B2 (ja) * | 2004-11-08 | 2012-08-29 | 旭硝子株式会社 | CeO2微粒子の製造方法 |
ITRM20050329A1 (it) | 2005-06-24 | 2006-12-25 | Guido Fragiacomo | Procedimento per il trattamento di sospensioni abrasive esauste per il recupero delle loro componenti riciclabili e relativo impianto. |
CN101400607B (zh) | 2006-03-13 | 2012-03-21 | 昭和电工株式会社 | 从含有稀土类氟化物的组合物中回收稀土类元素的方法 |
JP4729428B2 (ja) * | 2006-04-07 | 2011-07-20 | Agcセイミケミカル株式会社 | セリウム系研磨剤の再生方法 |
JP4969313B2 (ja) * | 2007-05-11 | 2012-07-04 | Agcセイミケミカル株式会社 | 希土類元素の回収方法 |
JP5086021B2 (ja) | 2007-10-03 | 2012-11-28 | Agcセイミケミカル株式会社 | 稀土類元素の回収方法 |
JP2010167551A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-08-05 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 使用済みスラリーの再生方法 |
JP2010214515A (ja) | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Fukushima Univ | ガラス研磨材の製造方法 |
US20110070811A1 (en) * | 2009-03-25 | 2011-03-24 | Applied Materials, Inc. | Point of use recycling system for cmp slurry |
JP5511261B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2014-06-04 | 宇部マテリアルズ株式会社 | 分級装置 |
KR101245276B1 (ko) * | 2010-03-12 | 2013-03-19 | 주식회사 엘지화학 | 산화세륨 연마재의 재생 방법 |
MY158875A (en) * | 2011-01-24 | 2016-11-30 | Konica Minolta Inc | Method for recovering abrasive component from used slurry of abrasive, and cerium oxide recovered through method |
CN104010770B (zh) * | 2011-12-22 | 2017-07-21 | 柯尼卡美能达株式会社 | 研磨材料再生方法及再生研磨材料 |
JP6044550B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2016-12-14 | コニカミノルタ株式会社 | 研磨剤の製造方法 |
MY176592A (en) * | 2012-02-16 | 2020-08-18 | Konica Minolta Inc | Abrasive regeneration method |
WO2013122123A1 (ja) * | 2012-02-17 | 2013-08-22 | コニカミノルタ株式会社 | 研磨材再生方法 |
US20140144846A1 (en) * | 2012-11-26 | 2014-05-29 | Memc Singapore, Pte. Ltd (Uen200614797D) | Methods For The Recycling of Wire-Saw Cutting Fluid |
JP6260617B2 (ja) * | 2013-04-30 | 2018-01-17 | コニカミノルタ株式会社 | ダイヤモンド砥粒の回収方法 |
-
2012
- 2012-12-17 MY MYPI2014701680A patent/MY176270A/en unknown
- 2012-12-17 EP EP12863291.6A patent/EP2799185B1/en active Active
- 2012-12-17 SG SG11201403175PA patent/SG11201403175PA/en unknown
- 2012-12-17 JP JP2013551618A patent/JP6044551B2/ja active Active
- 2012-12-17 WO PCT/JP2012/082607 patent/WO2013099666A1/ja active Application Filing
- 2012-12-17 US US14/367,154 patent/US10017675B2/en active Active
- 2012-12-17 CN CN201280065120.9A patent/CN104023915B/zh active Active
- 2012-12-17 KR KR20147016641A patent/KR20140102696A/ko not_active Application Discontinuation
-
2014
- 2014-06-17 PH PH12014501377A patent/PH12014501377B1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2013099666A1 (ja) | 2015-05-07 |
PH12014501377A1 (en) | 2014-09-22 |
PH12014501377B1 (en) | 2014-09-22 |
CN104023915A (zh) | 2014-09-03 |
EP2799185A1 (en) | 2014-11-05 |
WO2013099666A1 (ja) | 2013-07-04 |
EP2799185B1 (en) | 2017-02-01 |
KR20140102696A (ko) | 2014-08-22 |
CN104023915B (zh) | 2017-07-21 |
SG11201403175PA (en) | 2014-08-28 |
US10017675B2 (en) | 2018-07-10 |
EP2799185A4 (en) | 2015-08-12 |
US20150013235A1 (en) | 2015-01-15 |
MY176270A (en) | 2020-07-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5858050B2 (ja) | 研磨材再生方法 | |
JP6107668B2 (ja) | 研磨材再生方法 | |
JP6406010B2 (ja) | 研磨材再生方法 | |
JP6044551B2 (ja) | 研磨材分離方法 | |
JP6107669B2 (ja) | 研磨材再生方法 | |
JP6292119B2 (ja) | 研磨材再生方法 | |
CN112272600B (zh) | 研磨剂再循环处理系统及研磨剂回收·再生方法 | |
JP2022172678A (ja) | 再生研磨剤スラリーの調製方法及び研磨剤スラリー | |
JP2023061348A (ja) | 研磨剤スラリーの再生方法及び研磨剤スラリーの再生システム | |
CN115990838A (zh) | 研磨剂浆料的再生方法及研磨剂浆料的再生系统 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160719 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160913 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161018 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161031 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6044551 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |