JP6019550B2 - 電子装置の製造方法 - Google Patents
電子装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6019550B2 JP6019550B2 JP2011174031A JP2011174031A JP6019550B2 JP 6019550 B2 JP6019550 B2 JP 6019550B2 JP 2011174031 A JP2011174031 A JP 2011174031A JP 2011174031 A JP2011174031 A JP 2011174031A JP 6019550 B2 JP6019550 B2 JP 6019550B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin layer
- electronic device
- bump
- manufacturing
- wafer level
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 52
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 199
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 183
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 183
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 65
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 53
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 17
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 65
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 41
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 16
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 12
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 6
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- -1 for example Substances 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/12105—Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
- H01L2224/241—Disposition
- H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/24153—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
- H01L2224/24195—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being a discrete passive component
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/146—Mixed devices
- H01L2924/1461—MEMS
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
第1実施形態による電子装置及びその製造方法について図1乃至図12を用いて説明する。
まず、本実施形態による電子装置について図1を用いて説明する。図1は、本実施形態による電子装置を示す断面図である。
次に、本実施形態による電子装置の製造方法を図2乃至図12を用いて説明する。図2乃至図12は本実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
第2実施形態による電子装置及びその製造方法について図13乃至図18を用いて説明する。図1乃至図12に示す第1実施形態による電子装置の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
まず、本実施形態による電子装置について図13を用いて説明する。図13は、本実施形態による電子装置を示す断面図である。
次に、本実施形態による電子装置の製造方法について図14乃至図19を用いて説明する。図14乃至図19は、本実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
電子部品を埋め込む樹脂層の一方の面側に、前記電子部品に電気的に接続されたバンプが形成され、前記樹脂層の他方の面側に、前記樹脂層より弾性率の高い部材が密着した構造物を形成する工程と、
基板上に形成された電極と前記バンプとを接触させた状態で、前記部材を介して超音波振動を印加することにより、前記バンプと前記電極とを接合する工程と
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
付記1記載の電子装置の製造方法において、
前記部材の材料は、金属又はセラミックスである
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
付記1又は2記載の電子装置の製造方法において、
前記部材は、膜又は板状体である
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
付記1又は2記載の電子装置の製造方法において、
前記部材は、膜であり、
前記膜は、前記樹脂層の側面にも形成されている
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
付記1乃至4のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記構造物を形成する工程は、前記電子部品を前記樹脂層により埋め込む工程と、前記樹脂層の前記一方の面側に、前記電子部品に電気的に接続された配線を形成する工程と、前記配線を介して前記電子部品に電気的に接続された前記バンプを形成する工程と、前記樹脂層の前記他方の面側に前記部材を密着させる工程とを有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
付記5記載の電子装置の製造方法において、
前記電子部品を前記樹脂層により埋め込む工程の前に、支持基板上に形成された粘着層上に前記電子部品を配する工程を更に有し、
前記電子部品を前記樹脂層により埋め込む工程の後、前記配線を形成する工程の前に、前記電子部品を埋め込む前記樹脂層から前記粘着層及び前記支持基板を除去する工程を更に有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
付記1乃至6のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記バンプは、金、又は、銅を含む
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
付記1乃至7のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記金属は、銅、アルミニウム、ニッケル、チタン、モリブデン、コバルト、タングステン又はタングステンカーバイトを含む
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
電子部品が埋め込まれた樹脂層と、
前記樹脂層の一方の面側に形成され、前記電子部品に電気的に接続されたバンプと、
前記樹脂層の他方の面に密着し、前記樹脂層より弾性率の高い部材と、
前記バンプと固相拡散接合された電極を有する基板と
を有することを特徴とする電子装置。
付記9記載の電子装置において、
前記部材の材料は、金属又はセラミックスである
ことを特徴とする電子装置。
付記9又は10記載の電子装置において、
前記部材は、膜又は板状体である
ことを特徴とする電子装置。
付記9又は10記載の電子装置において、
前記部材は、膜であり、
前記膜は、前記樹脂層の側面にも形成されている
ことを特徴とする電子装置。
付記9乃至12のいずれかに記載の電子装置において、
前記樹脂層の前記一方の面側に形成され、前記電子部品に電気的に接続された配線を更に有し、
前記バンプは、前記配線を介して前記電子部品に電気的に接続されている
ことを特徴とする電子装置。
付記9乃至13のいずれかに記載の電子装置において、
前記バンプは、金、又は、銅を含む
ことを特徴とする電子装置。
付記9乃至14のいずれかに記載の電子装置において、
前記金属は、銅、アルミニウム、ニッケル、チタン、モリブデン、コバルト、タングステン又はタングステンカーバイトを含む
ことを特徴とする電子装置。
10…支持基板
12…粘着層
14a〜14c…電子部品
16a〜16c…電極
18…樹脂層
20…構造体、樹脂基板
22…樹脂層、絶縁層
24…開口部
26…ビア
28…配線
30…樹脂層、絶縁層
32…開口部
34…ビア
36…配線
38…樹脂層、絶縁層
40…開口部
42…バンプ
44…部材、金属膜、膜
44a…部材、板状体
46…回路基板
48…電極
49…ステージ
50…超音波印加部
Claims (4)
- 電子部品を埋め込む樹脂層の一方の面側に、前記電子部品に電気的に接続されたバンプが形成され、前記樹脂層の他方の面側に、前記樹脂層より弾性率の高い部材が密着した構造物を形成する工程と、
基板上に形成された電極と前記バンプとを接触させた状態で、前記部材を介して超音波振動を印加することにより、前記バンプと前記電極とを接合する工程と
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。 - 請求項1記載の電子装置の製造方法において、
前記部材の材料は、金属又はセラミックスである
ことを特徴とする電子装置の製造方法。 - 請求項1又は2記載の電子装置の製造方法において、
前記構造物を形成する工程は、前記電子部品を前記樹脂層により埋め込む工程と、前記樹脂層の前記一方の面側に、前記電子部品に電気的に接続された配線を形成する工程と、前記配線を介して前記電子部品に電気的に接続された前記バンプを形成する工程と、前記樹脂層の前記他方の面側に前記部材を密着させる工程とを有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。 - 請求項3記載の電子装置の製造方法において、
前記電子部品を前記樹脂層により埋め込む工程の前に、支持基板上に形成された粘着層上に前記電子部品を配する工程を更に有し、
前記電子部品を前記樹脂層により埋め込む工程の後、前記配線を形成する工程の前に、前記電子部品を埋め込む前記樹脂層から前記粘着層及び前記支持基板を除去する工程を更に有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011174031A JP6019550B2 (ja) | 2011-08-09 | 2011-08-09 | 電子装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011174031A JP6019550B2 (ja) | 2011-08-09 | 2011-08-09 | 電子装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013038270A JP2013038270A (ja) | 2013-02-21 |
JP6019550B2 true JP6019550B2 (ja) | 2016-11-02 |
Family
ID=47887582
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011174031A Expired - Fee Related JP6019550B2 (ja) | 2011-08-09 | 2011-08-09 | 電子装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6019550B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101501735B1 (ko) * | 2014-09-23 | 2015-03-12 | 제너셈(주) | 반도체패키지의 emi 쉴드 처리공법 |
JP5978380B1 (ja) | 2015-12-25 | 2016-08-24 | 太陽インキ製造株式会社 | 半導体用封止材 |
JP5989929B1 (ja) | 2016-02-17 | 2016-09-07 | 太陽インキ製造株式会社 | 硬化性樹脂組成物 |
JP6832666B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2021-02-24 | 株式会社ディスコ | 半導体パッケージの製造方法 |
JP7366521B2 (ja) * | 2017-03-22 | 2023-10-23 | 旭化成株式会社 | 半導体装置、及びその製造方法 |
JP6416327B1 (ja) | 2017-06-06 | 2018-10-31 | 太陽インキ製造株式会社 | インクジェット用硬化性組成物セット、硬化物、その製造方法、プリント配線板およびファンアウト型のウェハレベルパッケージ |
TWI707889B (zh) * | 2017-08-01 | 2020-10-21 | 日商旭化成股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000252392A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Kyocera Corp | 半導体素子搭載配線基板およびその実装構造 |
JP2002083839A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-03-22 | Nippon Avionics Co Ltd | フリップチップ実装方法および半導体チップ |
JP2002110714A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Sony Corp | チップ集積ボード及びその製造方法、チップ状電子部品及びその製造方法、電子機器及びその製造方法 |
JP3572254B2 (ja) * | 2000-11-30 | 2004-09-29 | 京セラ株式会社 | 回路基板 |
JP3552701B2 (ja) * | 2001-11-14 | 2004-08-11 | セイコーエプソン株式会社 | 接着部材、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
JP2006332094A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Seiko Epson Corp | 電子基板の製造方法及び半導体装置の製造方法並びに電子機器の製造方法 |
JP2008192651A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Elpida Memory Inc | 半導体素子ユニットとその複合体及び半導体装置とそのモジュール並びにそれらの組立構造とフィルム基板の接続構造 |
JP5414336B2 (ja) * | 2009-04-16 | 2014-02-12 | パナソニック株式会社 | 電子部品 |
JP5895467B2 (ja) * | 2011-11-18 | 2016-03-30 | 富士通株式会社 | 電子装置及びその製造方法 |
-
2011
- 2011-08-09 JP JP2011174031A patent/JP6019550B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013038270A (ja) | 2013-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6019550B2 (ja) | 電子装置の製造方法 | |
TW587316B (en) | Semiconductor device and manufacturing method the same | |
JP4413452B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4476381B2 (ja) | 半導体チップパッケージ及びその製造方法 | |
JP4708399B2 (ja) | 電子装置の製造方法及び電子装置 | |
JP2010147153A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20070018324A1 (en) | Wafer-level-chip-scale package and method of fabrication | |
JP2008258621A (ja) | 半導体デバイスパッケージの構造、および半導体デバイスパッケージ構造の形成方法 | |
JP5942823B2 (ja) | 電子部品装置の製造方法、電子部品装置及び電子装置 | |
JP2004273563A (ja) | 基板の製造方法及び基板 | |
JP6466252B2 (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
JP4379413B2 (ja) | 電子部品、電子部品の製造方法、回路基板及び電子機器 | |
JP2003273155A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2014192386A (ja) | インターポーザ、及び電子部品パッケージ | |
JP2007017199A (ja) | チップスケールパッケージおよびその製造方法 | |
JP5895467B2 (ja) | 電子装置及びその製造方法 | |
US8766101B2 (en) | Wiring substrate, method for manufacturing wiring substrate, and semiconductor package including wiring substrate | |
JP2007027381A (ja) | 半導体装置及び電子装置 | |
JP2008235555A (ja) | 電子装置の製造方法及び基板及び半導体装置 | |
US7964493B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
US20080203569A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP2013038300A (ja) | 電子装置及びその製造方法 | |
JP2002231765A (ja) | 半導体装置 | |
JP5151569B2 (ja) | 圧電発振器 | |
JP4631223B2 (ja) | 半導体実装体およびそれを用いた半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20131101 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140404 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150316 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150324 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150522 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160906 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160919 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6019550 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |