JP6009192B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1から図5までは、STI構造を持つ比較例の半導体装置の製造方法を示す概略断面図である。比較例の半導体装置の製造方法では、先ず、図1に示されるように、シリコン(Si)基板301の主表面上に酸化シリコンから成る絶縁膜(素子分離膜又はパッド膜)302、窒化シリコン(又はポリシリコン)から成るストッパ膜303、及び酸化シリコンからなるハードマスク層304を、例えば、CVD(化学気相成長)法によって順に形成し、さらに、ハードマスク層304上に開口部311aを有するレジストマスクであるマスクパターン311を、例えば、ホトリソグラフィ技術を用いて形成する。
図6から図12までは、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるプロセスを示す概略断面図である。
(L103+L104)≧(Q1―Q2)
とすることが望ましい。この条件は、第1の実施形態において、埋め込み膜106にボイドが生じないであろう条件である。すなわち、埋め込み膜106の形成途中において、トレンチ105の入り口側(上側)の空隙がトレンチの底側の空隙よりも狭くなるような状態が発生しないことを述べている条件である。
図14から図19までは、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるプロセスを示す概略断面図である。
Claims (8)
- 基板の主表面上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上にストッパ膜を形成する工程と、
前記ストッパ膜上にハードマスク層を形成する工程と、
前記ハードマスク層上に、開口部を有するマスクパターンを形成する工程と、
前記開口部を介して、前記ハードマスク層及び前記ストッパ膜に、前記ハードマスク層に対するエッチングレートが前記ストッパ膜に対するエッチングレートよりも高い等方性エッチングを施して、前記絶縁膜を露出させる工程と、
前記開口部を介して、前記絶縁膜に異方性エッチングを施して前記基板を露出すると共に、前記マスクパターン、前記ハードマスク層、前記ストッパ膜、及び前記絶縁膜をマスクとして前記基板にトレンチを形成する工程と、
前記マスクパターンを除去する工程と、
前記トレンチ内を絶縁材料で埋め込むことによって埋め込み膜を形成する工程と、
前記ストッパ膜が露出するまで、前記埋め込み膜及び前記ハードマスク層を除去する工程と
を有し、
前記トレンチに面し、互いに対向する前記ストッパ膜の端面は、前記ハードマスク層に近付くほど間隔を広げ、且つ、前記主表面に対して傾斜する第1のテーパ面を含み、
前記トレンチに面し、互いに対向する前記ハードマスク層の端面は、前記マスクパターンに近付くほど間隔を広げ、且つ、前記主表面に対して傾斜する第2のテーパ面を含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁膜は、酸化シリコンで形成され、
前記ストッパ膜は、窒化シリコン又はポリシリコンで形成され、
前記ハードマスク層は、酸化シリコンで形成され、
前記埋め込み膜は、酸化シリコンで形成される
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 互いに対向する前記ハードマスク層の端面の間隔の最小値は、互いに対向する前記ストッパ膜の端面の間隔の最大値よりも大きいことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記主表面に対して第2のテーパ面が成す角度は、前記主表面に対して第1のテーパ面が成す角度よりも小さいことを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板の主表面上に、酸化シリコンで絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に、酸化シリコンでハードマスク層を形成する工程と、
前記ハードマスク層上に、開口部を有するマスクパターンを形成する工程と、
前記開口部を介して、前記ハードマスク層及び前記絶縁膜に異方性エッチングを施して、前記ハードマスク層及び前記絶縁膜を貫通し、前記基板に達するトレンチを形成する工程と、
前記マスクパターンを除去する工程と、
前記トレンチ内を絶縁材料としての酸化シリコンで埋め込むことによって埋め込み膜を形成する工程と、
窒素イオン及びシリコンイオンを打ち込むことによって、前記絶縁膜と前記ハードマスク層の境界近傍にストッパ膜を形成する工程と、
前記ストッパ膜が露出するまで、前記埋め込み膜及び前記ハードマスク層を除去する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記イオンの打ち込みは、
前記ストッパ膜の窒素濃度が、1×1019[cm−3]から1×1022[cm−3]までの範囲内になり、
前記ストッパ膜のシリコン濃度が、1×1019[cm−3]から1×1022[cm−3]までの範囲内になり、
前記窒素濃度と前記シリコン濃度の比率が、1:1から3:4までの範囲内になるように行われる
ことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記埋め込み膜及び前記ハードマスク層を除去する工程は、エッチング又はCMPにより行われることを特徴とする請求項1から6までのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記埋め込み膜及び前記ハードマスク層を除去する工程の後に、前記ストッパ膜を除去する工程をさらに有することを特徴とする請求項1から7までのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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