JP5999677B2 - 電子回路 - Google Patents
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Description
IGBTでは、ターンオフ時のスイッチング損失のゲート抵抗依存性は低い。また、IGBTでは、ゲート抵抗の増加に対するサージ電圧の増加量も少ない。これに対して、DMOSFETでは、ゲート抵抗を小さくすることによって、IGBTに比べて、ターンオフ時のスイッチング損失を大幅に低減することができる。その一方で、DMOSFETでは、ゲート抵抗を小さくすると、ターンオフ時のドレイン電流の変化率di/dtが大きくなるため、大きなサージ電圧が発生する。
また、スナバ回路の一端は、対応する第1バスバーにおける第1電源端子寄りの部分に接続されているので、第1バスバーにおけるスナバ回路の接続位置と第1電源端子との間部分のインダクタンスを小さくすることができる。また、各スナバ回路の他端は、対応する第2バスバーにおける第2電源端子寄りの部分に接続されているので、第2バスバーにおけるスナバ回路の接続位置と第2電源端子との間部分のインダクタンスを小さくすることができる。これにより、MOSFETがターンオフした場合に、そのMOSFETに印加されるサージ電圧の発生原因となるインダクタンス(スナバ回路によってエネルギーが吸収されるインダクタンスを除く)を低減させることができる。
この発明の一実施形態では、前記スナバ回路の一端は、前記第1バスバーにおける前記第1電源端子側の一端と、前記第1バスバーにおける前記第1電源端子の外端に最も近い第1位置に対して前記第1電源端子から遠ざかる方向に第1所定距離だけ離れた第2位置との間に接続されている。そして、前記第1所定距離は前記第1バスバーにおける前記第1位置から前記第2位置までの部分のインダクタンスが6.25nH分以下となるように設定されている。また、前記スナバ回路の他端は、前記第2バスバーにおける前記第2電源端子側の一端と、前記第2電源端子の外端に最も近い第3位置に対して前記第2電源端子から遠ざかる方向に第2所定距離だけ離れた第4位置との間に接続されている。そして、前記第2所定距離は前記第2バスバーにおける前記第3位置から前記第4位置までの部分のインダクタンスが6.25nH分以下となるように設定されている。
この発明の一実施形態では、前記各MOSFETが、SiCを主とする半導体材料で作成されたSiC−MOSFETである。
図1は、本発明の一実施形態に係る三相インバータ回路1を示す電気回路図である。
この三相インバータ回路1は、三相ブラシレスモータ8(以下、「電動モータ」という)を駆動するための回路である。電動モータ8は、U相界磁コイル8UとV相界磁コイル8VとW相界磁コイル8Wを有するステータと、永久磁石が固定されたロータとを備えている。
V相用モジュール4は、第1電源端子(P端子)41と、第2電源端子(N端子)42と、出力端子(OUT端子)43と、2つのゲート端子44,47と、2つのソース端子45,48と、2つのソースセンス端子46,49とを備えている。W相用モジュール5は、第1電源端子(P端子)51と、第2電源端子(N端子)52と、出力端子(OUT端子)53と、2つのゲート端子54,57と、2つのソース端子55,58と、2つのソースセンス端子56,59とを備えている。
第1外部配線61におけるU相用モジュール3の第1電源端子31寄りの部分と、第4外部配線64におけるU相用モジュール3の第2電源端子32寄りの部分との間に、コンデンサ91からなるスナバ回路が接続されている。
第2外部配線62とコンデンサ92との接続点を接続点A2とする。第2外部配線62における接続点A2と第1電源端子41との間部分にはインダクタンスL2bが寄生しており、残りの部分にはインダクタンスL2aが寄生している。第5外部配線65とコンデンサ92との接続点を接続点A5とする。第5外部配線65における接続点A5と第2電源端子42との間部分にはインダクタンスL5bが寄生しており、残りの部分にはインダクタンスL5aが寄生している。
第3外部配線62とコンデンサ92との接続点を接続点A3とする。第3外部配線63における接続点A3と第1電源端子51との間部分にはインダクタンスL3bが寄生しており、残りの部分にはインダクタンスL3aが寄生している。第6外部配線66とコンデンサ93との接続点を接続点A6とする。第6外部配線66における接続点A6と第2電源端子52との間部分にはインダクタンスL6bが寄生しており、残りの部分にはインダクタンスL6aが寄生している。コンデンサ(スナバ回路)91〜93は、サージ電圧を抑制するために設けられている。
U相用モジュール3は、放熱板21と、放熱板21に固定され、MOSFET11,12、各端子31〜39の基端等が固定された基板(図示略)と、放熱板21の一方の表面に固定され、基板を収容するケース22とを含む。ケース22は、平面視において略矩形に形成されている。モジュール3の出力端子33は、ケース22内において二股に分岐しており、2つの平板状の枝部を有している。各枝部の先端部33a,33bは、ケース22の上面を貫通して、ケース22の外側に露出している。これらの先端部33a,33bは、それぞれケース22上面の一端部の両側部において、ケース22の上面に沿った状態で配置されている。モジュール3の第1電源端子31および第2電源端子32は平板状であり、その先端部31a,32aは、ケース22の上面を貫通して、ケース22の外側に露出している。これらの先端部31a,32aは、それぞれケース22上面の他端部の両側部において、ケース22の上面に沿った状態で配置されている。
図3は、主として、モジュール2,3,4の電源端子31,32,41,42,51,52に接続された外部配線と、それに接続されたスナバ回路とを示す平面図である。
各モジュール3,4,5は、冷却板201に取り付けられている。U相用モジュール3の出力端子33は、外部配線67を介して電動モータ8のU相界磁巻線8Uに接続されている。V相用モジュール4の出力端子43は、外部配線68を介して電動モータ8のV相界磁巻線8Vに接続されている。W相用モジュール5の出力端子53は、外部配線69を介して電動モータ8のW相界磁巻線8Wに接続されている。
スナバ回路91〜93が設けられていない場合には、MOSFET11に印加されるサージ電圧の発生原因となるインダクタンスLstは、第4外部配線64における第5配線65との接続点と電源6の負極端子との間のインダクタンス(L4aの一部)と、第1外部配線61のインダクタンス(L1a+L1b)と、接続金属部材71,72のインダクタンスL11,L12と、第4外部配線64における第5配線65との接続点と第2電源端子32との間部分のインダクタンス(L4aの一部とL4bとの和)と、接続金属部材73,74のインダクタンスL13,L14との和となる。
スナバ回路91〜93が設けられていない場合には、MOSFET14に印加されるサージ電圧の発生原因となるインダクタンスLstは、第1外部配線61における電源6の正極端子と第2配線62との接続点との間のインダクタンス(L1aの一部)と、接続金属部材77,78のインダクタンスL17,L18と、第5外部配線65のインダクタンス(L5a+L5b)と、第4外部配線64における第5外部配線65との接続点と電源6の負極端子との間部分のインダクタンス(L4aの一部)と、第2外部配線部材62のインダクタンス(L2a+L2b)と、接続金属部材75,76のインダクタンスL15,L16との和となる。
また、V相用モジュール4内のMOSFET13,14のいずれか一方がターンオフしたときに、当該MOSFETに印加されるサージ電圧の発生原因となるインダクタンスLsn(以下において、「LsnV」という場合がある)は、L2bとL15〜L18(V相用モジュール4内の内部インダクタンス)とL5bの和となる。
次に、ターンオフしたMOSFETに印加されるサージ電圧の発生原因となるインダクタンスLsnと、MOSFETのターンオフ時のスイッチング損失およびドレイン電流の変化率di/dtとの関係について説明する。
バスバー61a,64a,62,65,63,66における電源端子31,32,41,42,51,52側の一端からコンデンサ91〜93の接続位置までの距離は、サンプルaが最も短く、a、b、c、d、e、f、gの順に長くなるように設定されている。
各サンプルa〜gについて、MOSFET11とMOSFET14とがオンされている状態からMOSFET11をターンオフさせ、ターンオフさせた際にMOSFET11に印加されるサージ電圧(Lsn・di/dt)が所定値となるようにゲート抵抗を調整した。サージ電圧が所定値となるようにゲート抵抗を調整した後において、MOSFET11とMOSFET14とがオンされている状態からMOSFET11をターンオフさせ、MOSFET11のターンオフ時のスイッチング損失(mJ)と、MOSFET11のドレイン電流の変化率di/dt(A/ns)とを測定した。この場合には、MOSFET11に印加されるサージ電圧の発生原因となるインダクタンスLsnは、LsnU(=L1b+L4b+L11+L12+L13+L14)となる。
表1および図4は、測定結果を示している。
表1および図4から、ターンオフしたMOSFETに印加されるサージ電圧が一定となるようにゲート抵抗を変化させた場合、インダクタンスLsn(この場合にはLsnU)が、約40(nH)以下であれば、ターンオフ時のMOSFETのスイッチング損失を低く抑えることができることがわかる。
また、前述の実施形態では、この発明を三相インバータ回路に適用した場合について説明したが、この発明はHブリッジ回路等の三相インバータ回路以外の電子回路にも適用することができる。
3,4,5 モジュール
11〜14 MOSFET
11a〜14a PN接合ダイオード
31,41,51 第1電源端子
32,42,52 第2電源端子
61〜69 外部配線
61a,62,63,64a,65,66 バスバー
91〜92 コンデンサ(スナバ回路)
Claims (4)
- 2個のMOSFETが直列に接続された直列回路と、前記直列回路の一端が接続された第1電源端子と、前記直列回路の他端が接続された第2電源端子とを有するモジュールを複数備えている電子回路であって、
前記各モジュールの第1電源端子に一端部が接続され、その第1電源端子を電源の一方の端子に接続するための外部配線の一部を構成する第1バスバーと、
前記各モジュールの第2電源端子に一端部が接続され、その第2電源端子を前記電源の他方の端子に接続するための外部配線の一部を構成する第2バスバーと、
前記直列回路毎に設けられ、その直列回路に前記第1電源端子を介して接続された前記第1バスバーと、その直列回路に前記第2電源端子を介して接続された前記第2バスバーとの間に接続されたスナバ回路とを備えており、
前記各モジュールのうち所定の1つのモジュールを第1モジュールとし、当該第1モジュールの第1電源端子に一端部が接続された第1バスバーを前記第1モジュールにおける第1バスバーとし、当該第1モジュールの第2電源端子に一端部が接続された第2バスバーを前記第1モジュールにおける第2バスバーとすると、前記第1モジュールにおける第1バスバーは、その一端が当該第1モジュールの前記第1電源端子に接続されかつ他端が前記電源の一方の端子に接続されており、前記第1モジュールにおける第2バスバーは、その一端が当該第1モジュールの前記第2電源端子に接続されかつ他端が前記電源の他方の端子に接続されており、
前記各モジュールのうち、前記第1モジュール以外のモジュールの前記第1電源端子に接続された前記第1バスバーは、その一端が当該モジュールの前記第1電源端子に接続されかつ他端が前記第1モジュールにおける第1バスバーの長さ中間部に連結されており、
前記各モジュールのうち、前記第1モジュール以外のモジュールの前記第2電源端子に接続された前記第2バスバーは、その一端が当該モジュールの前記第2電源端子に接続されかつ他端が前記第1モジュールにおける第2バスバーの長さ中間部に連結されており、
前記各スナバ回路の一端は、対応する前記第1バスバーにおける前記第1電源端子寄りの部分に接続され、前記各スナバ回路の他端は、対応する前記第2バスバーにおける前記第2電源端子寄りの部分に接続されており、
前記各モジュールは、対応する前記直列回路、前記第1電源端子および前記第2電源端子が固定された基板を含み、
前記各モジュールの前記第1電源端子に接続された前記第1バスバーと、当該モジュールの前記第2電源端子に接続された前記第2バスバーとは、それらのインダクタンス成分が相殺されるように、前記基板の上面に対して法線方向から見た平面視においてそれらの中間部が互いに上下に重なるように配置されている、電子回路。 - 任意の前記直列回路とその両端に接続された前記第1および第2電源端子とそれらに接続された前記第1および第2バスバーとそれらの間に接続された前記スナバ回路との組み合わせにおいて、前記第1バスバーにおける前記スナバ回路の一端との接続点と前記第1電源端子との間部分のインダクタンスと、前記第2バスバーにおける前記スナバ回路の他端との接続点と前記第2電源端子との間部分のインダクタンスと、前記第1電源端子と前記第2電源端子間の前記直列回路のインダクタンスとの和が40nH以下である、請求項1に記載の電子回路。
- 前記スナバ回路の一端は、前記第1バスバーにおける前記第1電源端子側の一端と、前記第1バスバーにおける前記第1電源端子の外端に最も近い第1位置に対して前記第1電源端子から遠ざかる方向に第1所定距離だけ離れた第2位置との間に接続されており、前記第1所定距離は前記第1バスバーにおける前記第1位置から前記第2位置までの部分のインダクタンスが6.25nH分以下となるように設定されており、
前記スナバ回路の他端は、前記第2バスバーにおける前記第2電源端子側の一端と、前記第2電源端子の外端に最も近い第3位置に対して前記第2電源端子から遠ざかる方向に第2所定距離だけ離れた第4位置との間に接続されており、前記第2所定距離は前記第2バスバーにおける前記第3位置から前記第4位置までの部分のインダクタンスが6.25nH分以下となるように設定されている、請求項1または2に記載の電子回路。 - 前記各MOSFETが、SiCを主とする半導体材料で作成されたSiC−MOSFETである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の電子回路。
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Families Citing this family (11)
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US9756755B2 (en) * | 2014-10-31 | 2017-09-05 | Denso Corporation | Electric power converter |
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JP2018093636A (ja) | 2016-12-05 | 2018-06-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | スイッチング装置 |
DE102017110608A1 (de) * | 2017-05-16 | 2018-11-22 | Valeo Siemens Eautomotive Germany Gmbh | Inverter |
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WO2020021881A1 (ja) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 株式会社デンソー | パワーモジュール及び電力変換装置 |
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Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4772994A (en) * | 1987-09-10 | 1988-09-20 | Nishimu Electronics Industries, Co., Ltd. | Power source using high-frequency phase control |
JP2692765B2 (ja) * | 1989-12-22 | 1997-12-17 | 株式会社日立製作所 | ダイオード及びigbtとの並列回路とそのモジュール及びそれを用いた電力変換装置 |
JPH03285570A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-16 | Mitsubishi Electric Corp | インバータ装置 |
GB2242580B (en) * | 1990-03-30 | 1994-06-15 | Mitsubishi Electric Corp | Inverter unit with improved bus-plate configuration |
JPH04210779A (ja) * | 1990-12-14 | 1992-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | インバータ装置の地絡検出器及び地絡検出方法 |
US5202820A (en) * | 1991-12-16 | 1993-04-13 | Ford Motor Company | Saturable inductor protection circuit for inductive load driver |
JP2979930B2 (ja) | 1993-10-28 | 1999-11-22 | 富士電機株式会社 | 電力用半導体装置のパッケージ |
JPH088394A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-12 | Fuji Electric Co Ltd | 高速スイッチングデバイスの主回路構成方法 |
JP3652934B2 (ja) * | 1999-09-06 | 2005-05-25 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 電力変換装置 |
EP1178596B1 (en) * | 2000-02-09 | 2009-02-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Inverter device |
JP3637846B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2005-04-13 | 日産自動車株式会社 | 配線構造 |
JP2004152861A (ja) | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
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