JP5981815B2 - 記録ヘッド用基板及び記録装置 - Google Patents
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Description
図1乃至5を参照しながら、第1実施形態の記録ヘッド用基板I1(以下、単に「基板I1」という。)を説明する。図1は、記録ヘッド用基板I1の回路構成例の一部を示している。基板I1は、記録ユニット204とメモリユニット206とを含む。記録ユニット204は、ヒータRh(電気熱変換素子)と、ヒータRhを駆動する駆動部DRV1(トランジスタMD1及び論理積回路AND1)と、を含む。ヒータRhを駆動することにより、即ち、ヒータRhを通電させて熱を発生させることにより、記録剤が吐出され、記録を行うことが可能である(後述)。また、メモリユニット206は、アンチヒューズ素子AFと、アンチヒューズ素子AFに情報を書き込むための駆動部DRV2(トランジスタMD2及び論理積回路AND2)と、を含む。アンチヒューズ素子AFは、過電圧が供給されることにより情報を固定的に保持し、即ち、1回だけプログラム可能なメモリとして機能する。駆動部DRV1及びDRV2は、制御回路201からの信号によって制御される。制御回路201は、例えば、不図示のシフトレジスタやラッチ回路等によって構成されうる。制御回路201には、例えば、不図示のホストPC等を介して、クロック信号CLK、画像データ信号DATA、ラッチ信号LT、ヒータ制御信号HEが入力されうる。また、論理積回路AND1及びAND2並びに制御回路201には、ロジック用の電源電圧として、第1の電源電圧VDD(例えば、3〜5V)が供給されうる。
図6及び7を参照しながら、他の構成例として、メモリユニット2062を基板I2に用いた場合を説明する。図6は、メモリユニット2062の構成例を示している。トランジスタMD2は、ドレイン側に電解を緩和するためのN型ウェル領域102aを有し、そのため、N型拡散領域106b(ドレイン)からN型ウェル領域102aを介してシリコン基板100の方向にリーク電流が生じうる。また、N型拡散領域106bとN型拡散領域106cとは同電位であり、よって、前述のアンチヒューズ素子AF(乃至容量Ca)においては、N型拡散領域106cからN型ウェル領域102bを介してシリコン基板100の方向にリーク電流が生じうる。よって、トランジスタMD2が非導通状態であるにもかかわらず、トランジスタMD2のソース−ドレイン間の電位差が小さくなり、そして、アンチヒューズ素子AFの両端子間における電位差が大きくなるということが考えられる。このことは、アンチヒューズ素子AFに、誤った情報を書き込むという事態をもたらしうる。
以上の各実施形態は、記録装置に適用されうる。以下、図8乃至10を参照しながら、記録装置への適用例を、インクジェット記録方式のものを例示して説明する。しかし、記録装置はこの形態には限定されず、例えば、溶融型や昇華型等の熱転写方式の記録装置についても同様である。記録装置は、例えば、記録機能のみを有するシングルファンクションプリンタであっても良いし、例えば、記録機能、FAX機能、スキャナ機能等の複数の機能を有するマルチファンクションプリンタであっても良い。また、記録装置は、例えば、カラーフィルタ、電子デバイス、光学デバイス、微小構造物等を所定の記録方式で製造するための製造装置であっても良い。「記録」は、記録媒体上に画像、模様、パターン、構造物等、人間が視覚で知覚し得るように顕在化したものを形成する場合だけでなく、媒体の加工を行う場合をも含みうる。「記録媒体」とは、一般的な記録装置で用いられる紙のみならず、布、プラスチック・フィルム、金属板、ガラス、セラミックス、樹脂、木材、皮革等、記録剤を付することが可能なものをも含みうる。「記録剤」は、記録媒体に付されることにより、画像、模様、パターン等の形成又は記録媒体の加工に供されうるインク等の液体だけでなく、記録剤の処理(例えば、記録剤が含有する色剤の凝固又は不溶化)に供されうる液体をも含みうる。
Claims (36)
- 記録剤を加熱するための電気熱変換素子と、
前記電気熱変換素子を駆動するための第1のDMOSトランジスタと、
アンチヒューズ素子を構成するMOS構造と、
前記MOS構造に接続され、前記MOS構造のゲート絶縁膜を絶縁破壊するように構成された第2のDMOSトランジスタと、
前記アンチヒューズ素子と並列に接続され、前記第2のDMOSトランジスタのオン抵抗の抵抗値より大きい抵抗値を有する抵抗素子と、を備える、
ことを特徴とする記録ヘッド用基板。 - 記録剤を加熱するための電気熱変換素子と、
前記電気熱変換素子を駆動するための第1のDMOSトランジスタと、
アンチヒューズ素子を構成するMOS構造と、
前記MOS構造に接続され、前記MOS構造のゲート絶縁膜を絶縁破壊するように構成された第2のDMOSトランジスタと、を備え、
前記第1のDMOSトランジスタと、前記第2のDMOSトランジスタと、前記MOS構造とは、ゲート絶縁膜の膜厚が互いに等しい、
ことを特徴とする記録ヘッド用基板。 - 記録剤を加熱するための電気熱変換素子と、
前記電気熱変換素子を駆動するための第1のDMOSトランジスタと、
アンチヒューズ素子を構成するMOS構造と、
前記MOS構造に接続され、前記MOS構造のゲート絶縁膜を絶縁破壊するように構成された第2のDMOSトランジスタと、を備え、
前記第1のDMOSトランジスタと、前記第2のDMOSトランジスタとは、そのチャネル領域が形成される不純物領域の深さと不純物濃度とが相互に等しい、
ことを特徴とする記録ヘッド用基板。 - 前記アンチヒューズ素子と並列に接続された抵抗素子をさらに備える、
ことを特徴とする請求項2又は3に記載の記録ヘッド用基板。 - 前記第2のDMOSトランジスタにおける拡散領域であって前記MOS構造に接続された拡散領域と、前記第2のDMOSトランジスタが配された基板との間にリーク電流が生じる
ことを特徴とする請求項4に記載の記録ヘッド用基板。 - 前記抵抗素子の抵抗値は、前記第2のDMOSトランジスタのオン抵抗の抵抗値より大きい
ことを特徴とする請求項4又は5に記載の記録ヘッド用基板。 - 前記MOS構造と電源電圧を供給する電源ラインとの間に接続された第2の抵抗素子をさらに備える
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の記録ヘッド用基板。 - 前記第2のDMOSトランジスタを駆動する駆動部をさらに備える
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の記録ヘッド用基板。 - 前記駆動部は、インバータを含み、
前記インバータの出力は、前記第2のDMOSトランジスタのゲートに接続される
ことを特徴とする請求項8に記載の記録ヘッド用基板。 - 記録剤を加熱するための電気熱変換素子と、
前記電気熱変換素子を駆動するための第1のDMOSトランジスタと、
アンチヒューズ素子を構成するMOS構造と、
前記MOS構造に接続され、前記MOS構造のゲート絶縁膜を絶縁破壊するように構成された第2のDMOSトランジスタと、
前記第2のDMOSトランジスタを駆動する駆動部と、を備え、
前記駆動部は、インバータを含み、
前記インバータの出力は、前記第2のDMOSトランジスタのゲートに接続される
ことを特徴とする記録ヘッド用基板。 - 前記駆動部は、少なくとも1つのMOSトランジスタを含む
ことを特徴とする請求項8乃至10のいずれか1項に記載の記録ヘッド用基板。 - 前記アンチヒューズ素子はメモリを構成する
ことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の記録ヘッド用基板。 - 前記アンチヒューズ素子は、1回だけプログラム可能なメモリを構成する
ことを特徴とする請求項12に記載の記録ヘッド用基板。 - 前記MOS構造の前記ゲート絶縁膜を絶縁破壊することによって前記アンチヒューズ素子に情報を書き込む
ことを特徴とする請求項12又は13に記載の記録ヘッド用基板。 - 前記MOS構造の前記ゲート絶縁膜を絶縁破壊するために用いられる第1の電圧を供給する第1の電源ラインを含み、
前記第2のDMOSトランジスタは、前記第2のDMOSトランジスタが導通状態のときに前記MOS構造に前記第1の電圧を供給する
ことを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載の記録ヘッド用基板。 - 前記第1の電圧は、前記MOS構造のブレークダウン電圧より大きい
ことを特徴とする請求項15に記載の記録ヘッド用基板。 - 前記MOS構造の前記ゲート絶縁膜を絶縁破壊するために用いられる第1の電圧を供給する第1の電源ラインを含み、
前記第2のDMOSトランジスタは、前記第2のDMOSトランジスタが導通状態のときに前記MOS構造に前記第1の電圧を供給し、
前記駆動部は、前記第1の電圧より小さい第2の電圧で動作する
ことを特徴とする請求項8乃至11のいずれか1項に記載の記録ヘッド用基板。 - 前記MOS構造の前記ゲート絶縁膜の厚さは、前記第1の電圧が前記MOS構造に供給されたときに前記ゲート絶縁膜が破壊され、且つ、前記第1の電圧より小さい電圧であって前記MOS構造に記録された情報を読み出すための電圧が前記MOS構造に供給されたときに前記ゲート絶縁膜が破壊されないように、設定される
ことを特徴とする請求項15乃至17のいずれか1項に記載の記録ヘッド用基板。 - 前記MOS構造の前記ゲート絶縁膜の厚さは、7.5nmから18nmの範囲である
ことを特徴とする請求項1乃至18のいずれか1項に記載の記録ヘッド用基板。 - 記録剤を加熱するための電気熱変換素子と、
前記電気熱変換素子を駆動するための第1のDMOSトランジスタと、
アンチヒューズ素子を構成するMOS構造と、
前記MOS構造のゲート絶縁膜を絶縁破壊するために用いられる第1の電圧を供給する第1の電源ラインと、
前記MOS構造に接続され、導通状態のときに前記MOS構造に前記第1の電圧を供給することで前記MOS構造のゲート絶縁膜を絶縁破壊するように構成された第2のDMOSトランジスタと、
前記第2のDMOSトランジスタを前記導通状態に制御するための駆動部と、
前記アンチヒューズ素子と並列に接続され、前記第2のDMOSトランジスタのオン抵抗の抵抗値より大きい抵抗値を有する抵抗素子と、を備える
ことを特徴とする記録ヘッド用基板。 - 記録剤を加熱するための電気熱変換素子と、
前記電気熱変換素子を駆動するための第1のDMOSトランジスタと、
第1の電圧を供給する第1の電源ラインと、
第2の電圧を供給する第2の電源ラインと、
第1のノードおよび第2のノードを含むアンチヒューズ素子を構成するMOS構造と、
ソースおよびドレインを含む第2のDMOSトランジスタと、
前記アンチヒューズ素子と並列に接続され、前記第2のDMOSトランジスタのオン抵抗の抵抗値より大きい抵抗値を有する抵抗素子と、を備え、
前記第1の電源ラインは、前記アンチヒューズ素子の前記第1のノードに接続され、
前記第2のDMOSトランジスタの前記ソースおよび前記ドレインの一方は、前記アンチヒューズ素子の前記第2のノードに接続され、
前記第2のDMOSトランジスタの前記ソースおよび前記ドレインの他方は、前記第2の電源ラインに接続され、
前記第2のDMOSトランジスタは、導通状態のときに前記MOS構造のゲート絶縁膜を絶縁破壊するように構成され、
前記第2のDMOSトランジスタが前記導通状態のときに、前記アンチヒューズ素子の前記第1のノードと前記第2のノードとの間に、前記MOS構造の前記ゲート絶縁膜を破壊する電圧が印加されるように、前記第1の電圧と前記第2の電圧とが設定される
ことを特徴とする記録ヘッド用基板。 - 記録剤を加熱するための電気熱変換素子と、
前記電気熱変換素子を駆動するための第1のトランジスタと、
アンチヒューズ素子を構成するMOS構造と、
前記MOS構造に接続され、前記MOS構造のゲート絶縁膜を絶縁破壊するように構成された第2のトランジスタと、
少なくとも1つのMOSトランジスタを含み、前記第2のトランジスタを駆動する駆動部と、を備え
前記第1のトランジスタの耐圧および前記第2のトランジスタの耐圧は、前記少なくとも1つのMOSトランジスタの耐圧より高い
ことを特徴とする記録ヘッド用基板。 - 記録剤を加熱するための電気熱変換素子と、
前記電気熱変換素子を駆動するための第1のトランジスタと、
第1の電圧を供給する第1の電源ラインと、
第2の電圧を供給する第2の電源ラインと、
第1のノードおよび第2のノードを含むアンチヒューズ素子を構成するMOS構造と、
ソースおよびドレインを含む第2のトランジスタと、
少なくとも1つのMOSトランジスタを含み、前記第2のトランジスタを駆動する駆動部と、を備え
前記第1のトランジスタの耐圧および前記第2のトランジスタの耐圧は、前記少なくとも1つのMOSトランジスタの耐圧より高く、
前記第1の電源ラインは、前記アンチヒューズ素子の前記第1のノードに接続され、
前記第2のトランジスタの前記ソースおよび前記ドレインの一方は、前記アンチヒューズ素子の前記第2のノードに接続され、
前記第2のトランジスタの前記ソースおよび前記ドレインの他方は、前記第2の電源ラインに接続され、
前記第2のトランジスタは、導通状態のときに前記MOS構造のゲート絶縁膜を絶縁破壊するように構成され、
前記第2のトランジスタが前記導通状態のときに、前記アンチヒューズ素子の前記第1のノードと前記第2のノードとの間に、前記MOS構造の前記ゲート絶縁膜を破壊する電圧が印加されるように、前記第1の電圧と前記第2の電圧とが設定される
ことを特徴とする記録ヘッド用基板。 - 前記第1のトランジスタと、前記第2のトランジスタと、前記MOS構造とは、ゲート絶縁膜の膜厚が互いに等しい、
ことを特徴とする請求項22又は23のいずれか1項に記載の記録ヘッド用基板。 - 前記第1のトランジスタと、前記第2のトランジスタとは、そのチャネル領域が形成される不純物領域の深さと不純物濃度とが相互に等しい、
ことを特徴とする請求項22乃至24のいずれか1項に記載の記録ヘッド用基板。 - 前記アンチヒューズ素子と並列に接続された抵抗素子をさらに備える、
ことを特徴とする請求項22乃至25のいずれか1項に記載の記録ヘッド用基板。 - 前記第2のトランジスタにおける拡散領域であって前記MOS構造に接続された拡散領域と、前記第2のトランジスタが配された基板との間にリーク電流が生じる
ことを特徴とする請求項26に記載の記録ヘッド用基板。 - 前記抵抗素子の抵抗値は、前記第2のトランジスタのオン抵抗の抵抗値より大きい
ことを特徴とする請求項26又は27に記載の記録ヘッド用基板。 - 電源電圧を供給する電源ラインと前記MOS構造との間に接続された第2の抵抗素子をさらに備える
ことを特徴とする請求項22乃至28のいずれか1項に記載の記録ヘッド用基板。 - 前記アンチヒューズ素子はメモリを構成する
ことを特徴とする請求項22乃至29のいずれか1項に記載の記録ヘッド用基板。 - 前記アンチヒューズ素子は、1回だけプログラム可能なメモリを構成する
ことを特徴とする請求項30に記載の記録ヘッド用基板。 - 前記MOS構造のゲート絶縁膜を絶縁破壊することによって前記アンチヒューズ素子に情報を書き込む
ことを特徴とする請求項30又は31に記載の記録ヘッド用基板。 - 前記MOS構造の前記ゲート絶縁膜を絶縁破壊するために用いられる第1の電圧を供給する第1の電源ラインを含み、
前記第2のトランジスタは、前記第2のトランジスタが導通状態のときに前記MOS構造に前記第1の電圧を供給する
ことを特徴とする請求項22に記載の記録ヘッド用基板。 - 記録剤を加熱するための電気熱変換素子と、
前記電気熱変換素子を駆動するための第1のトランジスタと、
アンチヒューズ素子を構成するMOS構造と、
前記MOS構造に接続された第2のトランジスタと、
少なくとも1つのMOSトランジスタを含み、前記第2のトランジスタを駆動する駆動部と、を備え
前記第1のトランジスタの耐圧および前記第2のトランジスタの耐圧は、前記少なくとも1つのMOSトランジスタの耐圧より高く、
前記MOS構造のゲート絶縁膜が絶縁破壊された
ことを特徴とする記録ヘッド用基板。 - 請求項1乃至34のいずれか1項に記載の記録ヘッド用基板と、
前記記録ヘッド用基板における前記電気熱変換素子の其々の駆動に応じて記録剤を吐出する複数のノズルと、を有する、
ことを特徴とする記録ヘッド。 - 請求項35に記載の記録ヘッドと、
前記記録ヘッドの前記複数のノズルに記録剤を供給する記録剤容器と、
外部から入力された記録データを処理した結果を前記記録ヘッドに出力する信号処理部と、を備える
ことを特徴とする記録装置。
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