JP2006331587A - 半導体メモリ回路駆動方法および半導体メモリ回路 - Google Patents
半導体メモリ回路駆動方法および半導体メモリ回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006331587A JP2006331587A JP2005156495A JP2005156495A JP2006331587A JP 2006331587 A JP2006331587 A JP 2006331587A JP 2005156495 A JP2005156495 A JP 2005156495A JP 2005156495 A JP2005156495 A JP 2005156495A JP 2006331587 A JP2006331587 A JP 2006331587A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory cell
- nonvolatile memory
- circuit
- level
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
【課題】リードモード、通常モードのみの長期間の使用において、CMOSプレーナー型の不揮発性メモリセルに記憶されているデータの保持特性が良好で信頼性の高い半導体メモリ回路駆動方法を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体メモリ回路の電源投入時と遮断時において、自動的に浮遊ゲートに電子が蓄えられている状態の不揮発性メモリセルへ書き込みを行う。更に、通常の回路動作時において、浮遊ゲートに電子が蓄えられている状態の不揮発性メモリセルのコントロールゲートにHレベルの電圧、ソース、ドレインにLレベル、浮遊ゲートに電子が蓄えられていない状態の不揮発性メモリセル1のコントロールゲート、ソースにLレベル、ドレインにHレベルを印加する。
【選択図】図2
【解決手段】不揮発性半導体メモリ回路の電源投入時と遮断時において、自動的に浮遊ゲートに電子が蓄えられている状態の不揮発性メモリセルへ書き込みを行う。更に、通常の回路動作時において、浮遊ゲートに電子が蓄えられている状態の不揮発性メモリセルのコントロールゲートにHレベルの電圧、ソース、ドレインにLレベル、浮遊ゲートに電子が蓄えられていない状態の不揮発性メモリセル1のコントロールゲート、ソースにLレベル、ドレインにHレベルを印加する。
【選択図】図2
Description
本発明は、CMOSプレーナー型の不揮発性メモリセルを用いた半導体メモリ回路に関し、特に不揮発性メモリセルに記憶されているデータが長期間経過しても消えず、優れた保持特性を有する半導体メモリ回路駆動方法に関するものである。
従来から、EEPROM(電気的に消去と再書き込み可能な読み出し専用メモリ)において、不揮発性メモリセルとして、積層ゲート構造(スタック・ゲート)を有するMOSトランジスタ型セルやNチャネルMOSトランジスタとPチャネルMOSトランジスタのゲートを共通にしたCMOSプレーナー型セルが用いられる(例えば、特許文献1,特許文献2を参照)。
このメモリセルで構成する不揮発性半導体メモリ回路は、データの読み出しを行うリード(Read Mode)、データを動作回路へ出力する通常モード、データの書き込みを行うプログラムモード(Program Mode)、及びデータの消去を行う消去モード(Erase Mode)で動作する。不揮発性半導体メモリ回路へリードパルスを入力すると、不揮発性半導体メモリ回路はリードモードになり、各ビットの不揮発性メモリセルに記憶されているデータの読み出しを行う。その後、通常モードになり、リードモード時に読み出した各ビットのデータを動作回路へ出力する。データの書き込みや消去を行う、プログラムモードや消去モードは、ユーザーが外部信号を不揮発性半導体メモリ回路に入力し設定する方法及び回路構成が用いられている。
従来の不揮発性半導体メモリ回路について説明する(例えば、非特許文献1参照)。図14は、従来の不揮発性半導体メモリ回路の動作フローチャートを示し、図15(a)(b)は従来の不揮発性半導体メモリ回路の1ビット分の回路図とタイミングチャートを示す。
図15(a)において、1はデータを記憶する不揮発性メモリセル、2は不揮発性メモリセル1のドレインに電圧が直接に印加されないようにするための保護トランジスタである。
3はリードモード時に読み込んだ各ビットの不揮発性メモリセル1に記憶されているデータを動作回路へ出力するラッチ回路で、CK端子に入力されている信号に応じてOUT端子の信号が変化する。CK端子がHレベル時は、IN端子の信号をそのままOUT端子へ出力し、CK端子がLレベル時は、CK端子がHレベルからLレベルへ変化した時のHレベル時に入力された信号をOUT端子に出力し、IN端子の信号が変化してもOUT端子の信号は変化しない。
4はPチャネルMOSトランジスタで、リードモード時に不揮発性メモリセル1へ電流を供給する。
5は不揮発性メモリセル1へ書き込みを実施するかしないかを選択する駆動用トランジスタである。
5は不揮発性メモリセル1へ書き込みを実施するかしないかを選択する駆動用トランジスタである。
ここで、不揮発性メモリセル1のデータを読み出して動作回路に出力するまでの動作について説明する。
まず、RST1端子へ図15(b)に示すようにリセットパルスが入力されると、不揮発性半導体メモリ回路がリードモードとなり、各ビットの不揮発性メモリセル1に記憶されているデータを読み出し、ラッチ回路3のIN端子に出力する。リードモード時のRST1端子はHレベルであり、電源電圧Vc(=Vregで、ここでは電源電圧Vccを安定後の2.1ボルトである)で動作しているバッファ30を介して前記RST1端子に接続されている不揮発性メモリセル1のコントロールゲートと保護トランジスタ2のゲート電圧がVc(=Vreg)となる。また、RST1端子がHレベルの時にインバータ31を介して前記RST1端子にゲートが接続されているPチャネルMOSトランジスタ4がオンして、電源ラインの電圧Vregが保護トランジスタ2を介して不揮発性メモリセル1のドレインに印加される。ここで不揮発性メモリセル1のソースが接続されているPE端子は0ボルトであるため、不揮発性メモリセル1が未書き込み状態(浮遊ゲートに電子が保持されていない状態)の場合には、未書き込み状態の不揮発性メモリセル1の閾値電圧Vt0<Vregで、電源ラインよりPチャネルMOSトランジスタ4を通して不揮発性メモリセル1のドレインからソースに電流32が流れ、ラッチ回路3のIN端子にはバッファ33を介してLレベルが入力される。
まず、RST1端子へ図15(b)に示すようにリセットパルスが入力されると、不揮発性半導体メモリ回路がリードモードとなり、各ビットの不揮発性メモリセル1に記憶されているデータを読み出し、ラッチ回路3のIN端子に出力する。リードモード時のRST1端子はHレベルであり、電源電圧Vc(=Vregで、ここでは電源電圧Vccを安定後の2.1ボルトである)で動作しているバッファ30を介して前記RST1端子に接続されている不揮発性メモリセル1のコントロールゲートと保護トランジスタ2のゲート電圧がVc(=Vreg)となる。また、RST1端子がHレベルの時にインバータ31を介して前記RST1端子にゲートが接続されているPチャネルMOSトランジスタ4がオンして、電源ラインの電圧Vregが保護トランジスタ2を介して不揮発性メモリセル1のドレインに印加される。ここで不揮発性メモリセル1のソースが接続されているPE端子は0ボルトであるため、不揮発性メモリセル1が未書き込み状態(浮遊ゲートに電子が保持されていない状態)の場合には、未書き込み状態の不揮発性メモリセル1の閾値電圧Vt0<Vregで、電源ラインよりPチャネルMOSトランジスタ4を通して不揮発性メモリセル1のドレインからソースに電流32が流れ、ラッチ回路3のIN端子にはバッファ33を介してLレベルが入力される。
また、不揮発性メモリセル1が既書き込み状態(浮遊ゲートに電子が保持されている状態)の場合には、既書き込み状態の不揮発性メモリセル1の閾値電圧Vt1>Vregとなり、不揮発性メモリセル1のドレインからソースに電流は流れず、ラッチ回路3のIN端子はVregになり、Hレベルが入力される。
リセットパルスがオフした通常モード時において、リードモード時に不揮発性メモリセル1から読み込み出したデータを、ラッチ回路3が動作回路へ出力する。更に、不揮発性メモリセル1の浮遊ゲートに蓄えられている電子が減少及び増加して記憶されているデータが消えないように、不揮発性メモリセル1には電圧が印加されない状態にする。回路上では、RST1端子がLレベルで不揮発性メモリセル1のコントロールゲートが0ボルト、PチャネルMOSトランジスタ4がオフし、電圧Vregの電源ラインと不揮発性メモリセル1のドレインとの接続がオープンとなる。同時に、リセットパルスはラッチ回路3のCK端子にも入力されており、通常モード時、ラッチ回路3のCK端子はLレベルで、リードモード時(CK端子がHレベル時)に読み込んだデータを出力端子より出力し続ける。
特許第2596695号(図1)
特許第2904649号(図1)
Tsugio Takahashi et al., "A Multigigabit DRAM Technology With 6F2 Open-Bitline Cell, Distributed Overdriven Sensing, and Stacked-Flash Fuse", IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL.36, NO.11, NOVEMBER 2001、Fig.9
しかしながら、上記従来の構成では、データの書き込みや消去を行わずにリードモードまたは通常モードのみで長期間使用した場合、不揮発性メモリセル1に電圧が印加されない状態においても、既書き込み状態の不揮発性メモリセル1の浮遊ゲートに蓄えられている電子は、時間の経過とともに減少する。また、未書き込み状態の不揮発性メモリセル1は、リードモード時におけるコントロールゲート−ソース電界により、電子が浮遊ゲートに蓄積される。
すなわち、従来の不揮発性半導体メモリ回路では、リードモードまたは通常モードのみで長期間にわたって使用すると、記憶されているデータが消え、製品の特性が変動し不良になると言う問題点がある。
特に、不揮発性メモリセル1がCMOSプレーナー型では、積層ゲート構造型に比べ浮遊ゲートに蓄えられている電子の保持特性が悪いため、データが保持できる期間は短くなる。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、リードモード、通常モードのみの長期間の使用において、CMOSプレーナー型の不揮発性メモリセルを用いた不揮発性半導体メモリ回路内に記憶されているデータの保持特性が良好で信頼性の高い半導体メモリ回路駆動方法および半導体メモリ回路を提供することを目的とする。
本発明の請求項1記載の半導体メモリ回路駆動方法は、CMOSプレーナー型の不揮発性メモリセルを用いた半導体メモリ回路をリードモード、通常モードのみで使用するに際し、電源投入時または電源遮断時に、前記不揮発性メモリセルの読み出しを実行して、浮遊ゲートに電子が保持されている既書き込み状態の前記不揮発性メモリセルに対して書き込みを実施することを特徴とする。
本発明の請求項2記載の半導体メモリ回路駆動方法は、請求項1において、ヒューズ又はアンチヒューズから成り既書き込みの不揮発性メモリセルへ書き込みを行うか行わないかを選択するメモリロックビットの設定に基づいて、メモリロックビット書き込み状態の設定の場合に限って既書き込み状態の前記不揮発性メモリセルに対して書き込みを実施することを特徴とする。
本発明の請求項3記載の半導体メモリ回路駆動方法は、CMOSプレーナー型の不揮発性メモリセルを用いた半導体メモリ回路をリードモード、通常モードのみで使用するに際し、前記半導体メモリ回路から動作回路側へデータを出力している状態時において、浮遊ゲートに電子が保持されている既書き込み状態の前記不揮発性メモリセルのコントロールゲートにHレベル、及びソースとドレインにLレベルを印加し、浮遊ゲートに電子が保持されていない未書き込み状態の不揮発性メモリセルのコントロールゲートとソースにLレベル、及びドレインにHレベルを印加することを特徴とする。
本発明の請求項4記載の半導体メモリ回路駆動方法は、請求項3において、ヒューズ又はアンチヒューズから成り既書き込みの不揮発性メモリセルへ書き込みを行うか行わないかを選択するメモリロックビットの設定に基づいて、メモリロックビット書き込み状態の設定の場合に限って不揮発性メモリセルに対する電圧印加の設定を実行することを特徴とする。
本発明の請求項5記載の半導体メモリ回路は、データを記憶する不揮発性メモリセルと直列に保護の第1のトランジスタとリードモード時に不揮発性メモリセルへ電流を供給する第2のトランジスタを接続し、不揮発性メモリセルからの読み出しラインに、リードモード時に前記不揮発性メモリセルから読み出したデータをラッチして出力するラッチ回路ならびに前記不揮発性メモリセルへ書き込みを実施するかしないかを選択する駆動用の第3のトランジスタとを接続した不揮発性半導体メモリ回路において、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタをオンし、前記第3のトランジスタをオフして、電源投入時に前記不揮発性メモリセルのデータを読み出して前記ラッチ回路を介して出力するリードモード実行手段と、前記第2のトランジスタと前記第3のトランジスタを共にオフして前記リードモード実行手段によって読み出し済みの不揮発性メモリセルのデータを前記ラッチ回路が動作回路へ出力する通常モード手段と、前記リードモード実行手段が不揮発性メモリセルのデータの読み出した後に前記第2のトランジスタをオフし、前記第3のトランジスタをオンして、前記ラッチ回路から既書き込み状態の前記不揮発性メモリセルに対して書き込みを実施するプログラムモード手段とを設けたことを特徴とする。
本発明の請求項6記載の半導体メモリ回路は、請求項5において、前記プログラムモード手段は、電源投入時に不揮発性メモリセルの書き込み用のパルス信号とラッチ回路の出力との論理積の出力信号を使って、浮遊ゲートに電子が蓄えられている状態の不揮発性メモリセルへ書き込みを実施するよう構成したことを特徴とする。
本発明の請求項7記載の半導体メモリ回路は、請求項5において、前記プログラムモード手段は、電源遮断時に浮遊ゲートに電子が蓄えられている状態の不揮発性メモリセルへ書き込みを実施するよう構成したことを特徴とする。
本発明の請求項8記載の半導体メモリ回路は、請求項6において、ヒューズ又はアンチヒューズから成るメモリロックビットを設け、メモリロックビット書き込み状態で、電源投入時に浮遊ゲートに電子が蓄えられている状態の不揮発性メモリセルへ書き込みを実施するよう構成したことを特徴とする。
本発明の請求項9記載の半導体メモリ回路は、請求項7において、ヒューズ又はアンチヒューズから成るメモリロックビットを設け、メモリロックビット書き込み状態で、電源遮断時に浮遊ゲートに電子が蓄えられている状態の不揮発性メモリセルへ書き込みを実施するよう構成したことを特徴とする。
本発明の請求項10記載の半導体メモリ回路は、データを記憶する不揮発性メモリセルと直列に保護の第1のトランジスタとリードモード時に不揮発性メモリセルへ電流を供給する第2のトランジスタを接続し、不揮発性メモリセルからの読み出しラインに、リードモード時に前記不揮発性メモリセルから読み出したデータをラッチして出力するラッチ回路ならびに前記不揮発性メモリセルへ書き込みを実施するかしないかを選択する駆動用の第3のトランジスタとを接続した不揮発性半導体メモリ回路において、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタをオンし、前記第3のトランジスタをオフして、電源投入時に前記不揮発性メモリセルのデータを読み出して前記ラッチ回路を介して出力するリードモード実行手段と、前記第2のトランジスタと前記第3のトランジスタを共にオフして前記リードモード実行手段によって読み出し済みの不揮発性メモリセルのデータを前記ラッチ回路が動作回路へ出力する通常モード手段とを設け、前記通常モード手段は、前記不揮発性メモリセルから読み出したデータを動作回路側へ出力している状態時に、浮遊ゲートに電子が蓄えられている状態の不揮発性メモリセルのコントロールゲートにHレベル、及びソースとドレインにLレベルを印加し、浮遊ゲートに電子が蓄えられていない状態の不揮発性メモリセルのコントロールゲートとソースにLレベル、及びドレインにHレベルを印加するよう構成したことを特徴とする。
本発明の請求項11記載の半導体メモリ回路は、請求項10において、ヒューズ又はアンチヒューズから成るメモリロックビットを設け、前記通常モード手段は、メモリロックビット書き込み状態で、前記不揮発性メモリセルから読み出したデータを動作回路側へ出力している状態時に、浮遊ゲートに電子が蓄えられている状態の不揮発性メモリセルのコントロールゲートにHレベル、及びソースとドレインにLレベルを印加し、浮遊ゲートに電子が蓄えられていない状態の不揮発性メモリセルのコントロールゲートとソースにLレベル、及びドレインにHレベルを印加するよう構成したことを特徴とする。
本発明の半導体メモリ回路駆動方法および半導体メモリ回路は、CMOSプレーナー型の不揮発性メモリセルを用いた不揮発性半導体メモリ回路において、電源を投入してからリードモードになった後、自動的にプログラムモードになり、既書き込み状態の不揮発性メモリセル1へ書き込みを行う。また、電源を遮断した直後も、自動的にプログラムモードになり既書き込み状態の不揮発性メモリセル1へ書き込みを行う。すなわち、電源投入時と遮断時において自動的に、既書き込み状態の不揮発性メモリセル1へ書き込みを行う。
更に、通常モードにおいて既書き込み状態の不揮発性メモリセル1のコントロールゲートにHレベル、ソース、ドレインにLレベル、未書き込み状態の不揮発性メモリセル1のコントロールゲート、ソースにLレベル、ドレインにHレベルを印加する。
上記の構成によると、電源を投入又は遮断する毎に、既書き込み状態の不揮発性メモリセル1は書き込みが実施され、浮遊ゲートに電子が注入されるため、リードモードまたは通常モードのみで長期間使用しても、不揮発性メモリセル1に蓄えられている電子は減少せず、長期間既書き込み状態を保持し、データを長期間保持する。
また、通常モード時において、既書き込み状態の不揮発性メモリセル1のコントロールゲートにHレベル、ソース、ドレインをLレベルの状態にすることで、コントロールゲート−ソース、コントロールゲート−ドレイン間の電界により、ソース、ドレインから浮遊ゲートに電子が注入されるため、浮遊ゲートに蓄積されている電子は減少せず、既書き込みの状態を保持する。更に、未書き込み状態の不揮発性メモリセル1のコントロールゲート、ソースにLレベル、ドレインにHレベルを印加することで、コントロールゲート−ドレイン間の電界により、浮遊ゲートに蓄積した電子はドレインへ移動し、浮遊ゲートには電子が蓄積せず、未書き込みの状態を保持する。その結果、長期間電源をオンにして使用する場合(通常モードでの長期間使用)においても、不揮発性メモリセル1は既書き込み及び未書き込みの状態を長期間保持し、記憶しているデータを長期間保持できる。
以下、本発明の各実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、従来例と同一の構成については同一の符号を付けて説明する。
(第1の実施形態)
図1〜図13は本発明の(第1の実施形態)を示している。
(第1の実施形態)
図1〜図13は本発明の(第1の実施形態)を示している。
図1は本発明の不揮発性半導体メモリ回路を示し、従来例の図15と異なるのは、NチャネルMOSトランジスタ6,9,11、オア回路7A,7B、PチャネルMOSトランジスタ8、アンド回路10が追加されている点である。
データを記憶する不揮発性メモリセル1、不揮発性メモリセル1のドレインに直接に電圧がかからないようにするための保護トランジスタ2、リードモード時に読み出した各ビットの不揮発性メモリセル1のデータを動作回路へ出力するラッチ回路3、リードモード時に不揮発性メモリセル1へ電流を印加するPチャネルMOSトランジスタ4、各ビットの不揮発性メモリセル1へ書き込みを実施するかしないかを選択する駆動用トランジスタ5などは図15と同じである。
詳しくは、オア回路7Aはバッファ30とRST1端子との間に介装されている。オア回路7Aの一方の入力がRST1端子に接続され、オア回路7Aの出力がバッファ30の入力に接続されている。NチャネルMOSトランジスタ6は、バッファ30の電源端子とVC端子の間に介装されており、不揮発性メモリセル1のコントロールゲート及び保護トランジスタ2のゲートをVC端子電圧に接続するか接続しないかを前記RST1端子の信号に基づいて制御している。また、バッファ30の電源端子とVp端子の間にはNチャネルMOSトランジスタ11も接続されている。
アンド回路10の一方の入力には、RST2端子に接続され、アンド回路10の他方の入力には、ラッチ回路3のOUT端子が接続されている。アンド回路10の出力のPC端子は、前記オア回路7Aの他方の入力,オア回路7Bの一方の入力ならびにNチャネルMOSトランジスタ11のゲートに接続されている。ここで、オア回路7Bの他方の入力にはLレベルが供給されている。オア回路7Bの出力は駆動用トランジスタ5のゲートに接続されている。
Vp端子とPE端子の間には、RST2端子にゲートが接続されたNチャネルMOSトランジスタ9が介装されている。PE端子と0ボルトの間には、RST2端子にゲートが接続されたPチャネルMOSトランジスタ8が介装されている。
前記オア回路7Aは、アンド回路10の出力のPC端子の電圧とRST1端子の電圧の論理和を出力し、不揮発性メモリセル1及び保護トランジスタ2のオン/オフを制御する。前記PチャネルMOSトランジスタ8は、PE端子の電圧を0ボルトにする。前記NチャネルMOSトランジスタ9は、PE端子の電圧をVP(=5〜10ボルト>閾値電圧Vt1−既書き込み状態の不揮発性メモリセル1)する。前記アンド回路10は、ラッチ回路3の出力端子とRST2端子との論理積をPC端子に出力し、既書き込み状態の不揮発性メモリセル1のコントロールゲートをVP(=5〜10ボルト>閾値電圧Vt1−既書き込み状態の不揮発性メモリセル1)にする。前記NチャネルMOSトランジスタ11は不揮発性メモリセル1のコントロールゲート及び保護トランジスタ2のゲートの電圧をVP(=5〜10ボルト>閾値電圧Vt1−既書き込み状態の不揮発性メモリセル1)にする。
図2は動作フローチャートを示す。図3(b)は図2の動作フローチャートに従って動作する不揮発性半導体メモリ回路の各部のレベルのタイミングチャートで、ハッチングで示されているリードモードにおける各部のレベルを回路図中に記入したものが図3(a)である。
動作に基づいて回路構成をさらに詳しく説明する。
電源が投入されると、図2のステップS1では、RST1端子にリセットパルスが入力され、不揮発性半導体メモリ回路はリードモードとなり、各ビットの不揮発性メモリセル1に記憶されているデータを読み出し、ラッチ回路3へ出力する。
電源が投入されると、図2のステップS1では、RST1端子にリセットパルスが入力され、不揮発性半導体メモリ回路はリードモードとなり、各ビットの不揮発性メモリセル1に記憶されているデータを読み出し、ラッチ回路3へ出力する。
RST1端子にリセットパルスが入力された後、ラッチ回路3は、電源が0ボルトになるまで、リードモード時に読み出したデータを動作回路へ出力し続ける。
ステップS2において、RST2端子にリセットパルスが入力されるとプログラムモードとなり、既書き込みビットの不揮発性メモリセル1の各端子にHレベルを与えて書き込みを行う。なお、図4(a)は図4(b)においてハッチングで示されているプログラムモードにおける各部のレベルを回路図中に記入したものである。
ステップS2において、RST2端子にリセットパルスが入力されるとプログラムモードとなり、既書き込みビットの不揮発性メモリセル1の各端子にHレベルを与えて書き込みを行う。なお、図4(a)は図4(b)においてハッチングで示されているプログラムモードにおける各部のレベルを回路図中に記入したものである。
ステップS3において、通常モードとなり、不揮発性メモリセル1に記憶されているデータが消えないよう不揮発性メモリセル1に電圧がかからない状態にする。なお、図5(a)は図5(b)においてハッチングで示されている通常モードにおける各部のレベルを回路図中に記入したものである。
ステップS4において電源がオフになり、ステップS5においてリセットパルスがRST2端子に再び入力されるとプログラムモードとなり、既書き込みビットの不揮発性メモリセル1の各端子にHレベルを与え、再び書き込みを行う。
上記の各モードにおける不揮発性半導体メモリ回路の状態について詳しく説明する。
リードモード時における各部のレベルは、図3(a)に示した通りで、RST1端子がHレベルで、NチャネルMOSトランジスタ6がオン、オア回路7Aの出力がHレベルになり、不揮発性メモリセル1のコントロールゲート、保護トランジスタ2のゲートがVC端子電圧(=Vreg)になる。
リードモード時における各部のレベルは、図3(a)に示した通りで、RST1端子がHレベルで、NチャネルMOSトランジスタ6がオン、オア回路7Aの出力がHレベルになり、不揮発性メモリセル1のコントロールゲート、保護トランジスタ2のゲートがVC端子電圧(=Vreg)になる。
同時にPチャネルMOSトランジスタ4がオンし、アンド回路10の出力のPC端子の電圧とLレベルの制御信号の論理和を出力するオア回路7Bの出力で制御されている駆動用トランジスタ5がオフであることから、不揮発性メモリセル1のドレインとVregが電気的に接続される。
更に、RST2端子がLレベルで、PチャネルMOSトランジスタ8がオン、PE端子0ボルトで、不揮発性メモリセル1のソースが0ボルトとなる。その結果、不揮発性メモリセル1のコントロールゲートがVC(=Vreg)、ドレインがVreg、ソースが0ボルトとなり、不揮発性メモリセル1が未書き込み状態(浮遊ゲートに電子が保持されていない状態)のビットでは、閾値電圧Vt0 < Vreg となり、VregよりPチャネルMOSトランジスタ4を通して不揮発性メモリセル1のドレインからソースに電流が流れ、ラッチ回路3のIN端子にLレベルが入力される。不揮発性メモリセル1が既書き込み状態(浮遊ゲートに電子が保持されている状態)のビットでは、閾値電圧Vt1 > Vreg となり、不揮発性メモリセル1のドレインからソースに電流は流れず、ラッチ回路3のIN端子はVreg(Hレベル)になり、Hレベルが入力される。
プログラムモード時における各部のレベルは、図4(a)に示した通りで、RST2端子がHレベルで、NチャネルMOSトランジスタ9がオンし、PE端子の電圧がVP(5〜10ボルト>閾値電圧Vt1−既書き込み状態の不揮発性メモリセル1)で、不揮発性メモリセル1のソース電圧はVP(5〜10ボルト>閾値電圧Vt1−既書き込み状態の不揮発性メモリセル1)になる。アンド回路10がラッチ回路3の出力とRST2端子との論理積をPC端子に出力するため、不揮発性メモリセル1が既書き込み状態のビットのPC端子はHレベル、不揮発性メモリセル1が未書き込み状態のビットのPC端子はLレベルになる。その結果、不揮発性メモリセル1が既書き込み状態のビットでは、PC端子がHレベルで駆動用トランジスタ5がオン、不揮発性メモリセル1のコントロールゲート及び保護トランジスタ2のゲート端子はHレベルで、保護トランジスタ2がオンし、不揮発性メモリセル1のドレインがGNDに接続される。また、NチャネルMOSトランジスタ11がオンで、不揮発性メモリセル1のコントロールゲート電圧はVP(5〜10ボルト>閾値電圧Vt1−既書き込み状態の不揮発性メモリセル1)になる。
逆に、不揮発性メモリセル1が未書き込み状態のビットでは、PC端子がLレベルで駆動用トランジスタ5がオフ、不揮発性メモリセル1のコントロールゲート及び保護トランジスタ2のゲート端子がLレベルで、不揮発性メモリセル1のコントロールゲートは0ボルト、駆動用トランジスタ5がオフで不揮発性メモリセル1のドレインはオープンとなる。
その結果、プログラムモードにおいて、既書き込み状態の不揮発性メモリセル1は、ドレインがPE端子、ソース、コントロールゲートがVP(5〜10ボルト>閾値電圧Vt1−既書き込み状態の不揮発性メモリセル1)になり、ソースからドレインへ電流が流れ、電子がコントロールゲート−ドレイン間の電界により不揮発性メモリセル1の浮遊ゲートへ移動し蓄えられる。すなわち、書き込みが行われる。未書き込み状態の不揮発性メモリセル1は、ドレインオープン、コントロールゲート 0ボルト、ソース VP(5〜10ボルト>閾値電圧Vt1−既書き込み状態の不揮発性メモリセル1)で浮遊ゲートへの電子の注入や放出はなく、そのままの状態を保持する。
通常モード時における各部のレベルは、図5(a)に示した通りで、RST1端子およびRST2端子がLレベルで、既書き込み及び未書き込み状態の不揮発性メモリセル1のコントロールゲート、ソースが0ボルト、ドレインはオープンになり、不揮発性メモリセル1には電圧が印加されない。
このように(第1の実施形態)によれば、電源を投入または遮断する毎に、既書き込み状態の不揮発性メモリセル1へ、ステップS2またはステップS5で書き込みを実行するので、浮遊ゲートに蓄積されている電子が常に補充されるため、既書き込み状態の不揮発性メモリセル1のデータは長期間消えず安定にデータを記憶できる。
(第2の実施形態)
図6は本発明の(第2の実施形態)の不揮発性半導体メモリ回路を示し、図1に示した(第1の実施形態)とは、アンド回路10の一方に供給するリセットパルスの発生の仕方が異なっている。その他は図1と同じである。
図6は本発明の(第2の実施形態)の不揮発性半導体メモリ回路を示し、図1に示した(第1の実施形態)とは、アンド回路10の一方に供給するリセットパルスの発生の仕方が異なっている。その他は図1と同じである。
具体的には、12Aは電源投入時と遮断時において、既書き込みの不揮発性メモリセル1へ書き込みを行うか行わないかを選択するメモリロックビット、13は電圧又は電流が印加されることで溶断するヒューズ、14はRST2とメモリロックビットの信号との論理積を出力するアンド回路、15はヒューズ13へ電圧または電流を印加するためのパッド、22は抵抗体であって、アンド回路14の出力とラッチ回路3のOUT端子との論理和を前記アンド回路10で検出している。
動作に基づいて図6の構成を(第1の実施形態)と比較して詳しく説明する。図7はタイミングチャートを示す。
(第1の実施形態)の構成では、電源投入時と遮断時において強制的に既書き込み状態の不揮発性メモリセル1へ書き込み実施するが、不揮発性メモリセル1は何度も書き込みが行われると、浮遊ゲートに蓄えられている電子が消去できなくなり、データの書き換えが行えなくなる。
(第1の実施形態)の構成では、電源投入時と遮断時において強制的に既書き込み状態の不揮発性メモリセル1へ書き込み実施するが、不揮発性メモリセル1は何度も書き込みが行われると、浮遊ゲートに蓄えられている電子が消去できなくなり、データの書き換えが行えなくなる。
これに対して、この(第2の実施形態)では、電源投入時と遮断時において既書き込み状態の不揮発性メモリセル1の書き込みを行うか、行わないかを選択できるメモリロックビット12Aを設けている。
このメモリロックビット12Aは書き込み状態で、電源投入時と遮断時において、既書き込み状態の不揮発性メモリセル1の書き込みを行い、メモリロックビット12Aは未書き込み状態では既書き込み状態の不揮発性メモリセル1の書き込みは行わない。
すなわち、不揮発性半導体メモリ回路の使用用途に応じ、不揮発性半導体メモリ回路の動作を選択する。不揮発性メモリ1に記憶されているデータの書き換えを行う使用では、不揮発性メモリセル1の書き込み特性や消去特性が低下しないようメモリロックビットを未書き込み状態に、長期間データの書き換えを行わず、同じデータで使用する場合は、メモリロックビットを書き込み状態にして使用する。
(第2の実施形態)の不揮発性半導体メモリ回路は、前記(第1の実施形態)の不揮発性半導体メモリ回路のRST2端子をメモリロックビット12Aで置き換えたもので、回路動作は(第1の実施形態)と同じ動作をする。
すなわち、メモリロックビット12Aの出力端子よりパルスが出力されていている間、プログラムモードになり、既書き込み状態の不揮発性メモリセル1の書き込みを行う。メモリロックビット12Aはヒューズ13、アンド回路14からなり、ヒューズ13が未書き込みの状態では、アンド回路14にLレベルが入力されるため、メモリロックビット12Aの出力は常時Lレベルとなり、不揮発性メモリセル1への書き込みは行わない。ヒューズ13を溶断した状態(パッド15より電圧又は電流を印加)では、アンド回路14にHレベルが入力されるため、メモリロックビット12Aの出力は、RST2端子の電圧となり、(第1の実施形態)の不揮発性半導体メモリ回路と同じ回路動作を行う。
すなわち、電源投入時と遮断時において、既書き込み状態の不揮発性メモリセル1の書き込みを行う。メモリロックビット12Aは物理的破壊するヒューズ13を使用しているため、一旦、メモリロックビット12Aの書き込み状態にすると、未書き込みの状態にすることはできない。
この(第2の実施形態)によれば、電源投入時と遮断時において、既書き込み状態の不揮発性メモリセル1へ書き込みを実施するかしないかを選択できるメモリロックビット12Aを設けることで、不揮発性半導体メモリ回路の使用用途に応じて不揮発性半導体メモリ回路の動作を選択できる。データの書き換えを行う使用(外部より信号を不揮発性メモリ回路へ入力し、プログラムモード又は、消去モードにしてデータの書き込みや消去を行う)では、不揮発性メモリセル1の書き込み特性や消去特性が低下しないようメモリロックビットを未書き込み状態にし、不揮発性メモリセル1の書き込みは行わない。また、長期間データの書き換えは行わず同じデータで使用する場合は、メモリロックビット12Aを書き込み状態することで、電源投入時と遮断時、既書き込み状態の不揮発性メモリセル1へ書き込み行い、データが長期間安定に保持されるようにできる。
(第3の実施形態)
図8は本発明の(第3の実施形態)不揮発性半導体メモリ回路を示す。
前記(第2の実施形態)では、メモリロックビット12Aのトリミング素子として電気的に溶断するヒューズ13を使用したが、通常は絶縁状態にあり書き込み電圧を加えることにより接続状態になるアンチヒューズ素子としてのツェナーザップダイオード16を使用してメモリロックビット12Bを構成している点が異なっている。なお、ツェナーザップダイオード16が書き込み状態で、アンド回路14の入力がHレベルになるようツェナーザップダイオード16とアンド回路14との間にインバータ23を接続している。
図8は本発明の(第3の実施形態)不揮発性半導体メモリ回路を示す。
前記(第2の実施形態)では、メモリロックビット12Aのトリミング素子として電気的に溶断するヒューズ13を使用したが、通常は絶縁状態にあり書き込み電圧を加えることにより接続状態になるアンチヒューズ素子としてのツェナーザップダイオード16を使用してメモリロックビット12Bを構成している点が異なっている。なお、ツェナーザップダイオード16が書き込み状態で、アンド回路14の入力がHレベルになるようツェナーザップダイオード16とアンド回路14との間にインバータ23を接続している。
(第4の実施形態)
図9は本発明の(第4の実施形態)の不揮発性半導体メモリ回路を示す。上記の各実施形態では、不揮発性メモリセル1のコントロールゲートだけを制御していたが、この(第4の実施形態)では、NチャネルMOSトランジスタ6,17,18,19,20,PチャネルMOSトランジスタ21などを設けて、さらに不揮発性メモリセルのソースとドレインの電圧を制御している。その他は図15(a)と同じである。24は抵抗体である。
図9は本発明の(第4の実施形態)の不揮発性半導体メモリ回路を示す。上記の各実施形態では、不揮発性メモリセル1のコントロールゲートだけを制御していたが、この(第4の実施形態)では、NチャネルMOSトランジスタ6,17,18,19,20,PチャネルMOSトランジスタ21などを設けて、さらに不揮発性メモリセルのソースとドレインの電圧を制御している。その他は図15(a)と同じである。24は抵抗体である。
図10(b)は不揮発性半導体メモリ回路の各部のレベルのタイミングチャートで、ハッチングで示されているリードモードにおける各部のレベルを回路図中に記入したものが図10(a)である。図11(b)は不揮発性半導体メモリ回路の各部のレベルのタイミングチャートで、ハッチングで示されている通常モードにおける各部のレベルを回路図中に記入したものが図11(a)である。
不揮発性メモリセル1、保護トランジスタ2、ラッチ回路3、PチャネルMOSトランジスタ4、駆動用トランジスタ5は図15(a)と同じである。6は不揮発性メモリセル1のコントロールゲート及び保護トランジスタ2のゲートをVC(=Vreg)にするNチャネルMOSトランジスタ、17は通常モード時、不揮発性メモリセル1のコントロールゲートをVC(=Vreg)するNチャネルMOSトランジスタ、18は通常モード時、既書き込み状態の不揮発性メモリセル1のコントロールゲートをVC(=Vreg)するNチャネルMOSトランジスタ、19は通常モード時、不揮発性メモリセル1のドレインに電圧(Vreg又はPE端子電圧=0ボルト)を与えるNチャネルMOSトランジスタ、20は通常モード時、不揮発性メモリセル1のドレインをPE端子電圧(=0ボルト)にするNチャネルMOSトランジスタ、21は通常モード時、不揮発性メモリセル1のドレインをVregにするPチャネルMOSトランジスタである。
動作に基づいて構成を詳しく説明する。
電源が投入されると、まず、RST1端子にリセットパルスが入力されてリードモードとなり、各ビットの不揮発性メモリセル1に記憶されているデータを読み出し、ラッチ回路3へ出力する。その後に通常モードとなり、リードモード時に読み込み出したデータをラッチ回路3が動作回路へ出力する。通常モードにおいて、既書き込み状態の不揮発性メモリセル1は、コントロールゲートをVC(=Vreg)、ソース及びドレインを0ボルトにすることで、コントロールゲート−ソース又はコントロール−ドレイン間の電界により、浮遊ゲートに電子が常に蓄積する。また、未書き込み状態の不揮発性メモリセル1は、コントロールゲート及びソースを0ボルト、ドレインをVregにすることで、ドレイン−コントロールゲート間の電界により、浮遊ゲートに蓄積されている電子がドレインへ移動し、浮遊ゲートは常に電子が蓄積されない状態になる。
電源が投入されると、まず、RST1端子にリセットパルスが入力されてリードモードとなり、各ビットの不揮発性メモリセル1に記憶されているデータを読み出し、ラッチ回路3へ出力する。その後に通常モードとなり、リードモード時に読み込み出したデータをラッチ回路3が動作回路へ出力する。通常モードにおいて、既書き込み状態の不揮発性メモリセル1は、コントロールゲートをVC(=Vreg)、ソース及びドレインを0ボルトにすることで、コントロールゲート−ソース又はコントロール−ドレイン間の電界により、浮遊ゲートに電子が常に蓄積する。また、未書き込み状態の不揮発性メモリセル1は、コントロールゲート及びソースを0ボルト、ドレインをVregにすることで、ドレイン−コントロールゲート間の電界により、浮遊ゲートに蓄積されている電子がドレインへ移動し、浮遊ゲートは常に電子が蓄積されない状態になる。
リードモード時は、図10(a)に示すようにRST1端子はHレベルで、NチャネルMOSトランジスタ6がオン、不揮発性メモリセル1のコントロールゲート、保護トランジスタ2のゲート電圧がVC(=Vreg)になる。同時にPチャネルMOSトランジスタ4がオンし、駆動用トランジスタ5がオフであることから、不揮発性メモリセル1のドレインとVregが電気的に接続される。すなわち、不揮発性メモリセル1のコントロールゲートがVC(=Vreg)、ドレインがVreg、ソースが0ボルトとなり、不揮発性メモリセル1が未書き込み状態のビットでは、閾値電圧Vt0<Vregとなり、VregよりPチャネルMOSトランジスタ4を通して不揮発性メモリセル1のドレインからソースに電流が流れ、ラッチ回路3のIN端子にLレベルが入力される。不揮発性メモリセル1が既書き込み状態のビットでは、閾値電圧Vt1>Vregとなり、不揮発性メモリセル1のドレインからソースに電流は流れず、ラッチ回路3のIN端子はVreg(Hレベル)になり、Hレベルが入力される。
通常モード時は、図11(a)に示すようにRST1端子がLレベル、ST端子がHレベルで、RST1端子はラッチ回路3のCK端子に入力されているため、ラッチ回路3のCK端子はLレベルで、リードモード時(CK端子がHレベル時)に読み込んだデータを出力端子より出力し続ける。更に、ST端子がHレベルでNチャネルMOSトランジスタ17、NチャネルMOSトランジスタ19がオンする。不揮発性メモリセル1が既書き込み状態のビットでは、ラッチ回路3の出力がHレベルで、NチャネルMOSトランジスタ18、NチャネルMOSトランジスタ20がオンし、既書き込み状態の不揮発性メモリセル1のコントロールゲートはVC(=Vreg)、ドレインは0ボルトになる。不揮発性メモリセル1が未書き込み状態のビットでは、ラッチ回路3の出力がLレベルで、NチャネルMOSトランジスタ18がオフ、PチャネルMOSトランジスタ21がオンし、未書き込み状態の不揮発性メモリセル1のコントロールゲートは0ボルト、ドレインがVregとなる。すなわち、通常モードにおいて、既書き込み状態の不揮発性メモリセル1は、コントロールゲート VC(=Vreg)、ソース及びドレインは0ボルトになり、コントロールゲート−ソース又はコントロール−ドレイン間の電界により、浮遊ゲートに電子が常に蓄積する。また、未書き込み状態の不揮発性メモリセル1は、コントロールゲート及びソースが0ボルト、ドレインがVregになり、ドレイン−コントロールゲート間の電界により、浮遊ゲートに蓄積されている電子がドレインへ移動し、浮遊ゲートは常に電子が蓄積されない状態になる。
このように(第4の実施形態)によれば、通常モードにおいて、既書き込み状態の不揮発性メモリセル1のコントロールゲートをHレベル、ソース及びドレインをLレベル。また、未書き込み状態の不揮発性メモリセル1は、コントロールゲート及びソースをLレベル、ドレインをVregにすることで、既書き込み状態の不揮発性メモリセル1については、浮遊ゲートに常に電子が蓄積され、逆に未書き込み状態の不揮発性メモリセル1については、浮遊ゲートに電子が蓄積されない状態となる。すなわち、長期間電源をオンにして使用する場合(通常モードでの長期間使用)においても、不揮発性メモリセル1は、既書き込み及び未書き込みの状態を長期間保持し、記憶しているデータを長期間保持する。
(第5の実施形態)
図12(a)(b)は本発明の(第5の実施形態)を示し、(第4の実施形態)の不揮発性半導体メモリ回路において、長時間不揮発性メモリセル1の浮遊ゲートに電子が注入されている状態にすると、浮遊ゲートに蓄えられている電子が消去できなくなり、データの書き換えが行えなくなるため、通常モード時、不揮発性メモリセル1にHレベルを印加するかしないかを選択できるようメモリロックビット12Aを設けたものである。メモリロックビット12Aは図6に示した(第2の実施形態)と同じである。
図12(a)(b)は本発明の(第5の実施形態)を示し、(第4の実施形態)の不揮発性半導体メモリ回路において、長時間不揮発性メモリセル1の浮遊ゲートに電子が注入されている状態にすると、浮遊ゲートに蓄えられている電子が消去できなくなり、データの書き換えが行えなくなるため、通常モード時、不揮発性メモリセル1にHレベルを印加するかしないかを選択できるようメモリロックビット12Aを設けたものである。メモリロックビット12Aは図6に示した(第2の実施形態)と同じである。
メモリロックビット12Aの書き込み状態で、通常モード時、不揮発性メモリセル1にHレベルを与え、未書き込み状態で、不揮発性メモリセル1に電圧を与えないようにする。すなわち、不揮発性半導体メモリ回路の使用用途に応じ、不揮発性メモリ半導体回路の動作を選択する。不揮発性メモリ1に記憶されているデータの書き換えを行う使用では、不揮発性メモリセル1の書き込み特性や消去特性が低下しないようメモリロックビット12Aを未書き込み状態にして使用する。長期間データの書き換えを行わず、同じデータで使用する場合はメモリロックビットを書き込み状態にして使用する。
このように(第5の実施形態)の不揮発性半導体メモリ回路は、前記(第4の実施形態)の不揮発性半導体メモリ回路のST端子をメモリロックビット12Aで置き換えたもので、メモリロックビット12Aはヒューズ13、アンド回路14からなり、ヒューズ13が未書き込み状態では、アンド回路14にLレベルが入力されるため、メモリロックビット12Aの出力は常時Lレベルとなり、NチャネルMOSトランジスタ17及び19がオフで、コントロールゲート、ソースが0ボルト、ドレインがオープンとなる。ヒューズ13を溶断した状態(パッド15より電圧又は電流を印加)では、アンド回路14にHレベルが入力されるため、メモリロックビット12Aの出力は、ST端子電圧となり、前記(第4の実施形態)の不揮発性半導体メモリ回路と同じ回路動作を行う。すなわち、通常モード時、既書き込み状態の不揮発性メモリセル1のコントロールゲートにHレベル、ソース及びドレインをLレベル、未書き込み状態の不揮発性メモリセル1については、コントロールゲート及びソースをLレベル、ドレインがVregになる。メモリロックビット12Aは物理的破壊するヒューズ13を使用しているため、一旦、メモリロックビット12Aの書き込み状態にすると、未書き込みの状態にすることはできない。
このように(第5の実施形態)によれば、通常モード時、不揮発性メモリセル1の各端子へHレベルを与える設定を実施するかしないかを選択できるメモリロックビット12Aを設けることで、不揮発性半導体メモリ回路の使用用途に応じ、回路動作を選択できる。常時、記憶データの書き換えを行う使用(外部より信号を不揮発性半導体メモリ回路へ入力し、プログラムモード又は消去モードにしてデータの書き込みや消去を行う)では、不揮発性メモリセル1の書き込み特性や消去特性が低下しないようメモリロックビット12Aを未書き込み状態にし、不揮発性メモリセル1へ電圧を印加せず、また、データを長期間変更しない使用ではメモリロックビット12Aを書き込み状態にすることで、各ビットの既書き込み及び未書き込み状態の不揮発性メモリセル1の各々に対し、各端子へHレベルを与え、データが長期間安定に保持されるようにする。
(第6の実施形態)
図13(a)(b)は本発明の(第6の実施形態)を示し、図12(a)に示した(第5の実施形態)の不揮発性半導体メモリ回路におけるメモリロックビット12を、図8に示した(第3の実施形態)と同じようにアンチヒューズ12Bにしたものである。
図13(a)(b)は本発明の(第6の実施形態)を示し、図12(a)に示した(第5の実施形態)の不揮発性半導体メモリ回路におけるメモリロックビット12を、図8に示した(第3の実施形態)と同じようにアンチヒューズ12Bにしたものである。
本発明は、記憶データを書き換えで回路特性のトリミングを実施した後、長期間同じ記憶データで使用を続ける携帯電話向けアナログLSI等の半導体製品分野において極めて有用である。
1 不揮発性メモリセル
2 保護トランジスタ
3 ラッチ回路
4 PチャネルMOSトランジスタ
5 駆動用トランジスタ
6 NチャネルMOSトランジスタ
7 オア回路
8 PチャネルMOSトランジスタ
9 NチャネルMOSトランジスタ
10 アンド回路
11 NチャネルMOSトランジスタ
12A,12B メモリロックビット
13 ヒューズ
14 アンド回路
15 テストパッド
16 ツェナーザップダイオード(アンチヒューズ)
17,18,19 NチャネルMOSトランジスタ
20 NチャネルMOSトランジスタ
21 PチャネルMOSトランジスタ
2 保護トランジスタ
3 ラッチ回路
4 PチャネルMOSトランジスタ
5 駆動用トランジスタ
6 NチャネルMOSトランジスタ
7 オア回路
8 PチャネルMOSトランジスタ
9 NチャネルMOSトランジスタ
10 アンド回路
11 NチャネルMOSトランジスタ
12A,12B メモリロックビット
13 ヒューズ
14 アンド回路
15 テストパッド
16 ツェナーザップダイオード(アンチヒューズ)
17,18,19 NチャネルMOSトランジスタ
20 NチャネルMOSトランジスタ
21 PチャネルMOSトランジスタ
Claims (11)
- CMOSプレーナー型の不揮発性メモリセルを用いた半導体メモリ回路をリードモード、通常モードのみで使用するに際し、
電源投入時または電源遮断時に、前記不揮発性メモリセルの読み出しを実行して、浮遊ゲートに電子が保持されている既書き込み状態の前記不揮発性メモリセルに対して書き込みを実施する
半導体メモリ回路駆動方法。 - ヒューズ又はアンチヒューズから成り既書き込みの不揮発性メモリセルへ書き込みを行うか行わないかを選択するメモリロックビットの設定に基づいて、メモリロックビット書き込み状態の設定の場合に限って既書き込み状態の前記不揮発性メモリセルに対して書き込みを実施する
請求項1記載の半導体メモリ回路駆動方法。 - CMOSプレーナー型の不揮発性メモリセルを用いた半導体メモリ回路をリードモード、通常モードのみで使用するに際し、
前記半導体メモリ回路から動作回路側へデータを出力している状態時において、
浮遊ゲートに電子が保持されている既書き込み状態の前記不揮発性メモリセルのコントロールゲートにHレベル、及びソースとドレインにLレベルを印加し、
浮遊ゲートに電子が保持されていない未書き込み状態の不揮発性メモリセルのコントロールゲートとソースにLレベル、及びドレインにHレベルを印加する
半導体メモリ回路駆動方法。 - ヒューズ又はアンチヒューズから成り既書き込みの不揮発性メモリセルへ書き込みを行うか行わないかを選択するメモリロックビットの設定に基づいて、メモリロックビット書き込み状態の設定の場合に限って不揮発性メモリセルに対する電圧印加の設定を実行する
請求項3記載の半導体メモリ回路駆動方法。 - データを記憶する不揮発性メモリセルと直列に保護の第1のトランジスタとリードモード時に不揮発性メモリセルへ電流を供給する第2のトランジスタを接続し、不揮発性メモリセルからの読み出しラインに、リードモード時に前記不揮発性メモリセルから読み出したデータをラッチして出力するラッチ回路ならびに前記不揮発性メモリセルへ書き込みを実施するかしないかを選択する駆動用の第3のトランジスタとを接続した不揮発性半導体メモリ回路において、
前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタをオンし、前記第3のトランジスタをオフして、電源投入時に前記不揮発性メモリセルのデータの読み出して前記ラッチ回路を介して出力するリードモード実行手段と、
前記第2のトランジスタと前記第3のトランジスタを共にオフして前記リードモード実行手段によって読み出し済みの不揮発性メモリセルのデータを前記ラッチ回路が動作回路へ出力する通常モード手段と、
前記リードモード実行手段が不揮発性メモリセルのデータの読み出した後に前記第2のトランジスタをオフし、前記第3のトランジスタをオンして、前記ラッチ回路から既書き込み状態の前記不揮発性メモリセルに対して書き込みを実施するプログラムモード手段と、
を設けた半導体メモリ回路。 - 前記プログラムモード手段は、電源投入時に不揮発性メモリセルの書き込み用のパルス信号とラッチ回路の出力との論理積の出力信号を使って、浮遊ゲートに電子が蓄えられている状態の不揮発性メモリセルへ書き込みを実施するよう構成した
請求項5記載の半導体メモリ回路。 - 前記プログラムモード手段は、電源遮断時に浮遊ゲートに電子が蓄えられている状態の不揮発性メモリセルへ書き込みを実施するよう構成した
請求項5記載の半導体メモリ回路。 - ヒューズ又はアンチヒューズから成るメモリロックビットを設け、メモリロックビット書き込み状態で、電源投入時に浮遊ゲートに電子が蓄えられている状態の不揮発性メモリセルへ書き込みを実施するよう構成した
請求項6記載の半導体メモリ回路。 - ヒューズ又はアンチヒューズから成るメモリロックビットを設け、メモリロックビット書き込み状態で、電源遮断時に浮遊ゲートに電子が蓄えられている状態の不揮発性メモリセルへ書き込みを実施するよう構成した
請求項7記載の半導体メモリ回路。 - データを記憶する不揮発性メモリセルと直列に保護の第1のトランジスタとリードモード時に不揮発性メモリセルへ電流を供給する第2のトランジスタを接続し、不揮発性メモリセルからの読み出しラインに、リードモード時に前記不揮発性メモリセルから読み出したデータをラッチして出力するラッチ回路ならびに前記不揮発性メモリセルへ書き込みを実施するかしないかを選択する駆動用の第3のトランジスタとを接続した不揮発性半導体メモリ回路において、
前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタをオンし、前記第3のトランジスタをオフして、電源投入時に前記不揮発性メモリセルのデータの読み出して前記ラッチ回路を介して出力するリードモード実行手段と、
前記第2のトランジスタと前記第3のトランジスタを共にオフして前記リードモード実行手段によって読み出し済みの不揮発性メモリセルのデータを前記ラッチ回路が動作回路へ出力する通常モード手段と
を設け、
前記通常モード手段は、前記不揮発性メモリセルから読み出したデータを動作回路側へ出力している状態時に、浮遊ゲートに電子が蓄えられている状態の不揮発性メモリセルのコントロールゲートにHレベル、及びソースとドレインにLレベルを印加し、浮遊ゲートに電子が蓄えられていない状態の不揮発性メモリセルのコントロールゲートとソースにLレベル、及びドレインにHレベルを印加するよう構成した
半導体メモリ回路。 - ヒューズ又はアンチヒューズから成るメモリロックビットを設け、
前記通常モード手段は、メモリロックビット書き込み状態で、前記不揮発性メモリセルから読み出したデータを動作回路側へ出力している状態時に、浮遊ゲートに電子が蓄えられている状態の不揮発性メモリセルのコントロールゲートにHレベル、及びソースとドレインにLレベルを印加し、浮遊ゲートに電子が蓄えられていない状態の不揮発性メモリセルのコントロールゲートとソースにLレベル、及びドレインにHレベルを印加するよう構成した
請求項10記載の半導体メモリ回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005156495A JP2006331587A (ja) | 2005-05-30 | 2005-05-30 | 半導体メモリ回路駆動方法および半導体メモリ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005156495A JP2006331587A (ja) | 2005-05-30 | 2005-05-30 | 半導体メモリ回路駆動方法および半導体メモリ回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006331587A true JP2006331587A (ja) | 2006-12-07 |
Family
ID=37553114
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005156495A Pending JP2006331587A (ja) | 2005-05-30 | 2005-05-30 | 半導体メモリ回路駆動方法および半導体メモリ回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006331587A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009032349A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Panasonic Corp | 不揮発性メモリ制御システム |
US9224487B2 (en) | 2010-04-16 | 2015-12-29 | Cypress Semiconductor Corporation | Semiconductor memory read and write access |
JP2016179696A (ja) * | 2016-07-13 | 2016-10-13 | キヤノン株式会社 | 記録ヘッド用基板及び記録装置 |
JP2018125540A (ja) * | 2018-02-22 | 2018-08-09 | キヤノン株式会社 | 基板、液体吐出ヘッドおよび液体吐出装置 |
US10226921B2 (en) | 2012-09-18 | 2019-03-12 | Canon Kabushika Kaisha | Printhead substrate and printing apparatus |
-
2005
- 2005-05-30 JP JP2005156495A patent/JP2006331587A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009032349A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Panasonic Corp | 不揮発性メモリ制御システム |
US9224487B2 (en) | 2010-04-16 | 2015-12-29 | Cypress Semiconductor Corporation | Semiconductor memory read and write access |
US10226921B2 (en) | 2012-09-18 | 2019-03-12 | Canon Kabushika Kaisha | Printhead substrate and printing apparatus |
JP2016179696A (ja) * | 2016-07-13 | 2016-10-13 | キヤノン株式会社 | 記録ヘッド用基板及び記録装置 |
JP2018125540A (ja) * | 2018-02-22 | 2018-08-09 | キヤノン株式会社 | 基板、液体吐出ヘッドおよび液体吐出装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6288944B1 (en) | NAND type nonvolatile memory with improved erase-verify operations | |
US6639849B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device programming second dynamic reference cell according to threshold value of first dynamic reference cell | |
JP3688899B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
US6975543B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device which stores two bits per memory cell | |
KR100660534B1 (ko) | 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 검증방법 | |
JP5266443B2 (ja) | 不揮発性メモリセル及び不揮発性メモリセル内蔵データラッチ | |
KR960005370B1 (ko) | 비휘발성 반도체 메모리 장치를 소거하고 검증하기 위한 방법 및 장치 | |
KR20070003639A (ko) | 임계치 전압의 상위를 이용하여 데이터를 기억하는 메모리셀을 포함한 반도체 기억 장치 | |
KR101442298B1 (ko) | 데이터 독출 회로 | |
JP2004362729A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
US8638610B2 (en) | Semiconductor storage device | |
JP3709606B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びベリファイ方法 | |
JP2010123155A (ja) | 不揮発性半導体メモリ装置 | |
JP2006331587A (ja) | 半導体メモリ回路駆動方法および半導体メモリ回路 | |
JP2006338789A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2000021183A (ja) | 半導体不揮発性メモリ | |
US6301154B1 (en) | Semiconductor memory device having floating gate type transistors programmed to have differing threshold voltages | |
US7212438B2 (en) | Semiconductor device and method of operating a semiconductor device | |
JP2003051196A5 (ja) | 不揮発性メモリ及びそれを用いた電子機器 | |
JP4118623B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
US8565028B2 (en) | Semiconductor nonvolatile memory device | |
KR100614057B1 (ko) | 비휘발성 반도체 기억 장치 | |
US20090027969A1 (en) | Method of using hot-carrier-injection degradation as a programmable fuse/switch | |
JP2007184083A (ja) | ページバッファ及びその読み出し方法 | |
US20070285992A1 (en) | Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080325 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080430 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081111 |