JP6302513B2 - 記録ヘッド用基板及び記録装置 - Google Patents
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Description
図1乃至5を参照しながら、第1実施形態の記録ヘッド用基板I1(以下、単に「基板I1」という。)を説明する。図1は、記録ヘッド用基板I1の回路構成例の一部を示している。基板I1は、記録ユニット204とメモリユニット206とを含む。記録ユニット204は、ヒータRh(電気熱変換素子)と、ヒータRhを駆動する駆動部DRV1(トランジスタMD1及び論理積回路AND1)と、を含む。ヒータRhを駆動することにより、即ち、ヒータRhを通電させて熱を発生させることにより、記録剤が吐出され、記録を行うことが可能である(後述)。また、メモリユニット206は、アンチヒューズ素子AFと、アンチヒューズ素子AFに情報を書き込むための駆動部DRV2(トランジスタMD2及び論理積回路AND2)と、を含む。アンチヒューズ素子AFは、過電圧が供給されることにより情報を固定的に保持し、即ち、1回だけプログラム可能なメモリとして機能する。駆動部DRV1及びDRV2は、制御回路201からの信号によって制御される。制御回路201は、例えば、不図示のシフトレジスタやラッチ回路等によって構成されうる。制御回路201には、例えば、不図示のホストPC等を介して、クロック信号CLK、画像データ信号DATA、ラッチ信号LT、ヒータ制御信号HEが入力されうる。また、論理積回路AND1及びAND2並びに制御回路201には、ロジック用の電源電圧として、第1の電源電圧VDD(例えば、3〜5V)が供給されうる。
図6及び7を参照しながら、他の構成例として、メモリユニット2062を基板I2に用いた場合を説明する。図6は、メモリユニット2062の構成例を示している。トランジスタMD2は、ドレイン側に電解を緩和するためのN型ウェル領域102aを有し、そのため、N型拡散領域106b(ドレイン)からN型ウェル領域102aを介してシリコン基板100の方向にリーク電流が生じうる。また、N型拡散領域106bとN型拡散領域106cとは同電位であり、よって、前述のアンチヒューズ素子AF(乃至容量Ca)においては、N型拡散領域106cからN型ウェル領域102bを介してシリコン基板100の方向にリーク電流が生じうる。よって、トランジスタMD2が非導通状態であるにもかかわらず、トランジスタMD2のソース−ドレイン間の電位差が小さくなり、そして、アンチヒューズ素子AFの両端子間における電位差が大きくなるということが考えられる。このことは、アンチヒューズ素子AFに、誤った情報を書き込むという事態をもたらしうる。
以上の各実施形態は、記録装置に適用されうる。以下、図8乃至10を参照しながら、記録装置への適用例を、インクジェット記録方式のものを例示して説明する。しかし、記録装置はこの形態には限定されず、例えば、溶融型や昇華型等の熱転写方式の記録装置についても同様である。記録装置は、例えば、記録機能のみを有するシングルファンクションプリンタであっても良いし、例えば、記録機能、FAX機能、スキャナ機能等の複数の機能を有するマルチファンクションプリンタであっても良い。また、記録装置は、例えば、カラーフィルタ、電子デバイス、光学デバイス、微小構造物等を所定の記録方式で製造するための製造装置であっても良い。「記録」は、記録媒体上に画像、模様、パターン、構造物等、人間が視覚で知覚し得るように顕在化したものを形成する場合だけでなく、媒体の加工を行う場合をも含みうる。「記録媒体」とは、一般的な記録装置で用いられる紙のみならず、布、プラスチック・フィルム、金属板、ガラス、セラミックス、樹脂、木材、皮革等、記録剤を付することが可能なものをも含みうる。「記録剤」は、記録媒体に付されることにより、画像、模様、パターン等の形成又は記録媒体の加工に供されうるインク等の液体だけでなく、記録剤の処理(例えば、記録剤が含有する色剤の凝固又は不溶化)に供されうる液体をも含みうる。
Claims (19)
- 液体を加熱するための電気熱変換素子と、
前記電気熱変換素子を駆動するための第1のトランジスタと、
アンチヒューズ素子を構成するMOS構造と、
電源ノードと接地ノードとの間の電気経路において前記アンチヒューズ素子に対して直列に接続された第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタを駆動する駆動部と、を備え、
前記駆動部は、第1導電型の第1MOSトランジスタおよび前記第1導電型とは異なる第2導電型の第2MOSトランジスタを含み且つ前記第2のトランジスタのゲートに接続されるインバータを有し、
前記第1のトランジスタの耐圧および前記第2のトランジスタの耐圧は、前記第1MOSトランジスタの耐圧および前記第2MOSトランジスタの耐圧より高く、
前記第2のトランジスタは、前記第2のトランジスタのソースおよびドレインの間の領域であって、前記ソースおよび前記ドレインのうち、前記第2のトランジスタのゲートとの電位差が大きい一方の側に、素子分離部を有し、
前記第2のトランジスタの前記ゲートは、前記ソースおよび前記ドレインとの間で前記素子分離部の上に延在する部分を有する
ことを特徴とする液体吐出ヘッド用基板。 - 液体を加熱するための電気熱変換素子と、
前記電気熱変換素子を駆動するための第1のトランジスタと、
アンチヒューズ素子を構成するMOS構造と、
電源ノードと接地ノードとの間の電気経路において前記アンチヒューズ素子に対して直列に接続された第2のトランジスタと、
前記アンチヒューズ素子と並列に接続された抵抗素子と、を備える
ことを特徴とする液体吐出ヘッド用基板。 - 前記素子分離部は、LOCOS構造またはSTI構造を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の液体吐出ヘッド用基板。 - 前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタは、それぞれ、
ドレインを構成する前記第1導電型の第1の拡散領域と、
ソースを構成する前記第1導電型の第2の拡散領域と、
前記第1の拡散領域と隣り合って配される前記第1導電型の第1のウェル領域と、
前記第2の拡散領域と隣り合って配される前記第2導電型の第2のウェル領域と、
を含み、
前記ゲートを形成する電極の一部は、前記第2のウェル領域の上に配される
ことを特徴とする請求項1または請求項3に記載の液体吐出ヘッド用基板。 - 前記第1のトランジスタと、前記第2のトランジスタと、前記MOS構造とは、ゲート絶縁膜の膜厚が互いに等しい、
ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッド用基板。 - 前記第1のトランジスタと、前記第2のトランジスタとは、そのチャネル領域が形成される不純物領域の深さと不純物濃度とが相互に等しい、
ことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッド用基板。 - 前記アンチヒューズ素子と並列に接続された抵抗素子をさらに備える、
ことを特徴とする請求項1に記載の液体吐出ヘッド用基板。 - 前記第2のトランジスタにおける拡散領域であって前記MOS構造に接続された拡散領域と、
前記拡散領域を囲み且つ前記拡散領域と同じ導電型を有するウェル領域と、を有する
ことを特徴とする請求項7に記載の液体吐出ヘッド用基板。 - 前記抵抗素子の抵抗値は、前記第2のトランジスタのオン抵抗の抵抗値より大きい
ことを特徴とする請求項2、7および請求項8のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッド用基板。 - 電源電圧を供給する電源ラインと前記MOS構造との間に接続された第2の抵抗素子をさらに備える
ことを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッド用基板。 - 前記第2のトランジスタを駆動する駆動部をさらに備える
ことを特徴とする請求項2に記載の液体吐出ヘッド用基板。 - 前記駆動部は、インバータを含み、
前記インバータの出力は、前記第2のトランジスタのゲートに接続される
ことを特徴とする請求項11に記載の液体吐出ヘッド用基板。 - 前記駆動部は、第1導電型の第1MOSトランジスタ及び前記第1導電型とは異なる第2導電型の第2MOSトランジスタを含む
ことを特徴とする請求項11または請求項12に記載の液体吐出ヘッド用基板。 - 前記アンチヒューズ素子はメモリを構成する
ことを特徴とする請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッド用基板。 - 前記アンチヒューズ素子は、1回だけプログラム可能なメモリを構成する
ことを特徴とする請求項14に記載の液体吐出ヘッド用基板。 - 前記MOS構造のゲート絶縁膜を絶縁破壊することによって前記アンチヒューズ素子に情報を書き込む
ことを特徴とする請求項14または請求項15に記載の液体吐出ヘッド用基板。 - 前記MOS構造のゲート絶縁膜を絶縁破壊するために用いられる第1の電圧を供給する第1の電源ラインを含み、
前記第2のトランジスタは、前記第2のトランジスタが導通状態のときに前記MOS構造に前記第1の電圧を供給する
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の液体吐出ヘッド用基板。 - 請求項1から請求項17のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッド用基板と、
前記液体吐出ヘッド用基板における前記電気熱変換素子の其々の駆動に応じて液体を吐出する複数のノズルと、を有する、
ことを特徴とする液体吐出ヘッド。 - 請求項18に記載の液体吐出ヘッドと、
前記液体吐出ヘッドの前記複数のノズルに液体を供給する容器と、
外部から入力された記録データを処理した結果を前記液体吐出ヘッドに出力する信号処理部と、を備える
ことを特徴とする液体吐出装置。
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