JP5965539B2 - FePt−C系スパッタリングターゲット - Google Patents
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Description
1−1.スパッタリングターゲットの構成成分および構造
本発明の第1実施形態に係るFePt−C系スパッタリングターゲットは、Fe、PtおよびCを含有するFePt−C系スパッタリングターゲットであって、Ptを33at%以上60at%以下含有して残部がFeおよび不可避的不純物からなるFePt系合金相中に、不可避的不純物を含む1次粒子のC同士がお互いに接触しないように分散した構造を有することを特徴とする。なお、本明細書では、数値範囲を表す際に「α以上β以下」のことを「α〜β」と記すことがある。
FePt系合金は高温(例えば600℃以上)で熱処理をすることにより、高い結晶磁気異方性を持ったfct構造を備えることができるため、磁気記録媒体の記録層となる役割を有し、本発明の実施形態に係るFePt−C系スパッタリングターゲットにおいて主成分となる。
C(炭素)は、スパッタリングにより得られるFePtC系層中において、磁性粒子であるFePt系合金粒子同士を仕切る隔壁となり、FePtC系層中におけるFePt系合金粒子を小さく均一にする役割を有し、本第1実施形態に係るFePt−C系スパッタリングターゲットにおいて主成分の1つとなる。
本発明の第1実施形態に係るFePt−C系スパッタリングターゲットの構造は、Ptを33〜60at%含有して残部がFeおよび不可避的不純物からなるFePt系合金相中に、不可避的不純物を含む1次粒子のC(炭素)同士がお互いに接触しないように分散した構造であり、1次粒子のC(炭素)は2次粒子を構成していない。
本第1実施形態に係るFePt−C系スパッタリングターゲットは、金属元素としてFeおよびPtのみ含んでいるが、FePt系合金相にFeおよびPt以外の金属元素を含ませてもよい(第1実施形態の変形例)。
本第1実施形態に係るFePt−C系スパッタリングターゲットは、Ptを33at%以上60at%以下含有して残部がFeおよび不可避的不純物からなる平均粒径20μm以下のFePt系合金粉末に、不可避的不純物を含む1次粒子からなり2次粒子を構成していないC粉末を添加して、該C粉末の1次粒子径が実質的に小さくならない範囲内(得られたターゲットを用いてスパッタリングを行った際に発生するパーティクル数が増加しない範囲内)で混合して加圧焼結用混合粉末を作製した後、作製した該加圧焼結用混合粉末を加圧下で加熱して成形することにより製造することができる。
本第1実施形態に係るFePt−C系スパッタリングターゲットにおいては、2次粒子を構成していない1次粒子のC(炭素)をFePt系合金相中に分散させて、1次粒子であるC(炭素)の周囲がFePt系合金で覆われやすくなるようにしているので、スパッタリング時にC(炭素)が塊の状態でターゲットから抜け落ちてパーティクルとなることが防止されており、パーティクルの発生の少ない良好なスパッタリングを実現することができる。
2−1.スパッタリングターゲットの構成成分および構造
第1実施形態に係るFePt−C系スパッタリングターゲットでは、合金成分としてFe、Ptを含有し、合金成分(Fe、Pt)以外にはC(炭素)を含有していたが、本発明の第2実施形態に係るFePt−C系スパッタリングターゲットでは、合金成分としてFe、Ptを含有し、合金成分(Fe、Pt)以外にはC(炭素)の他に酸化物を含有しており、この点が第1実施形態に係るFePt−C系スパッタリングターゲットとは異なる。即ち、本発明の第2実施形態に係るFePt−C系スパッタリングターゲットは、Ptを33at%以上60at%以下含有して残部がFeおよび不可避的不純物からなるFePt系合金相中に、不可避的不純物を含む1次粒子のCおよび不可避的不純物を含む金属酸化物が分散した構造を有し、前記1次粒子のCはお互いに接触していないことを特徴とする。
本第2実施形態におけるFePt系合金について説明すべき内容は、第1実施形態の「1−1−1.FePt合金について」で説明した内容と同様であるので、説明は省略する。
Cおよび金属酸化物は、スパッタリングによって得られる、FePt系合金ならびにCおよび金属酸化物を含有してなる層(以下、FePt−C−金属酸化物層と記すことがある。)中において、磁性粒子であるFePt系合金粒子同士を仕切る隔壁となり、FePt−C−金属酸化物層中におけるFePt系合金粒子を小さく均一にする役割を有し、本第2実施形態に係るFePt−C系スパッタリングターゲットにおいて主成分となる。
本発明の第2実施形態に係るFePt−C系スパッタリングターゲットの構造は、Ptを33〜60at%含有して残部がFeおよび不可避的不純物からなるFePt系合金相中に、不可避的不純物を含む1次粒子のC(炭素)と不可避的不純物を含む金属酸化物とが分散した構造であり、1次粒子のC(炭素)はお互いに接触しておらず、2次粒子を構成していない。
本第2実施形態に係るFePt−C系スパッタリングターゲットは、金属元素としてFeおよびPtのみ含んでいるが、第1実施形態に係るFePt−C系スパッタリングターゲットと同様に、FePt系合金相にFeおよびPt以外の金属元素を含ませてもよい(第2実施形態の変形例)。
本第2実施形態に係るFePt−C系スパッタリングターゲットを製造する際には、まず、Ptを33〜60at%含有して残部がFeおよび不可避的不純物からなるFePt系合金粉末と金属酸化物粉末とを十分に混合(メカニカルアロイが生じる程度まで混合)させることにより、FePt系合金粉末の平均粒径を十分に小さくした第1の混合粉末を作製する。FePt系合金粉末をアトマイズ法で作製すると、多くの場合、平均粒径が30μm以上となるが、このように平均粒径の大きいFePt系合金粉末であっても、金属酸化物粉末と十分に混合(メカニカルアロイが生じる程度まで混合)させることにより、平均粒径を十分に小さくすることができる。
本第2実施形態に係るFePt−C系スパッタリングターゲットにおいては、2次粒子を構成していない1次粒子のC(炭素)をFePt系合金相中に分散させて、1次粒子のC(炭素)同士が接触しないようにしており、1次粒子であるC(炭素)の周囲をFePt系合金で覆われやすくなるようにしているので、スパッタリング時にC(炭素)が塊の状態でターゲットから抜け落ちてパーティクルとなることが防止されており、パーティクルの発生の少ない良好なスパッタリングを実現することができる。
本実施例1における混合粉末、焼結体およびターゲットの組成の目標は60.50(50Fe−50Pt)−39.50Cである。即ち、金属成分の組成の目標は50at%Fe−50at%Ptであり、FePt合金とC(炭素)の組成比の目標は、FePt合金が60.50at%、Cが39.50at%である。なお、C(炭素)の含有量をat%ではなくvol%で表示すると、本実施例1における混合粉末およびターゲットの組成の目標は(50Fe−50Pt)−30vol%Cである。
本実施例2では、実施例1で用いたFeアトマイズ粉末107.19gに替えて、平均粒径10μmのFe粉107.19gを用いた以外は実施例1と同様にして、焼結体およびスパッタリングターゲットを作製した。
本実施例3では、加圧焼結用混合粉末作製時に、非晶質カーボンの粒径が実質的に小さくならない範囲内でタンブラーミキサーでの弱混合(ボールを用いたタンブラーミキサーでの15分間の混合)をした後にさらにボールミルで混合(300rpmで30min→累積回転回数9,000回)したこと、および焼結体作製時の温度を1100℃にしたこと以外は、実施例1、2と同様にして、焼結体およびスパッタリングターゲットを作製した。
本比較例1における混合粉末、焼結体およびターゲットの組成の目標は60.50(50Fe−50Pt)−39.50Cである。即ち、金属成分の組成の目標は50at%Fe−50at%Ptであり、FePt合金とC(炭素)の組成比の目標は、FePt合金が60.50at%、Cが39.50at%であり、実施例1〜3と同様である。なお、C(炭素)の含有量をat%ではなくvol%で表示すると、本比較例1における混合粉末およびターゲットの組成の目標は(50Fe−50Pt)−30vol%Cである。
本参考例1における混合粉末、焼結体およびターゲットの組成の目標は50Fe−50Ptであり、C(炭素)は含有されておらず、金属成分であるFeおよびPtのみからなり、C(炭素)が含有されていた実施例1〜3、比較例1とは異なる。
本実施例4における混合粉末、焼結体およびターゲットの組成の目標は(50Fe−50Pt)−16.71mol%C−6.51mol%SiO2である。即ち、金属成分の組成の目標は50at%Fe−50at%Ptであり、Fe、Pt、C(炭素)、SiO2の組成比の目標は、Feが38.39mol%、Ptが38.39mol%、Cが16.71mol%、SiO2が6.51mol%である。なお、C(炭素)およびSiO2の含有量をmol%ではなくvol%で表示すると、本実施例4における混合粉末およびターゲットの組成の目標は(50Fe−50Pt)−10vol%C−20vol%SiO2である。
本比較例2における混合粉末、焼結体およびターゲットの組成の目標は(50Fe−50Pt)−16.71mol%C−6.51mol%SiO2であり、実施例4と同様である。ただし、実施例4では、FePt合金アトマイズ粉末とSiO2粉末とをまず混合して第1の混合粉末を作製し、次に、作製した第1の混合粉末に非晶質カーボンを添加、混合して加圧焼結用混合粉末を作製していたが、本比較例2では、後述するように、FePt合金アトマイズ粉末とカーボンブラックとSiO2粉末とを一度で混合して加圧焼結用混合粉末を作製している点が、大きな相違点となっている。
本比較例3では、比較例2で用いたカーボン原材料をカーボンブラック21.25gから非晶質カーボン21.25gに替えたこと、および焼結体作製時の温度を1340℃にしたこと以外は、比較例2と同様にして、焼結体およびスパッタリングターゲットを作製した。なお、用いた非晶質カーボンは実施例1〜4で用いたものと同一であり、2次粒子を形成していない。
本参考例2における混合粉末、焼結体およびターゲットの組成の目標は(50Fe−50Pt)−8.99mol%SiO2である。即ち、金属成分の組成の目標は50at%Fe−50at%Ptであり、この点は実施例4、比較例2、3と同様であるが、Cが含まれておらず、金属以外の成分としてはSiO2しか含まれていない。なお、SiO2の含有量をmol%ではなくvol%で表示すると、本参考例2における混合粉末およびターゲットの組成の目標は(50Fe−50Pt)−25vol%SiO2である。
実施例1〜4、比較例1〜3、参考例1、2についての主要なデータを次の表1にまとめて示す。
Claims (10)
- Fe、PtおよびCを含有するFePt−C系スパッタリングターゲットであって、
Ptを33at%以上60at%以下含有して残部がFeおよび不可避的不純物からなるFePt系合金相中に、不可避的不純物を含む1次粒子のC同士がお互いに接触しないように分散した構造を有するFePt−C系スパッタリングターゲットであり、
前記1次粒子のCの平均粒径が1μm以上30μm以下であり、かつ、前記Cの全表面積のうち前記FePt系合金相に覆われている表面積は前記Cの全表面積の80%以上であることを特徴とするFePt−C系スパッタリングターゲット。 - Fe、PtおよびCを含有し、さらにFe、Pt以外の1種以上の金属元素を含有するFePt−C系スパッタリングターゲットであって、
Ptを33at%以上60at%未満、Fe、Pt以外の前記1種以上の金属元素を0at%よりも多く20at%以下含有し、かつ、Ptと前記1種以上の金属元素の合計が60at%以下であり、残部がFeおよび不可避的不純物からなるFePt系合金相中に、不可避的不純物を含む1次粒子のC同士がお互いに接触しないように分散した構造を有するFePt−C系スパッタリングターゲットであり、
前記1次粒子のCの平均粒径が1μm以上30μm以下であり、かつ、前記Cの全表面積のうち前記FePt系合金相に覆われている表面積は前記Cの全表面積の80%以上であることを特徴とするFePt−C系スパッタリングターゲット。 - Fe、Pt以外の前記1種以上の金属元素は、Cu、Ag、Mn、Ni、Co、Pd、Cr、V、Bのうちの1種以上であることを特徴とする請求項2に記載のFePt−C系スパッタリングターゲット。
- 前記Cの結晶構造は、非晶質構造もしくはダイヤモンド構造であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のFePt−C系スパッタリングターゲット。
- 前記Cのターゲット全体に対する体積分率が5vol%以上60vol%以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のFePt−C系スパッタリングターゲット。
- 前記FePt系合金相中にさらに酸化物相が分散していることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のFePt−C系スパッタリングターゲット。
- 前記Cのターゲット全体に対する体積分率が5vol%以上60vol%未満であり、前記酸化物相のターゲット全体に対する体積分率が3vol%以上55vol%未満であり、かつ、前記Cと前記酸化物相との合計のターゲット全体に対する体積分率が8vol%以上60vol%以下であることを特徴とする請求項6に記載のFePt−C系スパッタリングターゲット。
- 前記酸化物相は、SiO2、TiO2、Ti2O3、Ta2O5、Cr2O3、CoO、Co3O4、B2O3、Fe2O3、CuO、Cu2O、Y2O3、MgO、Al2O3、ZrO2、Nb2O5、MoO3、CeO2、Sm2O3、Gd2O3、WO2、WO3、HfO2、NiO2のうちの少なくとも1種を含んでなることを特徴とする請求項6または7に記載のFePt−C系スパッタリングターゲット。
- 前記Cは、長径を短径で除した値が2以下の略球形であることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載のFePt−C系スパッタリングターゲット。
- 相対密度が90%以上であることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載のFePt−C系スパッタリングターゲット。
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