JP5699017B2 - Pd−V合金系スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
Pd−V合金系スパッタリングターゲット及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5699017B2 JP5699017B2 JP2011076828A JP2011076828A JP5699017B2 JP 5699017 B2 JP5699017 B2 JP 5699017B2 JP 2011076828 A JP2011076828 A JP 2011076828A JP 2011076828 A JP2011076828 A JP 2011076828A JP 5699017 B2 JP5699017 B2 JP 5699017B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- sputtering target
- target
- less
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
本発明の参考実施形態に係るPd合金系スパッタリングターゲットは、Pdを主要成分として含有するPd合金系スパッタリングターゲットであって、V、Nb、Taのうちの少なくとも1種以上を合計で1〜60at%含有し、残部がPdおよび不可避的不純物からなり、ターゲット全体に対する酸素含有量が2000質量ppm以下であることを特徴とする。
垂直磁気記録方式ハードディスクの磁性記録層の結晶配向性を制御する上で最も重要な役割を果たす下地層は磁性記録層の直下に配置されるRu層であるが、PdはRuと同じく貴金属であり、また、Pdの原子番号は46であってRuの原子番号44と近く、原子半径等の特性がPdはRuと近似している。このため、Ru層と基材との間の下地層としてPd合金層を設けることにより、Ru層の結晶配向性を良好に制御し易くなる。Ru層の結晶配向性が良好になれば、Ru層の上に積層される磁気記録層の結晶配向性も良好になり、垂直磁気記録方式ハードディスクの情報記録密度をさらに向上させることができる。
V、Nb、Taは、面心立方構造(fcc)であるPdの結晶構造に積層欠陥を導入して、スパッタリングにより得られるPdの結晶構造を、六方最密充填構造(hcp)であるRuの結晶構造に近づけるという役割を有する。
ターゲットに含まれるV、Nb、Taがターゲットの主要成分であるPdと固溶することにより、ターゲット全体において構成元素が均等に分布することとなり、スパッタリングにおいて、特定の箇所の削られる速度が極端に大きくなるということがなくなり、スパッタリングは良好なものとなる。
本発明の参考実施形態に係るPd合金系スパッタリングターゲットの製造方法は、V、Nb、Taのうちの少なくとも1種以上を合計で1〜60at%含有し、残部がPdおよび不可避的不純物からなるPd合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Pd合金粉末を加圧下で加熱して成形することを特徴とする。
V、Nb、Taのうちの少なくとも1種以上を合計で1〜60at%含有し、残部がPdおよび不可避的不純物からなる溶湯に、アトマイズ法を適用して、該溶湯と同一組成のPd合金粉末を作製する。
前記のようにしてアトマイズ法により作製したPd合金粉末を加圧下で加熱して成形する方法は特に限定されず、例えば、ホットプレス法、熱間等方圧プレス法(HIP法)、放電プラズマ焼結法(SPS法)等を用いることができる。
本参考実施形態に係るPd合金系スパッタリングターゲットを用いて作製したPd合金層は、酸素等の不純物量が少なくなるため、垂直磁気記録方式ハードディスクの下地層の1つとして好適に用いることができる。
本実施例1では、ターゲット組成の目標を45at%Pd−55at%Vに設定してターゲットの作製を行った。
本実施例2では、ターゲット組成の目標を50at%Pd−50at%Vに設定してターゲットの作製を行った。
本実施例3では、ターゲット組成の目標を55at%Pd−45at%Vに設定してターゲットの作製を行った。
本実施例4では、ターゲット組成の目標を70at%Pd−30at%Vに設定してターゲットの作製を行った。
本比較例1では、ターゲット組成の目標を45at%Pd−55at%Vに設定してターゲットの作製を行ったが、Pd−V合金粉末は用いず、Pd粉末とV粉末とを用いて混合粉末を作製し、ターゲットの作製を行った。
本比較例2では、ターゲット組成の目標を50at%Pd−50at%Vに設定してターゲットの作製を行ったが、Pd−V合金粉末は用いず、Pd粉末とV粉末とを用いて混合粉末を作製し、ターゲットの作製を行った。
本比較例3では、ターゲット組成の目標を55at%Pd−45at%Vに設定してターゲットの作製を行ったが、Pd−V合金粉末は用いず、Pd粉末とV粉末とを用いて混合粉末を作製し、ターゲットの作製を行った。
本比較例4では、ターゲット組成の目標を70at%Pd−30at%Vに設定してターゲットの作製を行ったが、Pd−V合金粉末は用いず、Pd粉末とV粉末とを用いて混合粉末を作製し、ターゲットの作製を行った。
実施例1〜4、比較例1〜4におけるターゲット中の酸素、窒素、炭素、硫黄の含有量の測定結果およびスパッタリング時のノジュール、パーティクルの発生の有無を下記の表17にまとめて示す。
102…基材
104…下地層
106…磁性記録層
108…保護層
110…潤滑層
Claims (11)
- Pdを主要成分として含有するPd−V合金系スパッタリングターゲットであって、
Vを30〜55at%含有し、残部がPdおよび不可避的不純物からなり、ターゲット全体に対する酸素、窒素、炭素、硫黄の含有量がそれぞれ1500質量ppm以下、70質量ppm以下、160質量ppm以下、10質量ppm以下であり、さらに相対密度が97.1%以上であることを特徴とするPd−V合金系スパッタリングターゲット。 - 請求項1において、
前記Vを30〜45at%含有し、相対密度が99.3%以上であることを特徴とするPd−V合金系スパッタリングターゲット。 - 請求項1または2において、
前記Vは、前記Pdと固溶していることを特徴とするPd−V合金系スパッタリングターゲット。 - 請求項1または2において、
不可避的不純物を含むV単体相が不可避的不純物を含むPdV合金マトリックス中に分散していることを特徴とするPd−V合金系スパッタリングターゲット。 - 請求項1〜4のいずれかにおいて、
垂直磁気記録媒体用であることを特徴とするPd−V合金系スパッタリングターゲット。 - Vを30〜55at%含有し、残部がPdおよび不可避的不純物からなるPd−V合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Pd−V合金粉末を加圧下で加熱して成形するPd−V合金系スパッタリングターゲットの製造方法であって、
得られるPd−V合金系スパッタリングターゲット中の酸素、窒素、炭素、硫黄の含有量がそれぞれ1500質量ppm以下、70質量ppm以下、160質量ppm以下、10質量ppm以下であり、かつ、得られるPd−V合金系スパッタリングターゲットの相対密度が97.1%以上であることを特徴とするPd−V合金系スパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項6において、
前記Pd−V合金粉末はVを30〜45at%含有しており、前記得られるPd−V合金系スパッタリングターゲットの相対密度が99.3%以上であることを特徴とするPd−V合金系スパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項6または7において、
前記アトマイズ法で作製した前記Pd−V合金粉末に含まれる前記Vは、Pdと固溶していることを特徴とするPd−V合金系スパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項6〜8のいずれかにおいて、
前記アトマイズ法は、アルゴンガスまたは窒素ガスを用いて行うことを特徴とするPd−V合金系スパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項6〜9のいずれかにおいて、
得られるPd−V合金系スパッタリングターゲットは、垂直磁気記録媒体用であることを特徴とするPd−V合金系スパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項6〜10のいずれかに記載の製造方法により製造されるPd−V合金系スパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011076828A JP5699017B2 (ja) | 2011-03-30 | 2011-03-30 | Pd−V合金系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011076828A JP5699017B2 (ja) | 2011-03-30 | 2011-03-30 | Pd−V合金系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012211357A JP2012211357A (ja) | 2012-11-01 |
JP5699017B2 true JP5699017B2 (ja) | 2015-04-08 |
Family
ID=47265547
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011076828A Expired - Fee Related JP5699017B2 (ja) | 2011-03-30 | 2011-03-30 | Pd−V合金系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5699017B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110438364B (zh) * | 2019-09-02 | 2021-03-23 | 贵研铂业股份有限公司 | 钯钒精密高阻合金及其制备方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4074181B2 (ja) * | 2002-11-28 | 2008-04-09 | 株式会社東芝 | 垂直磁気記録媒体 |
US8430978B2 (en) * | 2003-08-05 | 2013-04-30 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target and method for production thereof |
US20090147401A1 (en) * | 2006-05-08 | 2009-06-11 | Migaku Takahashi | Magnetic recording medium, method of manufacturing the same, and magnetic recording/reproducing apparatus |
JP2009046733A (ja) * | 2007-08-21 | 2009-03-05 | Nikko Kinzoku Kk | タンタルパラジウムスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
US8130468B2 (en) * | 2007-12-17 | 2012-03-06 | Hitachi Global Storage Technolgies Netherlands B.V. | System and apparatus for patterned media with reduced magnetic trench material |
JP4995129B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2012-08-08 | 田中貴金属工業株式会社 | Pd−W系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP5111320B2 (ja) * | 2008-10-03 | 2013-01-09 | 田中貴金属工業株式会社 | Pd−Cr−W系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP5325945B2 (ja) * | 2010-08-26 | 2013-10-23 | 昭和電工株式会社 | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
-
2011
- 2011-03-30 JP JP2011076828A patent/JP5699017B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012211357A (ja) | 2012-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5912559B2 (ja) | FePt−C系スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP6483803B2 (ja) | 磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP2006144124A (ja) | 貴金属磁気スパッタリングターゲットの製造方法及びこの方法で製造された貴金属磁気スパッタリングターゲット | |
JP2005320627A (ja) | Co合金ターゲット材の製造方法、Co合金ターゲット材および垂直磁気記録用軟磁性膜ならびに垂直磁気記録媒体 | |
JP3973857B2 (ja) | マンガン合金スパッタリングターゲットの製造方法 | |
WO2014132746A1 (ja) | FePt-C系スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP2012237067A (ja) | ルテニウム合金焼結体ターゲットの製造方法 | |
JP5111320B2 (ja) | Pd−Cr−W系スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
US9314846B2 (en) | Process for producing FePt-based sputtering target | |
WO2015146604A1 (ja) | Ni-P合金又はNi-Pt-P合金からなるスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP6048651B2 (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JP6037206B2 (ja) | 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JP5699017B2 (ja) | Pd−V合金系スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP4995129B2 (ja) | Pd−W系スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP6114843B2 (ja) | FePt−C系スパッタリングターゲット | |
JP5699016B2 (ja) | Ru−Pd系スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP7153729B2 (ja) | スパッタリングターゲット及び磁性膜 | |
JP2013028841A (ja) | 酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲット及びその製造法 | |
US20130008784A1 (en) | Cocrpt-based alloy sputtering targets with cobalt oxide and non-magnetic oxide and manufacturing methods thereof | |
JPWO2016157922A1 (ja) | 軟磁性膜および軟磁性膜形成用スパッタリングターゲット | |
WO2020066114A1 (ja) | スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットを製造するための粉体 | |
JP4685059B2 (ja) | マンガン合金スパッタリングターゲット | |
JP2021152203A (ja) | スパッタリングターゲット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131024 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140414 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140513 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140708 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5699017 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |