JP5505844B2 - 酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲット及びその製造法 - Google Patents
酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲット及びその製造法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5505844B2 JP5505844B2 JP2011165934A JP2011165934A JP5505844B2 JP 5505844 B2 JP5505844 B2 JP 5505844B2 JP 2011165934 A JP2011165934 A JP 2011165934A JP 2011165934 A JP2011165934 A JP 2011165934A JP 5505844 B2 JP5505844 B2 JP 5505844B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- sputtering target
- powder
- cocrpt
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims description 52
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 34
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims description 34
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 30
- UCNNJGDEJXIUCC-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)iron;iron Chemical compound [Fe].O[Fe]=O.O[Fe]=O UCNNJGDEJXIUCC-UHFFFAOYSA-L 0.000 title claims description 25
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 title claims description 22
- 229910019222 CoCrPt Inorganic materials 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 50
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 38
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 23
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 12
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 9
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 9
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- IUYLTEAJCNAMJK-UHFFFAOYSA-N cobalt(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Co+2] IUYLTEAJCNAMJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 2
- NQKXFODBPINZFK-UHFFFAOYSA-N dioxotantalum Chemical compound O=[Ta]=O NQKXFODBPINZFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 25
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 8
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910003077 Ti−O Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- UOUJSJZBMCDAEU-UHFFFAOYSA-N chromium(3+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Cr+3].[Cr+3] UOUJSJZBMCDAEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Ta 2 O 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Co] Chemical compound [Cr].[Co] WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTJAVSFDAWLDHQ-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Co].[Pt] Chemical compound [Cr].[Co].[Pt] DTJAVSFDAWLDHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBFUKZWYPLNNJC-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii,iii) oxide Chemical compound [Co]=O.O=[Co]O[Co]=O LBFUKZWYPLNNJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
(i)20〜80原子%のクロム、酸化第一コバルト(CoO)粉末、及び酸化物混合物を含有するプレ合金粉末から本質的になる原料を準備し、この酸化物混合物が、1種又は複数の非磁性酸化物粉末、コバルト粉末、及び白金粉末を含有するステップ、
(ii)この原料を圧縮して圧粉体を形成するステップ、
(iii)この圧粉体を焼結して、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲットを得るステップ。
(i)20〜80原子%のクロム、酸化第一コバルト(CoO)粉末、及び酸化物混合物を含有するプレ合金粉末から本質的になる原料を準備し、この酸化物混合物が、1種又は複数の非磁性酸化物粉末、コバルト粉末、及び白金粉末を含有するステップ、
(ii)この原料を圧縮して圧粉体を形成するステップ、
(iii)この圧粉体を焼結して、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲットを得るステップ。
比較例1:原子パーセント比に基づく75Co−12Cr−5Pt−8(TiO2)のスパッタリングターゲットの生成
88.4グラムのCo粉末(平均粒径:7μm)、18.8グラムのCr粉末(平均粒径:20μm)、19.5グラムのPt粉末(平均粒径:8μm)、及び12.78グラムのTiO2粉末(平均粒径:10μm)を混合し、自動微粉砕機で30分間微粉砕した。その後、それら粉末を60メッシュのふるいにかけた。60メッシュのふるいを通過した粉末を均質に混合して混合物を形成した。混合物を黒鉛鋳型に均等に充填し、300psiの液圧プレスで圧縮して圧粉体を形成した。圧粉体を有する黒鉛鋳型をホットプレス炉に入れ、圧粉体を362bar、1150℃で180分間焼結してスパッタリングターゲットを得た。
63.64グラムのCo粉末(平均粒径:7μm)、17.68グラムのCr粉末(平均粒径:20μm)、70.24グラムのPt粉末(平均粒径:8μm)、6.4グラムのTiO2粉末(平均粒径:10μm)、及び10.5グラムのCoO粉末(平均粒径:8μm)を混合し、自動微粉砕機で30分間微粉砕した。その後、それら粉末を60メッシュのふるいにかけた。60メッシュのふるいを通過した粉末を均質に混合して混合物を形成した。混合物を黒鉛鋳型に均等に充填し、300psiの液圧プレスで圧縮して圧粉体を形成した。圧粉体を有する黒鉛鋳型をホットプレス炉に入れ、圧粉体を362bar、1150℃で180分間焼結してスパッタリングターゲットを得た。
63.86グラムのCo粉末(平均粒径:7μm)、23.94グラムの45原子%Co−55原子%Crプレ合金粉末(平均粒径:10〜100μm)、27.32グラムのPt粉末(平均粒径:8μm)、12.76グラムのTiO2粉末(平均粒径:10μm)、及び13.48グラムのCoO粉末(平均粒径:8μm)を混合し、自動微粉砕機で30分間微粉砕した。その後、それら粉末を60メッシュのふるいにかけた。60メッシュのふるいを通過した粉末を均質に混合して混合物を形成した。混合物を黒鉛鋳型に均等に充填し、300psiの液圧プレスで圧縮して圧粉体を形成した。圧粉体を有する黒鉛鋳型をホットプレス炉に入れ、圧粉体を362bar、1150℃で180分間焼結してスパッタリングターゲットを得た。
63.86グラムのCo粉末(平均粒径:7μm)、23.94グラムの45原子%Co−55原子%Crプレ合金粉末(平均粒径:10〜100μm)、27.32グラムのPt粉末(平均粒径:8μm)、12.76グラムのTiO2粉末(平均粒径:10μm)、及び13.48グラムのCoO粉末(平均粒径:8μm)を混合し、自動微粉砕機で30分間微粉砕した。その後、それら粉末を60メッシュのふるいにかけた。60メッシュのふるいを通過した粉末を均質に混合して混合物を形成した。混合物を黒鉛鋳型に均等に充填し、300psiの液圧プレスで圧縮して圧粉体を形成した。圧粉体を有する黒鉛鋳型をホットプレス炉に入れ、圧粉体を362bar、1050℃で180分間焼結してスパッタリングターゲットを得た。
Claims (4)
- 酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲットであって、コバルト、クロム、白金、酸化コバルト、及び非磁性酸化物組成物を含み、前記スパッタリングターゲットに形成されるCr2O3及びCo(Cr)−X−Oのセラミック相の長さが、それぞれ3μm未満であり、Xが前記非磁性酸化物の金属元素を表す、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲットであって、
前記非磁性酸化物組成物が、二酸化ケイ素(SiO 2 )、二酸化チタン(TiO 2 )、二酸化タンタル(Ta 2 O 5 )、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲット。 - Ta、Cu、B、又はそれらの組み合わせをさらに含む、請求項lに記載の酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲット。
- 酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲットを製造するための方法であって、 (i)Co−Crプレ合金粉末、酸化第一コバルト粉末、1種又は複数の非磁性酸化物粉末を含む酸化物混合物、コバルト粉末、及び白金粉末、から本質的になる原料を準備するステップであって、前記Co−Crプレ合金粉末に含まれるCrの量が20%〜80%であるステップ、
(ii)前記原料を圧縮して圧粉体を形成するステップ、 (iii)前記圧粉体を850℃〜1050℃で焼結して、前記酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲットを得るステップ
を含む方法であって、
前記非磁性酸化物粉末が、SiO 2 、TiO 2 、Ta 2 O 5 、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される物質の粉末であること、及び前記スパッタリングターゲットに形成されるCr 2 O 3 及びCo(Cr)−X−Oのセラミック相の長さが、それぞれ3μm未満であり、Xが、前記非磁性酸化物の金属元素を表すこと、を特徴とする方法。 - 前記CoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲットが、Ta、Cu、B、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1種の元素をさらに含む、請求項3に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011165934A JP5505844B2 (ja) | 2011-07-28 | 2011-07-28 | 酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲット及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011165934A JP5505844B2 (ja) | 2011-07-28 | 2011-07-28 | 酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲット及びその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013028841A JP2013028841A (ja) | 2013-02-07 |
JP5505844B2 true JP5505844B2 (ja) | 2014-05-28 |
Family
ID=47786134
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011165934A Active JP5505844B2 (ja) | 2011-07-28 | 2011-07-28 | 酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲット及びその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5505844B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105934532B (zh) * | 2013-10-29 | 2019-09-20 | 田中贵金属工业株式会社 | 磁控溅射用靶 |
JP6317636B2 (ja) * | 2014-07-09 | 2018-04-25 | 田中貴金属工業株式会社 | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5024661B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2012-09-12 | 三菱マテリアル株式会社 | パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Co基焼結合金スパッタリングターゲット |
JPWO2010074171A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2012-06-21 | 三井金属鉱業株式会社 | スパッタリングターゲットおよび膜の形成方法 |
-
2011
- 2011-07-28 JP JP2011165934A patent/JP5505844B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013028841A (ja) | 2013-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4975647B2 (ja) | 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット | |
JP5204460B2 (ja) | 磁気記録膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JP4499183B2 (ja) | 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット | |
JP5009447B1 (ja) | 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP4837801B2 (ja) | Co若しくはCo合金相に酸化物相を分散させたスパッタリングターゲット | |
US20060185771A1 (en) | Sputtering target and method for production thereof | |
CN104105812B (zh) | 粉粒产生少的强磁性材料溅射靶 | |
JP6037421B2 (ja) | Sb−Te基合金焼結体スパッタリングターゲット | |
US20130112555A1 (en) | Sputtering Target of Ferromagnetic Material with Low Generation of Particles | |
JPWO2011016365A1 (ja) | 無機物粒子分散型スパッタリングターゲット | |
JP3973857B2 (ja) | マンガン合金スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP2008179892A (ja) | AlRuスパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP5847203B2 (ja) | Co−Cr−Pt系スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP2006299401A (ja) | コバルト合金の製造方法及びこの方法により製造したコバルト合金 | |
TW201402850A (zh) | 分散有C粒子之Fe-Pt-Ag-C系濺鍍靶及其製造方法 | |
JP6312009B2 (ja) | Cr−Ti合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
JP5801496B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
US20110003177A1 (en) | Method for producing sputtering target containing boron, thin film and magnetic recording media | |
JP5505844B2 (ja) | 酸化コバルト及び非磁性酸化物を有するCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲット及びその製造法 | |
JP6713489B2 (ja) | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及び磁性薄膜 | |
JP5888664B2 (ja) | 強磁性材スパッタリングターゲット | |
US20130008784A1 (en) | Cocrpt-based alloy sputtering targets with cobalt oxide and non-magnetic oxide and manufacturing methods thereof | |
JP2009511741A (ja) | 材料混合物、スパッタターゲット、その製造方法並びに材料混合物の使用 | |
TWI429777B (zh) | 含氧化鈷及非磁性氧化物之鈷鉻鉑基合金濺鍍靶材及其製造方法 | |
JP5699016B2 (ja) | Ru−Pd系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130528 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130828 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130912 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130917 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131022 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140218 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140307 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5505844 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |