JP6878349B2 - Ｃ含有スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims description 87
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 139
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 83
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 35
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 20
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 15
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 41
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 21
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 21
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910005335 FePt Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 7
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 7
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 6
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 4
- 229910000905 alloy phase Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- -1 Si 3 O 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000012488 sample solution Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000002902 bimodal effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
- B22F1/052—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles characterised by a mixture of particles of different sizes or by the particle size distribution
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
- B22F9/04—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from solid material, e.g. by crushing, grinding or milling
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/0433—Nickel- or cobalt-based alloys
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
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- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
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- C22C1/0466—Alloys based on noble metals
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C22C1/05—Mixtures of metal powder with non-metallic powder
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
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- C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
- C22C19/07—Alloys based on nickel or cobalt based on cobalt
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C22C30/00—Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
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- C22C30/00—Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
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Description
本発明は、Ｃ含有スパッタリングターゲット及びその製造方法に関し、特にＦｅ又はＣｏとＰｔとＣ（炭素）とを含むＣ含有スパッタリングターゲット及びその製造方法に関する。
本出願人は、複数のターゲットを用いることなく、炭素含有量の多いＦｅＰｔＣ系薄膜を単独で形成することができるＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲットを提案した（特許文献１、特許文献２、特許文献３）。
特許文献１は、Ｐｔを４０〜６０ａｔ％含有して残部がＦｅおよび不可避的不純物からなるＦｅＰｔ系合金相と、不可避的不純物を含むＣ相とが互いに分散した構造を有し、ターゲット全体に対するＣの含有量が２１〜７０ａｔ％であることを特徴とするＦｅ、ＰｔおよびＣを含有するＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲットを開示する。特許文献１のＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲットは、アトマイズ法により得られたＦｅＰｔ合金粉末と、平均粒径２０〜１００ｎｍのＣ粉末とをボールミルに入れて混合することにより調製した混合粉末を焼結して製造され、Ｃ相の平均の大きさは０．６０μｍ以下である。
特許文献２は、Ｐｔを３３ａｔ％以上６０ａｔ％以下含有して残部がＦｅおよび不可避的不純物からなるＦｅＰｔ合金相中に、不可避的不純物を含む１次粒子のＣ同士がお互いに接触しないように分散した構造を有し、１次粒子のＣの平均粒径が１μｍ以上３０μｍ以下であり、かつ、Ｃの全表面積のうちＦｅＰｔ系合金相に覆われている表面積はＣの全表面積の８０％以上であることを特徴とするＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲットを開示する。特許文献２のＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲットは、目開き２０μｍの篩を通過したＦｅアトマイズ粉末又は平均粒径１０μｍのＦｅ粉と平均粒径１μｍのＰｔ粉末と平均粒径８μｍの非晶質カーボンとをタンブラーミキサーで１５分間混合して調製した混合粉末を焼結して製造される。ここで、タンブラーミキサーとは、混合容器を斜めに保持して回転させることにより、粉末を混合する装置（たとえば、（株）エイシン製タンブラーミキサーや（有）ミスギ製まぜまぜマンなどが市販されている）である。
特許文献３は、Ｐｔを３３ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下含有して残部が実質的にＦｅからなるＦｅＰｔ系合金相中に、実質的にＣからなる非球形のＣ相が分散した構造を有するＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲットを開示する。特許文献３のＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲットは、Ｐｔ及びＦｅの各粉末又はアトマイズ法により得られたＦｅＰｔ合金粉末と、非球形のＣ粉末とをボールを用いた混合器で３００ｒｐｍで３０分間混合して調製した混合粉末を焼結して製造される。
また、平均粒径０．５μｍ以上１０μｍ以下の原料粉末をボールミルで４時間混合・粉砕してホットプレスして得られる焼結体を熱間等方加圧加工して、平均面積が４μｍ２以下のＣ粒子を微細に母材金属に均一に分散させてなるスパッタリングターゲットが提案されている（特許文献４）。
さらに、偏平状あるいは板状のＦｅＰｔ系合金粉末と、平均粒子径１５μｍの偏平状あるいは板状のＣ粉末（薄片化黒鉛粉末）とを乳鉢で混合し、一軸方向加圧のホットプレスを実施することにより得られる、Ｃ相が特定の方向に揃って分散したスパッタリングターゲットが提案されている（特許文献５）。
Ｃ粒子の過粉砕を抑制するために粗大なＣ粒子を弱混合する方法や、微細なＣ粒子の脱離によるパーティクル発生を抑制するために熱間等方等圧加工を施す方法、偏平状の合金粉末及びＣ粉末の混合物を一軸方向加圧する方法などが提案されている。しかし、従来の方法では、Ｃ粒子の凝集を解砕することができず、ターゲット内部にＣ粒子の凝集部が存在し、これがパーティクル発生の起点となっていた。本発明は、Ｃ粒子の凝集を抑制し、パーティクル発生を低減するスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
本発明者らは鋭意研究の結果、強混合で粉砕された１μｍ未満のＣ粒子がパーティクルに影響することを突き止め、従来の弱混合と同等の弱混合でありながら、従来の弱混合よりも均一に混合することができる混合方法で長時間混合することにより、１μｍ未満のＣ粒子の生成を抑制し、かつＣ粒子の凝集を解砕して、Ｃ粒子の凝集部の生成を抑制し、パーティクル発生を従前よりも抑制することができるスパッタリングターゲットを完成させた。
本発明の具体的態様は以下のとおりである。
［１］Ｆｅ及びＣｏから選択される１種以上と、Ｐｔと、Ｃと、を含むＣ含有スパッタリングターゲットであって、当該スパッタリングターゲットの溶解残渣の粒度分布におけるＤ９０（９０累積％径）が２０．０μｍ以下であり、粒径１．０μｍ未満が４０累積％以下であることを特徴とするＣ含有スパッタリングターゲット。
［２］前記Ｄ９０は５．０μｍ以上２０．０μｍ以下であることを特徴とする、前記［１］に記載のＣ含有スパッタリングターゲット。
［３］さらに、前記スパッタリングターゲットの溶解残渣の粒度分布におけるＤ５０（５０累積％径）が２．０μｍ以上７．０μｍ以下であることを特徴とする、前記［１］又は［２］に記載のＣ含有スパッタリングターゲット。
［４］さらに、前記スパッタリングターゲットの溶解残渣の粒度分布におけるＤ１０（１０累積％径）が０．５μｍ以上２．０μｍ以下であることを特徴とする、前記［１］〜［３］のいずれか１に記載のＣ含有スパッタリングターゲット。
［５］Ｐｔが５ｍｏｌ％以上５５ｍｏｌ％以下、Ｃが１０ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下、残部はＦｅ及びＣｏから選択される１種以上並びに不可避不純物であることを特徴とする、前記［１］〜［４］のいずれか１に記載のＣ含有スパッタリングターゲット。
［６］さらに、総量として０ｍｏｌ％よりも多く２０ｍｏｌ％以下のＡｇ、Ａｕ、Ｂ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕから選択される１種以上を含むことを特徴とする、前記［５］に記載のＣ含有スパッタリングターゲット。
［７］さらに、総量として０ｍｏｌ％よりも多く２０ｍｏｌ％以下の非磁性材（ただし、Ｃを除く）を含むことを特徴とする、前記［５］又は［６］に記載のＣ含有スパッタリングターゲット。
［８］前記非磁性材は、Ｓｉ、Ｔｉ又はＴａの酸化物から選択される酸化物、Ｂ、Ｔｉ又はＴａの窒化物から選択される１種以上であることを特徴とする、前記［７］に記載のＣ含有スパッタリングターゲット。
［９］垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動機構を有する混合機で、金属粉末及び合金粉末から選択される少なくとも１種と、Ｃ粉末とを混合して混合物を調製し、当該混合物を焼結することを特徴とする、前記［１］〜［８］のいずれか１に記載のＣ含有スパッタリングターゲットの製造方法。
［１０］前記金属粉末及び合金粉末から選択される少なくとも１種とＣ粉末との混合は、１０ｒｐｍ以上５０ｒｐｍ以下の回転数で２０時間以上行うことを特徴とする、前記［９］に記載のＣ含有スパッタリングターゲットの製造方法。
［１］Ｆｅ及びＣｏから選択される１種以上と、Ｐｔと、Ｃと、を含むＣ含有スパッタリングターゲットであって、当該スパッタリングターゲットの溶解残渣の粒度分布におけるＤ９０（９０累積％径）が２０．０μｍ以下であり、粒径１．０μｍ未満が４０累積％以下であることを特徴とするＣ含有スパッタリングターゲット。
［２］前記Ｄ９０は５．０μｍ以上２０．０μｍ以下であることを特徴とする、前記［１］に記載のＣ含有スパッタリングターゲット。
［３］さらに、前記スパッタリングターゲットの溶解残渣の粒度分布におけるＤ５０（５０累積％径）が２．０μｍ以上７．０μｍ以下であることを特徴とする、前記［１］又は［２］に記載のＣ含有スパッタリングターゲット。
［４］さらに、前記スパッタリングターゲットの溶解残渣の粒度分布におけるＤ１０（１０累積％径）が０．５μｍ以上２．０μｍ以下であることを特徴とする、前記［１］〜［３］のいずれか１に記載のＣ含有スパッタリングターゲット。
［５］Ｐｔが５ｍｏｌ％以上５５ｍｏｌ％以下、Ｃが１０ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下、残部はＦｅ及びＣｏから選択される１種以上並びに不可避不純物であることを特徴とする、前記［１］〜［４］のいずれか１に記載のＣ含有スパッタリングターゲット。
［６］さらに、総量として０ｍｏｌ％よりも多く２０ｍｏｌ％以下のＡｇ、Ａｕ、Ｂ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕから選択される１種以上を含むことを特徴とする、前記［５］に記載のＣ含有スパッタリングターゲット。
［７］さらに、総量として０ｍｏｌ％よりも多く２０ｍｏｌ％以下の非磁性材（ただし、Ｃを除く）を含むことを特徴とする、前記［５］又は［６］に記載のＣ含有スパッタリングターゲット。
［８］前記非磁性材は、Ｓｉ、Ｔｉ又はＴａの酸化物から選択される酸化物、Ｂ、Ｔｉ又はＴａの窒化物から選択される１種以上であることを特徴とする、前記［７］に記載のＣ含有スパッタリングターゲット。
［９］垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動機構を有する混合機で、金属粉末及び合金粉末から選択される少なくとも１種と、Ｃ粉末とを混合して混合物を調製し、当該混合物を焼結することを特徴とする、前記［１］〜［８］のいずれか１に記載のＣ含有スパッタリングターゲットの製造方法。
［１０］前記金属粉末及び合金粉末から選択される少なくとも１種とＣ粉末との混合は、１０ｒｐｍ以上５０ｒｐｍ以下の回転数で２０時間以上行うことを特徴とする、前記［９］に記載のＣ含有スパッタリングターゲットの製造方法。
本発明のＦｅ及びＣｏから選択される１種以上と、Ｐｔと、Ｃと、を含むＣ含有スパッタリングターゲットは、溶解残渣の粒度分布におけるＤ９０（９０累積％径）が２０．０μｍ以下であり、粒径１．０μｍ未満が４０累積％以下であるため、極微細な粒子が少なく、かつ微細な粒子の凝集を解砕して凝集物の発生が抑制されるため、パーティクル発生が少ない。本発明のＣ含有スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の製造に好適に用いることができる。
本発明のＣ含有スパッタリングターゲットの製造方法は、従来のボールミル、ポットミル、媒体撹拌ミルなどの混合方法に比較して弱い混合を長時間行うことにより、混合時のＣ粒子の過粉砕を抑制するとともに、Ｃ粒子の均一微細な混合を達成することができ、成膜時のパーティクル発生を低減することができる。
本発明のＣ含有スパッタリングターゲットは、Ｆｅ又はＣｏと、Ｐｔと、Ｃと、を含むＣ含有スパッタリングターゲットであって、当該スパッタリングターゲットの溶解残渣の粒度分布におけるＤ９０（９０累積％径）が２０．０μｍ以下であり、粒径１．０μｍ未満が４０累積％以下であることを特徴とする。
Ｄ９０は５．０μｍ以上２０．０μｍ以下であることが好ましい。
また、前記スパッタリングターゲットの溶解残渣の粒度分布におけるＤ５０（５０累積％径）が２．０μｍ以上７．０μｍ以下であることが好ましい。
また、前記スパッタリングターゲットの溶解残渣の粒度分布におけるＤ５０（５０累積％径）が２．０μｍ以上７．０μｍ以下であることが好ましい。
さらに、前記スパッタリングターゲットの溶解残渣の粒度分布におけるＤ１０（１０累積％径）が０．５μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。
本発明において「スパッタリングターゲットの溶解残渣」とは、スパッタリングターゲットの成分のうち金属類を除く固形成分であり、王水（濃塩酸（特級）と濃硝酸（特級）の３：１混合液）、スパッタリングターゲットがＡｇを含む場合は硝酸と王水、スパッタリングターゲットがＣｒを含む場合は塩酸と王水に溶解させて得られる残渣を意味する。残渣は、主としてＣ（炭素）であるが、スパッタリングターゲットが酸化物又は窒化物を含む場合には酸化物又は窒化物も残渣に含まれる。これらの溶解残渣は、スパッタリングの際のパーティクル発生原因となる非磁性材の粒子である。
本発明において「スパッタリングターゲットの溶解残渣」とは、スパッタリングターゲットの成分のうち金属類を除く固形成分であり、王水（濃塩酸（特級）と濃硝酸（特級）の３：１混合液）、スパッタリングターゲットがＡｇを含む場合は硝酸と王水、スパッタリングターゲットがＣｒを含む場合は塩酸と王水に溶解させて得られる残渣を意味する。残渣は、主としてＣ（炭素）であるが、スパッタリングターゲットが酸化物又は窒化物を含む場合には酸化物又は窒化物も残渣に含まれる。これらの溶解残渣は、スパッタリングの際のパーティクル発生原因となる非磁性材の粒子である。
本発明において、「スパッタリングターゲットの溶解残渣」の粒度分布は、以下の方法で測定される。
スパッタリングターゲットの粉砕粉末を目開き５００μｍと１０６μｍの２段の篩にかけて１０６μｍ以上５００μｍ未満の粉末を採取する。採取した粉末を２００℃のホットプレート上で加熱した王水中に１時間浸漬して残渣含有溶液を得る操作を３回繰り返す。得られた残渣含有溶液を５Ａのろ紙でろ過し、ろ紙上の残渣を純水で洗い流し、再度５Ａのろ紙でろ過し、ろ紙を８０℃のホットプレート上に広げて乾燥させる。得られた残渣粉末０．１５ｇを秤量し、純水３０ｍｌ、界面活性剤（中性洗剤）０．１５ｇを１００ｍｌのビーカーに入れて、２００μＡ〜３００μＡで５分間、超音波ホモジナイザーにかけて、分散させる。得られた試料溶液を粒度分析計で測定する。
スパッタリングターゲットの粉砕粉末を目開き５００μｍと１０６μｍの２段の篩にかけて１０６μｍ以上５００μｍ未満の粉末を採取する。採取した粉末を２００℃のホットプレート上で加熱した王水中に１時間浸漬して残渣含有溶液を得る操作を３回繰り返す。得られた残渣含有溶液を５Ａのろ紙でろ過し、ろ紙上の残渣を純水で洗い流し、再度５Ａのろ紙でろ過し、ろ紙を８０℃のホットプレート上に広げて乾燥させる。得られた残渣粉末０．１５ｇを秤量し、純水３０ｍｌ、界面活性剤（中性洗剤）０．１５ｇを１００ｍｌのビーカーに入れて、２００μＡ〜３００μＡで５分間、超音波ホモジナイザーにかけて、分散させる。得られた試料溶液を粒度分析計で測定する。
スパッタリングターゲットが金属成分としてＡｇ（銀）を含む場合には、Ａｇは王水に溶解しないため、最初に粉末を硝酸に浸漬させてＡｇを溶解させて得られる残渣を王水に浸漬させる。同様に、スパッタリングターゲットが金属成分としてＣｒ（クロム）を含む場合には、Ｃｒは王水に溶解しないため、最初に粉末を塩酸に浸漬させてＣｒを溶解させて得られる残渣を王水に浸漬させる。
本発明のＣ含有スパッタリングターゲットは、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上５５ｍｏｌ％以下、好ましくは１０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下、Ｃが１０ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下、好ましくは１５ｍｏｌ％以５５ｍｏｌ％以下、残部はＦｅ及びＣｏから選択される１種以上並びに不可避不純物である。以下、本発明のＣ含有スパッタリングターゲットを便宜上「（Ｆｅ／Ｃｏ）−Ｐｔ−Ｃ系ターゲット」と略し、合金成分を「（Ｆｅ／Ｃｏ）−Ｐｔ系合金」と略することもある。「（Ｆｅ／Ｃｏ）」とは、Ｆｅ及びＣｏから選択される少なくとも１種、すなわちＦｅ、Ｃｏ、又はＦｅＣｏ合金を意味する。Ｃは上記範囲内であれば、スパッタリングした膜中で粒界材として良好に機能し、（Ｆｅ／Ｃｏ）−Ｐｔ系合金粒子を孤立させることができるため、（Ｆｅ／Ｃｏ）−Ｐｔ系合金の磁気特性を良好に維持することができる。
本発明のＣ含有スパッタリングターゲットは、金属成分として、さらに、総量として０ｍｏｌ％よりも多く２０ｍｏｌ％以下、好ましくは０ｍｏｌ％よりも多く１５ｍｏｌ％以下のＡｇ、Ａｕ、Ｂ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕから選択される１種以上を含むことができる。上記範囲内であれば、（Ｆｅ／Ｃｏ）−Ｐｔ系合金の磁気特性を良好に維持することができる。
また、本発明のＣ含有スパッタリングターゲットは、総量として０ｍｏｌ％よりも多く２０ｍｏｌ％以下、好ましくは０ｍｏｌ％よりも多く１０ｍｏｌ％以下の非磁性材（ただし、Ｃを除く）を含むことができる。非磁性材としては、Ｓｉ、Ｔｉ又はＴａの酸化物から選択される酸化物、Ｂ、Ｔｉ又はＴａの窒化物から選択される１種以上を好ましく挙げることができる。酸化物としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｏ２、ＴｉＯ、ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５が好ましく、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５がより好ましい。窒化物としては、ＢＮ、ＴｉＮ、Ｔａ２Ｎ、ＴａＮが好ましく、ＢＮ、ＴｉＮ、ＴａＮがより好ましい。非磁性材は、Ｃと共にスパッタリングした膜中で粒界材として良好に機能し、（Ｆｅ／Ｃｏ）−Ｐｔ系合金粒子を孤立させることができるため、（Ｆｅ／Ｃｏ）−Ｐｔ系合金の磁気特性を良好に維持することができる。
本発明のＣ含有スパッタリングターゲットは、垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動機構を有する混合機で金属粉末及びＣ粉末を混合して混合物を調製し、当該混合物を焼結することを特徴とする製造方法により製造することができる。垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動とは、混合機の天地及び左右を逆転させる運動であり、シェイキング機構とも言う。具体的にはシェイキングミキサーを好適に用いることができる。垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動機構を有する混合機による金属粉末及びＣ粉末の混合は、１０ｒｐｍ以上５０ｒｐｍ以下、好ましくは２０ｒｐｍ以上４０ｒｐｍ以下で混合容器を垂直方向及び水平方向に回転させる混合を、好ましくは２０時間以上、より好ましくは２４時間以上、さらに好ましくは４８時間以上、好ましくは９６時間以下、より好ましくは７２時間以下の長時間かけて行う。上記範囲内の緩やかな条件での長時間の混合を行うことにより、Ｃ粒子（存在する場合には酸化物粒子及びＢＮ粒子）が１μｍ未満の微細粒子にまで過粉砕されることなく粉砕され、かつ粉砕された微細粒子が凝集して形成される凝集物が解砕され、均質な粒度分布を有する混合粉末を得ることができる。より均質な粒度分布を有する混合粉末とするために、目開き３００μｍの篩で分級し、通過した粉末を用いることが好ましい。得られた混合粉末を、６００℃以上１０００℃以下、好ましくは７００℃以上９００℃以下の焼結温度、３０ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下、好ましくは５０ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下の焼結圧力にて焼結することにより、（Ｆｅ／Ｃｏ）−Ｐｔ−Ｃ系ターゲットを得ることができる。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
各実施例及び比較例におけるスパッタリングターゲットの溶解残渣の粒度分布の測定方法、相対密度及びパーティクル評価方法は以下のとおりである。
各実施例及び比較例におけるスパッタリングターゲットの溶解残渣の粒度分布の測定方法、相対密度及びパーティクル評価方法は以下のとおりである。
［溶解残渣の粒度分布］
スパッタリングターゲットを約４ｍｍ角に切断した後、粉砕機（大阪ケミカル（株）製ワンダーブレンダー）で３０秒間粉砕する。粉砕した粉末（１００ｇ）を、受皿の上にセットした目開き１０６μｍと５００μｍの篩を用いて１分間篩振とう機で振とうさせて分級し、５００μｍの篩を通過し、１０６μｍの篩上に残った粉末（３０ｇ）を採取する。採取した粉末を、２００℃のホットプレート上で加熱した王水（１００ｍｌ：関東化学（株）製の特級塩酸：製品番号18078-00と特級硝酸（比重１．３８）：製品番号28163-00とを３：１で混合した）に、反応が停止するまで１時間浸漬する。その後、溶液中の残渣を新しい王水中に浸漬し、同様の操作を３回繰り返す。得られた残渣含有溶液をＮｏ．５Ａのろ紙（孔径７μｍ）でろ過し、ろ紙上の残渣を純水でビーカー中に洗い流し、再度Ｎｏ．５Ａのろ紙でろ過する。ろ紙を８０℃のホットプレート上に広げて乾燥する。得られた残渣から粉末０．１５ｇを秤量し、水３０ｍｌ、界面活性剤（第一石鹸（株）製台所用中性洗剤ファーストフレッシュ（商品名））０．１５ｇを１００ｍｌのビーカーに入れて、超音波ホモジナイザー（（株）日本精機製作所製ＵＳ−１５０Ｔ）でＶ−ＬＥＶＥＬが２００μＡ〜３００μＡとなるように調整して５分間分散させる。得られた試料溶液を粒度分析計（ＭｉｃｒｏｔｒａｃＢＥＬ（株）製ＭＴ−３３００ＥＸＩＩ）を用いて下記表１に示す条件で測定する。分析精度を高めるため、２回測定した時の１０累積％径（Ｄ１０）、５０累積％径（Ｄ５０）、９０累積％径（Ｄ９０）が、０μｍ以上１０μｍ未満の場合には±０．１μｍ、１０μｍ以上４０μｍ未満の場合には±０．２μｍ、４０μｍ以上の場合には±１μｍの誤差範囲内に入っていることを確認し、範囲から外れる場合には再測定する。粒度分析計のデータ解析画面に表示される「Ｓｉｚｅ％」で「１μｍｐａｓｓ」（１μｍの篩を通過する粒子の累積％値）を「１μｍ未満の累積％」とする。
スパッタリングターゲットを約４ｍｍ角に切断した後、粉砕機（大阪ケミカル（株）製ワンダーブレンダー）で３０秒間粉砕する。粉砕した粉末（１００ｇ）を、受皿の上にセットした目開き１０６μｍと５００μｍの篩を用いて１分間篩振とう機で振とうさせて分級し、５００μｍの篩を通過し、１０６μｍの篩上に残った粉末（３０ｇ）を採取する。採取した粉末を、２００℃のホットプレート上で加熱した王水（１００ｍｌ：関東化学（株）製の特級塩酸：製品番号18078-00と特級硝酸（比重１．３８）：製品番号28163-00とを３：１で混合した）に、反応が停止するまで１時間浸漬する。その後、溶液中の残渣を新しい王水中に浸漬し、同様の操作を３回繰り返す。得られた残渣含有溶液をＮｏ．５Ａのろ紙（孔径７μｍ）でろ過し、ろ紙上の残渣を純水でビーカー中に洗い流し、再度Ｎｏ．５Ａのろ紙でろ過する。ろ紙を８０℃のホットプレート上に広げて乾燥する。得られた残渣から粉末０．１５ｇを秤量し、水３０ｍｌ、界面活性剤（第一石鹸（株）製台所用中性洗剤ファーストフレッシュ（商品名））０．１５ｇを１００ｍｌのビーカーに入れて、超音波ホモジナイザー（（株）日本精機製作所製ＵＳ−１５０Ｔ）でＶ−ＬＥＶＥＬが２００μＡ〜３００μＡとなるように調整して５分間分散させる。得られた試料溶液を粒度分析計（ＭｉｃｒｏｔｒａｃＢＥＬ（株）製ＭＴ−３３００ＥＸＩＩ）を用いて下記表１に示す条件で測定する。分析精度を高めるため、２回測定した時の１０累積％径（Ｄ１０）、５０累積％径（Ｄ５０）、９０累積％径（Ｄ９０）が、０μｍ以上１０μｍ未満の場合には±０．１μｍ、１０μｍ以上４０μｍ未満の場合には±０．２μｍ、４０μｍ以上の場合には±１μｍの誤差範囲内に入っていることを確認し、範囲から外れる場合には再測定する。粒度分析計のデータ解析画面に表示される「Ｓｉｚｅ％」で「１μｍｐａｓｓ」（１μｍの篩を通過する粒子の累積％値）を「１μｍ未満の累積％」とする。
［相対密度］
置換液として純水を用いて、アルキメデス法で測定する。テストピースの質量を測定し、テストピースを置換液に浮遊させた状態で完全に沈め、浮力（＝テストピースの体積）を測定して、テストピースの質量（ｇ）をテストピースの体積（ｃｍ３）で除して実測密度（ｇ／ｃｍ３）を求める。焼結体の組成に基づいて計算した理論密度との比率（実測密度／理論密度）が相対密度である。
置換液として純水を用いて、アルキメデス法で測定する。テストピースの質量を測定し、テストピースを置換液に浮遊させた状態で完全に沈め、浮力（＝テストピースの体積）を測定して、テストピースの質量（ｇ）をテストピースの体積（ｃｍ３）で除して実測密度（ｇ／ｃｍ３）を求める。焼結体の組成に基づいて計算した理論密度との比率（実測密度／理論密度）が相対密度である。
［パーティクル評価］
直径１６１ｍｍ、厚さ４ｍｍのＣｕ製バッキングプレートにインジウムで接合したスパッタリングターゲット（直径１５３ｍｍ、厚さ２ｍｍ）をマグネトロンスパッタリング装置に取り付け、アルゴンガス圧１Ｐａ、出力５００Ｗで２時間放電後に、アルゴンガス圧１Ｐａ、出力５００Ｗで２秒間ガラス基板上に成膜し、パーティクルカウンターでパーティクル数をカウントした。
直径１６１ｍｍ、厚さ４ｍｍのＣｕ製バッキングプレートにインジウムで接合したスパッタリングターゲット（直径１５３ｍｍ、厚さ２ｍｍ）をマグネトロンスパッタリング装置に取り付け、アルゴンガス圧１Ｐａ、出力５００Ｗで２時間放電後に、アルゴンガス圧１Ｐａ、出力５００Ｗで２秒間ガラス基板上に成膜し、パーティクルカウンターでパーティクル数をカウントした。
［実施例１］
（Ｆｅ−５０Ｐｔ）−４０Ｃ（ｍｏｌ％）［３０Ｆｅ−３０Ｐｔ−４０Ｃ］となるように、Ｆｅ粉（平均粒径７μｍ）１４６．４４ｇ、Ｐｔ粉（平均粒径１μｍ）５１１．５６ｇ、Ｃ粉末（平均粒径２０μｍ）４１．９９ｇをジルコニアボール２ｋｇと一緒にステンレス製容器に入れて、垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動機構を有するシェイキングミキサーを使用して３２ｒｐｍで４８時間混合した。混合後、目開き３００μｍの篩で分級し、通過した粉末を焼結圧力６６ＭＰａ、焼結温度９００℃、保持時間１時間の条件で焼結した。得られた焼結体を直径１５３ｍｍ、厚さ２ｍｍに加工し、スパッタリングターゲットを得て、パーティクル評価を行い、次いで当該スパッタリングターゲットからサンプルを切り出して、相対密度及び溶解残渣の粒度分布測定を行った。結果を表２に示す。図１に溶解残渣の粒度分布測定結果、図２及び３に溶解残渣の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真（１０００倍及び５０００倍）を示す。
（Ｆｅ−５０Ｐｔ）−４０Ｃ（ｍｏｌ％）［３０Ｆｅ−３０Ｐｔ−４０Ｃ］となるように、Ｆｅ粉（平均粒径７μｍ）１４６．４４ｇ、Ｐｔ粉（平均粒径１μｍ）５１１．５６ｇ、Ｃ粉末（平均粒径２０μｍ）４１．９９ｇをジルコニアボール２ｋｇと一緒にステンレス製容器に入れて、垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動機構を有するシェイキングミキサーを使用して３２ｒｐｍで４８時間混合した。混合後、目開き３００μｍの篩で分級し、通過した粉末を焼結圧力６６ＭＰａ、焼結温度９００℃、保持時間１時間の条件で焼結した。得られた焼結体を直径１５３ｍｍ、厚さ２ｍｍに加工し、スパッタリングターゲットを得て、パーティクル評価を行い、次いで当該スパッタリングターゲットからサンプルを切り出して、相対密度及び溶解残渣の粒度分布測定を行った。結果を表２に示す。図１に溶解残渣の粒度分布測定結果、図２及び３に溶解残渣の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真（１０００倍及び５０００倍）を示す。
［実施例２］
垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動機構を有するシェイキングミキサーを使用する混合時間を２４時間に変更した以外は実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを得て、パーティクル評価、相対密度及び溶解残渣の粒度分布測定を行った。結果を表２に示す。
垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動機構を有するシェイキングミキサーを使用する混合時間を２４時間に変更した以外は実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを得て、パーティクル評価、相対密度及び溶解残渣の粒度分布測定を行った。結果を表２に示す。
［実施例３］
原材料としてのＣ粉末を平均粒径１０μｍに変更した以外は実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを得て、パーティクル評価、相対密度及び溶解残渣の粒度分布測定を行った。結果を表２に示す。
原材料としてのＣ粉末を平均粒径１０μｍに変更した以外は実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを得て、パーティクル評価、相対密度及び溶解残渣の粒度分布測定を行った。結果を表２に示す。
［実施例４］
（Ｆｅ−４５Ｐｔ−１０Ａｇ）−４０Ｃ（ｍｏｌ％）［２７Ｆｅ−２７Ｐｔ−６Ａｇ−４０Ｃ］となるように、Ｆｅ粉（平均粒径７μｍ）１２９．７４ｇ、Ｐｔ粉（平均粒径１μｍ）４５３．２２ｇ、Ａｇ粉（平均粒径１０μｍ）５５．６９ｇ、Ｃ粉末（平均粒径２０μｍ）４１．３４ｇをジルコニアボール２ｋｇと一緒にステンレス製容器に入れて、垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動機構を有するシェイキングミキサーを使用して３２ｒｐｍで４８時間混合した。混合後、目開き３００μｍの篩で分級し、通過した粉末を焼結圧力６６ＭＰａ、焼結温度９００℃、保持時間１時間の条件で焼結した。得られた焼結体を直径１５３ｍｍ、厚さ２ｍｍに加工し、スパッタリングターゲットを得て、パーティクル評価、相対密度及び溶解残渣の粒度分布測定を行った。結果を表２に示す。
（Ｆｅ−４５Ｐｔ−１０Ａｇ）−４０Ｃ（ｍｏｌ％）［２７Ｆｅ−２７Ｐｔ−６Ａｇ−４０Ｃ］となるように、Ｆｅ粉（平均粒径７μｍ）１２９．７４ｇ、Ｐｔ粉（平均粒径１μｍ）４５３．２２ｇ、Ａｇ粉（平均粒径１０μｍ）５５．６９ｇ、Ｃ粉末（平均粒径２０μｍ）４１．３４ｇをジルコニアボール２ｋｇと一緒にステンレス製容器に入れて、垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動機構を有するシェイキングミキサーを使用して３２ｒｐｍで４８時間混合した。混合後、目開き３００μｍの篩で分級し、通過した粉末を焼結圧力６６ＭＰａ、焼結温度９００℃、保持時間１時間の条件で焼結した。得られた焼結体を直径１５３ｍｍ、厚さ２ｍｍに加工し、スパッタリングターゲットを得て、パーティクル評価、相対密度及び溶解残渣の粒度分布測定を行った。結果を表２に示す。
［実施例５］
（Ｆｅ−５２Ｐｔ）−３０Ｃ−６ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）［３０．７２Ｆｅ−３３．２８Ｐｔ−３０Ｃ−６ＳｉＯ２］となるように、Ｆｅ粉（平均粒径７μｍ）１２２．９７ｇ、Ｐｔ粉（平均粒径１μｍ）４６５．３６ｇ、Ｃ粉末（平均粒径２０μｍ）２５．８３ｇ、ＳｉＯ２粉末（平均粒径０．６μｍ）２５．８４ｇをジルコニアボール２ｋｇと一緒にステンレス製容器に入れて、垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動機構を有するシェイキングミキサーを使用して３２ｒｐｍで４８時間混合した。混合後、目開き３００μｍの篩で分級し、通過した粉末を焼結圧力６６ＭＰａ、焼結温度９００℃、保持時間１時間の条件で焼結した。得られた焼結体を直径１５３ｍｍ、厚さ２ｍｍに加工し、スパッタリングターゲットを得て、パーティクル評価、相対密度及び溶解残渣の粒度分布測定を行った。結果を表２に示す。
（Ｆｅ−５２Ｐｔ）−３０Ｃ−６ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）［３０．７２Ｆｅ−３３．２８Ｐｔ−３０Ｃ−６ＳｉＯ２］となるように、Ｆｅ粉（平均粒径７μｍ）１２２．９７ｇ、Ｐｔ粉（平均粒径１μｍ）４６５．３６ｇ、Ｃ粉末（平均粒径２０μｍ）２５．８３ｇ、ＳｉＯ２粉末（平均粒径０．６μｍ）２５．８４ｇをジルコニアボール２ｋｇと一緒にステンレス製容器に入れて、垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動機構を有するシェイキングミキサーを使用して３２ｒｐｍで４８時間混合した。混合後、目開き３００μｍの篩で分級し、通過した粉末を焼結圧力６６ＭＰａ、焼結温度９００℃、保持時間１時間の条件で焼結した。得られた焼結体を直径１５３ｍｍ、厚さ２ｍｍに加工し、スパッタリングターゲットを得て、パーティクル評価、相対密度及び溶解残渣の粒度分布測定を行った。結果を表２に示す。
［実施例６］
（Ｆｅ−４５Ｐｔ）−３０Ｃ−５ＢＮ（ｍｏｌ％）［３５．７５Ｆｅ−２９．２５Ｐｔ−３０Ｃ−５ＢＮ］となるように、Ｆｅ粉（平均粒径７μｍ）１６３．３９ｇ、Ｐｔ粉（平均粒径１μｍ）４６６．９７ｇ、Ｃ粉末（平均粒径２０μｍ）２９．４９ｇ、ＢＮ粉末（平均粒径１０μｍ）１０．１６ｇをジルコニアボール２ｋｇと一緒にステンレス製容器に入れて、垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動機構を有するシェイキングミキサーを使用して３２ｒｐｍで４８時間混合した。混合後、目開き３００μｍの篩で分級し、通過した粉末を焼結圧力６６ＭＰａ、焼結温度９００℃、保持時間１時間の条件で焼結した。得られた焼結体を直径１５３ｍｍ、厚さ２ｍｍに加工し、スパッタリングターゲットを得て、パーティクル評価、相対密度及び溶解残渣の粒度分布測定 を行った。結果を表２に示す。
（Ｆｅ−４５Ｐｔ）−３０Ｃ−５ＢＮ（ｍｏｌ％）［３５．７５Ｆｅ−２９．２５Ｐｔ−３０Ｃ−５ＢＮ］となるように、Ｆｅ粉（平均粒径７μｍ）１６３．３９ｇ、Ｐｔ粉（平均粒径１μｍ）４６６．９７ｇ、Ｃ粉末（平均粒径２０μｍ）２９．４９ｇ、ＢＮ粉末（平均粒径１０μｍ）１０．１６ｇをジルコニアボール２ｋｇと一緒にステンレス製容器に入れて、垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動機構を有するシェイキングミキサーを使用して３２ｒｐｍで４８時間混合した。混合後、目開き３００μｍの篩で分級し、通過した粉末を焼結圧力６６ＭＰａ、焼結温度９００℃、保持時間１時間の条件で焼結した。得られた焼結体を直径１５３ｍｍ、厚さ２ｍｍに加工し、スパッタリングターゲットを得て、パーティクル評価、相対密度及び溶解残渣の粒度分布測定 を行った。結果を表２に示す。
［実施例７］
（Ｃｏ−５Ｃｒ−２３Ｐｔ）−４０Ｃ（ｍｏｌ％）［４３．２Ｃｏ−３Ｃｒ−１３．８Ｐｔ−４０Ｃ］となるように、Ｃｏ粉（平均粒径３μｍ）２４７．０３ｇ、Ｐｔ粉（平均粒径１μｍ）２６１．２２ｇ、Ｃｒ粉（平均粒径２０μｍ）１５．１４ｇ、Ｃ粉末（平均粒径２０μｍ）４６．６２ｇをジルコニアボール２ｋｇと一緒にステンレス製容器に入れて、垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動機構を有するシェイキングミキサーを使用して３２ｒｐｍで４８時間混合した。混合後、目開き３００μｍの篩で分級し、通過した粉末を焼結圧力６６ＭＰａ、焼結温度９００℃、保持時間１時間の条件で焼結した。得られた焼結体を直径１５３ｍｍ、厚さ２ｍｍに加工し、スパッタリングターゲットを得て、パーティクル評価、相対密度及び溶解残渣の粒度分布測定を行った。結果を表２に示す。
（Ｃｏ−５Ｃｒ−２３Ｐｔ）−４０Ｃ（ｍｏｌ％）［４３．２Ｃｏ−３Ｃｒ−１３．８Ｐｔ−４０Ｃ］となるように、Ｃｏ粉（平均粒径３μｍ）２４７．０３ｇ、Ｐｔ粉（平均粒径１μｍ）２６１．２２ｇ、Ｃｒ粉（平均粒径２０μｍ）１５．１４ｇ、Ｃ粉末（平均粒径２０μｍ）４６．６２ｇをジルコニアボール２ｋｇと一緒にステンレス製容器に入れて、垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動機構を有するシェイキングミキサーを使用して３２ｒｐｍで４８時間混合した。混合後、目開き３００μｍの篩で分級し、通過した粉末を焼結圧力６６ＭＰａ、焼結温度９００℃、保持時間１時間の条件で焼結した。得られた焼結体を直径１５３ｍｍ、厚さ２ｍｍに加工し、スパッタリングターゲットを得て、パーティクル評価、相対密度及び溶解残渣の粒度分布測定を行った。結果を表２に示す。
［実施例８］
（Ｃｏ−１２Ｃｒ−１８Ｐｔ）−２０Ｃ（ｍｏｌ％）［５６Ｃｏ−９．６Ｃｒ−１４．４Ｐｔ−２０Ｃ］となるように、Ｃｏ粉（平均粒径３μｍ）３０８．４０ｇ、Ｐｔ粉（平均粒径１μｍ）２６２．５１ｇ、Ｃｒ粉（平均粒径２０μｍ）４６．６５ｇ、Ｃ粉末（平均粒径２０μｍ）２２．４５ｇをジルコニアボール２ｋｇと一緒にステンレス製容器に入れて、垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動機構を有するシェイキングミキサーを使用して３２ｒｐｍで４８時間混合した。混合後、目開き３００μｍの篩で分級し、通過した粉末を焼結圧力６６ＭＰａ、焼結温度９００℃、保持時間１時間の条件で焼結した。得られた焼結体を直径１５３ｍｍ、厚さ２ｍｍに加工し、スパッタリングターゲットを得て、パーティクル評価、相対密度及び溶解残渣の粒度分布測定を行った。結果を表２に示す。
（Ｃｏ−１２Ｃｒ−１８Ｐｔ）−２０Ｃ（ｍｏｌ％）［５６Ｃｏ−９．６Ｃｒ−１４．４Ｐｔ−２０Ｃ］となるように、Ｃｏ粉（平均粒径３μｍ）３０８．４０ｇ、Ｐｔ粉（平均粒径１μｍ）２６２．５１ｇ、Ｃｒ粉（平均粒径２０μｍ）４６．６５ｇ、Ｃ粉末（平均粒径２０μｍ）２２．４５ｇをジルコニアボール２ｋｇと一緒にステンレス製容器に入れて、垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動機構を有するシェイキングミキサーを使用して３２ｒｐｍで４８時間混合した。混合後、目開き３００μｍの篩で分級し、通過した粉末を焼結圧力６６ＭＰａ、焼結温度９００℃、保持時間１時間の条件で焼結した。得られた焼結体を直径１５３ｍｍ、厚さ２ｍｍに加工し、スパッタリングターゲットを得て、パーティクル評価、相対密度及び溶解残渣の粒度分布測定を行った。結果を表２に示す。
［実施例９］
（Ｆｅ−３０Ｃｏ−３０Ｐｔ）−５０Ｃ（ｍｏｌ％）［２０Ｆｅ−１５Ｃｏ−１５Ｐｔ−５０Ｃ］となるように、Ｆｅ粉（平均粒径７μｍ）１２２．４１ｇ、Ｃｏ粉（平均粒径３μｍ）９６．８９ｇ、Ｐｔ粉（平均粒径１μｍ）３２０．７１ｇ、Ｃ粉末（平均粒径２０μｍ）６５．８２ｇをジルコニアボール２ｋｇと一緒にステンレス製容器に入れて、垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動機構を有するシェイキングミキサーを使用して３２ｒｐｍで４８時間混合した。混合後、目開き３００μｍの篩で分級し、通過した粉末を焼結圧力６６ＭＰａ、焼結温度９００℃、保持時間１時間の条件で焼結した。得られた焼結体を直径１５３ｍｍ、厚さ２ｍｍに加工し、スパッタリングターゲットを得て、パーティクル評価、相対密度及び溶解残渣の粒度分布測定 を行った。結果を表２に示す。
（Ｆｅ−３０Ｃｏ−３０Ｐｔ）−５０Ｃ（ｍｏｌ％）［２０Ｆｅ−１５Ｃｏ−１５Ｐｔ−５０Ｃ］となるように、Ｆｅ粉（平均粒径７μｍ）１２２．４１ｇ、Ｃｏ粉（平均粒径３μｍ）９６．８９ｇ、Ｐｔ粉（平均粒径１μｍ）３２０．７１ｇ、Ｃ粉末（平均粒径２０μｍ）６５．８２ｇをジルコニアボール２ｋｇと一緒にステンレス製容器に入れて、垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動機構を有するシェイキングミキサーを使用して３２ｒｐｍで４８時間混合した。混合後、目開き３００μｍの篩で分級し、通過した粉末を焼結圧力６６ＭＰａ、焼結温度９００℃、保持時間１時間の条件で焼結した。得られた焼結体を直径１５３ｍｍ、厚さ２ｍｍに加工し、スパッタリングターゲットを得て、パーティクル評価、相対密度及び溶解残渣の粒度分布測定 を行った。結果を表２に示す。
［比較例１］
垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動機構を有するシェイキングミキサーを使用する混合時間を１５分に変更した以外は実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを得て、パーティクル評価、相対密度及び溶解残渣の粒度分布測定を行った。結果を表２に示す。
垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動機構を有するシェイキングミキサーを使用する混合時間を１５分に変更した以外は実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを得て、パーティクル評価、相対密度及び溶解残渣の粒度分布測定を行った。結果を表２に示す。
［比較例２］
垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動機構を有するシェイキングミキサーの代わりにジルコニアボール４ｋｇを用いる媒体撹拌ミルを使用し、混合条件を３００ｒｐｍ、３時間に変更し、焼結温度を１１５０℃に変更した以外は実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを得て、パーティクル評価、相対密度及び溶解残渣の粒度分布測定を行った。結果を表２に示す。図４に溶解残渣の粒度分布測定結果、図５及び６に溶解残渣の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真（１０００倍及び５０００倍）を示す。
垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動機構を有するシェイキングミキサーの代わりにジルコニアボール４ｋｇを用いる媒体撹拌ミルを使用し、混合条件を３００ｒｐｍ、３時間に変更し、焼結温度を１１５０℃に変更した以外は実施例１と同様にして、スパッタリングターゲットを得て、パーティクル評価、相対密度及び溶解残渣の粒度分布測定を行った。結果を表２に示す。図４に溶解残渣の粒度分布測定結果、図５及び６に溶解残渣の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真（１０００倍及び５０００倍）を示す。
［比較例３］
媒体撹拌ミルを使用する混合条件を４６２ｒｐｍ、１２時間の強混合に変更し、焼結温度を１３００℃に変更した以外は比較例２と同様にして、スパッタリングターゲットを得て、パーティクル評価、相対密度及び溶解残渣の粒度分布測定を行った。結果を表２に示す。図７に溶解残渣の粒度分布測定結果、図８及び９に溶解残渣の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真（１０００倍及び５０００倍）を示す。
媒体撹拌ミルを使用する混合条件を４６２ｒｐｍ、１２時間の強混合に変更し、焼結温度を１３００℃に変更した以外は比較例２と同様にして、スパッタリングターゲットを得て、パーティクル評価、相対密度及び溶解残渣の粒度分布測定を行った。結果を表２に示す。図７に溶解残渣の粒度分布測定結果、図８及び９に溶解残渣の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真（１０００倍及び５０００倍）を示す。
［溶解残渣の粒度分布］
図２、３、５、６、８及び９はＳＥＭ写真であり、黒い部分は溶解残渣をＳＥＭ観察用治具に付着させるために用いた両面テープ、白い部分は残渣粒子の鋭角な部分、灰色の部分は残渣粒子である。実施例１〜８はＤ９０が５μｍ超過１５μｍ未満、Ｄ５０が２μｍ超過６μｍ未満、Ｄ１０が０．６μｍ超過２μｍ未満、１μｍ未満の粒子が２３累積％未満であり、図１から正規分布に近い均質な分布状態であることがわかる。図２及び３から、微細すぎる粒子や凝集しすぎている粒子がなく、ほぼ均一な粒径であることが確認できる。一方、混合時間が短い比較例１はＤ９０が約５０μｍ、Ｄ５０が約２０μｍ、Ｄ１０が約５μｍ、１μｍ未満が０累積％と大寸法側に粒径分布が偏っている。比較例１よりは混合条件が強い比較例２はＤ９０が約２１μｍ、Ｄ５０が約８μｍ、Ｄ１０が約２．５μｍ、１μｍが１．６累積％とやや幅広の分布状態である。図５及び６から、大小様々な粒子が存在しており、粉砕の程度が不均一であることがわかる。強混合条件である比較例３はＤ９０が約３．６μｍ、Ｄ５０が約１．３μｍ、Ｄ１０が約０．３μｍ、１μｍ未満が約４３累積％と微細すぎる粒子が多く、図７から分布状態が双峰形態であり、図８及び９から、微細すぎる粒子と、微細な粒子の凝集物が混在していることがわかる。微細粒子及び微細粒子の凝集物が存在する比較例３が最もパーティクル発生数が多く、１μｍ未満の微細粒子及び凝集物がパーティクル発生に大きく影響することが確認できた。
図２、３、５、６、８及び９はＳＥＭ写真であり、黒い部分は溶解残渣をＳＥＭ観察用治具に付着させるために用いた両面テープ、白い部分は残渣粒子の鋭角な部分、灰色の部分は残渣粒子である。実施例１〜８はＤ９０が５μｍ超過１５μｍ未満、Ｄ５０が２μｍ超過６μｍ未満、Ｄ１０が０．６μｍ超過２μｍ未満、１μｍ未満の粒子が２３累積％未満であり、図１から正規分布に近い均質な分布状態であることがわかる。図２及び３から、微細すぎる粒子や凝集しすぎている粒子がなく、ほぼ均一な粒径であることが確認できる。一方、混合時間が短い比較例１はＤ９０が約５０μｍ、Ｄ５０が約２０μｍ、Ｄ１０が約５μｍ、１μｍ未満が０累積％と大寸法側に粒径分布が偏っている。比較例１よりは混合条件が強い比較例２はＤ９０が約２１μｍ、Ｄ５０が約８μｍ、Ｄ１０が約２．５μｍ、１μｍが１．６累積％とやや幅広の分布状態である。図５及び６から、大小様々な粒子が存在しており、粉砕の程度が不均一であることがわかる。強混合条件である比較例３はＤ９０が約３．６μｍ、Ｄ５０が約１．３μｍ、Ｄ１０が約０．３μｍ、１μｍ未満が約４３累積％と微細すぎる粒子が多く、図７から分布状態が双峰形態であり、図８及び９から、微細すぎる粒子と、微細な粒子の凝集物が混在していることがわかる。微細粒子及び微細粒子の凝集物が存在する比較例３が最もパーティクル発生数が多く、１μｍ未満の微細粒子及び凝集物がパーティクル発生に大きく影響することが確認できた。
原材料粉末の混合時間を変えた実施例１と実施例２を対比すると、混合時間が長いほど溶解残渣の粒径は小さくなる傾向がある。一方、比較例２と３の対比により媒体撹拌ミルで混合時間が長くなると微細になりすぎて、再凝集していることがわかる。本発明の製造方法で用いる混合条件が、微細化しすぎず、再凝集を抑制していることが確認できた。
原材料のＣ粉末の粒径を変えた実施例１と実施例３を対比すると、Ｃ粉末の粒径が小さい実施例２の粒度分布が実施例１よりも若干小寸法側に移動しているが、大きな影響とはいえない。
［パーティクル数］
比較例１〜３は１００個以上であるのに対して、実施例１〜８のスパッタリングターゲットのパーティクル数は２３個以下と非常に少なくなっており、パーティクル発生を抑制できていることが確認できた。
比較例１〜３は１００個以上であるのに対して、実施例１〜８のスパッタリングターゲットのパーティクル数は２３個以下と非常に少なくなっており、パーティクル発生を抑制できていることが確認できた。
［相対密度］
同じ組成である実施例１〜３及び比較例１〜３を対比すると、実施例１〜３の相対密度は９５．５％及び９６．８％であり、比較例１の９７．１％よりは低いが、比較例２の９４．９％よりは高く、スパッタリングターゲットに求められる相対密度９５％以上は達成されるといえる。
同じ組成である実施例１〜３及び比較例１〜３を対比すると、実施例１〜３の相対密度は９５．５％及び９６．８％であり、比較例１の９７．１％よりは低いが、比較例２の９４．９％よりは高く、スパッタリングターゲットに求められる相対密度９５％以上は達成されるといえる。
Claims (8)
- Ｆｅ及びＣｏから選択される１種以上と、Ｐｔと、Ｃと、を含むＣ含有スパッタリングターゲットであって、当該スパッタリングターゲットの溶解残渣の粒度分布におけるＤ９０（９０累積％径）が２０．０μｍ以下であり、Ｄ１０（１０累積％径）が０．５μｍ以上２．０μｍ以下であり、粒径１．０μｍ未満が４０累積％以下であることを特徴とするＣ含有スパッタリングターゲット。
- 前記Ｄ９０は５．０μｍ以上２０．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のＣ含有スパッタリングターゲット。
- さらに、前記スパッタリングターゲットの溶解残渣の粒度分布におけるＤ５０（５０累積％径）が２．０μｍ以上７．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のＣ含有スパッタリングターゲット。
- Ｐｔが５ｍｏｌ％以上５５ｍｏｌ％以下、Ｃが１０ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下、残部はＦｅ及びＣｏから選択される１種以上並びに不可避不純物であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１に記載のＣ含有スパッタリングターゲット。
- さらに、総量として０ｍｏｌ％より多く２０ｍｏｌ％以下のＡｇ、Ａｕ、Ｂ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕから選択される１種以上を含むことを特徴とする、請求項４に記載のＣ含有スパッタリングターゲット。
- さらに、総量として０ｍｏｌ％より多く２０ｍｏｌ％以下の非磁性材（ただし、Ｃを除く）を含むことを特徴とする、請求項４又は５に記載のＣ含有スパッタリングターゲット。
- 前記非磁性材は、Ｓｉ、Ｔｉ又はＴａの酸化物から選択される酸化物、Ｂ、Ｔｉ又はＴａの窒化物から選択される１種以上であることを特徴とする、請求項６に記載のＣ含有スパッタリングターゲット。
- 垂直方向及び水平方向に回転する３次元運動機構を有する混合機で、金属粉末及び合金粉末から選択される少なくとも１種と、Ｃ粉末とを、１０ｒｐｍ以上５０ｒｐｍ以下の回転数で２０時間以上混合して混合物を調製し、当該混合物を焼結することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１に記載のＣ含有スパッタリングターゲットの製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018086305A JP6878349B2 (ja) | 2018-04-27 | 2018-04-27 | Ｃ含有スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| PCT/JP2019/016922 WO2019208463A1 (ja) | 2018-04-27 | 2019-04-22 | Ｃ含有スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| CN201980027092.3A CN112004957A (zh) | 2018-04-27 | 2019-04-22 | 含c溅射靶及其制造方法 |
| US17/044,687 US20210040602A1 (en) | 2018-04-27 | 2019-04-22 | C-containing sputtering target and method for producing same |
| SG11202009074UA SG11202009074UA (en) | 2018-04-27 | 2019-04-22 | C-containing sputtering target and method for producing same |
| TW108114468A TWI691605B (zh) | 2018-04-27 | 2019-04-25 | 含碳濺鍍靶及其製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018086305A JP6878349B2 (ja) | 2018-04-27 | 2018-04-27 | Ｃ含有スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019189923A JP2019189923A (ja) | 2019-10-31 |
| JP6878349B2 true JP6878349B2 (ja) | 2021-05-26 |
Family
ID=68295119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018086305A Active JP6878349B2 (ja) | 2018-04-27 | 2018-04-27 | Ｃ含有スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20210040602A1 (ja) |
| JP (1) | JP6878349B2 (ja) |
| CN (1) | CN112004957A (ja) |
| SG (1) | SG11202009074UA (ja) |
| TW (1) | TWI691605B (ja) |
| WO (1) | WO2019208463A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7462511B2 (ja) | 2020-08-12 | 2024-04-05 | 田中貴金属工業株式会社 | Ｆｅ－Ｐｔ－ＢＮ系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000282229A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-10 | Hitachi Metals Ltd | ＣｏＰｔ系スパッタリングターゲットおよびその製造方法ならびにこれを用いた磁気記録膜およびＣｏＰｔ系磁気記録媒体 |
| JP2011175725A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-09-08 | Mitsubishi Materials Corp | 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP5590322B2 (ja) * | 2010-11-12 | 2014-09-17 | 三菱マテリアル株式会社 | 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP6037206B2 (ja) * | 2011-07-05 | 2016-12-07 | 三菱マテリアル株式会社 | 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP2014034730A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-02-24 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 焼結体およびスパッタリングターゲット |
| US10186404B2 (en) * | 2013-03-01 | 2019-01-22 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | FePt—C-based sputtering target and method for manufacturing same |
| JP6366095B2 (ja) * | 2014-07-29 | 2018-08-01 | 株式会社フルヤ金属 | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット |
| CN107075665A (zh) * | 2014-09-26 | 2017-08-18 | 捷客斯金属株式会社 | 磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法 |
-
2018
- 2018-04-27 JP JP2018086305A patent/JP6878349B2/ja active Active
-
2019
- 2019-04-22 US US17/044,687 patent/US20210040602A1/en not_active Abandoned
- 2019-04-22 CN CN201980027092.3A patent/CN112004957A/zh active Pending
- 2019-04-22 SG SG11202009074UA patent/SG11202009074UA/en unknown
- 2019-04-22 WO PCT/JP2019/016922 patent/WO2019208463A1/ja active Application Filing
- 2019-04-25 TW TW108114468A patent/TWI691605B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2019189923A (ja) | 2019-10-31 |
| US20210040602A1 (en) | 2021-02-11 |
| TWI691605B (zh) | 2020-04-21 |
| CN112004957A (zh) | 2020-11-27 |
| TW201945551A (zh) | 2019-12-01 |
| WO2019208463A1 (ja) | 2019-10-31 |
| SG11202009074UA (en) | 2020-11-27 |
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