TWI825922B - 含有硬質氮化物之濺鍍靶及製造含有硬質氮化物之濺鍍靶之方法 - Google Patents
含有硬質氮化物之濺鍍靶及製造含有硬質氮化物之濺鍍靶之方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI825922B TWI825922B TW111130765A TW111130765A TWI825922B TW I825922 B TWI825922 B TW I825922B TW 111130765 A TW111130765 A TW 111130765A TW 111130765 A TW111130765 A TW 111130765A TW I825922 B TWI825922 B TW I825922B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- sputtering target
- less
- hard nitride
- nitride
- target containing
- Prior art date
Links
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 78
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 67
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 135
- 229910000905 alloy phase Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 86
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 31
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 claims description 16
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 claims description 10
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 10
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 claims description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 6
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 21
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 13
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 9
- 238000013461 design Methods 0.000 description 8
- 229910020707 Co—Pt Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910005335 FePt Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000000717 platinum sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 229910002064 alloy oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004814 ceramic processing Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007542 hardness measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
本發明提供防止因比較粗大氧化鋯粒子之混入所致之濺鍍靶中之電弧發生，可抑制成膜時之顆粒發生的含有硬質氮化物之濺鍍靶及其製造方法。
本發明之含有硬質氮化物之濺鍍靶之特徵係由包含Fe或Co之合金相與包含選自AlN、BN、Cr2N、Si3N4、HfN、NbN、TaN、TiN、VN及該等之任意組合中之硬質氮化物的非磁性相所成，以金屬Zr測定時之Zr雜質濃度限制於1000ppm以下，於3kgf之荷重條件下測定之維氏(Vickers)硬度Hv為200以上600以下。
Description
本發明有關含有硬質氮化物之濺鍍靶及其製造方法，特別有關含有硬質氮化物之濺鍍靶，其係由包含Fe或Co之合金相與包含選自AlN、BN、Cr2N、Si3N4、HfN、NbN、TaN、TiN、VN及該等之任意組合中之硬質氮化物的非磁性相所成，及有關其製造方法。
作為用於製造硬碟驅動器等之磁性記錄媒體之顆粒構造磁性薄膜的濺鍍靶，係使用包含以強磁性金屬的Fe或Co為主成分的合金相與氧化物、碳、氮化硼等之非磁性材的燒結體。
含有氧化物作為非磁性材的濺鍍靶中，藉由作成於合金相之間均勻微細地分散氧化物的非磁性材粒子分散型的組織，確認可減低成膜時之顆粒發生。為了使氧化物均勻微細分散於合金相之間，而使用氧化鋯球磨機等之介質攪拌磨機進行強力攪拌，將氧化物與形成合金相的原材料粉末混合而進行(日本專利第4673448號公報、日本專利第6728094號公報)。亦提案含有氮化物替代氧化物之
濺鍍靶，但採用與氧化物相同的使用氧化鋯球磨機強力攪拌及混合之方法(日本專利第5913620號公報、日本專利第6526837號公報)。
日本專利第4673448號公報揭示非磁性材粒子分散型強磁性材濺鍍靶，其具有氧化物的非磁性粒子均勻微細分散之相(A)與於相(A)中之直徑為50~200μm的球形合金相(B)，具有於球形的合金相(B)的中心附近Cr濃縮25mol%以上，於外周部之Cr含量低於中心部之組成。並記載有該濺鍍靶係藉由將最大粒徑為20μm以下的金屬粉末與最大粒徑為5μm以下的非磁性材粉末與氧化鋯球一起封入容量10升的球磨機罐中，旋轉20小時兼使粉碎並混合，將該混合粉末與直徑為50~200μm的Co-Cr球形粉末以行星運動型混合器混合，藉由燒結而製造。
日本專利第6728094號公報中揭示為了抑制濺鍍時之顆粒發生，而包含Co-Pt相與Co相與非磁性材料，並將Co-Pt合金相微細化，將Co相粗大化之發明。具體而言，記載有將Co-Pt合金相的平均粒徑設為0.1μm以上7μm以下，將Co相的平均粒徑設為30μm以上300μm以下，將氧化物之非磁性材料的平均粒徑設為0.05μm以上2μm以下，作為原材料使用中值徑為0.1μm以上7μm以下的Co-Pt合金粉末、中值徑為0.05μm以上2μm以下的非磁性材料之粉末。且，作為原材料粉末之混合方法，記載有將原材料粉末與氧化鋯球一起封入容量10升的球磨機中，並旋轉20小時予以混合。
日本專利第5913620號公報，揭示於使用六方晶系BN作為非磁性材料之Fe-Pt系燒結體濺鍍靶中，藉由改善六方晶系BN的配向性而抑制濺鍍中的異常放電，減低所發生的顆粒量。具體而言，記載將Fe-Pt合金粉末與氧化鋯球一起投入容量5L的介質攪拌磨機中，以旋轉數300rpm處理2小時，作成平均粒徑10μm之Fe-Pt合金粉末後，將Fe-Pt合金粉末與六方晶系BN粉末以V型混合機混合，進而使用150μm的篩予以混合。然而，六方晶系BN係硬度低，有作為濺鍍靶之硬度不足，濺鍍時發生龜裂的問題。
日本專利第6526837號公報中揭示使用比六方晶系BN更難以在BN粒子內產生龜裂之立方晶系BN的Fe-Pt系濺鍍靶及Co-Pt系濺鍍靶，且記載將原材料粉末與氧化鋯球一起投入容量5L之介質攪拌磨機中，旋轉(旋轉數300rpm)2小時予以混合，並粉碎至原料混合粉末之中值徑(D50)為0.3μm以上20μm以下，較佳粉碎至5μm以下。
然而，根據本發明人等之實驗，得知使用氮化物作為非磁性材之情況下，於原材料粉末之混合時，由於氮化物為硬質，故氧化鋯球或介質攪拌磨機內壁會磨損而混入比較粗大的氧化鋯粒子，由於粗大氧化鋯粒子的電阻率高於氮化物及碳化物，故濺鍍中容易引起電弧，成膜時容易產生顆粒。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第4673448號公報
[專利文獻2]日本專利第6728094號公報
[專利文獻3]日本專利第5913620號公報
[專利文獻4]日本專利第6526837號公報
[發明欲解決之課題]
本發明為了解決上述以往課題，目的在於提供防止了因混入比較粗大氧化鋯粒子所致之濺鍍中的電弧發生，可抑制成膜時之顆粒發生的含有硬質氮化物之濺鍍靶及其製造方法。
[用以解決課題之手段]
本發明人等發現含有硬質氮化物之濺鍍靶的濺鍍中之電弧係因混合存在比較粗大氧化鋯粒子所引起，藉由防止源自在濺鍍靶的製造過程的原材料粉的混合時一般使用的氧化鋯球磨機的氧化鋯雜質粒子混入，認為可抑制濺鍍中的電弧，因而完成本發明。
依據本發明，提供一種含有硬質氮化物之濺鍍靶，其特徵係由
包含Fe或Co之合金相，與
包含選自AlN、BN、Cr
2N、Si
3N
4、HfN、NbN、TaN、TiN、VN及該等之任意組合中之硬質氮化物的非磁性相所成，
以金屬Zr測定時之Zr雜質濃度限制於1000ppm以下，
於3kgf之荷重條件下測定之維氏(Vickers)硬度Hv為200以上600以下。
前述Zr雜質濃度較佳限制於500ppm以下。
前述非磁性相較佳滿足下述之至少1者：
將倍率500之EPMA面分析之觀察視野180μm×180μm進行圖像解析求出之平均粒徑為4μm以上20μm以下；
將倍率1000之EPMA面分析之觀察視野90μm×90μm進行圖像解析求出之平均粒徑為2μm以上20μm以下；及
將倍率3000之EPMA面分析之觀察視野30μm×30μm進行圖像解析求出之平均粒徑為1μm以上20μm以下。
前述濺鍍靶中之前述非磁性相之含量為5mol%以上50mol%以下。
前述非磁性相進而可包含選自C、B
2O
3及SiO
2中之1種以上。
前述合金相包含0mol%以上60mol%以下之Pt。
前述合金相進而可包含選自Ag、Au、Cr、Cu、Ge、Ir、Ni、Pd、Rh、Ru及B中之1種以上的元素。
依據本發明，亦提供前述含有硬質氮化物之濺鍍靶之製造方法。本發明之製造方法之特徵係包含使用氧化鋯球磨機以50rpm以上150rpm以下之旋轉數，將構成前述合金相及前述非磁性相之原料粉末混合2小時以上6小時以下，調製混合粉末，將前述混合粉末燒結。
構成前述合金相之原料粉末較佳係各原料之金屬粉末或Fe系或Co系之霧化合金粉末。
構成前述非磁性相之原料粉末較佳包含平均粒徑D50為1μm以上40μm以下之硬質氮化物粉末。
[發明效果]
本發明之含硬質氮化物之濺鍍靶，由於防止電阻率高且比較粗大的氧化鋯雜質粒子的混入，並將以金屬Zr測定時之Zr雜質濃度限制在1000ppm以下，故抑制濺鍍中之電弧發生，可減低成膜時之源自氧化鋯粒子的顆粒。
以下將參考附圖更詳細說明本發明。
本發明之含硬質氮化物之濺鍍靶之特徵係由包含Fe或Co之合金相與包含選自AlN、BN、Cr
2N、Si
3N
4、HfN、NbN、TaN、TiN、VN及該等之任意組合中之硬質氮化物的非磁性相所成，以金屬Zr測定時之Zr雜質濃度限制於1000ppm以下，較佳限制於500ppm以下，更佳限制於300ppm以下，以3kgf之荷重條件下測定之維氏硬度Hv為200以上600以下，較佳為250以上600以下。
本發明有關含有硬質氮化物作為非磁性材粒子之包含硬質氮化物之濺鍍靶。作為硬質氮化物包含AlN、BN、Cr
2N、Si
3N
4、HfN、NbN、TaN、TiN、VN及該等之何意組合。各氮化物之硬度(GPa)，於AlN為12.0，Cr
2N為15.4，Si
3N
4為19.4，HfN為15.7，NbN為14.3，TaN為23.7，TiN為20.1，VN為12.8，立方晶BN為46.1，六方晶BN為2.0(數據手冊高熔點化合物便覽，陶瓷加工手冊：從基礎到應用案例，陶瓷硬度)。
作為濺鍍靶所用之BN，雖已知有立方晶BN及六方晶BN，但本發明中，使用硬度次於金剛石之立方晶BN。又，若包含立方晶BN，則亦可混合存在六方晶BN。
非磁性相包含平均粒徑為1μm以上，較佳2μm以上20μm以下的硬質氮化物。非磁性相之平均粒徑可藉由將EPMA面分析結果予以圖像解析而測定。利用EPMA面分析之圖像分析按照以下順序進行。
首先，研磨濺鍍靶之濺鍍面，使用EPMA裝置以倍率100取得元素映射圖像。所得元素映射圖像以EPMA裝置附帶的「面處理」功能進行2值化處理。以圖像解析軟體(ImageJ 1.53e)解析已完成2值化處理之元素映射圖像，測定氮化物之平均粒徑。構成氮化物之元素除了N(氮)以外為1種(例如元素A)時，計算自元素映射圖像檢測出元素N與元素A兩者之部位。構成氮化物之元素除了N(氮)以外為2種以上時，自各元素之映射圖像合成元素N以外的所有元素映射圖像，計算檢測到元素N以外的元素與元素N之兩者的部位，求出平均尺寸，藉以下式計算平均粒徑(μm)。
[數1]
平均粒徑(μm)=2×√(平均尺寸÷ 3.14)
所得之平均粒徑為表1所示之各倍數的判定基準以下時，依500、1000、3000、10000之順序逐階段增加倍率，直到成為大於判定基準之值，重複一連串操作計算於各倍數之平均粒徑。
藉由EPMA面分析時之觀察倍率，無法觀察微細的非磁性相，由於平均粒徑之誤差變大，故如下述利用觀察倍率分類平均粒徑的範圍。本發明之含有硬質氮化物之濺鍍靶較佳滿足下述(A)~(C)之至少一者。
(A)將倍率500之EPMA面分析之觀察視野180μm×180μm進行圖像解析求出之平均粒徑為3.6μm以上20μm以下，較佳為4μm以上15μm以下；
(B)將倍率1000之EPMA面分析之觀察視野90μm×90μm進行圖像解析求出之平均粒徑為1.8μm以上20μm以下，較佳為1.8μm以上4μm以下，更佳為1.8μm以上3.6μm以下；
(C)將倍率3000之EPMA面分析之觀察視野30μm×30μm進行圖像解析求出之平均粒徑為1μm以上20μm以下，較佳為1μm以上2μm以下，更佳為1μm以上1.8μm以下。
濺鍍靶中非磁性相的含量，係隨使用濺鍍靶成膜的堆積層所要求的物性而異，但一般較佳為5mol%以上50mol%以下，更佳為5mol%以上45mol%以下。非磁性相之含量若在上述範圍內，則可良好維持經成膜之堆積層的磁特性，可發揮於堆積層中磁性材之間的微細分散，作為將鄰接之磁性材彼此隔離之粒界材之功能。
非磁性相可進而包含選自濺鍍靶中一般使用的C、B
2O
3及SiO
2的1種以上的非磁性材。任意添加的非磁性材的濺鍍靶中的含量較佳為0mol%以上25mol%以下，更佳為0mol%以上20mol%以下。任意添加的非磁性材的含量若在上述範圍內，則可良好地維持經成膜之堆積層的磁特性，可發揮於堆積層中磁性材之間的微細分散，作為將鄰接之磁性材彼此隔離之粒界材之功能。
合金相包括強磁性材料的Fe或Co。可作為Fe單獨或Co單獨，或Fe與Co之合金，或Fe與其他元素之合金、Co與其他元素之合金或Fe與Co與其他元素之合金而包含。Fe或Co係作為濺鍍靶之主成分而包含。不含Co而含有Fe時之合金相中的Fe之含量較佳為35mol%以上100mol%以下，更佳為40mol%以上100 mol%以下。不含Fe而含有Co時之合金相中的Co含量較佳為50莫耳%以上100莫耳%以下，更佳為55mol%以上100mol%以下。於含有Fe或Co時之合金相中Fe與Co的合計含量較佳為35mol%以上100mol%以下，更佳為40mol%以上100mol%以下。含有Fe及Co時之合金相中的Fe與Co的合計量較佳為50mol%以上100mol%以下，更佳為60mol%以上100mol%以下，合金相中的Fe含量較佳為30mol%以上70mol%以下，更佳為35mol%以上65mol%以下，合金相中的Co含量較佳為20mol%以上50mol%以下，更佳為25mol%以上45mol%以下。
合金相較佳含有Pt 0mol%以上60mol%以下，更佳為超過0mol%且55mol%以下。
合金相可進而包含選自Ag、Au、Cr、Cu、Ge、Ir、Ni、Pd、Rh、Ru及B中之1種以上之元素。合金相中任意添加元素之含量較佳為0mol%以上30mol%以下，更佳為0mol%以上25mol%以下。任意添加元素於合金相中之含量若為上述範圍內，則可良好地維持經成膜之堆積層的磁特性。
作為本發明之濺鍍靶，可適當舉例為Fe合金-氮化物、Fe合金-C-氮化物、Fe合金-氧化物-氮化物、Fe合金-C-氧化物-氮化物、Co合金-氮化物、Co合金-C-氮化物、Co合金-氧化物-氮化物、Co合金-C-氧化物-氮化物、FePt合金-氮化物、FePt合金-C-氮化物、FePt合金-氧化物-氮化物、FePt合金-C-氧化物-氮化物、CoPt合金-氮化物、CoPt合金-C-氮化物、CoPt合金-氧化物-氮化物、CoPt合金-C-氧化物-氮化物、FeCo合金-氮化物、FeCo合金-C-氮化物、FeCo合金-氧化物-氮化物、FeCo合金-C-氧化物-氮化物、FeCoPt合金-氮化物、FeCoPt合金-C-氮化物、FeCoPt合金-氧化物-氮化物、FeCoPt合金-C-氧化物-氮化物。作為具體之設計組成可適當舉例為Fe-51Pt-7Si
3N
4、Fe-40Pt-20AlN、Fe-39Pt-25TaN、Fe-38Pt-15Cr
2N、Fe-35Pt-25VN、Fe-40Pt-20NbN、Fe-40Pt-20HfN、Fe-28Pt-30BN、Fe-35Pt-25TiN、Fe-41Pt-5Cu-5BN-8Si
3N
4、Fe-46Pt-3B
2O
3-8Si
3N
4、Fe-41Pt-4SiO
2-10AlN-3Si
3N
4、Fe-21Pt-21Co-10C-20AlN、Fe-30Pt-5C-30AlN、Fe-30Pt-5Ag-6C-11BN-20AlN、Fe-32Pt-6B-6Rh-20HfN、Fe-34Pt-3Ge-5C-20TiN、Co-23Pt-7Si
3N
4、Co-20Pt-19AlN、Co-19Pt-25TaN、Co-14Pt-30BN、Co-16Pt-4Cr-4SiO
2-15Cr
2N、Co-13Pt-6Ru-8Cr-16C-22VN、Co-15TiN、Fe-20TaN、Co-48Fe-20AlN。
本發明之濺鍍靶的設計組成可與習知的濺鍍靶的組成重複，但以金屬Zr測定時之Zr濃度限制為1000ppm以下，較佳為500ppm以下，更佳為300ppm以下，此點不同於習知濺鍍靶。本發明之濺鍍靶的Zr雜質，與習知濺鍍靶之組成中的不可避免雜質不同，係在製造步驟中被控制為限制值以下之含量。如後述實施例及比較例所示，即使為相同設計組成之濺鍍靶，若將Zr濃度限制於1000ppm以下，則確認可顯著抑制顆粒之發生。
又，本發明之濺鍍靶之又一特徵係於3kgf的荷重條件下測定之維氏硬度Hv為200以上600以下，較佳為250以上600以下。認為維氏硬度越高，顆粒產生越多，但若將Zr濃度限制於1000ppm以下，則如後述實施例及比較例所示，即使為相同設計組成的濺鍍靶，於維氏硬度Hv為200以上600以下時，亦確認可顯著抑制顆粒發生。
本發明之含有硬質氮化物之濺鍍靶可藉由下述方法製造，該方法包含使用氧化鋯球磨機以50rpm以上150rpm以下的旋轉數將構成前述合金相及前述非磁性相的原料粉末混合2小時以上6小時以下，而調製混合粉末，及將前述混合粉末予以燒結。
本發明之製造方法中，使用氧化鋯球磨機攪拌混合原料粉末之條件為以50rpm以上150rpm以下，較佳為50rpm以上100rpm以下，更佳為50rpm以上75rpm以下之旋轉數進行2小時以上6小時以下，較佳為3小時以上5小時以下。一般使用氧化鋯球磨機之攪拌混合，係使磨機高速旋轉，使氧化鋯球與原料粉末高速碰撞，於氧化鋯球間長時間持續磨碎原料粉末，藉此對原料粉末賦予強的機械能而破碎，將微細化的原料粉末混練而形成均質的粉末混合物。本發明人等發現於原料粉末含有硬質粒子時，氧化鋯球會磨耗並混入微量氧化鋯作為雜質，並發現於實現原料粉末之均質混合同時抑制氧化鋯球磨損的最佳混合條件。本發明中，發現藉由將旋轉數抑制為低速而比較緩慢地碰撞，並使攪拌時間較短，而即使是含有硬質氮化物粒子之原料粉末，亦可防止氧化鋯球的磨耗，可抑制氧化鋯混入原料粉末的混合物中。
構成合金相之原料粉末可為金屬粉末或Fe系或Co系霧化合金粉末。
作為Fe粉末，可使用平均粒徑D50為1μm以上10μm以下，較佳為2μm以上8μm以下的粉末。平均粒徑過小時，產生起火危險性及不可避免雜質濃度變高之可能性，平均粒徑過大時，有無法均勻分散非磁性材粒子之可能性。
作為Co粉末，可使用平均粒徑D50為1μm以上10μm以下，較佳為2μm以上8μm以下之粉末。平均粒徑過小時，產生起火危險性及不可避免雜質濃度變高之可能性，平均粒徑過大時，有無法均勻分散非磁性材粒子之可能性。
作為Pt粉末，可使用平均粒徑D50為0.1μm以上10μm以下，較佳為0.3μm以上6μm以下之粉末。平均粒徑過小時，產生不可避免雜質濃度變高之可能性，平均粒徑過大時，有無法均勻分散非磁性材粒子之可能性。
作為任意追加之元素粉末，可使用平均粒徑D50為0.1μm以上30μm以下，較佳為0.5μm以上20μm以下之粉末。平均粒徑過小時，產生不可避免雜質濃度變高之可能性，平均粒徑過大時，有無法均勻分散非磁性材粒子之可能性。
作為Fe系或Co系之霧化合金粉末，可使用平均粒徑D50為1μm以上10μm以下，較佳為2μm以上8μm以下之霧化合金粉末。平均粒徑過小時，產生不可避免雜質濃度變高之可能性，平均粒徑過大時，有無法均勻分散非磁性材粒子之可能性。
構成非磁性相的原料粉末，包含平均粒徑D50為1μm以上40μm以下，較佳2μm以上35μm以下的硬質氮化物粉末。作為硬質氮化物粉末，可使用AlN、BN、Cr
2N、Si
3N
4、HfN、NbN、TaN、TiN、VN及該等之任意組合。作為BN係使用立方晶BN。硬質氮化物粉末之平均粒徑若在上述範圍內，則可達成良好的分散狀態。
作為構成非磁性相之原料粉末，可進而包含平均粒徑D50為1μm以上10μm以下、較佳為1μm以上8μm以下的選自C、B
2O
3及SiO
2中之1種以上的非磁性材。追加的非磁性材粉末之平均粒徑若在上述範圍內，則可達成良好的分散狀態。
混合粉末之燒結條件期望設為800℃以上1300℃以下，較佳900℃以上1250℃以下之燒結溫度，及30MPa以上120MPa以下，較佳50MPa以上100MPa以下之燒結壓力。
[實施例]
下文將藉由實施例及比較例具體說明本發明，但本發明不限於此。以下實施例及比較例之濺鍍靶的Zr濃度、維氏硬度、硬質氮化物非磁性相的平均粒徑、相對密度及顆粒數之測定方法如下。
[Zr濃度]
從濺鍍靶切出直徑30mm的試驗片，使用#80、#320及#1200的SiC研磨紙對濺鍍靶之相對於濺鍍面的水平面進行研磨，使用Rh的X射線管之螢光X射線分析裝置(ZSX PrimusIV，RIGAKU股份有限公司)，對EZ掃描輸入表2之條件測定Zr濃度。
[維氏硬度]
根據JIS Z 2244進行測定。具體而言，使用#80、#320及#1200的SiC研磨紙研磨濺鍍靶之相對於濺鍍面的水平面後，使用粒徑1μm之金剛石研磨粒進行磨亮研磨，使用維氏硬度試驗機(HV-115，三井股份有限公司)，以顯微鏡觀察以對面角136°的正四角錐的金剛石壓頭施加試驗荷重3.00kgf時的凹陷大小，測定將對角線連結的直線之長度，算出凹陷表面積(mm
2)，算出試驗荷重(kgf)/凹陷表面積(mm
2)。
[硬質氮化物非磁性相之平均粒徑]
使用#80、#320及#1200之SiC研磨紙研磨濺鍍靶之相對於濺鍍面之垂直面後，使用粒徑1μm之金剛石噴霧器進行磨亮研磨，以表3及表4所示之EPMA分析條件，使用EPMA裝置(JXA-8500F，日本電子股份有限公司)取得元素映射圖像。
所得元素映射圖像以EPMA裝置(JXA-8500F)附設之「面處理」功能進行2值化處理。具體而言，藉由以最大映射數9表示元素映射圖像選擇經2值化處理之圖像，於「級別變更」畫面確認上限與下限之值。於「映射計算」畫面選擇「減去常數」，並於「級別變更」畫面將確認的下限值輸入K中而執行。再次於「映射計算」畫面選擇「除以常數」，並將自於「級別變更」畫面確認之上限值減去下限值所得之值輸入K中而執行。將「顯示模式」選擇畫面變更為表5的內容而執行。將「級別變更」畫面變更為表6之內容並執行。
以PNG格式保存已完成上述2值化處理之元素映射圖像的螢幕截圖。以圖像解析軟體(ImageJ 1.53e)解析所得之PNG格式的元素映射圖像，測定氮化物之平均粒徑。具體而言，藉以下順序測定氮化物之平均粒徑。以圖像解析軟體(ImageJ 1.53e)打開PNG格式的元素映射圖像。於氮化物係以元素A與N(氮)構成時，將元素A與元素N之映射圖像區域以286×286像素複製並儲存為新的圖像。於圖像解析軟體(ImageJ 1.53e)的圖像計算機中輸入表7的內容並執行，作成將檢測出元素A與元素N兩者的部位進行計算後之檔。
於構成氮化物之元素於N(氮)以外具有2種以上時，以286×286像素複製各元素的映射圖像區域，作為新的圖像保存後，將表7的操作設為“或(OR)”，於圖像1及圖像2選擇構成氮化物之元素N以外的映射圖像，並以圖像計算機合成構成氮化物之元素N以外的所有映射圖像。除了將該圖像選擇為表7之圖像計算機的圖像1以外，輸入表7之圖像計算機的內容並執行，作成將檢測出構成氮化物的N以外之元素與元素N之兩者的部位進行計算後之檔。
所得檔進行轉換與以黑白反轉，於設置規格(Set Scale)中輸入表 8之內容而執行。又，於已知距離中輸入各倍數之視野。亦即，100倍時輸入900，500倍時輸入180，1000倍時輸入90，3000倍時輸入30，10000倍時輸入10。
於分析顆粒中輸入表9之內容並執行。又，根據觀察倍率，於尺寸(μm
2)中與觀察倍率對應輸入表10之值。
使用解析後顯示之總結畫面之平均尺寸，藉以下之式計算平均粒徑(μm)。
[數2]
平均粒徑(μm)=2×√(平均尺寸÷3.14)
首先於100倍之圖像中執行上述一連串解析，所得之平均粒徑為表11所示之各倍率之判定基準以下時，依500倍、1000倍、3000倍、10000倍之順序逐階增大，直到成為大於判定基準之值。
[相對密度]
使用純水作為置換液，以阿基米德法進行測定。測量燒結體之質量，以燒結體浮游在置換液中之狀態下測定浮力(=燒結體的體積)。將燒結體的質量(g)除以燒結體的體積(cm
3)而求出實測密度(g/cm
3)。基於燒結體之組成與所計算的理論密度之比率(實測密度/理論密度)設為相對密度。
[顆粒數]
將燒結體加工為直徑153mm、厚度2mm，以銦黏合於直徑161mm、厚度4mm的Cu製背襯板上，獲得濺鍍靶。將該濺鍍靶安裝於磁控濺鍍裝置，以輸出500W、氣體壓力1Pa的Ar氣體環境下濺鍍40秒後，以顆粒計數器測定附著於基板上的顆粒數。
[實施例1~26及比較例1~15]
製造表12及表13所示之設計組成的濺鍍靶，測定Zr濃度、維氏硬度、硬質氮化物非磁性相之平均粒徑、相對密度及顆粒數。表12及表13之設計組成中，由於Fe或Co係構成其餘部分故含量省略。例如，實施例1之Fe-51Pt-7Si
3N
4表示42Fe-51Pt-7Si
3N
4。
作為合金相的原料粉末，使用平均粒徑D50為7μm的Fe粉末、平均粒徑D50為3μm的Co粉末、平均粒徑D50為1μm的Pt粉末。作為合金相的追加元素，使用平均粒徑D50為5μm之Cu粉末、平均粒徑D50為4μm之Ag粉末、平均粒徑D50為8μm之B粉末、平均粒徑D50為10μm之Ge粉末、平均粒徑D50為15μm的Cr粉末、平均粒徑D50為13μm的Ru粉末、平均粒徑D50為13μm的Rh粉末。
作為硬質氮化物粉末，可使採用平均粒徑D50為20μm之Si
3N
4粉末、平均粒徑D50為8μm之AlN粉末、平均粒徑D50為4μm之TaN粉末、平均粒徑D50為7μm之Cr
2N粉末、平均粒徑D50為10μm之NbN粉末、平均粒徑D50為35μm之HfN粉末、平均粒徑D50為3μm之立方晶BN粉末(cBN)、平均粒徑D50為9μm之TiN粉末、平均粒徑D50為7μm之VN粉末。
作為追加的非磁性材粉末，使用平均粒徑D50為5μm之六方晶BN粉末(BN)、平均粒徑D50為5μm之B
2O
3粉末、平均粒徑D50為5μm之C粉末、平均粒徑D50為1μm之SiO
2粉末。
關於實施例1~26，將以成為表12所示之設計組成之方式秤量之各原料粉末與4kg的氧化鋯球一起投入攪拌磨機，以100rpm的旋轉數攪拌混合4小時而得到之混合粉末以66MPa之燒結壓力以表12所示之燒結溫度予以燒結。表12中空欄表示未添加。
關於比較例1~15，將以成為表13所示之設計組成之方式秤量之各原料粉末與4kg的氧化鋯球一起投入攪拌磨機中，以表13所示之攪拌條件下攪拌混合獲得之混合粉末以66MPa之燒結壓力以表13所示之燒結溫度予以燒結。表13中空欄表示未添加。
測定所得燒結體之相對密度後，加工為濺鍍靶，測定Zr濃度、硬質氮化物之平均粒徑、維氏硬度及顆粒數。結果示於表14及15。Zr濃度與顆粒數之關係示於圖1，維氏硬度與顆粒數之關係示於圖2。
由表14~15及圖1可知Zr濃度為2000ppm以上，顆粒數較多而為2000個以上，但Zr濃度為1000ppm以下，顆粒數減少，特別是Zr濃度為300ppm以下顆粒數較少而未達400個。且，由表14~15及圖2可知維氏硬度Hv為600以上時顆粒數較多而為2000個以上，但維氏硬度Hv在200~600範圍內顆粒數較少而未達400個。
實施例1~26之濺鍍靶的硬質氮化物粒子的平均粒徑之測定雖可於倍率500~3000下進行，但比較例1~15之濺鍍靶的硬質氮化物粒子的平均粒徑之測定必須提高到10000倍。由表14及15可知實施例1~26之硬質氮化物的平均粒徑落於1.3μm~12.8μm之範圍，比較例1~15之硬質氮化物的平均粒徑為0.3~0.9μm範圍之微細粒子。
圖3係實施例1之濺鍍靶的組織之SEM觀察照片(倍率1000)，圖4係實施例2之濺鍍靶的組織之SEM觀察照片(倍率1000)，圖5係比較例2之濺鍍靶的組織之SEM觀察照片(倍率1000)。藉由EPMA分析，於圖中，確認黑色粒子為硬質氮化物粒子，白~灰色為合金相。比較圖3與圖5時，可知比較例2(圖5)的白色合金相及黑色顆粒比實施例1(圖3)更微細分散。由圖4可知比較大的硬質氮化物粒子與合金相均質分散。
由表14~15及圖3~5可知，相較於用以往方法製造之比較例的濺鍍靶，以本發明之製造方法製造的濺鍍靶雖硬質氮化物粒子比較大，但非磁性相與合金相均質分散。
[圖1]係顯示實施例及比較例之濺鍍靶中的Zr濃度與顆粒數之關係的圖表。
[圖2]係顯示實施例及比較例之濺鍍靶中維氏硬度與顆粒數之關係的圖表。
[圖3]係實施例1之濺鍍靶之組織的SEM觀察照片(倍率1000)。
[圖4]係實施例2之濺鍍靶之組織的SEM觀察照片(倍率1000)。
[圖5]係比較例2之濺鍍靶之組織的SEM觀察照片(倍率1000)。
Claims (10)
- 一種含有硬質氮化物之濺鍍靶，其特徵係由包含Fe或Co之合金相，與包含選自AlN、BN、Cr2N、Si3N4、HfN、NbN、TaN、TiN、VN及該等之任意組合中之硬質氮化物的非磁性相所成，以金屬Zr測定時之Zr雜質濃度限制於1000ppm以下，於3kgf之荷重條件下測定之維氏(Vickers)硬度Hv為200以上600以下。
- 如請求項1之含有硬質氮化物之濺鍍靶，其中前述Zr雜質濃度限制於500ppm以下。
- 如請求項1或2之含有硬質氮化物之濺鍍靶，其中前述非磁性相滿足下述之至少1者：將倍率500之EPMA面分析之觀察視野180μm×180μm進行圖像解析求出之平均粒徑為4μm以上20μm以下；將倍率1000之EPMA面分析之觀察視野90μm×90μm進行圖像解析求出之平均粒徑為2μm以上20μm以下；及將倍率3000之EPMA面分析之觀察視野30μm×30μm進行圖像解析求出之平均粒徑為1μm以上20μm以下。
- 如請求項1或2之含有硬質氮化物之濺鍍靶，其中前述濺鍍靶中之前述非磁性相之含量為5mol%以上50mol%以下。
- 如請求項1或2之含有硬質氮化物之濺鍍 靶，其中前述非磁性相進而包含選自C、B2O3及SiO2中之1種以上。
- 如請求項1或2之含有硬質氮化物之濺鍍靶，其中前述合金相包含0mol%以上60mol%以下之Pt。
- 如請求項1或2之含有硬質氮化物之濺鍍靶，其中前述合金相進而包含選自Ag、Au、Cr、Cu、Ge、Ir、Ni、Pd、Rh、Ru及B中之1種以上的元素。
- 一種製造含有硬質氮化物之濺鍍靶之方法，該含有硬質氮化物之濺鍍靶特徵係由包含Fe或Co之合金相，與包含選自AlN、BN、Cr2N、Si3N4、HfN、NbN、TaN、TiN、VN及該等之任意組合中之硬質氮化物的非磁性相所成，以金屬Zr測定時之Zr雜質濃度限制於1000ppm以下，於3kgf之荷重條件下測定之維氏硬度Hv為200以上600以下，該方法之特徵係包含使用氧化鋯球磨機以50rpm以上150rpm以下之旋轉數，將構成前述合金相及前述非磁性相之原料粉末混合2小時以上6小時以下，調製混合粉末，將前述混合粉末燒結。
- 如請求項8之製造含有硬質氮化物之濺鍍靶之方法，其中構成前述合金相之原料粉末係各原料之金屬粉末或Fe系或Co系之霧化合金粉末。
- 如請求項8或9之製造含有硬質氮化物之濺鍍靶之方法，其中構成前述非磁性相之原料粉末包含平均粒徑D50為1μm以上40μm以下之硬質氮化物粉末。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021146224A JP2023039187A (ja) | 2021-09-08 | 2021-09-08 | 硬質窒化物含有スパッタリングターゲット |
| JP2021-146224 | 2021-09-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202317793A TW202317793A (zh) | 2023-05-01 |
| TWI825922B true TWI825922B (zh) | 2023-12-11 |
Family
ID=85507497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111130765A TWI825922B (zh) | 2021-09-08 | 2022-08-16 | 含有硬質氮化物之濺鍍靶及製造含有硬質氮化物之濺鍍靶之方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2023039187A (zh) |
| CN (1) | CN117980526A (zh) |
| TW (1) | TWI825922B (zh) |
| WO (1) | WO2023037810A1 (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201512418A (zh) * | 2013-05-13 | 2015-04-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 磁性薄膜形成用濺鍍靶 |
| TW201641727A (zh) * | 2015-03-04 | 2016-12-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 磁性材濺鍍靶及其製造方法 |
| TW201812063A (zh) * | 2016-09-12 | 2018-04-01 | 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 | 強磁性材濺鍍靶 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5155565B2 (ja) * | 2007-01-04 | 2013-03-06 | 三井金属鉱業株式会社 | ＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP5375707B2 (ja) * | 2010-03-28 | 2013-12-25 | 三菱マテリアル株式会社 | 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP5969786B2 (ja) * | 2012-03-21 | 2016-08-17 | 株式会社コベルコ科研 | ＬｉＣｏＯ２焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにその製造方法 |
| JP2019073798A (ja) * | 2017-10-11 | 2019-05-16 | 三菱マテリアル株式会社 | Ｚｎ−Ｂｉ含有酸化物スパッタリングターゲット、Ｚｎ−Ｂｉ含有酸化物スパッタリングターゲットの製造方法、及び、赤外光学用薄膜の製造方法 |
-
2021
- 2021-09-08 JP JP2021146224A patent/JP2023039187A/ja active Pending
-
2022
- 2022-08-08 CN CN202280059213.4A patent/CN117980526A/zh active Pending
- 2022-08-08 WO PCT/JP2022/030289 patent/WO2023037810A1/ja active Application Filing
- 2022-08-16 TW TW111130765A patent/TWI825922B/zh active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201512418A (zh) * | 2013-05-13 | 2015-04-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 磁性薄膜形成用濺鍍靶 |
| TW201641727A (zh) * | 2015-03-04 | 2016-12-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 磁性材濺鍍靶及其製造方法 |
| TW201812063A (zh) * | 2016-09-12 | 2018-04-01 | 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 | 強磁性材濺鍍靶 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117980526A (zh) | 2024-05-03 |
| JP2023039187A (ja) | 2023-03-20 |
| WO2023037810A1 (ja) | 2023-03-16 |
| TW202317793A (zh) | 2023-05-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI482867B (zh) | Non - magnetic Particle Dispersive Type Strong Magnetic Sputtering Target | |
| TWI494453B (zh) | Ferromagnetic material sputtering target | |
| CN103270554B (zh) | 分散有C粒子的Fe-Pt型溅射靶 | |
| CN103038388B (zh) | 强磁性材料溅射靶 | |
| CN103080368B (zh) | 强磁性材料溅射靶 | |
| CN104221085B (zh) | 磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法 | |
| TWI435945B (zh) | Reduced Particle Generation of Strong Magnetic Sputtering Target | |
| TWI534285B (zh) | Non - magnetic material dispersion - type sputtering target | |
| JP6285043B2 (ja) | 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| CN104169458B (zh) | 分散有C颗粒的Fe‑Pt‑Ag‑C基溅射靶及其制造方法 | |
| CN104081458B (zh) | Co‑Cr‑Pt 系溅射靶及其制造方法 | |
| JP6359622B2 (ja) | Ｃｏ又はＦｅを含有するスパッタリングターゲット | |
| JP6084711B2 (ja) | 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP6881643B2 (ja) | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及び磁性薄膜 | |
| WO2020261702A1 (ja) | Ｆｅ－Ｐｔ－ＢＮ系スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| TWI825922B (zh) | 含有硬質氮化物之濺鍍靶及製造含有硬質氮化物之濺鍍靶之方法 | |
| CN104126026A (zh) | 含有铬氧化物的强磁性材料溅射靶 | |
| CN108699677B (zh) | 磁记录介质用溅射靶以及磁性薄膜 | |
| US20210040602A1 (en) | C-containing sputtering target and method for producing same | |
| WO2021010019A1 (ja) | Ｆｅ－Ｐｔ－ＢＮ系スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP6873087B2 (ja) | 安定的に放電可能なスパッタリングターゲット | |
| WO2022034873A1 (ja) | Ｆｅ－Ｐｔ－ＢＮ系スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| TW202405197A (zh) | Ｃｏ－Ｃｒ－Ｐｔ－氧化物系濺鍍靶 | |
| JP6475526B2 (ja) | 強磁性材スパッタリングターゲット |