CN104126026A - 含有铬氧化物的强磁性材料溅射靶 - Google Patents

含有铬氧化物的强磁性材料溅射靶 Download PDF

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Abstract

一种强磁性材料溅射靶，其含有基体相和至少包含铬氧化物的氧化物相，所述基体相包含钴；或钴、铬；或钴、铂；或钴、铬、铂，其特征在于，含有合计为10重量ppm以上且3000重量ppm以下的Y、Mg、Al中的任意一种以上元素，相对密度为97％以上。本发明的课题是提供保持高密度、并且使氧化物相颗粒均匀地微细化、粉粒产生少的含有铬氧化物的强磁性材料溅射靶。

Description

含有铬氧化物的强磁性材料溅射靶
技术领域
本发明涉及磁记录介质的磁性体薄膜、特别是采用垂直磁记录方式的硬盘的磁记录层的成膜中使用的强磁性材料溅射靶，并且涉及能够抑制溅射时的粉粒产生的溅射靶。
背景技术
在以硬盘驱动器为代表的磁记录领域，作为磁记录介质中的磁性薄膜的材料，使用以作为强磁性金属的Co、Fe或Ni为基质的材料。近年来，在采用实用化的垂直磁记录方式的硬盘的记录层中，使用包含以Co为主要成分的Co-Cr基或Co-Cr-Pt基强磁性合金与非磁性无机物的复合材料。
从生产率高的观点考虑，硬盘等磁记录介质的磁性薄膜多数情况下是用以上述材料作为成分的强磁性材料溅射靶进行溅射来制作。用作外部记录装置的硬盘驱动器逐年要求增加记录密度，随着记录密度提高，强烈要求减少溅射时所产生的粉粒。
例如，在专利文献1、2、3中记载了包含钴基金属的磁性相和金属氧化物的非磁性相的溅射靶，其通过使氧化物相的颗粒微细化，由此减少溅射时的粉粒和电弧放电的产生。
但是，铬氧化物难以烧结，因此若使铬氧化物充分烧结，则有时铬氧化物以外的成分发生晶粒生长，如果用由于该晶粒生长而形成有粗大组织的靶进行溅射，则存在粉粒产生增加的问题。另一方面，如果为了抑制这样的晶粒生长而抑制烧结，则靶的密度降低，同样存在粉粒产生增加的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009-215617号公报
专利文献2：国际公开第2007/080781号公报
专利文献3：日本专利第4837801号公报
发明内容
发明所要解决的问题
通常，通过磁控溅射装置用强磁性材料溅射靶进行溅射时，存在如下问题：溅射时产生由氧化物相引起的粉粒和电弧放电。
为了解决该问题，考虑通过使氧化物相颗粒微细化，由此使该颗粒均匀分散在溅射靶材内。但是，由于铬氧化物是难以烧结的材料，因此难以在保持高密度的状态下，使包含铬氧化物相的氧化物相的颗粒均匀地微细化。
鉴于上述问题，本发明的课题是提供保持高密度、并且使氧化物相颗粒均匀地微细化、粉粒产生少的含有铬氧化物的强磁性材料溅射靶。
用于解决问题的手段
为了解决上述课题，本发明人进行了深入研究，结果发现：通过含有Y、Mg、Al，它们抑制氧化物相的晶粒生长，从而能够得到使氧化物相颗粒均匀地微细化的高密度的强磁性材料溅射靶。
基于上述发现，本发明提供：
1)一种强磁性材料溅射靶，其含有基体相和氧化物相，所述基体相包含钴；或钴、铬；或钴、铂；或钴、铬、铂构成，所述氧化物相至少包含合计为5摩尔％以上且25摩尔％以下的铬氧化物和Si、Ti中任意一种以上的金属氧化物，其特征在于，含有合计为10重量ppm以上且3000重量ppm以下的Y、Mg、Al中的任意一种以上元素，相对密度为97％以上；
2)如上述1)所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，以Cr2O3换算含有0.5摩尔％以上且10摩尔％以下的铬氧化物；
3)如上述1)或2)所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，氧化物相的平均颗粒尺寸为3μm2/颗粒以下。
发明效果
如此，通过含有规定量的钇(Y)、Mg(镁)、Al(铝)，能够得到高密度的强磁性材料溅射靶。并且，如此调节后的溅射靶具有在溅射时能够减少电弧放电和粉粒产生这样优良的效果。
具体实施方式
构成本发明的强磁性材料溅射靶的主要成分是钴(Co)、钴(Co)和铬(Cr)、钴(Co)和铂(Pt)、或者钴(Co)、铬(Cr)和铂(Pt)的金属。
它们是作为磁记录介质必要的成分，配合比例只要在能够保持有效的作为磁记录介质的特性的范围内就没有特别限制。通常使用按照Co：50摩尔％以上；或Cr：1～50摩尔％、余量为Co；或Pt：5～30摩尔％、余量为Co；或Cr：1～50摩尔％、Pt：5～30摩尔％、余量为Co的比例配合而成的材料。
另外，除了上述金属以外，还可以以钌(Ru)、硼(B)作为成分。
在本申请发明中，重要的是含有铬氧化物和Si、Ti中的任意一种以上的金属氧化物作为氧化物相，并且含有合计为10重量ppm以上且3000重量ppm以下的Y、Mg、Al中的任意一种以上元素。在这样的含有铬氧化物和Si、Ti中的任意一种以上的金属氧化物的靶中，含有Y、Mg、Al时，其能够抑制氧化物相等的晶粒生长，因此能够在保持高密度的状态下抑制组织的粗大化。
另外，在本申请发明中，为了得到作为磁记录介质的优良的特性，Si、Ti的金属氧化物特别有用，但是通过含有Ta、B的金属氧化物，也能够同样地得到效果。
上述金属氧化物的合计小于5摩尔％时，难以保持颗粒状结构，大于25摩尔％时，难以调节氧化物粒径。
另外，优选含有合计为10重量ppm以上且3000重量ppm以下的上述Y、Mg、Al中的任意一种以上元素。这是因为：小于10重量ppm时，氧化物相颗粒发生晶粒生长，大于3000重量ppm时，不仅得不到所期望的磁特性，而且粉粒特性也会变差。
在本发明中，只要含有合计为10重量ppm以上且3000重量ppm以下的Y、Mg、Al中的任意一种以上元素即可，对于含有的方法没有特别限制。
本发明的强磁性材料溅射靶优选相对密度为97％以上。通常已知越是高密度的靶则越能够减少溅射时所产生的粉粒的量。此处的相对密度是指用靶的实测密度除以计算密度(也称作理论密度)而求得的值。
在本发明中，以Cr2O3换算含有0.5摩尔％以上且10摩尔％以下的铬氧化物是有效的。铬氧化物大于10摩尔％时，难以调节氧化物的粒径。
本发明的强磁性材料溅射靶中，氧化物相的平均颗粒尺寸为3μm2/颗粒以下是有效的。平均颗粒尺寸(直径)通过如下所述求出：在能够辨别100个以上氧化物颗粒程度的倍率的图像中，通过图像处理计算出每个颗粒面积，并计算总颗粒面积/总颗粒数而求出。氧化物相的平均颗粒尺寸大于3μm2/颗粒时，粉粒量增加，因此不优选。
另外，在本发明中，可以还含有合计为100重量ppm以上且15000重量ppm以下的Zr、W中的任意一种以上元素。这样的Zr、W发挥类似于烧结助剂的作用，由此能够降低烧结温度，因而能够在保持高密度的状态下抑制组织的粗大化。
本发明的强磁性材料溅射靶通过粉末冶金法来制作。
首先，准备各金属元素的粉末和各氧化物的粉末。这些金属粉末优选使用平均粒径为20μm以下的粉末。另外，也可以准备这些金属的合金粉末代替各金属元素的粉末，这种情况下也优选平均粒径为20μm以下。另一方面，平均粒径若过小，存在促进氧化而成分组成不落入范围内等问题，因此优选设定为0.1μm以上。氧化物粉末可以使用平均粒径为5μm以下的粉末、更优选使用1μm以下的粉末。
并且，称量这些金属粉末和氧化物粉末使得达到所期望的组成，使用球磨机等公知手段的方法粉碎的同时进行混合。
接着，准备Y2O3粉末、MgO粉末、Al2O3粉末。这些粉末优选使用平均粒径为5μm以下的粉末。另一方面，平均粒径若过小，则容易凝聚，因此优选使用平均粒径为0.1μm以上的粉末。将上述粉末添加到金属粉末和氧化物粉末的混合粉末中，进行粉碎混合。此时也可以将添加成分的氧化物粉末和Cr2O3粉末事先进行混合、煅烧后，使用粉碎后的粉末作为原料。
考虑到混合中的氧化问题，优选在惰性气体气氛中或者真空中进行混合。另外，混合优选粉碎混合至这些粉末的平均粒径为1μm以下。
将如此得到的粉末使用真空热压装置进行成形/烧结，切削加工成所期望的形状，由此制作出本发明的强磁性材料溅射靶。另外，成形/烧结并不限于热压，也可以使用放电等离子体烧结、热等静压烧结法。烧结时的保持温度优选设定为靶充分致密化的温度范围中的最低温度。虽然因靶组成而不同，多数情况下处于800～1200℃的温度范围。
实施例
以下基于实施例和比较例进行说明。需要说明的是，本实施例只是一例，并不受该例任何限制。即，本发明只受权利要求书限制，其包括本发明所含的实施例以外的各种变形。
(实施例1)
准备平均粒径为6μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末、平均粒径为9μm的Pt粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为0.5μm的SiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末作为氧化物原料粉末。
接着，为了使靶组成为Co-10Cr-20Pt-0.5Cr2O3-10SiO2，首先，称量作为氧化物原料粉末的Cr2O3粉末和SiO2粉末并进行混合使得达到上述组成。在该混合粉末中进一步添加相当于上述组成中0.0005摩尔％量的Y2O3粉末，在大气中在1000℃进行煅烧后，利用湿式球磨机粉碎至平均粒径为1μm以下。接着，称量所得到的混合粉末和金属原料粉末并进行混合使得达到上述组成，在惰性气氛中，利用干式球磨机粉碎至平均粒径为1μm以下。
然后，将该粉碎混合粉填充至碳制模具中，在真空气氛中、温度1050℃、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压，从而得到烧结体。利用车床对该烧结体进行切削加工，从而得到了直径为180mm、厚度为7mm的圆盘状靶。
如表1所示，靶的相对密度为98.5％，得到了高密度靶。另外，对靶的组织进行观察，结果氧化物相的平均颗粒尺寸为1.4μm2/颗粒，为微细的颗粒。另外，对从靶中取得的样品进行组成分析，结果确认Y量相对于成分总量为10重量ppm。另外，对靶进行溅射评价，结果良好，粉粒数为5个。
(实施例2)
准备平均粒径为6μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末、平均粒径为9μm的Pt粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为0.5μm的SiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末作为氧化物原料粉末。
接着，称量原料粉末并进行混合使得靶组成为Co-10Cr-20Pt-0.5Cr2O3-10SiO2。在所得到的混合粉末中进一步添加0.024摩尔％的Y2O3粉末，在惰性气氛中，粉碎至平均粒径为1μm以下。
然后，将该粉碎混合粉填充至碳制模具中，在真空气氛中、温度1050℃、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压，从而得到烧结体。利用车床对该烧结体进行切削加工，从而得到了直径为180mm、厚度为7mm的圆盘状靶。
如表1所示，靶的相对密度为98.1％，得到了高密度靶。另外，对靶的组织进行观察，结果氧化物相的平均颗粒尺寸为1.2μm2/颗粒，为微细的颗粒。另外，对从靶中取得的样品进行组成分析，结果确认Y量相对于成分总量为500重量ppm。另外，对靶进行溅射评价，结果良好，粉粒数为2个。
(实施例3)
准备平均粒径为6μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末、平均粒径为9μm的Pt粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为0.5μm的SiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末作为氧化物原料粉末。
接着，称量原料粉末并进行混合使得靶组成为Co-10Cr-20Pt-5Cr2O3-10SiO2。在所得到的混合粉末中进一步添加0.15摩尔％的Y2O3粉末，在惰性气氛中，粉碎至平均粒径为1μm以下。
然后，将该粉碎混合粉填充至碳制模具中，在真空气氛中、温度1050℃、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压，从而得到烧结体。利用车床对该烧结体进行切削加工，从而得到了直径为180mm、厚度为7mm的圆盘状靶。
如表1所示，靶的相对密度为97.7％，得到了高密度靶。另外，对靶的组织进行观察，结果氧化物相的平均颗粒尺寸为3.0μm2/颗粒，为微细的颗粒。另外，对从靶中取得的样品进行组成分析，结果确认Y量相对于成分总量为3000重量ppm。另外，对靶进行溅射评价，结果良好，粉粒数为12个。
(实施例4)
准备平均粒径为6μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为2μm的TiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末作为氧化物原料粉末。
接着，称量原料粉末并进行混合使得靶组成为Co-10Cr-5Cr2O3-5TiO2。在所得到的混合粉末中进一步添加0.0012摩尔％的Al2O3粉末，在惰性气氛中，粉碎至平均粒径为1μm以下。
然后，将该粉碎混合粉填充至碳制模具中，在真空气氛中、温度1100℃、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压，从而得到烧结体。利用车床对该烧结体进行切削加工，从而得到了直径为180mm、厚度为7mm的圆盘状靶。
如表1所示，靶的相对密度为98.9％，得到了高密度靶。另外，对靶的组织进行观察，结果氧化物相的平均颗粒尺寸为1.7μm2/颗粒，为微细的颗粒。另外，对从靶中取得的样品进行组成分析，结果确认Al量相对于成分总量为10重量ppm。另外，对靶进行溅射评价，结果良好，粉粒数为7个。
(实施例5)
准备平均粒径为6μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为2μm的TiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末作为氧化物原料粉末。
接着，称量原料粉末并进行混合使得靶组成为Co-10Cr-5Cr2O3-5TiO2。在所得到的混合粉末中进一步添加0.059摩尔％的Al2O3粉末，在惰性气氛中，粉碎至平均粒径为1μm以下。
然后，将该粉碎混合粉填充至碳制模具中，在真空气氛中、温度1100℃、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压，从而得到烧结体。利用车床对该烧结体进行切削加工，从而得到了直径为180mm、厚度为7mm的圆盘状靶。
如表1所示，靶的相对密度为98.1％，得到了高密度靶。另外，对靶的组织进行观察，结果氧化物相的平均颗粒尺寸为1.2μm2/颗粒，为微细的颗粒。另外，对从靶中取得的样品进行组成分析，结果确认Al量相对于成分总量为500重量ppm。另外，对靶进行溅射评价，结果良好，粉粒数为3个。
(实施例6)
准备平均粒径为6μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为2μm的TiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末作为氧化物原料粉末。
接着，称量原料粉末并进行混合使得靶组成为Co-10Cr-5Cr2O3-5TiO2。在所得到的混合粉末中进一步添加0.36摩尔％的Al2O3粉末，在惰性气氛中，粉碎至平均粒径为1μm以下。
然后，将该粉碎混合粉填充至碳制模具中，在真空气氛中、温度1100℃、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压，从而得到烧结体。利用车床对该烧结体进行切削加工，从而得到了直径为180mm、厚度为7mm的圆盘状靶。
如表1所示，靶的相对密度为97.9％，得到了高密度靶。另外，对靶的组织进行观察，结果氧化物相的平均颗粒尺寸为1.4μm2/颗粒，为微细的颗粒。另外，对从靶中取得的样品进行组成分析，结果确认Al量相对于成分总量为3000重量ppm。另外，对靶进行溅射评价，结果良好，粉粒数为7个。
(实施例7)
准备平均粒径为6μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为2μm的TiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末作为氧化物原料粉末。
接着，称量原料粉末并进行混合使得靶组成为Co-10Cr-5Cr2O3-5TiO2。在所得到的混合粉末中进一步添加0.003摩尔％的MgO粉末，在惰性气氛中，粉碎至平均粒径为1μm以下。
然后，将该粉碎混合粉填充至碳制模具中，在真空气氛中、温度1100℃、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压，从而得到烧结体。利用车床对该烧结体进行切削加工，从而得到了直径为180mm、厚度为7mm的圆盘状靶。
如表1所示，靶的相对密度为99.5％，得到了高密度靶。另外，对靶的组织进行观察，结果氧化物相的平均颗粒尺寸为2.6μm2/颗粒，为微细的颗粒。另外，对从靶中取得的样品进行组成分析，结果确认Mg量相对于成分总量为10重量ppm。另外，对靶进行溅射评价，结果良好，粉粒数为10个。
(实施例8)
准备平均粒径为6μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为2μm的TiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末作为氧化物原料粉末。
接着，称量原料粉末并进行混合使得靶组成为Co-10Cr-5Cr2O3-5TiO2。在所得到的混合粉末中进一步添加0.13摩尔％的MgO粉末，在惰性气氛中，粉碎至平均粒径为1μm以下。
然后，将该粉碎混合粉填充至碳制模具中，在真空气氛中、温度1100℃、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压，从而得到烧结体。利用车床对该烧结体进行切削加工，从而得到了直径为180mm、厚度为7mm的圆盘状靶。
如表1所示，靶的相对密度为98.9％，得到了高密度靶。另外，对靶的组织进行观察，结果氧化物相的平均颗粒尺寸为1.8μm2/颗粒，为微细的颗粒。另外，对从靶中取得的样品进行组成分析，结果确认Mg量相对于成分总量为500重量ppm。另外，对靶进行溅射评价，结果良好，粉粒数为7个。
(实施例9)
准备平均粒径为6μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为2μm的TiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末作为氧化物原料粉末。
接着，称量原料粉末并进行混合使得靶组成为Co-10Cr-5Cr2O3-5TiO2。在所得到的混合粉末中进一步添加0.79摩尔％的MgO粉末，在惰性气氛中，粉碎至平均粒径为1μm以下。
然后，将该粉碎混合粉填充至碳制模具中，在真空气氛中、温度1100℃、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压，从而得到烧结体。利用车床对该烧结体进行切削加工，从而得到了直径为180mm、厚度为7mm的圆盘状靶。
如表1所示，靶的相对密度为98.9％，得到了高密度靶。另外，对靶的组织进行观察，结果氧化物相的平均颗粒尺寸为2.1μm2/颗粒，为微细的颗粒。另外，对从靶中取得的样品进行组成分析，结果确认Mg量相对于成分总量为3000重量ppm。另外，对靶进行溅射评价，结果良好，粉粒数为9个。
(实施例10)
准备平均粒径为6μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为0.5μm的SiO2粉末、平均粒径为2μm的TiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末作为氧化物原料粉末。
接着，称量原料粉末并进行混合使得靶组成为Co-10Cr-3SiO2-3Cr2O3-3TiO2。在所得到的混合粉末中进一步添加0.011摩尔％的Al2O3粉末、0.003摩尔％的Y2O3粉末，在惰性气氛中，粉碎至平均粒径为1μm以下。
然后，将该粉碎混合粉填充至碳制模具中，在真空气氛中、温度1100℃、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压，从而得到烧结体。利用车床对该烧结体进行切削加工，从而得到了直径为180mm、厚度为7mm的圆盘状靶。
如表1所示，靶的相对密度为98.5％，得到了高密度靶。另外，对靶的组织进行观察，结果氧化物相的平均颗粒尺寸为1.5μm2/颗粒，为微细的颗粒。另外，对从靶中取得的样品进行组成分析，结果确认Al量相对于成分总量为100重量ppm、Y量相对于成分总量为100重量ppm。另外，对靶进行溅射评价，结果良好，粉粒数为5个。
(实施例11)
准备平均粒径为6μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为2μm的TiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末作为氧化物原料粉末。
接着，称量原料粉末并进行混合使得靶组成为Co-10Cr-10Cr2O3-5TiO2。在所得到的混合粉末中进一步添加0.1摩尔％的Y2O3粉末，在惰性气氛中，粉碎至平均粒径为1μm以下。
然后，将该粉碎混合粉填充至碳制模具中，在真空气氛中、温度1100℃、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压，从而得到烧结体。利用车床对该烧结体进行切削加工，从而得到了直径为180mm、厚度为7mm的圆盘状靶。
如表1所示，靶的相对密度为97.5％，对靶的组织进行观察，结果氧化物相的平均颗粒尺寸为2.4μm2/颗粒，另外，对从靶中取得的样品进行组成分析，结果确认Y量相对于成分总量为3000重量ppm。另外，对靶进行溅射评价，结果良好，粉粒数为10个。
(实施例12)
准备平均粒径为6μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为2μm的TiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末作为氧化物原料粉末。
接着，称量原料粉末并进行混合使得靶组成为Co-10Cr-5Cr2O3-20TiO2。在所得到的混合粉末中进一步添加0.1摩尔％的Y2O3粉末，在惰性气氛中，粉碎至平均粒径为1μm以下。
然后，将该粉碎混合粉填充至碳制模具中，在真空气氛中、温度1100℃、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压，从而得到烧结体。利用车床对该烧结体进行切削加工，从而得到了直径为180mm、厚度为7mm的圆盘状靶。
如表1所示，靶的相对密度为99.3％，对靶的组织进行观察，结果氧化物相的平均颗粒尺寸为2.8μm2/颗粒，另外，对从靶中取得的样品进行组成分析，结果确认Y量相对于成分总量为3000重量ppm。另外，对靶进行溅射评价，结果良好，粉粒数为15个。
(实施例13)
准备平均粒径为6μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为2μm的TiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末、平均粒径为5μm的B2O3粉末作为氧化物原料粉末。
接着，称量原料粉末并进行混合使得靶组成为Co-10Cr-5Cr2O3-5TiO2-2B2O3。在所得到的混合粉末中进一步添加0.03摩尔％的Y2O3粉末，在惰性气氛中，粉碎至平均粒径为1μm以下。
然后，将该粉碎混合粉填充至碳制模具中，在真空气氛中、温度1000℃、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压，从而得到烧结体。利用车床对该烧结体进行切削加工，从而得到了直径为180mm、厚度为7mm的圆盘状靶。
如表1所示，靶的相对密度为97.8％，对靶的组织进行观察，结果氧化物相的平均颗粒尺寸为1.5μm2/颗粒，另外，对从靶中取得的样品进行组成分析，结果确认Y量相对于成分总量为700重量ppm。另外，对靶进行溅射评价，结果良好，粉粒数为8个。
(实施例14)
准备平均粒径为6μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为2μm的TiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末、平均粒径为5μm的CoO粉末作为氧化物原料粉末。
接着，称量原料粉末并进行混合使得靶组成为Co-10Cr-5Cr2O3-5TiO2-2CoO。在所得到的混合粉末中进一步添加0.03摩尔％的Y2O3粉末，在惰性气氛中，粉碎至平均粒径为1μm以下。
然后，将该粉碎混合粉填充至碳制模具中，在真空气氛中、温度1050℃、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压，从而得到烧结体。利用车床对该烧结体进行切削加工，从而得到了直径为180mm、厚度为7mm的圆盘状靶。
如表1所示，靶的相对密度为98％，对靶的组织进行观察，结果氧化物相的平均颗粒尺寸为1.6μm2/颗粒，另外，对从靶中取得的样品进行组成分析，结果确认Y量相对于成分总量为800重量ppm。另外，对靶进行溅射评价，结果良好，粉粒数为8个。
(实施例15)
准备平均粒径为6μm的Co粉末、平均粒径为9μm的Pt粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为2μm的TiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末作为氧化物原料粉末。
接着，称量原料粉末并进行混合使得靶组成为Co-15Pt-5Cr2O3-5TiO2。在所得到的混合粉末中进一步添加0.02摩尔％的Y2O3粉末，在惰性气氛中，粉碎至平均粒径为1μm以下。
然后，将该粉碎混合粉填充至碳制模具中，在真空气氛中、温度1050℃、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压，从而得到烧结体。利用车床对该烧结体进行切削加工，从而得到了直径为180mm、厚度为7mm的圆盘状靶。
如表1所示，靶的相对密度为98.2％，对靶的组织进行观察，结果氧化物相的平均颗粒尺寸为1.3μm2/颗粒，另外，对从靶中取得的样品进行组成分析，结果确认Y量相对于成分总量为500重量ppm。另外，对靶进行溅射评价，结果良好，粉粒数为5个。
(实施例16)
准备平均粒径为6μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末、平均粒径为9μm的Pt粉末、平均粒径为15μm的Ru粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为2μm的TiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末作为氧化物原料粉末。
接着，称量原料粉末并进行混合使得靶组成为Co-10Cr-15Pt-5Ru-5Cr2O3-5TiO2。在所得到的混合粉末中进一步添加0.05摩尔％的Y2O3粉末，在惰性气氛中，粉碎至平均粒径为2μm以下。
然后，将该粉碎混合粉填充至碳制模具中，在真空气氛中、温度1050℃、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压，从而得到烧结体。利用车床对该烧结体进行切削加工，从而得到了直径为180mm、厚度为7mm的圆盘状靶。
如表1所示，靶的相对密度为97.5％，对靶的组织进行观察，结果氧化物相的平均颗粒尺寸为2.0μm2/颗粒，另外，对从靶中取得的样品进行组成分析，结果确认Y量相对于成分总量为1000重量ppm。另外，对靶进行溅射评价，结果良好，粉粒数为10个。
(比较例1)
准备平均粒径为6μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末、平均粒径为9μm的Pt粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为2μm的TiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末作为氧化物原料粉末。
接着，称量原料粉末并进行混合使得靶组成为Co-10Cr-20Pt-5Cr2O3-5TiO2的方式。在比较例1中，不添加Y2O3粉末、MgO粉末、Al2O3粉末。
然后，将该粉碎混合粉填充至碳制模具中，在真空气氛中、温度1050℃、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压，从而得到烧结体。利用车床对该烧结体进行切削加工，从而得到了直径为180mm、厚度为7mm的圆盘状靶。
如表1所示，靶的相对密度为99％，对靶的组织进行观察，结果氧化物相的平均颗粒尺寸为3.6μm2/颗粒，对靶进行溅射评价，结果粉粒数多达20个。另外，对从靶中取得的样品进行组成分析，结果确认Y、Mg、Al相对于成分总量均小于10ppm(低于检测极限值)。
可见，在比较例1中，Y、Mg、Al过少，因此氧化物相颗粒发生晶粒生长，未得到所期望的粉粒特性。
(比较例2)
准备平均粒径为6μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为0.5μm的SiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末作为氧化物原料粉末。
接着，称量原料粉末并进行混合使得按照靶组成为Co-10Cr-15Cr2O3-5SiO2。在比较例2中，添加了大量铬氧化物。在所得到的混合粉末中进一步添加0.4摩尔％的Al2O3粉末，在惰性气氛中，粉碎至平均粒径为1μm以下。
然后，将该粉碎混合粉填充至碳制模具中，在真空气氛中、温度1150℃、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压，从而得到烧结体。利用车床对该烧结体进行切削加工，从而得到了直径为180mm、厚度为7mm的圆盘状靶。
如表1所示，靶的相对密度为95％，发现密度下降。另外，对靶的组织进行观察，结果氧化物相的平均颗粒尺寸为4.1μm2/颗粒，对靶进行溅射评价，结果粉粒数多达32个。另外，对从靶中取得的样品进行组成分析，结果Al量相对于成分总量为3000重量ppm。
可见，在比较例2中，由于Cr2O3量过多，因此不能抑制氧化物相颗粒的晶粒生长并提高密度，未得到所期望的粉粒特性。
(比较例3)
准备平均粒径为6μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为0.5μm的SiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末、平均粒径为2μm的TiO2粉末作为氧化物原料粉末。
接着，称量原料粉末并进行混合使得靶组成为Co-10Cr-5Cr2O3-5SiO2-20TiO2。在比较例3中，在所得到的混合粉末中添加0.11摩尔％的Y2O3粉末，在惰性气氛中，粉碎至平均粒径为1μm以下。
然后，将该粉碎混合粉填充至碳制模具中，在真空气氛中、温度1150℃、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压，从而得到烧结体。利用车床对该烧结体进行切削加工，从而得到了直径为180mm、厚度为7mm的圆盘状靶。
如表1所示，靶的相对密度为99％，发现密度下降。另外，对靶的组织进行观察，结果氧化物相的平均颗粒尺寸大至6.2μm2/颗粒，对靶进行溅射评价，结果粉粒数多达45个。另外，对从靶中取得的样品进行组成分析，结果Y量相对于成分总量为3000重量ppm。
可见，氧化物量过多时，不能抑制氧化物相颗粒的晶粒生长并提高密度，未得到所期望的粉粒特性。
(比较例4)
准备平均粒径为6μm的Co粉末、平均粒径为5μm的Cr粉末作为金属原料粉末；准备平均粒径为2μm的TiO2粉末、平均粒径为3μm的Cr2O3粉末作为氧化物原料粉末。
接着，称量原料粉末并进行混合使得靶组成为Co-10Cr-5Cr2O3-5TiO2。在比较例4中，在所得到的混合粉末中添加1.05摩尔％的MgO粉末，在惰性气氛中，粉碎至平均粒径为1μm以下。
然后，将该粉碎混合粉填充至碳制模具中，在真空气氛中、温度1100℃、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压，从而得到烧结体。利用车床对该烧结体进行切削加工，从而得到了直径为180mm、厚度为7mm的圆盘状靶。
如表1所示，靶的相对密度为98％，对靶的组织进行观察，结果氧化物相的平均颗粒尺寸大至3.8μm2/颗粒，对靶进行溅射评价，结果粉粒数多达28个。另外，对从靶中取得的样品进行组成分析，结果Mg量相对于成分总量为4000重量ppm。
可见，Mg量过多时，不仅未得到所期望的磁特性，也未得到所期望的粉粒特性。
[表1]
实施例1～16中均确认为高密度、且氧化物微细分散。可知这样的组织结构对于抑制溅射时所产生的粉粒量、提高成膜时的成品率具有非常重要的作用。
产业实用性
本发明通过在含有铬氧化物的强磁性材料溅射靶中含有Y、Mg、Al，由此能够保持高靶密度、并且能够抑制晶粒生长。因此，如果使用本发明的靶，则在利用磁控溅射装置进行溅射时能够显著降低粉粒的产生。作为磁记录介质的磁性体薄膜、特别是作为在硬盘驱动器的记录层的成膜中使用的强磁性材料溅射靶是有用的。

Claims (3)

1.一种强磁性材料溅射靶，其含有基体相和氧化物相，所述基体相包含钴；或钴、铬；或钴、铂；或钴、铬、铂，所述氧化物相至少包含合计为5摩尔％以上且25摩尔％以下的铬氧化物和Si、Ti中任意一种以上的金属氧化物，其特征在于，含有合计为10重量ppm以上且3000重量ppm以下的Y、Mg、Al中的任意一种以上元素，相对密度为97％以上。
2.如权利要求1所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，以Cr2O3换算含有0.5摩尔％以上且10摩尔％以下的铬氧化物。
3.如权利要求1或2所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，氧化物相的平均颗粒尺寸为3μm2/颗粒以下。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013125259A1 (ja) * 2012-02-23 2013-08-29 Jx日鉱日石金属株式会社 クロム酸化物を含有する強磁性材スパッタリングターゲット
JP6005767B2 (ja) * 2014-01-17 2016-10-12 Ｊｘ金属株式会社 磁性記録媒体用スパッタリングターゲット
CN104060229A (zh) * 2014-06-20 2014-09-24 贵研铂业股份有限公司 一种CoCrPt-氧化物磁记录靶材、薄膜及其制备方法
JP7317741B2 (ja) * 2020-02-07 2023-07-31 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲット、磁性膜、及びスパッタリングターゲット作製用の原料混合粉末

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1854318A (zh) * 2005-04-18 2006-11-01 黑罗伊斯有限公司 钴合金基体组合物的增强制剂
CN1952207A (zh) * 2005-04-19 2007-04-25 黑罗伊斯有限公司 含多组分氧化物的增强的溅射靶合金组合物
CN101405429A (zh) * 2006-03-31 2009-04-08 三菱麻铁里亚尔株式会社 颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法、及磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶
JP2009215617A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd コバルト、クロム、および白金からなるマトリックス相と酸化物相とを含有するスパッタリングターゲット材およびその製造方法
WO2012017952A1 (ja) * 2010-08-06 2012-02-09 田中貴金属工業株式会社 マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005083148A1 (ja) 2004-03-01 2005-09-09 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 表面欠陥の少ないスパッタリングターゲット及びその表面加工方法
WO2005093124A1 (ja) 2004-03-26 2005-10-06 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Ｃｏ-Ｃｒ-Ｐｔ-Ｂ系合金スパッタリングターゲット
US7494617B2 (en) 2005-04-18 2009-02-24 Heraeus Inc. Enhanced formulation of cobalt alloy matrix compositions
JP4727664B2 (ja) 2005-06-15 2011-07-20 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット用酸化クロム粉末及びスパッタリングターゲット
JP4553136B2 (ja) * 2005-07-29 2010-09-29 三菱マテリアル株式会社 パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット
WO2007080781A1 (ja) 2006-01-13 2007-07-19 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット
WO2007116834A1 (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Mitsubishi Materials Corporation パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法、および磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット
JP5024661B2 (ja) * 2007-03-26 2012-09-12 三菱マテリアル株式会社 パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット
JP2009197310A (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 Kobe Steel Ltd スパッタリングターゲット
CN101981224B (zh) 2008-03-28 2012-08-22 Jx日矿日石金属株式会社 非磁性材料粒子分散型强磁性材料溅射靶
JP5301531B2 (ja) 2008-04-03 2013-09-25 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 パーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット
CN102224276B (zh) 2009-03-03 2014-02-19 吉坤日矿日石金属株式会社 溅射靶及其制造方法
SG172790A1 (en) * 2009-03-27 2011-08-29 Jx Nippon Mining & Metals Corp Ferromagnetic-material sputtering target of nonmagnetic-material particle dispersion type
CN102482764B (zh) 2009-08-06 2014-06-18 吉坤日矿日石金属株式会社 无机物粒子分散型溅射靶
MY149640A (en) 2009-12-11 2013-09-13 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target comprising oxide phase dispersed in co or co alloy phase, magnetic thin film made of co or co alloy phase and oxide phase, and magnetic recording medium using the said thin film
WO2011070860A1 (ja) 2009-12-11 2011-06-16 Jx日鉱日石金属株式会社 磁性材スパッタリングターゲット
MY153939A (en) 2009-12-25 2015-04-15 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target with reduced particle generation and method of producing said target
MY149437A (en) 2010-01-21 2013-08-30 Jx Nippon Mining & Metals Corp Ferromagnetic material sputtering target
SG185768A1 (en) 2010-07-20 2013-01-30 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target of ferromagnetic material with low generation of particles
CN102482765B (zh) 2010-07-20 2014-03-26 吉坤日矿日石金属株式会社 粉粒产生少的强磁性材料溅射靶
MY165512A (en) 2010-07-29 2018-03-28 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target for magnetic recording film, and process for producing same
US20130134038A1 (en) 2010-09-03 2013-05-30 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Ferromagnetic Material Sputtering Target
TWI374444B (en) * 2010-11-05 2012-10-11 Solar Applied Mat Tech Corp Sputtering targets and recording materials for hard disk formed by the sputtering target
CN103080368B (zh) 2010-12-09 2014-08-27 吉坤日矿日石金属株式会社 强磁性材料溅射靶
US20130175167A1 (en) 2010-12-15 2013-07-11 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Ferromagnetic sputtering target and method for manufacturing same
SG188603A1 (en) 2010-12-17 2013-04-30 Jx Nippon Mining & Metals Corp Ferromagnetic material sputtering target
WO2012081340A1 (ja) 2010-12-17 2012-06-21 Jx日鉱日石金属株式会社 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法
CN103261469A (zh) 2010-12-17 2013-08-21 吉坤日矿日石金属株式会社 强磁性材料溅射靶
SG189202A1 (en) 2010-12-22 2013-05-31 Jx Nippon Mining & Metals Corp Ferromagnetic sputtering target
WO2012086388A1 (ja) 2010-12-22 2012-06-28 Jx日鉱日石金属株式会社 焼結体スパッタリングターゲット
SG10201500148WA (en) 2011-08-23 2015-03-30 Jx Nippon Mining & Metals Corp Ferromagnetic sputtering target with less particle generation

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1854318A (zh) * 2005-04-18 2006-11-01 黑罗伊斯有限公司 钴合金基体组合物的增强制剂
CN1952207A (zh) * 2005-04-19 2007-04-25 黑罗伊斯有限公司 含多组分氧化物的增强的溅射靶合金组合物
CN101405429A (zh) * 2006-03-31 2009-04-08 三菱麻铁里亚尔株式会社 颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法、及磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶
JP2009215617A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd コバルト、クロム、および白金からなるマトリックス相と酸化物相とを含有するスパッタリングターゲット材およびその製造方法
WO2012017952A1 (ja) * 2010-08-06 2012-02-09 田中貴金属工業株式会社 マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5654121B2 (ja) 2015-01-14
US9773653B2 (en) 2017-09-26
MY170298A (en) 2019-07-17
TWI582250B (zh) 2017-05-11
TW201335397A (zh) 2013-09-01
CN104126026B (zh) 2016-03-23
US20140360870A1 (en) 2014-12-11
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SG11201401899YA (en) 2014-10-30

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