JPWO2013125296A1 - クロム酸化物を含有する強磁性材スパッタリングターゲット - Google Patents
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- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 28
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 19
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 19
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 222
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 58
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract description 17
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 191
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 62
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 59
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 41
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 31
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 29
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 20
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 19
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 16
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
- H01J37/3429—Plural materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
コバルト、或いはコバルト、クロム、或いはコバルト、白金、或いはコバルト、クロム、白金からなるマトリックス相と、少なくともクロム酸化物を含む酸化物相を含有するスパッタリングターゲットであって、Ｙ、Ｍｇ、Ａｌのうちいずれか１種以上を合計で１０ｗｔｐｐｍ以上３０００ｗｔｐｐｍ以下含有し、相対密度が９７％以上であることを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲット。高密度を維持しつつ、酸化物相の粒子を一律に微細化した、パーティクルの発生の少ないクロム酸化物を含有する強磁性材スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。【選択図】なし
Description
本発明は、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特に垂直磁気記録方式を採用したハードディスクの磁気記録層の成膜に使用される強磁性材スパッタリングターゲットに関し、スパッタリングの際のパーティクル発生を抑制することができるスパッタリングターゲットに関する。
ハードディスクドライブに代表される磁気記録の分野では、磁気記録媒体中の磁性薄膜の材料として、強磁性金属であるＣｏ、Ｆｅ或いはＮｉをベースとした材料が用いられている。近年実用化された垂直磁気記録方式を採用するハードディスクの記録層には、Ｃｏを主成分とするＣｏ−Ｃｒ系やＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の強磁性合金と非磁性の無機物からなる複合材料が用いられている。
ハードディスクなどの磁気記録媒体の磁性薄膜は、生産性の高さから、上記の材料を成分とする強磁性材スパッタリングターゲットをスパッタリングして作製されることが多い。外部記録装置として使用されるハードディスクドライブは、年々記録密度の増加が求められており、記録密度上昇に伴って、スパッタリングの際発生するパーティクルを低減することが強く求められている。
例えば、特許文献１、２、３には、コバルト系金属の磁性相と金属酸化物の非磁性相とからなるスパッタリングターゲットであって、酸化物相の粒子を微細化することによって、スパッタリングの際のパーティクルやアーキングの発生を低減することが記載されている。
しかしながら、クロム酸化物は焼結し難いため、クロム酸化物を十分に焼結させると、クロム酸化物以外の成分が粒成長することがあり、この粒成長によって粗大組織となったターゲットをスパッタリングすると、パーティクルの発生が増加するという問題がある。一方、このような粒成長を抑制するために焼結を抑制すると、ターゲットの密度が低下してしまい、同様にパーティクルの発生が増加するという問題がある。
一般に、マグネトロンスパッタ装置で強磁性材スパッタリングターゲットをスパッタしようとすると、スパッタリングの際に酸化物相を起因としたパーティクルやアーキングが発生するという問題がある。
この問題を解決するために、酸化物相の粒子を微細化することで、該粒子をスパッタリングターゲット材内に均一に分散させることが考えられる。しかし、クロム酸化物は焼結し難い材料であるため、高密度を維持したまま、クロム酸化物相を含む酸化物相の粒子を一律に微細化することは困難である。
本発明は上記の問題を鑑みて、高密度を維持しつつ、酸化物相の粒子を一律に微細化した、パーティクルの発生の少ないクロム酸化物を含有する強磁性材スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
この問題を解決するために、酸化物相の粒子を微細化することで、該粒子をスパッタリングターゲット材内に均一に分散させることが考えられる。しかし、クロム酸化物は焼結し難い材料であるため、高密度を維持したまま、クロム酸化物相を含む酸化物相の粒子を一律に微細化することは困難である。
本発明は上記の問題を鑑みて、高密度を維持しつつ、酸化物相の粒子を一律に微細化した、パーティクルの発生の少ないクロム酸化物を含有する強磁性材スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、Ｙ、Ｍｇ、Ａｌを含有することにより、それらが酸化物相の粒成長を抑制して、酸化物相の粒子を一律に微細化した高密度の強磁性材スパッタリングターゲットが得られることを見出した。
このような知見に基づき、本発明は、
１）コバルト、或いはコバルト、クロム、或いはコバルト、白金、或いはコバルト、クロム、白金からなるマトリックス相と、少なくともクロム酸化物と、Ｓｉ、Ｔｉのうちいずれか１種以上の金属酸化物を合計で５ｍｏｌ％以上２５ｍｏｌ％以下含む酸化物相を含有するスパッタリングターゲットであって、Ｙ、Ｍｇ、Ａｌのうちいずれか１種以上を合計で１０ｗｔｐｐｍ以上３０００ｗｔｐｐｍ以下含有し、相対密度が９７％以上であることを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲット、
２）クロム酸化物がＣｒ２Ｏ３換算で０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下含有することを特徴とする上記１）記載の強磁性材スパッタリングターゲット、
３）酸化物相の平均粒子サイズが３μｍ２／粒子以下であることを特徴とする上記１）又は２）に記載の強磁性材スパッタリングターゲット、を提供する。
１）コバルト、或いはコバルト、クロム、或いはコバルト、白金、或いはコバルト、クロム、白金からなるマトリックス相と、少なくともクロム酸化物と、Ｓｉ、Ｔｉのうちいずれか１種以上の金属酸化物を合計で５ｍｏｌ％以上２５ｍｏｌ％以下含む酸化物相を含有するスパッタリングターゲットであって、Ｙ、Ｍｇ、Ａｌのうちいずれか１種以上を合計で１０ｗｔｐｐｍ以上３０００ｗｔｐｐｍ以下含有し、相対密度が９７％以上であることを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲット、
２）クロム酸化物がＣｒ２Ｏ３換算で０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下含有することを特徴とする上記１）記載の強磁性材スパッタリングターゲット、
３）酸化物相の平均粒子サイズが３μｍ２／粒子以下であることを特徴とする上記１）又は２）に記載の強磁性材スパッタリングターゲット、を提供する。
このように、イットリウム（Ｙ）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ａｌ（アルミニウム）を所定の量含有することにより、高密度の強磁性材スパッタリングターゲットを得ることができる。また、このように調整したスパッタリグターゲットは、スパッタリングの際にアーキングやパーティクルの発生を低減することができるという優れた効果を有する。
本発明の強磁性材スパッタリングターゲットを構成する主要成分は、コバルト（Ｃｏ）、コバルト（Ｃｏ）とクロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）と白金（Ｐｔ）、またはコバルト（Ｃｏ）とクロム（Ｃｒ）と白金（Ｐｔ）の金属である。
これらは、磁気記録媒体として必要とされる成分であり、配合割合は有効な磁気記録媒体としての特性を維持できる範囲内であれば、特に制限はない。一般には、Ｃｏ：５０ｍｏｌ％以上、またはＣｒ：１〜５０ｍｏｌ％、残部Ｃｏ、またはＰｔ：５〜３０ｍｏｌ％、残部Ｃｏ、またはＣｒ：１〜５０ｍｏｌ％、Ｐｔ：５〜３０ｍｏｌ％、残部Ｃｏの割合で配合したものが用いられる。
また、前記した金属以外にも、ルテニウム（Ｒｕ）やボロン（Ｂ）を成分とすることができる。
これらは、磁気記録媒体として必要とされる成分であり、配合割合は有効な磁気記録媒体としての特性を維持できる範囲内であれば、特に制限はない。一般には、Ｃｏ：５０ｍｏｌ％以上、またはＣｒ：１〜５０ｍｏｌ％、残部Ｃｏ、またはＰｔ：５〜３０ｍｏｌ％、残部Ｃｏ、またはＣｒ：１〜５０ｍｏｌ％、Ｐｔ：５〜３０ｍｏｌ％、残部Ｃｏの割合で配合したものが用いられる。
また、前記した金属以外にも、ルテニウム（Ｒｕ）やボロン（Ｂ）を成分とすることができる。
本願発明において重要なことは、酸化物相としてクロム酸化物と、Ｓｉ、Ｔｉのうちいずれか１種以上の金属酸化物を含み、かつ、Ｙ、Ｍｇ、Ａｌのうちいずれか１種以上を合計で１０ｗｔｐｐｍ以上３０００ｗｔｐｐｍ以下含有することである。このようなクロム酸化物と、Ｓｉ、Ｔｉのうちいずれか１種以上の金属酸化物を含有するターゲットに、Ｙ、Ｍｇ、Ａｌを含有させると、これが酸化物相などの粒成長を抑制することができるので、高密度を維持したまま、組織の粗大化を抑制することができる。
また、本願発明において、磁気記録媒体としての優れた特性を得るためにＳｉ、Ｔｉの金属酸化物が特に有用であるが、Ｔａ、Ｂの金属酸化物を含有させることによっても、同様に効果が得られる。
また、本願発明において、磁気記録媒体としての優れた特性を得るためにＳｉ、Ｔｉの金属酸化物が特に有用であるが、Ｔａ、Ｂの金属酸化物を含有させることによっても、同様に効果が得られる。
前記の金属酸化物の合計が５ｍｏｌ％未満であるとグラニュラ構造を維持し難くなり、２５ｍｏｌ％を超えると酸化物の粒子径の調整が困難となる。
また、前記のＹ、Ｍｇ、Ａｌのうちいずれか1種以上を合計で１０ｗｔｐｐｍ以上３０００ｗｔｐｐｍ以下含有させることが好ましい。１０ｗｔｐｐｍ未満であると、酸化物相の粒子が粒成長してしまい、３０００ｗｔｐｐｍを超えると、所望の磁気特性が得られないだけでなく、パーティクル特性も悪化するからである。
本発明においては、Ｙ、Ｍｇ、Ａｌのいずれか１種以上を合計で１０ｗｔｐｐｍ以上３０００ｗｔｐｐｍ以下含有されていればよく、含有させる方法については、特に問わない。
また、前記のＹ、Ｍｇ、Ａｌのうちいずれか1種以上を合計で１０ｗｔｐｐｍ以上３０００ｗｔｐｐｍ以下含有させることが好ましい。１０ｗｔｐｐｍ未満であると、酸化物相の粒子が粒成長してしまい、３０００ｗｔｐｐｍを超えると、所望の磁気特性が得られないだけでなく、パーティクル特性も悪化するからである。
本発明においては、Ｙ、Ｍｇ、Ａｌのいずれか１種以上を合計で１０ｗｔｐｐｍ以上３０００ｗｔｐｐｍ以下含有されていればよく、含有させる方法については、特に問わない。
本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、相対密度を９７％以上とすることが望ましい。一般に、高密度のターゲットほどスパッタ時に発生するパーティクルの量を低減させることができることが知られている。ここでの相対密度とは、ターゲットの実測密度を計算密度（理論密度ともいう）で割り返して求めた値である
本発明において、クロム酸化物をＣｒ２Ｏ３換算で０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下含有することが有効である。クロム酸化物が１０ｍｏｌ％を超える場合、酸化物の粒子径を調整することが困難となる。
本発明の強磁性材スパッタリングターゲットにおいて、酸化物相の平均粒子サイズが３μｍ２／粒子以下であることを有効である。平均粒子サイズ（径）は、１００個以上の酸化物粒子が判別出来る程度の倍率の画像において、それぞれの粒子面積を画像処理で算出し、総粒子面積／総粒子数を計算して求める。酸化物相の平均粒子サイズが３μｍ２／粒子を超えると、パーティクル量が増加するため好ましくない。
また、本発明において、さらに、Ｚｒ、Ｗのうちいずれか１種以上を合計で１００ｗｔｐｐｍ以上１５０００ｗｔｐｐｍ以下含有することができる。このようなＺｒやＷは焼結助剤のように作用することによって、焼結温度を低下させることができるので、高密度を維持したまま、組織の粗大化を抑制することができる。
本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは粉末冶金法によって作製される。
まず、各金属元素の粉末と各酸化物の粉末を用意する。これらの金属粉末は平均粒径が２０μｍ以下のものを用いることが望ましい。また、各金属元素の粉末の代わりにこれらの金属の合金粉末を用意してもよいが、その場合も平均粒径が２０μｍ以下とすることが望ましい。一方、小さすぎると、酸化が促進されて成分組成が範囲内に入らないなどの問題があるため、０．１μｍ以上とすることが望ましい。酸化物粉末は平均粒径が５μｍ以下、更に望ましくは１μｍ以下のものを用いるのが良い。
そして、これらの金属粉末と酸化物粉末とを所望の組成になるように秤量し、ボールミル等の公知の手段の手法を用いて粉砕を兼ねて混合する。
まず、各金属元素の粉末と各酸化物の粉末を用意する。これらの金属粉末は平均粒径が２０μｍ以下のものを用いることが望ましい。また、各金属元素の粉末の代わりにこれらの金属の合金粉末を用意してもよいが、その場合も平均粒径が２０μｍ以下とすることが望ましい。一方、小さすぎると、酸化が促進されて成分組成が範囲内に入らないなどの問題があるため、０．１μｍ以上とすることが望ましい。酸化物粉末は平均粒径が５μｍ以下、更に望ましくは１μｍ以下のものを用いるのが良い。
そして、これらの金属粉末と酸化物粉末とを所望の組成になるように秤量し、ボールミル等の公知の手段の手法を用いて粉砕を兼ねて混合する。
次に、Ｙ２Ｏ３粉末、ＭｇＯ粉末、Ａｌ２Ｏ３粉末を用意する。これらの粉末は平均粒径５μｍ以下のものを用いることが望ましい。一方、小さすぎると凝集しやすくなるため、平均粒径０．１μｍ以上のものを用いることが望ましい。この粉末を金属粉末と酸化物粉末との混合粉末に添加して、粉砕混合する。このとき添加成分の酸化物粉末とＣｒ２Ｏ３粉末を事前に混合し、仮焼した後、粉砕した粉末を原料として使用することもできる。
混合中の酸化の問題を考慮すると、不活性ガス雰囲気中あるいは真空中で混合することが好ましい。また、混合はこれらの粉末の平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕混合することが好ましい。
混合中の酸化の問題を考慮すると、不活性ガス雰囲気中あるいは真空中で混合することが好ましい。また、混合はこれらの粉末の平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕混合することが好ましい。
このようにして得られた粉末を、真空ホットプレス装置を用いて成型・焼結し、所望の形状へ切削加工することで、本発明の強磁性材スパッタリングターゲットが作製される。なお、成形・焼結は、ホットプレスに限らず、プラズマ放電焼結、熱間静圧焼結法を使用することもできる。焼結時の保持温度はターゲットが十分に緻密化する温度域のうち最も低い温度に設定するのが好ましい。ターゲット組成にもよるが、多くの場合、８００〜１２００℃の温度範囲にある。
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。
（実施例１）
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径９μｍのＰｔ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径０．５μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−２０Ｐｔ−０．５Ｃｒ２Ｏ３−１０ＳｉＯ２となるように、まず、酸化物原料粉末であるＣｒ２Ｏ３粉末とＳｉＯ２粉末を前記の組成となるように秤量して混合した。この混合粉末にさらにＹ２Ｏ３粉末を前記の組成で０．０００５ｍｏｌ％に相当する分を添加して、大気中１０００℃で仮焼した後、平均粒径が１μｍ以下となるまで湿式ボールミルで粉砕した。次に、得られた混合粉末と金属原料粉末を前記の組成となるように秤量混合して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで乾式ボールミルで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９８．５％であり、高密度なターゲットが得られた。また、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは１．４μｍ２／粒子であり、微細な粒子であった。また、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＹ量は１０ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は５個と良好であった。
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径９μｍのＰｔ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径０．５μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−２０Ｐｔ−０．５Ｃｒ２Ｏ３−１０ＳｉＯ２となるように、まず、酸化物原料粉末であるＣｒ２Ｏ３粉末とＳｉＯ２粉末を前記の組成となるように秤量して混合した。この混合粉末にさらにＹ２Ｏ３粉末を前記の組成で０．０００５ｍｏｌ％に相当する分を添加して、大気中１０００℃で仮焼した後、平均粒径が１μｍ以下となるまで湿式ボールミルで粉砕した。次に、得られた混合粉末と金属原料粉末を前記の組成となるように秤量混合して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで乾式ボールミルで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９８．５％であり、高密度なターゲットが得られた。また、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは１．４μｍ２／粒子であり、微細な粒子であった。また、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＹ量は１０ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は５個と良好であった。
（実施例２）
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径９μｍのＰｔ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径０．５μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−２０Ｐｔ−０．５Ｃｒ２Ｏ３−１０ＳｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にさらにＹ２Ｏ３粉末を０．０２４ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９８．１％であり、高密度なターゲットが得られた。また、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは１．２μｍ２／粒子であり、微細な粒子であった。また、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＹ量は５００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は２個と良好であった。
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径９μｍのＰｔ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径０．５μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−２０Ｐｔ−０．５Ｃｒ２Ｏ３−１０ＳｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にさらにＹ２Ｏ３粉末を０．０２４ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９８．１％であり、高密度なターゲットが得られた。また、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは１．２μｍ２／粒子であり、微細な粒子であった。また、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＹ量は５００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は２個と良好であった。
（実施例３）
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径９μｍのＰｔ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径０．５μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−２０Ｐｔ−５Ｃｒ２Ｏ３−１０ＳｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にさらにＹ２Ｏ３粉末を０．１５ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９７．７％であり、高密度なターゲットが得られた。また、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは３．０μｍ２／粒子であり、微細な粒子であった。また、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＹ量は３０００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は１２個と良好であった。
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径９μｍのＰｔ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径０．５μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−２０Ｐｔ−５Ｃｒ２Ｏ３−１０ＳｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にさらにＹ２Ｏ３粉末を０．１５ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９７．７％であり、高密度なターゲットが得られた。また、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは３．０μｍ２／粒子であり、微細な粒子であった。また、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＹ量は３０００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は１２個と良好であった。
（実施例４）
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にさらにＡｌ２Ｏ３粉末を０．００１２ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９８．９％であり、高密度なターゲットが得られた。また、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは１．７μｍ２／粒子であり、微細な粒子であった。また、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＡｌ量は１０ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は７個と良好であった。
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にさらにＡｌ２Ｏ３粉末を０．００１２ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９８．９％であり、高密度なターゲットが得られた。また、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは１．７μｍ２／粒子であり、微細な粒子であった。また、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＡｌ量は１０ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は７個と良好であった。
（実施例５）
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にさらにＡｌ２Ｏ３粉末を０．０５９ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９８．１％であり、高密度なターゲットが得られた。また、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは１．２μｍ２／粒子であり、微細な粒子であった。また、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＡｌ量は５００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は３個と良好であった。
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にさらにＡｌ２Ｏ３粉末を０．０５９ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９８．１％であり、高密度なターゲットが得られた。また、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは１．２μｍ２／粒子であり、微細な粒子であった。また、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＡｌ量は５００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は３個と良好であった。
（実施例６）
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にさらにＡｌ２Ｏ３粉末を０．３６ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９７．９％であり、高密度なターゲットが得られた。また、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは１．４μｍ２／粒子であり、微細な粒子であった。また、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＡｌ量は３０００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は７個と良好であった。
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にさらにＡｌ２Ｏ３粉末を０．３６ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９７．９％であり、高密度なターゲットが得られた。また、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは１．４μｍ２／粒子であり、微細な粒子であった。また、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＡｌ量は３０００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は７個と良好であった。
（実施例７）
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にさらにＭｇＯ粉末を０．００３ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９９．５％であり、高密度なターゲットが得られた。また、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは２．６μｍ２／粒子であり、微細な粒子であった。また、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＭｇ量は１０ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は１０個と良好であった。
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にさらにＭｇＯ粉末を０．００３ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９９．５％であり、高密度なターゲットが得られた。また、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは２．６μｍ２／粒子であり、微細な粒子であった。また、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＭｇ量は１０ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は１０個と良好であった。
（実施例８）
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にさらにＭｇＯ粉末を０．１３ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９８．９％であり、高密度なターゲットが得られた。また、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは１．８μｍ２／粒子であり、微細な粒子であった。また、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＭｇ量は５００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は７個と良好であった。
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にさらにＭｇＯ粉末を０．１３ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９８．９％であり、高密度なターゲットが得られた。また、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは１．８μｍ２／粒子であり、微細な粒子であった。また、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＭｇ量は５００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は７個と良好であった。
（実施例９）
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にさらにＭｇＯ粉末を０．７９ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９８．９％であり、高密度なターゲットが得られた。また、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは２．１μｍ２／粒子であり、微細な粒子であった。また、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＭｇ量は３０００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は９個と良好であった。
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にさらにＭｇＯ粉末を０．７９ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９８．９％であり、高密度なターゲットが得られた。また、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは２．１μｍ２／粒子であり、微細な粒子であった。また、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＭｇ量は３０００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は９個と良好であった。
（実施例１０）
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径０．５μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−３ＳｉＯ２−３Ｃｒ２Ｏ３−３ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にさらにＡｌ２Ｏ３粉末を０．０１１ｍｏｌ％、Ｙ２Ｏ３粉末を０．００３ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９８．５％であり、高密度なターゲットが得られた。また、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは１．５μｍ２／粒子であり、微細な粒子であった。また、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＡｌ量は１００ｗｔｐｐｍ、Ｙ量は１００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は５個と良好であった。
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径０．５μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−３ＳｉＯ２−３Ｃｒ２Ｏ３−３ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にさらにＡｌ２Ｏ３粉末を０．０１１ｍｏｌ％、Ｙ２Ｏ３粉末を０．００３ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９８．５％であり、高密度なターゲットが得られた。また、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは１．５μｍ２／粒子であり、微細な粒子であった。また、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＡｌ量は１００ｗｔｐｐｍ、Ｙ量は１００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は５個と良好であった。
（実施例１１）
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−１０Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にＹ２Ｏ３粉末を０．１ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９７．５％であり、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは２．４μｍ２／粒子であり、また、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＹ量は３０００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は１０個と良好であった。
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−１０Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にＹ２Ｏ３粉末を０．１ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９７．５％であり、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは２．４μｍ２／粒子であり、また、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＹ量は３０００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は１０個と良好であった。
（実施例１２）
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−５Ｃｒ２Ｏ３−２０ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にＹ２Ｏ３粉末を０．１ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９９．３％、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは２．８μｍ２／粒子であり、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＹ量は３０００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は１５個と良好であった。
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−５Ｃｒ２Ｏ３−２０ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にＹ２Ｏ３粉末を０．１ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９９．３％、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは２．８μｍ２／粒子であり、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＹ量は３０００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は１５個と良好であった。
（実施例１３）
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末、平均粒径５μｍのＢ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２−２Ｂ２Ｏ３となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にＹ２Ｏ３粉末を０．０３ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９７．８％、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは１．５μｍ２／粒子であり、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＹ量は７００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は８個と良好であった。
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末、平均粒径５μｍのＢ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２−２Ｂ２Ｏ３となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にＹ２Ｏ３粉末を０．０３ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９７．８％、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは１．５μｍ２／粒子であり、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＹ量は７００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は８個と良好であった。
（実施例１４）
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末、平均粒径５μｍのＣｏＯ粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２−２ＣｏＯとなるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にＹ２Ｏ３粉末を０．０３ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９８％、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは１．６μｍ２／粒子であり、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＹ量は８００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は８個と良好であった。
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末、平均粒径５μｍのＣｏＯ粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２−２ＣｏＯとなるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にＹ２Ｏ３粉末を０．０３ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９８％、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは１．６μｍ２／粒子であり、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＹ量は８００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は８個と良好であった。
（実施例１５）
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径９μｍのＰｔ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１５Ｐｔ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にＹ２Ｏ３粉末を０．０２ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９８．２％、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは１．３μｍ２／粒子であり、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＹ量は５００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は５個と良好であった。
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径９μｍのＰｔ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１５Ｐｔ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にＹ２Ｏ３粉末を０．０２ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９８．２％、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは１．３μｍ２／粒子であり、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＹ量は５００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は５個と良好であった。
（実施例１６）
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径９μｍのＰｔ粉末、平均粒径１５μｍのＲｕ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−１５Ｐｔ−５Ｒｕ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にＹ２Ｏ３粉末を０．０５ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が２μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９７．５％、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは２．０μｍ２／粒子であり、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＹ量は１０００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は１０個と良好であった。
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径９μｍのＰｔ粉末、平均粒径１５μｍのＲｕ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−１５Ｐｔ−５Ｒｕ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。得られた混合粉末にＹ２Ｏ３粉末を０．０５ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が２μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９７．５％、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは２．０μｍ２／粒子であり、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＹ量は１０００ｗｔｐｐｍであることを確認した。また、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は１０個と良好であった。
（比較例１）
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径９μｍのＰｔ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−２０Ｐｔ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。比較例１では、Ｙ２Ｏ３粉末、ＭｇＯ粉末、Ａｌ２Ｏ３粉末は添加しなかった。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９９％であったが、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは３．６μｍ２／粒子であり、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は２０個と多くなっていた。なお、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＹ、Ｍｇ、Ａｌのいずれも１０ｐｐｍ未満（検出限界値未満）であることを確認した。
このように、比較例１では、Ｙ、Ｍｇ、Ａｌが少なすぎるため、酸化物相の粒子が粒成長してしまい、所望のパーティクル特性が得られなかった。
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径９μｍのＰｔ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−２０Ｐｔ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。比較例１では、Ｙ２Ｏ３粉末、ＭｇＯ粉末、Ａｌ２Ｏ３粉末は添加しなかった。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９９％であったが、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは３．６μｍ２／粒子であり、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は２０個と多くなっていた。なお、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＹ、Ｍｇ、Ａｌのいずれも１０ｐｐｍ未満（検出限界値未満）であることを確認した。
このように、比較例１では、Ｙ、Ｍｇ、Ａｌが少なすぎるため、酸化物相の粒子が粒成長してしまい、所望のパーティクル特性が得られなかった。
（比較例２）
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径０．５μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−１５Ｃｒ２Ｏ３−５ＳｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。比較例２では、クロム酸化物を多めに添加した。得られた混合粉末にさらにＡｌ２Ｏ３粉末を０．４ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９５％と、密度の低下が見られた。またターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは４．１μｍ２／粒子であり、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は３２個と多くなっていた。なお、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＡｌ量は３０００ｗｔｐｐｍであった。
このように、比較例２では、Ｃｒ２Ｏ３量が多すぎるため、酸化物相の粒子の粒成長を抑制しつつ密度を上げることができず、所望のパーティクル特性が得られなかった。
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径０．５μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−１５Ｃｒ２Ｏ３−５ＳｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。比較例２では、クロム酸化物を多めに添加した。得られた混合粉末にさらにＡｌ２Ｏ３粉末を０．４ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９５％と、密度の低下が見られた。またターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは４．１μｍ２／粒子であり、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は３２個と多くなっていた。なお、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＡｌ量は３０００ｗｔｐｐｍであった。
このように、比較例２では、Ｃｒ２Ｏ３量が多すぎるため、酸化物相の粒子の粒成長を抑制しつつ密度を上げることができず、所望のパーティクル特性が得られなかった。
（比較例３）
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径０．５μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＳｉＯ２−２０ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。比較例３では、得られた混合粉末にＹ２Ｏ３を０．１１ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９９％と、密度の低下が見られた。またターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは６．２μｍ２／粒子と大きく、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は４５個と多くなっていた。なお、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＹ量は３０００ｗｔｐｐｍであった。
このように、酸化物量が多すぎる場合には、酸化物相の粒子の粒成長を抑制しつつ密度を上げることができず、所望のパーティクル特性が得られなかった。
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径０．５μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＳｉＯ２−２０ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。比較例３では、得られた混合粉末にＹ２Ｏ３を０．１１ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９９％と、密度の低下が見られた。またターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは６．２μｍ２／粒子と大きく、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は４５個と多くなっていた。なお、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＹ量は３０００ｗｔｐｐｍであった。
このように、酸化物量が多すぎる場合には、酸化物相の粒子の粒成長を抑制しつつ密度を上げることができず、所望のパーティクル特性が得られなかった。
（比較例４）
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。比較例３では、得られた混合粉末にＭｇＯ粉末を１．０５ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９８％であったが、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは３．８μｍ２／粒子と大きく、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は２８個と多くなっていた。なお、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＭｇ量は４０００ｗｔｐｐｍであった。
このように、Ｍｇ量が多すぎる場合には、所望の磁気特性が得られないだけでなく、所望のパーティクル特性も得られなかった。
金属原料粉末として、平均粒径６μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末を用意し、酸化物原料粉末として、平均粒径２μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
次に、ターゲット組成がＣｏ−１０Ｃｒ−５Ｃｒ２Ｏ３−５ＴｉＯ２となるように原料粉末を秤量して混合した。比較例３では、得られた混合粉末にＭｇＯ粉末を１．０５ｍｏｌ％添加して、不活性雰囲気中、平均粒径が１μｍ以下となるまで粉砕した。
その後、この粉砕混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これを旋盤で切削加工して直径が１８０ｍｍ、厚さが７ｍｍの円盤状のターゲットを得た。
表１に示すとおり、ターゲットの相対密度は９８％であったが、ターゲットの組織を観察したところ、酸化物相の平均粒子サイズは３．８μｍ２／粒子と大きく、ターゲットをスパッタ評価したところ、パーティクル数は２８個と多くなっていた。なお、ターゲット中から採取したサンプルの組成分析を行ったところ、成分全量に対するＭｇ量は４０００ｗｔｐｐｍであった。
このように、Ｍｇ量が多すぎる場合には、所望の磁気特性が得られないだけでなく、所望のパーティクル特性も得られなかった。
実施例１〜１６のいずれにおいても高密度であって、酸化物が微細に分散していることが確認された。こうした組織構造がスパッタリング時に発生するパーティクル量を抑制し、成膜時の歩留まりを向上させるために非常に重要な役割を有することが分かる。
本発明は、クロム酸化物を含有する強磁性材スパッタリングターゲットにＹ、Ｍｇ、Ａｌを含有することにより、ターゲット密度を高く維持し、かつ、粒成長を抑制することができる。したがって、本発明のターゲットを使用すれば、マグネトロンスパッタ装置でスパッタリングする際にパーティクルの発生を著しく低減することが可能となる。磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にハードディスクドライブの記録層の成膜に使用される強磁性材スパッタリングターゲットとして有用である。
Claims (3)
- コバルト、或いはコバルト、クロム、或いはコバルト、白金、或いはコバルト、クロム、白金からなるマトリックス相と、少なくともクロム酸化物と、Ｓｉ、Ｔｉのうちいずれか１種以上の金属酸化物を合計で５ｍｏｌ％以上２５ｍｏｌ％以下含む酸化物相を含有するスパッタリングターゲットであって、Ｙ、Ｍｇ、Ａｌのうちいずれか１種以上を合計で１０ｗｔｐｐｍ以上３０００ｗｔｐｐｍ以下含有し、相対密度が９７％以上であることを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲット。
- クロム酸化物がＣｒ２Ｏ３換算で０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下含有することを特徴とする請求項１記載の強磁性材スパッタリングターゲット。
- 酸化物相の平均粒子サイズが３μｍ２／粒子以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の強磁性材スパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013513441A JP5654121B2 (ja) | 2012-02-23 | 2013-01-28 | クロム酸化物を含有する強磁性材スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012037263 | 2012-02-23 | ||
| JP2012037263 | 2012-02-23 | ||
| PCT/JP2013/051695 WO2013125296A1 (ja) | 2012-02-23 | 2013-01-28 | クロム酸化物を含有する強磁性材スパッタリングターゲット |
| JP2013513441A JP5654121B2 (ja) | 2012-02-23 | 2013-01-28 | クロム酸化物を含有する強磁性材スパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP5654121B2 JP5654121B2 (ja) | 2015-01-14 |
| JPWO2013125296A1 true JPWO2013125296A1 (ja) | 2015-07-30 |
Family
ID=49005489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013513441A Active JP5654121B2 (ja) | 2012-02-23 | 2013-01-28 | クロム酸化物を含有する強磁性材スパッタリングターゲット |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9773653B2 (ja) |
| JP (1) | JP5654121B2 (ja) |
| CN (1) | CN104126026B (ja) |
| MY (1) | MY170298A (ja) |
| SG (1) | SG11201401899YA (ja) |
| TW (1) | TWI582250B (ja) |
| WO (1) | WO2013125296A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013125259A1 (ja) * | 2012-02-23 | 2013-08-29 | Jx日鉱日石金属株式会社 | クロム酸化物を含有する強磁性材スパッタリングターゲット |
| JP6005767B2 (ja) * | 2014-01-17 | 2016-10-12 | Ｊｘ金属株式会社 | 磁性記録媒体用スパッタリングターゲット |
| CN104060229A (zh) * | 2014-06-20 | 2014-09-24 | 贵研铂业股份有限公司 | 一种CoCrPt-氧化物磁记录靶材、薄膜及其制备方法 |
| JP7317741B2 (ja) * | 2020-02-07 | 2023-07-31 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット、磁性膜、及びスパッタリングターゲット作製用の原料混合粉末 |
Family Cites Families (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005083148A1 (ja) | 2004-03-01 | 2005-09-09 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 表面欠陥の少ないスパッタリングターゲット及びその表面加工方法 |
| WO2005093124A1 (ja) | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Ｃｏ-Ｃｒ-Ｐｔ-Ｂ系合金スパッタリングターゲット |
| US7494617B2 (en) | 2005-04-18 | 2009-02-24 | Heraeus Inc. | Enhanced formulation of cobalt alloy matrix compositions |
| CN1854318A (zh) * | 2005-04-18 | 2006-11-01 | 黑罗伊斯有限公司 | 钴合金基体组合物的增强制剂 |
| US20060234091A1 (en) * | 2005-04-19 | 2006-10-19 | Heraeus, Inc. | Enhanced multi-component oxide-containing sputter target alloy compositions |
| JP4727664B2 (ja) | 2005-06-15 | 2011-07-20 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット用酸化クロム粉末及びスパッタリングターゲット |
| JP4553136B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2010-09-29 | 三菱マテリアル株式会社 | パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット |
| WO2007080781A1 (ja) | 2006-01-13 | 2007-07-19 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット |
| WO2007116834A1 (ja) | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Mitsubishi Materials Corporation | パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法、および磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット |
| CN101405429A (zh) * | 2006-03-31 | 2009-04-08 | 三菱麻铁里亚尔株式会社 | 颗粒产生少的磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶的制造方法、及磁记录膜形成用Co基烧结合金溅射靶 |
| JP5024661B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2012-09-12 | 三菱マテリアル株式会社 | パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット |
| JP2009197310A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Kobe Steel Ltd | スパッタリングターゲット |
| JP2009215617A (ja) | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | コバルト、クロム、および白金からなるマトリックス相と酸化物相とを含有するスパッタリングターゲット材およびその製造方法 |
| CN101981224B (zh) | 2008-03-28 | 2012-08-22 | Jx日矿日石金属株式会社 | 非磁性材料粒子分散型强磁性材料溅射靶 |
| JP5301531B2 (ja) | 2008-04-03 | 2013-09-25 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | パーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット |
| CN102224276B (zh) | 2009-03-03 | 2014-02-19 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 溅射靶及其制造方法 |
| SG172790A1 (en) * | 2009-03-27 | 2011-08-29 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Ferromagnetic-material sputtering target of nonmagnetic-material particle dispersion type |
| CN102482764B (zh) | 2009-08-06 | 2014-06-18 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 无机物粒子分散型溅射靶 |
| MY149640A (en) | 2009-12-11 | 2013-09-13 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Sputtering target comprising oxide phase dispersed in co or co alloy phase, magnetic thin film made of co or co alloy phase and oxide phase, and magnetic recording medium using the said thin film |
| WO2011070860A1 (ja) | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 磁性材スパッタリングターゲット |
| MY153939A (en) | 2009-12-25 | 2015-04-15 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Sputtering target with reduced particle generation and method of producing said target |
| MY149437A (en) | 2010-01-21 | 2013-08-30 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Ferromagnetic material sputtering target |
| SG185768A1 (en) | 2010-07-20 | 2013-01-30 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Sputtering target of ferromagnetic material with low generation of particles |
| CN102482765B (zh) | 2010-07-20 | 2014-03-26 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 粉粒产生少的强磁性材料溅射靶 |
| MY165512A (en) | 2010-07-29 | 2018-03-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Sputtering target for magnetic recording film, and process for producing same |
| JP4871406B1 (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-08 | 田中貴金属工業株式会社 | マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
| US20130134038A1 (en) | 2010-09-03 | 2013-05-30 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Ferromagnetic Material Sputtering Target |
| TWI374444B (en) * | 2010-11-05 | 2012-10-11 | Solar Applied Mat Tech Corp | Sputtering targets and recording materials for hard disk formed by the sputtering target |
| CN103080368B (zh) | 2010-12-09 | 2014-08-27 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 强磁性材料溅射靶 |
| US20130175167A1 (en) | 2010-12-15 | 2013-07-11 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Ferromagnetic sputtering target and method for manufacturing same |
| SG188603A1 (en) | 2010-12-17 | 2013-04-30 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Ferromagnetic material sputtering target |
| WO2012081340A1 (ja) | 2010-12-17 | 2012-06-21 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| CN103261469A (zh) | 2010-12-17 | 2013-08-21 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 强磁性材料溅射靶 |
| SG189202A1 (en) | 2010-12-22 | 2013-05-31 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Ferromagnetic sputtering target |
| WO2012086388A1 (ja) | 2010-12-22 | 2012-06-28 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 焼結体スパッタリングターゲット |
| SG10201500148WA (en) | 2011-08-23 | 2015-03-30 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Ferromagnetic sputtering target with less particle generation |
-
2013
- 2013-01-28 CN CN201380010211.7A patent/CN104126026B/zh active Active
- 2013-01-28 JP JP2013513441A patent/JP5654121B2/ja active Active
- 2013-01-28 US US14/364,141 patent/US9773653B2/en active Active
- 2013-01-28 SG SG11201401899YA patent/SG11201401899YA/en unknown
- 2013-01-28 WO PCT/JP2013/051695 patent/WO2013125296A1/ja active Application Filing
- 2013-01-28 MY MYPI2014701590A patent/MY170298A/en unknown
- 2013-01-31 TW TW102103692A patent/TWI582250B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5654121B2 (ja) | 2015-01-14 |
| US9773653B2 (en) | 2017-09-26 |
| MY170298A (en) | 2019-07-17 |
| TWI582250B (zh) | 2017-05-11 |
| TW201335397A (zh) | 2013-09-01 |
| CN104126026A (zh) | 2014-10-29 |
| CN104126026B (zh) | 2016-03-23 |
| US20140360870A1 (en) | 2014-12-11 |
| WO2013125296A1 (ja) | 2013-08-29 |
| SG11201401899YA (en) | 2014-10-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141104 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141119 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5654121 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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