JP5931039B2 - 基板に形成された熱処理構造用の方法および装置 - Google Patents
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Description
[0045]一実施形態では、図1に図示されている基板10の表面を熱交換デバイス15の基板サポート表面16と熱接触して配置することによって熱処理中の基板の温度をコントロールすることが望ましい。熱交換デバイス15は概してアニーリングプロセスの前またはこの最中に基板を加熱および/または冷却するように適合されている。この構成では、Applied Materials Inc.,Santa Clara,Californiaから入手可能な従来の基板ヒーターなどの熱交換デバイス15は、基板のアニーリング済み領域の処理後特性を改良するために使用されてもよい。一般的に、基板10は、熱交換デバイス15を含有する処理チャンバ(図示せず)の包囲処理環境(図示せず)内に配置される。処理中に基板が常駐する処理環境は空にされてもよく、あるいは、酸素などの、処理中の望ましくないガスの低い分圧の不活性ガスを含有してもよい。
[0049]形成されたデバイスの種々の領域間の内部拡散を最小化し、基板材料の欠陥を除去し、また基板の種々の領域においてドーパントをより均等に分布させるという試みにおいて、1つ以上の処理ステップが基板の種々の領域で実行されて、アニーリングプロセス時にエネルギー源から送出されたエネルギーに曝されるとこれらの領域を優先的に再溶解させる。アニーリングプロセス中にほぼ同一量のエネルギーに曝される場合に基板の第2の領域よりも優先的に溶解するように基板の第1の領域の特性を修正するプロセスは、これら2つの領域間の融点コントラストを作成するものとして後述される。一般的に、基板の所望の領域の優先的溶解を可能にするように修正可能な基板特性は、基板の所望の領域内の1つ以上の要素を注入、ドライブインおよび/または同時堆積するステップと、基板の所望の領域に物理的ダメージを作成するステップと、基板の所望の領域の融点コントラストを作成するために、形成されたデバイス構造を最適化するステップとを含む。これらの修正プロセスの各々は順に再検討される。
[0056]別の実施形態では、形成されたデバイスの異なる領域の種々の熱特性は、領域間の溶解を優先的にもたらすように調整される。一態様では、融点コントラストは、異なる熱伝導率(k)を有する材料によってデバイスの異なる領域を形成することによって作成される。伝導によって伝達された熱は以下の式によって決められる点に注目すべきである:
Q=kAΔT/Δx
ここで、Qは本体を介する熱流の時間レートであり、kは材料の性質および材料温度に左右される伝導率定数であり、Aは熱が流れる面積であり、Δxは、熱が通過する当該本体の厚さであり、ΔTは熱が伝達中の温度差である。従って、kは材料の特性であるため、基板の種々の領域における材料の選択や修正によって、基板の異なる領域に対する熱流をコントロールして、この種々の領域の融点コントラストを増大させることができる。言い換えると、基板のある領域の材料が他の領域の材料より高い熱伝導率を有する場合、レーザーアニーリングプロセス中に伝導損失によってより多くの熱エネルギーを失うことになり、ゆえに、より低い熱伝導率を有する別の領域が達するのと同じ温度に達することはない。より高い熱伝導領域と緊密に接触している領域は溶解を防止されることが可能であるのに対して、より低い熱伝導領域と緊密に接触している他の領域は、レーザーアニーリングプロセス中に融点に達することになる。電子デバイス200の種々の領域の熱伝導率をコントロールすることによって、融点コントラストは増大可能である。様々な熱伝導率を有する領域の作成は、電子デバイス200の種々の下地層に従来の堆積、パターニングおよびエッチング技術を実行して、異なる熱伝導率を有するこれらの領域を作成することによって実行されてもよい。異なる熱伝導率を有する下地層は、従来の化学気相堆積(CVD)プロセス、原子層堆積(ALD)プロセス、注入プロセスおよびエピタキシャル堆積技術を使用して形成されてもよい。
[0058]一実施形態では、基板10の種々の領域202の表面の特性は、1つ以上の所望の領域間の融点コントラストを変更するように変えられる。一態様では、所望の領域における基板の表面の放射率は、処理中に基板表面から伝達されたエネルギー量を変更するように変えられる。この場合、他の領域より放射率が低い領域は、エネルギー源20から受け取られた吸収エネルギーを再放射することができないために、より高い処理温度を達成することになる。基板の表面の溶解を伴うアニーリングプロセスを実行する場合、基板の表面で達成された処理温度はかなり高い(例えば、シリコンでは最大1414℃)こともあり、従って放射率を変更することの効果は、融点コントラストに対して劇的な効果を有することもあり、これは、放射熱伝達は主要な熱損失機構であるからである。従って、基板表面の異なる領域の放射率の変動は基板の種々の領域が達する最高温度に対してかなりの影響を有することがある。放射率の低い領域は、アニーリングプロセス中に融点より高くなることがあるが、同量のエネルギーを吸収している放射率の高い領域は、実質的に融点未満のままであることもある。種々の表面の放射率を変更すること、つまり放射率コントラストは、基板表面への低または高放射率コーティングの選択的堆積、および/または基板表面の修正(例えば、表面酸化、表面粗化)によって達成されてもよい。
[0064]上記のように、エネルギー源20は概して、電磁エネルギーを送出して基板10のある所望の領域を優先的に溶解するように適合されている。通常の電磁エネルギー源は、光学放射源(例えば、レーザー(UV、IRなどの波長))、電子ビーム源、イオンビーム源および/またはマイクロ波エネルギー源を含むが、これらに制限されない。本発明の一実施形態では、エネルギー源20は、レーザーなどの光学放射を送出して基板の所望の領域を融点へと選択的に加熱するように適合されている。
[0076]シリコン含有基板、または熱処理を必要とする別の材料から構成される基板の表面に十分な電磁放射(光)を送出するために、以下のプロセスコントロールが使用可能である。
[0081]一実施形態では、図5A〜図5Cに示されているように、均質層(図5Bの項目110)は基板の表面に堆積されて、基板の表面が電磁放射源(図示せず)から送出された電磁エネルギー150に曝される場合に溶解されるシリコン領域112の深度や容積の変動を縮小する。溶解された領域の深度や容積の変動は、パターン化基板の種々の領域の質量密度、放射エネルギーが作用する材料の吸収係数、および材料の種々の物理的および熱的特性(例えば、熱伝導率、熱容量、材料厚)の変動によって影響される。一般的に、電磁放射源は、電磁エネルギーを基板の表面に送出して、基板表面の部分を熱処理またはアニーリングするように設計されている。通常の電磁放射源は、光学放射源(例えば、レーザー)、電子ビーム、イオンビームまたはマイクロ波源を含むことがあるが、これらに制限されない。
d1=(α1)0.5×[d2/((α2)0.5)]
ここで、
d2=特徴部101の厚さ(図5B参照)
α1=k1/(p1Cp1)および
α2=k2/(p2Cp2)
ここでk1は均質層を形成するために使用される材料の熱伝導率に等しく、p1は均質層120を形成するために使用される材料の質量密度に等しく、Cp1は均質層120を形成するために使用される材料の熱容量に等しく、k2は特徴部101を形成するために使用される材料の熱伝導率に等しく、p2は特徴部101を形成するために使用される材料の質量密度に等しく、Cp2は特徴部101を形成するために使用される材料の熱容量に等しい。
[0087]図5Cは、基板の表面上の種々の領域の光学特性を調整するために、追加層125をこの上に堆積している図5Bに図示されているデバイスを含有する基板100の断面図である。一態様では、層125は、基板100の種々の領域に送出された電磁エネルギー150の吸収を改良するために付加される。一実施形態では、層125は上記のコーティング225または層226と同じである。図5Cに示されているように、層125は、シリコン領域112に送出されたエネルギーの選択率を改良するために均質層120上に優先的に形成される。層125の所望の厚さは、送出された電磁エネルギー150の波長が変化するのに伴って変化することがある。
[0089]異なるサイズ、形状および間隔の特徴部が電磁放射に曝される場合に生じる問題は、電磁放射の波長に応じて特徴部に印加されるエネルギー量が、所望の領域に送出されるエネルギー量やエネルギー密度(例えば、Watts/m2)を望ましくなく変化させる回折効果ゆえに構成的または破壊的干渉を経験し得るということである。図7を参照すると、特徴部101の間隔は、入射放射の波長が表面全体で変化して、基板100の表面102全体に送出されるエネルギー密度の変動をもたらすように異なる場合がある。
[0092]一実施形態では、1つ以上の処理ステップが実行されて、オリジナルの単結晶または多結晶材料でアモルファス領域140を選択的に形成して、後続の注入処理ステップ中に作成されるダメージ量を削減し、かつ基板の他のエリアに対するアモルファス領域140の融点コントラストを増大させる。アモルファスシリコン層などのアモルファス領域へのドーパント注入は、結晶格子構造(例えば、単結晶シリコン)に見られる種々の平面全体の密度変動の欠如ゆえに、固定イオンエネルギーで所望のドーパントの注入深度を均質化する傾向がある。アモルファス層の注入は、結晶構造における従来の注入プロセスに普通は見られる結晶ダメージを削減する傾向がある。従って、アモルファス領域140が上記のようにアニーリングタイププロセスを使用して引き続き再溶解される場合、形成された領域は、より均質なドーピングプロファイルおよび少数の欠陥となるように再結晶化可能である。再溶解プロセスはまた、注入プロセスから作成されたダメージを除去する。アモルファス領域140の形成はまた影響を受けた領域の融点を低下させ、これは従って、アモルファス領域140と隣接単結晶領域141間の融点コントラストを改良することができる。
[0096]図9は、エネルギー源20が裏側表面901から基板10のアニーリング領域12に多量のエネルギーを送出してアニーリング領域12内のある所望の領域を優先的に溶解するように適合されている一実施形態を図示する処理チャンバの領域の断面図である。一態様では、アニーリング領域12などの、基板の1つ以上の画成領域が、所与の時間にエネルギー源20からの放射に曝される。一態様では、基板10の複数のエリアが、エネルギー源20から裏側表面901を介して送出された所望量のエネルギーに順次曝されて、基板の所望の領域の優先的溶解をもたらす。一態様では、アニーリング領域12は、基板10の上部表面902に形成されているダイ(例えば、図1の項目番号13)や半導体デバイスのサイズに一致するようにサイズ設定されている。一態様では、アニーリング領域12の境界は、各ダイの境界を画成する「カーフ」または「スクライブ」ライン内に適合するように整列およびサイズ設定されている。従って、エネルギー源20からのエネルギーへの様々な量の暴露によるプロセス変動量は最小化されるが、これは、順次配置されるアニーリング領域12間の重複が最小化可能であるためである。一例では、アニーリング領域12は、約22mm×約33mmのサイズの矩形領域である。
Claims (6)
- 基板を熱処理する方法であって、
修正されている1つ以上の第1の領域を有する基板を提供して、前記1つ以上の第1の領域の各々の内に含有されている第1の材料の融点が前記基板の第2の領域内に含有されている材料より低い温度で溶解するステップであって、前記第2の領域および前記1つ以上の第1の領域の各々は概して前記基板の表面に隣接しており、前記1つ以上の第1の領域は前記第1の材料から形成され、前記1つ以上の第1の領域の修正が合金を形成するために前記第1の材料を合金材料により合金にすることを含み、前記合金が前記1つ以上の第1の領域の融点を低くするために形成されるステップと、
前記基板の前記表面にコーティングを堆積するステップであって、前記コーティングが前記基板の前記表面と異なる吸収および反射係数を有するステップと、
概して前記第1の領域の各々または前記第2の領域に隣接している前記基板の前記表面から前記コーティングの一部を選択的に除去するステップと、
前記1つ以上の第1の領域および前記第2の領域を含有する前記基板の前記表面上の1つ以上のアニーリング領域に多量の電磁エネルギーを送出するステップであって、前記多量の電磁エネルギーが前記1つ以上の第1の領域内の前記材料を優先的に溶解し、前記1つ以上のアニーリング領域が、前記1つ以上の第1の領域および前記第2の領域の各領域の境界内に適合するように整列およびサイズ設定されるステップと、を備える方法。 - 前記合金材料が、ゲルマニウム、ヒ素、ガリウム、炭素、錫およびアンチモンからなる群より選択される、請求項1に記載の方法。
- 基板を熱処理する方法であって、
基板サポートに基板を位置決めするステップであって、前記基板が、第1の領域および第2の領域を含有する前記基板の表面に形成されている複数の特徴部を有し、前記第1の領域は第1の材料から形成され、前記第1の領域が合金を形成するために前記第1の材料を合金材料により合金にすることにより修正され、前記合金が前記第1の領域の融点を低くするために形成されるステップと、
前記第1および第2の領域にコーティングを堆積するステップであって、前記コーティングの少なくとも一部が、ケイフッ化ガラス(FSG)、アモルファス炭素、二酸化シリコン、シリコンカーバイド、シリコン炭素ゲルマニウム合金(SiCGe)、チタン(Ti)、窒化チタン(TiN)、タンタル(Ta)、コバルト(Co)、ルテニウム(Ru)または炭窒化シリコン(SiCN)を含有するステップと、
前記第1の領域の前記コーティングの厚さが所望の厚さを有するように前記コーティングの一部を除去するステップであって、前記コーティングの一部を除去した後の前記基板表面全体の平均熱容量が概して均一であるステップと、
前記第1の領域および前記第2の領域を含有する1つ以上のアニーリング領域に多量の電磁エネルギーを送出するステップであって、前記多量の電磁エネルギーが前記第1の領域内の前記材料を溶解させ、前記1つ以上のアニーリング領域が、前記1つ以上の第1の領域および前記第2の領域の各領域の境界内に適合するように整列およびサイズ設定されるステップと、を備える方法。 - 前記合金材料が、ゲルマニウム、ヒ素、ガリウム、炭素、錫およびアンチモンからなる群より選択される、請求項3に記載の方法。
- 基板を熱処理する方法であって、
前記基板の表面に形成されている第1の特徴部および第2の特徴部を有する前記基板を提供するステップであって、前記第2の特徴部が第1の領域および第2の領域を含有し、前記第1の領域は第1の材料から形成され、前記第1の領域が合金を形成するために前記第1の材料を合金材料により合金にすることにより修正され、前記合金が前記第1の領域の融点を低くするために形成されるステップと、
基板サポートに前記基板を位置決めするステップと、
前記第1および第2の特徴部にコーティングを堆積するステップであって、前記コーティングの少なくとも一部が、ケイフッ化ガラス(FSG)、アモルファス炭素、二酸化シリコン、シリコンカーバイド、シリコン炭素ゲルマニウム合金(SiCGe)、チタン(Ti)、窒化チタン(TiN)、タンタル(Ta)、コバルト(Co)、ルテニウム(Ru)または炭窒化シリコン(SiCN)を含有するステップと、
前記コーティングが前記第2の領域に配置され、かつ前記第1の特徴部の表面が曝されるように前記コーティングの一部を除去するステップと、
前記第1の特徴部および前記第2の特徴部を含有するエリアに多量の電磁エネルギーを送出するステップであって、前記多量の電磁エネルギーが前記第2の特徴部の前記第1の領域内の前記合金を溶解させ、前記エリアが、前記第1の領域および第2の領域の各領域の境界内に適合するように整列およびサイズ設定されるステップと、を備える方法。 - 前記合金材料が、ゲルマニウム、ヒ素、ガリウム、炭素、錫およびアンチモンからなる群より選択される、請求項5に記載の方法。
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