JP2003059858A - レーザアニール装置及び薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
レーザアニール装置及び薄膜トランジスタの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 トランジスタの特性向上、生産性向上、製造
コスト低減を図る。 【解決手段】 レーザアニール処理によりアモルファス
シリコン膜を薄膜トランジスタ１の活性層となるポリシ
リコン膜６に転換させる薄膜トランジスタ１の製造方法
において、複数の半導体レーザ素子が配置されたレーザ
アニール装置が、アモルファスシリコン膜の表面に照射
されるレーザ光の光強度を均一化させたレーザ光をアモ
ルファスシリコン膜に照射するレーザアニール処理を施
すことから、再結晶化されて得られたポリシリコン膜６
の結晶粒径が均一化され、このポリシリコン膜６を活性
層とすることでトランジスタの特性が向上した薄膜トラ
ンジスタが得られる。
コスト低減を図る。 【解決手段】 レーザアニール処理によりアモルファス
シリコン膜を薄膜トランジスタ１の活性層となるポリシ
リコン膜６に転換させる薄膜トランジスタ１の製造方法
において、複数の半導体レーザ素子が配置されたレーザ
アニール装置が、アモルファスシリコン膜の表面に照射
されるレーザ光の光強度を均一化させたレーザ光をアモ
ルファスシリコン膜に照射するレーザアニール処理を施
すことから、再結晶化されて得られたポリシリコン膜６
の結晶粒径が均一化され、このポリシリコン膜６を活性
層とすることでトランジスタの特性が向上した薄膜トラ
ンジスタが得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、物質の表面にレー
ザ光を照射することでアニール処理を施すレーザアニー
ル装置及びアニール処理により非晶質シリコン膜を薄膜
トランジスタの活性層となる多結晶シリコン膜に転換さ
せる薄膜トランジスタの製造方法に関するものである。
ザ光を照射することでアニール処理を施すレーザアニー
ル装置及びアニール処理により非晶質シリコン膜を薄膜
トランジスタの活性層となる多結晶シリコン膜に転換さ
せる薄膜トランジスタの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】薄膜トランジスタは、液晶ディスプレイ
のスイッチング素子として広く用いられている。この薄
膜トランジスタのチャネル層に多結晶シリコン（以下、
ポリシリコンと記す。）膜を用いた場合、薄膜トランジ
スタの電解移動度が非常に高くなるために、例えば液晶
ディスプレイ等の駆動回路として内蔵でき、ディスプレ
イの高精細化、小型化等を実現することができる。
のスイッチング素子として広く用いられている。この薄
膜トランジスタのチャネル層に多結晶シリコン（以下、
ポリシリコンと記す。）膜を用いた場合、薄膜トランジ
スタの電解移動度が非常に高くなるために、例えば液晶
ディスプレイ等の駆動回路として内蔵でき、ディスプレ
イの高精細化、小型化等を実現することができる。
【０００３】また、チャネル層にポリシリコン膜を用い
た薄膜トランジスタは、チャネル層に非晶質シリコン
（以下、アモルファスシリコンと記す。）膜を用いた場
合に比べて駆動電流が高いために、電流駆動方式を使用
する有機材料のエレクトロルミネッセンス（electrolum
inescence：以下、ＥＬと記す。）を利用した有機ＥＬ
ディスプレイの画素トランジスタに応用することができ
る。
た薄膜トランジスタは、チャネル層に非晶質シリコン
（以下、アモルファスシリコンと記す。）膜を用いた場
合に比べて駆動電流が高いために、電流駆動方式を使用
する有機材料のエレクトロルミネッセンス（electrolum
inescence：以下、ＥＬと記す。）を利用した有機ＥＬ
ディスプレイの画素トランジスタに応用することができ
る。
【０００４】ポリシリコン膜を絶縁基板上に成膜する方
法としては、レーザアニール装置を用いて、例えばガラ
スや石英等からなる絶縁基板の表面に成膜されたアモル
ファスシリコン膜にレーザ光を照射するレーザアニール
処理を施すことによって、アモルファスシリコン膜をポ
リシリコン膜に転換させる方法がある。
法としては、レーザアニール装置を用いて、例えばガラ
スや石英等からなる絶縁基板の表面に成膜されたアモル
ファスシリコン膜にレーザ光を照射するレーザアニール
処理を施すことによって、アモルファスシリコン膜をポ
リシリコン膜に転換させる方法がある。
【０００５】このレーザアニール処理に用いられるレー
ザアニール装置は、レーザ光の光源にエキシマレーザを
用いている。このエキシマレーザは、紫外波長のレーザ
光をパルス出射し、パルス出射された紫外波長のレーザ
光に対してシリコンが高い吸収係数を有することから、
効率良くアモルファスシリコン膜にレーザアニール処理
を施すことができる。
ザアニール装置は、レーザ光の光源にエキシマレーザを
用いている。このエキシマレーザは、紫外波長のレーザ
光をパルス出射し、パルス出射された紫外波長のレーザ
光に対してシリコンが高い吸収係数を有することから、
効率良くアモルファスシリコン膜にレーザアニール処理
を施すことができる。
【０００６】そして、このレーザアニール処理は、エキ
シマレーザから出射されたレーザ光を例えばビームホモ
ジナイザ等によりアモルファスシリコン面に対する照射
面を線状に成形し、このレーザ光の照射領域を移動させ
ながらアモルファスシリコンをポリシリコンに多結晶化
させるものである。このとき、レーザアニール処理を行
う際のレーザ光の走査方向は、線状に成形されたレーザ
光の照射面の長手方向と直交する方向に走査される。
シマレーザから出射されたレーザ光を例えばビームホモ
ジナイザ等によりアモルファスシリコン面に対する照射
面を線状に成形し、このレーザ光の照射領域を移動させ
ながらアモルファスシリコンをポリシリコンに多結晶化
させるものである。このとき、レーザアニール処理を行
う際のレーザ光の走査方向は、線状に成形されたレーザ
光の照射面の長手方向と直交する方向に走査される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たレーザアニール装置は、エキシマレーザが例えばＸｅ
ＣｌやＫｒＦ等の励起ガスを励起させてレーザ光をパル
ス出射することから、これらの励起ガスの劣化に伴いレ
ーザ光の出射が不安定になり易く、パルス毎のレーザ光
の光強度がばらついてしまう虞がある。
たレーザアニール装置は、エキシマレーザが例えばＸｅ
ＣｌやＫｒＦ等の励起ガスを励起させてレーザ光をパル
ス出射することから、これらの励起ガスの劣化に伴いレ
ーザ光の出射が不安定になり易く、パルス毎のレーザ光
の光強度がばらついてしまう虞がある。
【０００８】このため、このレーザアニール装置では、
光強度にばらつきが生じたレーザ光でアモルファスシリ
コン膜にレーザアニール処理を施すことから、アモルフ
ァスシリコン膜の加熱溶融の状態にばらつきのあるレー
ザアニール処理を施してしまう。
光強度にばらつきが生じたレーザ光でアモルファスシリ
コン膜にレーザアニール処理を施すことから、アモルフ
ァスシリコン膜の加熱溶融の状態にばらつきのあるレー
ザアニール処理を施してしまう。
【０００９】したがって、加熱溶融の状態にばらつきの
あるアモルファスシリコン膜では、再結晶化されて得ら
れたポリシリコン膜の結晶粒子の粒径にばらつきが生じ
ることからディスプレイ素子の画像に例えば筋状、点状
のむらが発生して、トランジスタ特性を劣化させてしま
うことがあった。
あるアモルファスシリコン膜では、再結晶化されて得ら
れたポリシリコン膜の結晶粒子の粒径にばらつきが生じ
ることからディスプレイ素子の画像に例えば筋状、点状
のむらが発生して、トランジスタ特性を劣化させてしま
うことがあった。
【００１０】また、上述したレーザアニール装置では、
エキシマレーザに用いる励起ガスの劣化に伴いガス交換
を行う工程が、生産性の低下させると共に、薄膜トラン
ジスタを製造する際にコストアップさせるといった問題
になっている。
エキシマレーザに用いる励起ガスの劣化に伴いガス交換
を行う工程が、生産性の低下させると共に、薄膜トラン
ジスタを製造する際にコストアップさせるといった問題
になっている。
【００１１】さらに、このレーザアニール装置は、励起
ガスを充填させておく槽が必要であり設備が大型である
ために設置面積及び消費電力が大きいことから、薄膜ト
ランジスタを製造する際にコストアップさせるといった
問題にもなっている。
ガスを充填させておく槽が必要であり設備が大型である
ために設置面積及び消費電力が大きいことから、薄膜ト
ランジスタを製造する際にコストアップさせるといった
問題にもなっている。
【００１２】そこで、本発明は、このような実情を鑑み
て提案されたものであり、光強度が安定したアニール処
理を施すレーザアニール装置、及びこのような光強度が
安定したレーザ光のアニール処理により得られた多結晶
シリコン膜を用いることでトランジスタ特性の向上、生
産性の向上、製造コストの低減を可能とした薄膜トラン
ジスタの製造方法を提供することを目的としている。
て提案されたものであり、光強度が安定したアニール処
理を施すレーザアニール装置、及びこのような光強度が
安定したレーザ光のアニール処理により得られた多結晶
シリコン膜を用いることでトランジスタ特性の向上、生
産性の向上、製造コストの低減を可能とした薄膜トラン
ジスタの製造方法を提供することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に係るレーザアニ
ール装置は、物質の表面に対してレーザ光を照射するこ
とで物質にアニール処理を施すレーザアニール装置にお
いて、物質に対してレーザ光を出射する複数の半導体レ
ーザ素子と、複数の半導体レーザ素子から出射されたレ
ーザ光の物質の表面に照射される光強度を均一化する均
一化手段とを備えている。
ール装置は、物質の表面に対してレーザ光を照射するこ
とで物質にアニール処理を施すレーザアニール装置にお
いて、物質に対してレーザ光を出射する複数の半導体レ
ーザ素子と、複数の半導体レーザ素子から出射されたレ
ーザ光の物質の表面に照射される光強度を均一化する均
一化手段とを備えている。
【００１４】このレーザアニール装置では、複数の半導
体レーザ素子から出射されたレーザ光を、均一化手段に
よって物質の表面に照射されるレーザ光の光強度を均一
化して物質の表面に照射することから、光強度が安定し
たレーザ光によるアニール処理を物質に施すことができ
る。
体レーザ素子から出射されたレーザ光を、均一化手段に
よって物質の表面に照射されるレーザ光の光強度を均一
化して物質の表面に照射することから、光強度が安定し
たレーザ光によるアニール処理を物質に施すことができ
る。
【００１５】本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法
は、基板上に非晶質シリコン膜を成膜する第１の工程
と、非晶質シリコン膜に対してアニール処理を施すこと
により、非晶質シリコン膜を多結晶シリコン膜に転換さ
せる第２の工程と、多結晶シリコン膜を活性層として所
定の領域に薄膜トランジスタを積層形成する第３の工程
とを有している。そして、この薄膜トランジスタの製造
方法は、第２の工程において、レーザ光を出射する複数
の半導体レーザ素子が配置されたレーザアニール装置
が、非晶質シリコン膜の表面に照射されるレーザ光の光
強度を均一化する均一化手段によって、非晶質シリコン
膜の表面に照射される光強度が均一化されたレーザ光
を、非晶質シリコン膜の表面に照射するアニール処理を
施すことにより、非晶質シリコン膜を加熱溶融し、再結
晶化して多結晶シリコン膜に転換させている。
は、基板上に非晶質シリコン膜を成膜する第１の工程
と、非晶質シリコン膜に対してアニール処理を施すこと
により、非晶質シリコン膜を多結晶シリコン膜に転換さ
せる第２の工程と、多結晶シリコン膜を活性層として所
定の領域に薄膜トランジスタを積層形成する第３の工程
とを有している。そして、この薄膜トランジスタの製造
方法は、第２の工程において、レーザ光を出射する複数
の半導体レーザ素子が配置されたレーザアニール装置
が、非晶質シリコン膜の表面に照射されるレーザ光の光
強度を均一化する均一化手段によって、非晶質シリコン
膜の表面に照射される光強度が均一化されたレーザ光
を、非晶質シリコン膜の表面に照射するアニール処理を
施すことにより、非晶質シリコン膜を加熱溶融し、再結
晶化して多結晶シリコン膜に転換させている。
【００１６】この薄膜トランジスタの製造方法では、レ
ーザアニール装置が、複数の半導体レーザ素子から出射
されたレーザ光を、均一化手段によって非晶質シリコン
膜の表面に照射されるレーザ光の光強度を均一化して非
晶質シリコン膜の表面に照射するアニール処理を施すこ
とから、非晶質シリコン膜の加熱溶融のばらつきが抑制
され、この非晶質シリコン膜を再結晶化した多結晶シリ
コン膜の結晶粒子の粒径が均一化されてトランジスタ特
性が向上した薄膜トランジスタが得られる。
ーザアニール装置が、複数の半導体レーザ素子から出射
されたレーザ光を、均一化手段によって非晶質シリコン
膜の表面に照射されるレーザ光の光強度を均一化して非
晶質シリコン膜の表面に照射するアニール処理を施すこ
とから、非晶質シリコン膜の加熱溶融のばらつきが抑制
され、この非晶質シリコン膜を再結晶化した多結晶シリ
コン膜の結晶粒子の粒径が均一化されてトランジスタ特
性が向上した薄膜トランジスタが得られる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態とし
て、本発明を適用したレーザアニール装置及び薄膜トラ
ンジスタの製造方法について説明する。
て、本発明を適用したレーザアニール装置及び薄膜トラ
ンジスタの製造方法について説明する。
【００１８】本発明の実施の形態のレーザアニール装置
は、例えば薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す。）
の製造工程中の非晶質シリコン（以下、アモルファスシ
リコンと記す。）膜をレーザアニール処理により加熱溶
融し、再結晶化して結晶質シリコン（以下、ポリシリコ
ンと記す。）膜に転換させる際のアモルファスシリコン
膜に施すレーザアニール処理に用いられる。このＴＦＴ
は、例えばガラス基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁
体、ポリシリコン膜（チャネル層）が下層から順次積層
された構造を有している。すなわち、ＴＦＴは、チャネ
ル層となるポリシリコン膜とガラス基板との間に、ゲー
ト電極が形成されているボトムゲート構造を有してい
る。
は、例えば薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す。）
の製造工程中の非晶質シリコン（以下、アモルファスシ
リコンと記す。）膜をレーザアニール処理により加熱溶
融し、再結晶化して結晶質シリコン（以下、ポリシリコ
ンと記す。）膜に転換させる際のアモルファスシリコン
膜に施すレーザアニール処理に用いられる。このＴＦＴ
は、例えばガラス基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁
体、ポリシリコン膜（チャネル層）が下層から順次積層
された構造を有している。すなわち、ＴＦＴは、チャネ
ル層となるポリシリコン膜とガラス基板との間に、ゲー
ト電極が形成されているボトムゲート構造を有してい
る。
【００１９】このような構造を有するＴＦＴの具体的な
構成例及び製造方法について図１を用いて説明する。
構成例及び製造方法について図１を用いて説明する。
【００２０】このＴＦＴ１は、図１に示すように、ガラ
ス基板２上に、ゲート電極３、第１のゲート絶縁膜４、
第２のゲート絶縁膜５、ポリシリコン膜６、ストッパ
７、第１の層間絶縁膜８、第２の層間絶縁膜９、配線１
０、平坦化膜１１、透明導電膜１２が積層形成されて構
成されている。
ス基板２上に、ゲート電極３、第１のゲート絶縁膜４、
第２のゲート絶縁膜５、ポリシリコン膜６、ストッパ
７、第１の層間絶縁膜８、第２の層間絶縁膜９、配線１
０、平坦化膜１１、透明導電膜１２が積層形成されて構
成されている。
【００２１】そしてこのような構成のＴＦＴ１を製造す
る際は、先ず、ガラス基板２上に例えばモリブデン（Ｍ
ｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、チタ
ン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）等の
金属膜が成膜し、成膜された金属膜を異方性エッチング
によりパターニングすることによりゲート電極３を形成
する。
る際は、先ず、ガラス基板２上に例えばモリブデン（Ｍ
ｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、チタ
ン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）等の
金属膜が成膜し、成膜された金属膜を異方性エッチング
によりパターニングすることによりゲート電極３を形成
する。
【００２２】次に、例えば窒化シリコン（ＳｉＮＸ）等
からなる第１のゲート絶縁膜４を、ゲート電極３が形成
されたガラス基板２上に積層形成する。
からなる第１のゲート絶縁膜４を、ゲート電極３が形成
されたガラス基板２上に積層形成する。
【００２３】次に、例えば二酸化シリコン（ＳｉＯ２）
等からなる第２のゲート絶縁膜５を、第１のゲート絶縁
膜４上に積層形成する。
等からなる第２のゲート絶縁膜５を、第１のゲート絶縁
膜４上に積層形成する。
【００２４】次に、例えばポリシリコンからなるポリシ
リコン膜６を、第２のゲート絶縁膜５上に積層形成す
る。このポリシリコン膜６は、ボトムゲート型のＴＦＴ
１のチャネル層として機能し、例えばＬＰＣＤＶ法等に
よってアモルファスシリコン膜が成膜された後に、この
アモルファスシリコン膜に対してレーザ光を照射するレ
ーザアニール処理を施すことにより、アモルファスシリ
コン膜を加熱溶融し、再結晶化することにより多結晶膜
として形成されている。
リコン膜６を、第２のゲート絶縁膜５上に積層形成す
る。このポリシリコン膜６は、ボトムゲート型のＴＦＴ
１のチャネル層として機能し、例えばＬＰＣＤＶ法等に
よってアモルファスシリコン膜が成膜された後に、この
アモルファスシリコン膜に対してレーザ光を照射するレ
ーザアニール処理を施すことにより、アモルファスシリ
コン膜を加熱溶融し、再結晶化することにより多結晶膜
として形成されている。
【００２５】このようなポリシリコン膜６の多結晶化工
程においては、図２に示すレーザアニール装置２０を用
いるによりアモルファスシリコン膜を加熱溶融するレー
ザアニール処理が施される。
程においては、図２に示すレーザアニール装置２０を用
いるによりアモルファスシリコン膜を加熱溶融するレー
ザアニール処理が施される。
【００２６】本実施の形態に用いたレーザアニール装置
２０は、移動ステージ２１と、半導体レーザ素子２２
と、支持台２３と、制御用コンピュータ２４、電源２５
とによって構成されている。
２０は、移動ステージ２１と、半導体レーザ素子２２
と、支持台２３と、制御用コンピュータ２４、電源２５
とによって構成されている。
【００２７】移動ステージ２１は、レーザアニール処理
が施されるアモルファスシリコン膜が成膜されたガラス
基板２を主面上に置載する載物台である。また、移動ス
テージ２１は、ガラス基板２を置載する主面が高い平坦
性を有し、置載されたガラス基板２をレーザアニール処
理が施される位置に移動させる機能と、ガラス基板２を
固定する機能とを備えている。
が施されるアモルファスシリコン膜が成膜されたガラス
基板２を主面上に置載する載物台である。また、移動ス
テージ２１は、ガラス基板２を置載する主面が高い平坦
性を有し、置載されたガラス基板２をレーザアニール処
理が施される位置に移動させる機能と、ガラス基板２を
固定する機能とを備えている。
【００２８】具体的に、移動ステージ２１は、Ｘステー
ジ２６、Ｙステージ２７、図示しない吸着機構を備えて
構成されている。Ｘステージ２６及びＹステージ２７
は、移動ステージ２１をその主面の面内方向で図中矢印
Ｘ及び矢印Ｙで示す方向に水平移動させるステージであ
り、置載されたガラス基板２を互いに略直交する方向に
移動させてレーザアニール処理が施される位置へと導く
ようにする。吸着機構は、ガラス基板２を移動ステージ
２１の主面に吸着することによって固定するためのもの
である。
ジ２６、Ｙステージ２７、図示しない吸着機構を備えて
構成されている。Ｘステージ２６及びＹステージ２７
は、移動ステージ２１をその主面の面内方向で図中矢印
Ｘ及び矢印Ｙで示す方向に水平移動させるステージであ
り、置載されたガラス基板２を互いに略直交する方向に
移動させてレーザアニール処理が施される位置へと導く
ようにする。吸着機構は、ガラス基板２を移動ステージ
２１の主面に吸着することによって固定するためのもの
である。
【００２９】半導体レーザ素子２２は、アモルファスシ
リコン膜にレーザアニール処理を施すレーザ光２８を出
射する出射部２９を有するレーザ光源であり、活性層に
例えばＧａＮ、ＧａＡｓ等の化合物半導体を用いてい
る。この半導体レーザ素子２２は、活性層にＧａＮ、Ｇ
ａＡｓ等の化合物半導体を用いたものに限定されること
はなく、例えばＧａ、Ａｌ、Ｉｎのうち何れか一種又は
複数種からなる化合物と、Ｎ、Ａｓ、Ｐ、Ｚｎ、Ｓｅ、
Ｍｇ、Ｃｄ、Ｓのうち何れか一種又は複数種からなる化
合物とを合成することで得られる化合物半導体を用いて
も良い。また、半導体レーザ素子２２は、活性層として
ＳｉＣやダイヤモンドを主成分とする化合物半導体を用
いても良い。
リコン膜にレーザアニール処理を施すレーザ光２８を出
射する出射部２９を有するレーザ光源であり、活性層に
例えばＧａＮ、ＧａＡｓ等の化合物半導体を用いてい
る。この半導体レーザ素子２２は、活性層にＧａＮ、Ｇ
ａＡｓ等の化合物半導体を用いたものに限定されること
はなく、例えばＧａ、Ａｌ、Ｉｎのうち何れか一種又は
複数種からなる化合物と、Ｎ、Ａｓ、Ｐ、Ｚｎ、Ｓｅ、
Ｍｇ、Ｃｄ、Ｓのうち何れか一種又は複数種からなる化
合物とを合成することで得られる化合物半導体を用いて
も良い。また、半導体レーザ素子２２は、活性層として
ＳｉＣやダイヤモンドを主成分とする化合物半導体を用
いても良い。
【００３０】支持台２３は、レーザ光２８を出射する出
射部２９とアモルファスシリコン膜の表面とが平行に対
向するように、複数の半導体レーザ素子２２をアモルフ
ァスシリコン膜の表面上に所定の間隔で直列に並べて支
持する。また、支持台２３は、支持された半導体レーザ
素子２２を、移動ステージ２１に対して図中矢印Ｚで示
す垂直方向に昇降させる図示しない昇降機構を有してい
る。この昇降機構は、複数の半導体レーザ素子２２とア
モルファスシリコン膜の表面との距離を調節することが
可能なことから、複数の半導体レーザ素子２２から出射
されたレーザ光２８のアモルファスシリコン膜の表面に
照射される光強度を変化させる。
射部２９とアモルファスシリコン膜の表面とが平行に対
向するように、複数の半導体レーザ素子２２をアモルフ
ァスシリコン膜の表面上に所定の間隔で直列に並べて支
持する。また、支持台２３は、支持された半導体レーザ
素子２２を、移動ステージ２１に対して図中矢印Ｚで示
す垂直方向に昇降させる図示しない昇降機構を有してい
る。この昇降機構は、複数の半導体レーザ素子２２とア
モルファスシリコン膜の表面との距離を調節することが
可能なことから、複数の半導体レーザ素子２２から出射
されたレーザ光２８のアモルファスシリコン膜の表面に
照射される光強度を変化させる。
【００３１】制御用コンピュータ２４は、例えば移動ス
テージ２１の移動の制御、半導体レーザ素子２２におけ
るレーザ光２８の出射の制御、支持台２３の昇降機構の
制御等を行う。
テージ２１の移動の制御、半導体レーザ素子２２におけ
るレーザ光２８の出射の制御、支持台２３の昇降機構の
制御等を行う。
【００３２】電源２５は、例えば半導体レーザ素子２２
がレーザ光２８を出射するための電力や制御用コンピュ
ータ２４を作動させるための電力を、半導体レーザ素子
２２及び制御用コンピュータ２４等に供給する。
がレーザ光２８を出射するための電力や制御用コンピュ
ータ２４を作動させるための電力を、半導体レーザ素子
２２及び制御用コンピュータ２４等に供給する。
【００３３】以上のような構成のレーザアニール装置２
０では、複数の半導体レーザ素子２２から出射されたレ
ーザ光２８を、アモルファスシリコン膜の表面に、レー
ザ光２８の光強度が均一化するように照射する。
０では、複数の半導体レーザ素子２２から出射されたレ
ーザ光２８を、アモルファスシリコン膜の表面に、レー
ザ光２８の光強度が均一化するように照射する。
【００３４】そして、アモルファスシリコン膜の表面に
照射するレーザ光２８の光強度を均一化させる条件とし
ては、例えば、複数の半導体レーザ素子２２の出射部２
９とアモルファスシリコン膜の表面との距離を一定にし
て複数の半導体レーザ素子２２を支持台２３に支持させ
ることや、アモルファスシリコン膜の表面に照射された
レーザ光２８にビームの重なりやビーム間に隙間が生じ
ることがない間隔で複数の半導体レーザ素子２２を支持
台２３に並べることや、複数の半導体レーザ素子２２か
ら同一な光強度のレーザ光２８を出射させること等が挙
げられる。
照射するレーザ光２８の光強度を均一化させる条件とし
ては、例えば、複数の半導体レーザ素子２２の出射部２
９とアモルファスシリコン膜の表面との距離を一定にし
て複数の半導体レーザ素子２２を支持台２３に支持させ
ることや、アモルファスシリコン膜の表面に照射された
レーザ光２８にビームの重なりやビーム間に隙間が生じ
ることがない間隔で複数の半導体レーザ素子２２を支持
台２３に並べることや、複数の半導体レーザ素子２２か
ら同一な光強度のレーザ光２８を出射させること等が挙
げられる。
【００３５】これにより、レーザアニール装置２０で
は、複数の半導体レーザ素子２２から出射されたレーザ
光２８のアモルファスシリコン膜の表面に照射される光
強度が均一化され、安定した光強度のレーザ光２８をア
モルファスシリコン膜に照射することから、アモルファ
スシリコン膜をばらつきなく加熱溶融することが可能と
なる。
は、複数の半導体レーザ素子２２から出射されたレーザ
光２８のアモルファスシリコン膜の表面に照射される光
強度が均一化され、安定した光強度のレーザ光２８をア
モルファスシリコン膜に照射することから、アモルファ
スシリコン膜をばらつきなく加熱溶融することが可能と
なる。
【００３６】上述したレーザアニール装置２０を用いて
ポリシリコン膜６を形成する際は、先ず、移動ステージ
２１にアモルファスシリコン膜が成膜されたガラス基板
２を置載する。
ポリシリコン膜６を形成する際は、先ず、移動ステージ
２１にアモルファスシリコン膜が成膜されたガラス基板
２を置載する。
【００３７】次に、複数の半導体レーザ素子２２を支持
する支持台２３の昇降機構が、移動ステージ２１に対し
て支持台２３を昇降させ、複数の半導体レーザ素子２２
とアモルファスシリコン膜の表面との距離を調節する。
これにより、複数の半導体レーザ素子２２から出射され
たレーザ光２８のアモルファスシリコン膜の表面に照射
される光強度を所望の強度に調節することが可能とな
る。
する支持台２３の昇降機構が、移動ステージ２１に対し
て支持台２３を昇降させ、複数の半導体レーザ素子２２
とアモルファスシリコン膜の表面との距離を調節する。
これにより、複数の半導体レーザ素子２２から出射され
たレーザ光２８のアモルファスシリコン膜の表面に照射
される光強度を所望の強度に調節することが可能とな
る。
【００３８】次に、複数の半導体レーザ素子２２から出
射されたレーザ光２８をアモルファスシリコン膜の表面
に照射し、移動ステージ２１を複数の半導体レーザ素子
２２が直列に並んだ方向に対して略直交する方向に平行
移動させることによって、レーザ光２８の照射領域を移
動させながらアモルファスシリコン膜をポリシリコン膜
６に多結晶化させるレーザアニール処理を施す。
射されたレーザ光２８をアモルファスシリコン膜の表面
に照射し、移動ステージ２１を複数の半導体レーザ素子
２２が直列に並んだ方向に対して略直交する方向に平行
移動させることによって、レーザ光２８の照射領域を移
動させながらアモルファスシリコン膜をポリシリコン膜
６に多結晶化させるレーザアニール処理を施す。
【００３９】このようにして、アモルファスシリコン膜
の表面に照射されるレーザ光２８の光強度が均一化され
たレーザ光２８を、アモルファスシリコン膜の表面に照
射するレーザアニール処理を施すことにより、アモルフ
ァスシリコン膜の加熱溶融のばらつきが抑制され、再結
晶化して得られた結晶粒子の粒径が均一化されたポリシ
リコン膜６が形成される。
の表面に照射されるレーザ光２８の光強度が均一化され
たレーザ光２８を、アモルファスシリコン膜の表面に照
射するレーザアニール処理を施すことにより、アモルフ
ァスシリコン膜の加熱溶融のばらつきが抑制され、再結
晶化して得られた結晶粒子の粒径が均一化されたポリシ
リコン膜６が形成される。
【００４０】次に、図１に示すように、以上のようにし
て形成されたポリシリコン膜６上に、例えば二酸化シリ
コン（ＳｉＯ２）等の膜を成膜し、ゲート電極３を形成
した同様のパターニング方法等により、二酸化シリコン
（ＳｉＯ２）の膜をパターニングしてゲート電極３に対
応する位置にストッパ７を形成する。
て形成されたポリシリコン膜６上に、例えば二酸化シリ
コン（ＳｉＯ２）等の膜を成膜し、ゲート電極３を形成
した同様のパターニング方法等により、二酸化シリコン
（ＳｉＯ２）の膜をパターニングしてゲート電極３に対
応する位置にストッパ７を形成する。
【００４１】次に、ポリシリコン膜６に、ソース／ドレ
イン領域を形成するための不純物をイオンドーピングす
る。このとき、ストッパ７は、ゲート電極３の上方部分
のポリシリコン膜６に不純物がドーピングされないよう
にする。
イン領域を形成するための不純物をイオンドーピングす
る。このとき、ストッパ７は、ゲート電極３の上方部分
のポリシリコン膜６に不純物がドーピングされないよう
にする。
【００４２】次に、例えば二酸化シリコン（ＳｉＯ２）
等からなる第１の層間絶縁膜８を、ストッパ７が形成さ
れたポリシリコン膜６上に積層形成する。
等からなる第１の層間絶縁膜８を、ストッパ７が形成さ
れたポリシリコン膜６上に積層形成する。
【００４３】次に、例えば窒化シリコン（ＳｉＮＸ）等
からなる第２の層間絶縁膜９を、第１の層間絶縁膜８上
に積層形成する。
からなる第２の層間絶縁膜９を、第１の層間絶縁膜８上
に積層形成する。
【００４４】次に、ポリシリコン膜６のソース／ドレイ
ン領域を接続させるためのコンタクトホールを開口し、
例えばアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）等の金属
膜を成膜し、この金属膜をエッチングなどによってパタ
ーニングすることによって配線１０を形成する。この配
線１０は、ポリシリコン膜６上に形成された各トランジ
スタのソース／ドレイン領域を接続して、基板上に所定
の回路パターンを形成する。
ン領域を接続させるためのコンタクトホールを開口し、
例えばアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）等の金属
膜を成膜し、この金属膜をエッチングなどによってパタ
ーニングすることによって配線１０を形成する。この配
線１０は、ポリシリコン膜６上に形成された各トランジ
スタのソース／ドレイン領域を接続して、基板上に所定
の回路パターンを形成する。
【００４５】次に、配線１０が形成された第２の層間絶
縁層９上に、ボトムゲート型のＴＦＴ１の表面を平坦化
させるための例えばアクリル樹脂等からなる平坦化膜１
１を成膜する。
縁層９上に、ボトムゲート型のＴＦＴ１の表面を平坦化
させるための例えばアクリル樹脂等からなる平坦化膜１
１を成膜する。
【００４６】次に、配線１０と外部に存在する外部端子
や外部配線とを接続させるための例えばＩＴＯ等からな
る透明導電膜１２をコンタクトホールが平坦化膜１１に
開口された後に、この平坦化膜１１上に形成する。以上
のようにして、ＴＦＴ１が製造される。
や外部配線とを接続させるための例えばＩＴＯ等からな
る透明導電膜１２をコンタクトホールが平坦化膜１１に
開口された後に、この平坦化膜１１上に形成する。以上
のようにして、ＴＦＴ１が製造される。
【００４７】以上のようなＴＦＴ１の製造方法では、レ
ーザアニール装置２０が、アモルファスシリコン膜の表
面に照射されるレーザ光２８の光強度が均一化されたレ
ーザ光２８を、アモルファスシリコン膜の表面に照射す
るレーザアニール処理を施すことから、アモルファスシ
リコン膜の加熱溶融のばらつきが抑制され、このアモル
ファスシリコン膜を再結晶化したポリシリコン膜６の結
晶粒子の粒径が均一化されたＴＦＴ１を得ることができ
る。このようにして得られたＴＦＴ１では、ポリシリコ
ン膜６の結晶粒子の粒径が均一化されていることから、
ディスプレイ素子の画像に例えば筋状、点状のむら等が
発生することを防止してトランジスタ特性を向上させる
ことができる。
ーザアニール装置２０が、アモルファスシリコン膜の表
面に照射されるレーザ光２８の光強度が均一化されたレ
ーザ光２８を、アモルファスシリコン膜の表面に照射す
るレーザアニール処理を施すことから、アモルファスシ
リコン膜の加熱溶融のばらつきが抑制され、このアモル
ファスシリコン膜を再結晶化したポリシリコン膜６の結
晶粒子の粒径が均一化されたＴＦＴ１を得ることができ
る。このようにして得られたＴＦＴ１では、ポリシリコ
ン膜６の結晶粒子の粒径が均一化されていることから、
ディスプレイ素子の画像に例えば筋状、点状のむら等が
発生することを防止してトランジスタ特性を向上させる
ことができる。
【００４８】また、上述したＴＦＴ１の製造方法では、
レーザアニール装置２０が、従来のエキシマレーザを用
いたレーザアニール装置のように励起ガスを必要としな
いことから、励起ガスの劣化によって出射されるレーザ
光の光強度が不安定になることがなく、安定した光強度
のレーザ光２８をアモルファスシリコン膜の表面に照射
することができる。したがって、上述したＴＦＴ１の製
造方法では、レーザアニール装置２０が、安定した光強
度のレーザ光２８によって加熱溶融のばらつきが抑制す
るレーザアニール処理を、アモルファスシリコン膜に施
すことが可能となり、ポリシリコン膜６を形成する際の
歩留まりを向上させることができる。
レーザアニール装置２０が、従来のエキシマレーザを用
いたレーザアニール装置のように励起ガスを必要としな
いことから、励起ガスの劣化によって出射されるレーザ
光の光強度が不安定になることがなく、安定した光強度
のレーザ光２８をアモルファスシリコン膜の表面に照射
することができる。したがって、上述したＴＦＴ１の製
造方法では、レーザアニール装置２０が、安定した光強
度のレーザ光２８によって加熱溶融のばらつきが抑制す
るレーザアニール処理を、アモルファスシリコン膜に施
すことが可能となり、ポリシリコン膜６を形成する際の
歩留まりを向上させることができる。
【００４９】さらに、このＴＦＴ１の製造方法では、レ
ーザアニール装置２０が、従来のエキシマレーザを用い
たレーザアニール装置のように励起ガスを必要としない
ことから、劣化した励起ガスの交換といった工程がな
く、ＴＦＴ１の生産性の向上を図ることができる。
ーザアニール装置２０が、従来のエキシマレーザを用い
たレーザアニール装置のように励起ガスを必要としない
ことから、劣化した励起ガスの交換といった工程がな
く、ＴＦＴ１の生産性の向上を図ることができる。
【００５０】さらにまた、このＴＦＴ１の製造方法で
は、レーザアニール装置２０が従来のエキシマレーザを
用いたレーザアニール装置のように励起ガスをためてお
く槽が必要でなく、レーザ光２８を出射する半導体レー
ザ素子２２が比較的小型であることから、設置面積を小
面積化すると共に、使用される電力を抑えることが可能
であり、ＴＦＴ１の製造コストを削減することができ
る。
は、レーザアニール装置２０が従来のエキシマレーザを
用いたレーザアニール装置のように励起ガスをためてお
く槽が必要でなく、レーザ光２８を出射する半導体レー
ザ素子２２が比較的小型であることから、設置面積を小
面積化すると共に、使用される電力を抑えることが可能
であり、ＴＦＴ１の製造コストを削減することができ
る。
【００５１】上述した本発明の実施の形態のレーザアニ
ール装置２０では、シリコンのレーザアニール処理を行
う際に、半導体レーザ素子２２が波長を２００ｎｍ〜９
００ｎｍの範囲とするレーザ光２８を出射することが好
ましいが、より好ましくは波長が４００ｎｍ程度のレー
ザ光２８である。
ール装置２０では、シリコンのレーザアニール処理を行
う際に、半導体レーザ素子２２が波長を２００ｎｍ〜９
００ｎｍの範囲とするレーザ光２８を出射することが好
ましいが、より好ましくは波長が４００ｎｍ程度のレー
ザ光２８である。
【００５２】これは、シリコンのレーザアニール処理を
行う際のレーザ光２８の波長を２００ｎｍより短波長に
した場合、レーザアニール装置２０では、例えば大気等
にレーザ光２８が吸収されてしまい、アモルファスシリ
コン膜の表面を照射するレーザ光２８の光強度が小さく
なくことから、アモルファスシリコン膜に対するレーザ
アニール処理の効率が低下してしまう虞がある。
行う際のレーザ光２８の波長を２００ｎｍより短波長に
した場合、レーザアニール装置２０では、例えば大気等
にレーザ光２８が吸収されてしまい、アモルファスシリ
コン膜の表面を照射するレーザ光２８の光強度が小さく
なくことから、アモルファスシリコン膜に対するレーザ
アニール処理の効率が低下してしまう虞がある。
【００５３】一方、シリコンのレーザアニール処理を行
う際のレーザ光２８の波長を９００ｎｍより長波長にし
た場合、レーザアニール装置２０では、レーザ光２８に
対するアモルファスシリコン膜の吸収係数が０．１以下
と極端に小さくなることから、アモルファスシリコン膜
に対してレーザアニール処理を施す効率が低下してしま
う虞がある。
う際のレーザ光２８の波長を９００ｎｍより長波長にし
た場合、レーザアニール装置２０では、レーザ光２８に
対するアモルファスシリコン膜の吸収係数が０．１以下
と極端に小さくなることから、アモルファスシリコン膜
に対してレーザアニール処理を施す効率が低下してしま
う虞がある。
【００５４】したがって、レーザアニール装置２０で
は、シリコンのレーザアニール処理を行う際に、半導体
レーザ素子２２が波長を２００ｎｍ〜９００ｎｍの範囲
とするレーザ光２８を出射してアモルファスシリコン膜
の表面を照射することにより、効率良くアモルファスシ
リコン膜を加熱溶融するレーザアニール処理を施すこと
ができる。
は、シリコンのレーザアニール処理を行う際に、半導体
レーザ素子２２が波長を２００ｎｍ〜９００ｎｍの範囲
とするレーザ光２８を出射してアモルファスシリコン膜
の表面を照射することにより、効率良くアモルファスシ
リコン膜を加熱溶融するレーザアニール処理を施すこと
ができる。
【００５５】ここで、ポリシリコン及びアモルファスシ
リコンの吸収波長特性を測定した結果を図３に示す。な
お、図３では、横軸に、レーザ光の波長を示し、縦軸
に、各シリコンの吸収係数を示している。
リコンの吸収波長特性を測定した結果を図３に示す。な
お、図３では、横軸に、レーザ光の波長を示し、縦軸
に、各シリコンの吸収係数を示している。
【００５６】図３の測定結果から、ポリシリコン及びア
モルファスシリコンの吸収波長のピークは３００ｎｍ近
傍にあることがわかる。特にアモルファスシリコンは、
レーザアニール処理に用いられる波長が４００ｎｍ程度
のレーザ光に対する吸収係数が十分であり、波長が４０
０ｎｍ程度のレーザ光を効率良く吸収できることがわか
る。
モルファスシリコンの吸収波長のピークは３００ｎｍ近
傍にあることがわかる。特にアモルファスシリコンは、
レーザアニール処理に用いられる波長が４００ｎｍ程度
のレーザ光に対する吸収係数が十分であり、波長が４０
０ｎｍ程度のレーザ光を効率良く吸収できることがわか
る。
【００５７】これにより、レーザアニール装置２０で
は、シリコンのレーザアニール処理を行う際に、半導体
レーザ素子２２が波長を４００ｎｍ程度とするレーザ光
２８を出射し、アモルファスシリコン膜に照射すること
により、例えば大気等にレーザ光２８が吸収されること
なく、レーザ光２８に対するアモルファスシリコン膜の
吸収係数が十分に大きいことから、効率良くアモルファ
スシリコン膜を加熱溶融するレーザアニール処理を施す
ことができる。
は、シリコンのレーザアニール処理を行う際に、半導体
レーザ素子２２が波長を４００ｎｍ程度とするレーザ光
２８を出射し、アモルファスシリコン膜に照射すること
により、例えば大気等にレーザ光２８が吸収されること
なく、レーザ光２８に対するアモルファスシリコン膜の
吸収係数が十分に大きいことから、効率良くアモルファ
スシリコン膜を加熱溶融するレーザアニール処理を施す
ことができる。
【００５８】また、レーザアニール装置２０において、
シリコンのレーザアニール処理を行う際の波長を４００
ｎｍ程度とするレーザ光２８は、アモルファスシリコン
膜を加熱溶融して瞬間的にアモルファスシリコンとポリ
シリコンとが混在した場合でも、ポリシリコンにも微小
ながら吸収されることから、これらのシリコンを同時に
加熱溶融することが可能である。したがって、レーザア
ニール装置２０では、シリコンのレーザアニール処理を
行う際の波長を４００ｎｍ程度とするレーザ光２８を用
いたレーザアニール処理によって、アモルファスシリコ
ン膜が加熱溶融されて形成されたポリシリコン膜６の結
晶粒子の粒径を均一化することができる。
シリコンのレーザアニール処理を行う際の波長を４００
ｎｍ程度とするレーザ光２８は、アモルファスシリコン
膜を加熱溶融して瞬間的にアモルファスシリコンとポリ
シリコンとが混在した場合でも、ポリシリコンにも微小
ながら吸収されることから、これらのシリコンを同時に
加熱溶融することが可能である。したがって、レーザア
ニール装置２０では、シリコンのレーザアニール処理を
行う際の波長を４００ｎｍ程度とするレーザ光２８を用
いたレーザアニール処理によって、アモルファスシリコ
ン膜が加熱溶融されて形成されたポリシリコン膜６の結
晶粒子の粒径を均一化することができる。
【００５９】なお、上述した実施の形態において、ＴＦ
Ｔ１は、ゲート電極３がポリシリコン膜６の下方にある
ボトムゲート構造としているが、この構造に限定される
ことはなく、例えばゲート電極がポリシリコン膜の上方
に配置されたトップゲート構造であっても良い。
Ｔ１は、ゲート電極３がポリシリコン膜６の下方にある
ボトムゲート構造としているが、この構造に限定される
ことはなく、例えばゲート電極がポリシリコン膜の上方
に配置されたトップゲート構造であっても良い。
【００６０】ところで、アモルファスシリコン膜の表面
に照射されるレーザ光２８の光強度を均一化させる場合
は、上述した実施の形態においてはレーザ光２８を出射
する出射部２９がアモルファスシリコン膜の表面に対し
て平行になるように複数の半導体レーザ素子２２を支持
台２３に支持する構成としているが、このことに限定さ
れることはなく、例えば図４乃至図８に示すようなレー
ザアニール装置の構成にしても良い。なお、以下の説明
では、図４乃至図８に示すレーザアニール装置について
上述したレーザアニール装置２０と同等な構成、部位、
機能についての説明を省略するとともに、図面において
同じ符号を付するものとする。
に照射されるレーザ光２８の光強度を均一化させる場合
は、上述した実施の形態においてはレーザ光２８を出射
する出射部２９がアモルファスシリコン膜の表面に対し
て平行になるように複数の半導体レーザ素子２２を支持
台２３に支持する構成としているが、このことに限定さ
れることはなく、例えば図４乃至図８に示すようなレー
ザアニール装置の構成にしても良い。なお、以下の説明
では、図４乃至図８に示すレーザアニール装置について
上述したレーザアニール装置２０と同等な構成、部位、
機能についての説明を省略するとともに、図面において
同じ符号を付するものとする。
【００６１】先ず、図４に示すレーザアニール装置４０
について説明する。このレーザアニール装置４０は、ガ
ラス基板２の上方に複数の半導体レーザ素子２２をアモ
ルファスシリコン膜の表面に平行に所定の間隔で直列に
並べて支持する支持台２３を、複数の半導体レーザ素子
２２が並べられている方向と略直交する方向に複数並べ
た構成にされている。
について説明する。このレーザアニール装置４０は、ガ
ラス基板２の上方に複数の半導体レーザ素子２２をアモ
ルファスシリコン膜の表面に平行に所定の間隔で直列に
並べて支持する支持台２３を、複数の半導体レーザ素子
２２が並べられている方向と略直交する方向に複数並べ
た構成にされている。
【００６２】このように構成されたレーザアニール装置
４０おいて、アモルファスシリコン膜の表面に照射され
るレーザ光２８の光強度を均一化させる際は、例えば、
レーザ光２８を出射する出射部２９がアモルファスシリ
コン膜の表面に対して平行になるように、複数の半導体
レーザ素子２２を支持台２３に支持させることにより、
複数の半導体レーザ素子２２の出射部２９とアモルファ
スシリコン膜の表面との距離を一定にさせる。
４０おいて、アモルファスシリコン膜の表面に照射され
るレーザ光２８の光強度を均一化させる際は、例えば、
レーザ光２８を出射する出射部２９がアモルファスシリ
コン膜の表面に対して平行になるように、複数の半導体
レーザ素子２２を支持台２３に支持させることにより、
複数の半導体レーザ素子２２の出射部２９とアモルファ
スシリコン膜の表面との距離を一定にさせる。
【００６３】これにより、レーザアニール装置４０で
は、安定した光強度のレーザ光２８をアモルファスシリ
コン膜の表面に照射することが可能になり、アモルファ
スシリコン膜をばらつきなく加熱溶融させるレーザアニ
ール処理を施すことができる。
は、安定した光強度のレーザ光２８をアモルファスシリ
コン膜の表面に照射することが可能になり、アモルファ
スシリコン膜をばらつきなく加熱溶融させるレーザアニ
ール処理を施すことができる。
【００６４】また、このレーザアニール装置４０では、
複数の半導体レーザ素子２２を支持する支持台２３が複
数並んでいることから、アモルファスシリコン膜の表面
に対してレーザ光２８を照射する面積が大きくなり、例
えばレーザ光２８の照射が必要な領域に、アモルファス
シリコン膜の表面に照射される光強度を均一化したレー
ザ光２８を、一括して照射することも可能になることか
ら、レーザアニール処理にかかる時間が短縮でき、ＴＦ
Ｔ１の生産性を向上させることができる。
複数の半導体レーザ素子２２を支持する支持台２３が複
数並んでいることから、アモルファスシリコン膜の表面
に対してレーザ光２８を照射する面積が大きくなり、例
えばレーザ光２８の照射が必要な領域に、アモルファス
シリコン膜の表面に照射される光強度を均一化したレー
ザ光２８を、一括して照射することも可能になることか
ら、レーザアニール処理にかかる時間が短縮でき、ＴＦ
Ｔ１の生産性を向上させることができる。
【００６５】次に、図５に示すレーザアニール装置５０
について説明する。レーザアニール装置５０は、複数の
半導体レーザ素子２２のレーザ光２８を出射する出射部
２９に、レーザ光２８のビーム形状を所定の形状に成形
させる例えばマイクロレンズ等の光学素子５１がそれぞ
れ取り付けられた構成にされている。この光学素子５１
は、一主面側から入射したレーザ光２８を他主面側から
所定のビーム形状に成形して出射させる。
について説明する。レーザアニール装置５０は、複数の
半導体レーザ素子２２のレーザ光２８を出射する出射部
２９に、レーザ光２８のビーム形状を所定の形状に成形
させる例えばマイクロレンズ等の光学素子５１がそれぞ
れ取り付けられた構成にされている。この光学素子５１
は、一主面側から入射したレーザ光２８を他主面側から
所定のビーム形状に成形して出射させる。
【００６６】このように構成されたレーザアニール装置
５０おいて、アモルファスシリコン膜の表面に照射され
るレーザ光２８の光強度を均一化させる際は、例えば複
数の半導体レーザ素子２２に取り付けられた光学素子５
１のレーザ光２８を出射する主面がアモルファスシリコ
ン膜の表面に対して平行となるように、複数の半導体レ
ーザ素子２２を支持台２３に支持させることにより、光
学素子５１のレーザ光２８が出射する主面とアモルファ
スシリコン膜の表面との距離を一定にさせる。
５０おいて、アモルファスシリコン膜の表面に照射され
るレーザ光２８の光強度を均一化させる際は、例えば複
数の半導体レーザ素子２２に取り付けられた光学素子５
１のレーザ光２８を出射する主面がアモルファスシリコ
ン膜の表面に対して平行となるように、複数の半導体レ
ーザ素子２２を支持台２３に支持させることにより、光
学素子５１のレーザ光２８が出射する主面とアモルファ
スシリコン膜の表面との距離を一定にさせる。
【００６７】これにより、レーザアニール装置５０で
は、安定した光強度のレーザ光２８をアモルファスシリ
コン膜の表面に照射することが可能になり、アモルファ
スシリコン膜をばらつきなく加熱溶融させるレーザアニ
ール処理を施すことができる。
は、安定した光強度のレーザ光２８をアモルファスシリ
コン膜の表面に照射することが可能になり、アモルファ
スシリコン膜をばらつきなく加熱溶融させるレーザアニ
ール処理を施すことができる。
【００６８】また、このレーザアニール装置５０では、
光学素子５１によって所定のビーム形状に成形されてい
ることから、アモルファスシリコン膜の表面に照射され
る光強度を均一化したレーザ光２８をアモルファスシリ
コン膜の所定の領域だけに照射させることが可能であ
り、無駄なレーザ光２８の照射が省けることからＴＦＴ
１の生産性を向上させることができる。
光学素子５１によって所定のビーム形状に成形されてい
ることから、アモルファスシリコン膜の表面に照射され
る光強度を均一化したレーザ光２８をアモルファスシリ
コン膜の所定の領域だけに照射させることが可能であ
り、無駄なレーザ光２８の照射が省けることからＴＦＴ
１の生産性を向上させることができる。
【００６９】次に、図６に示すレーザアニール装置６０
について説明する。このレーザアニール装置６０は、複
数の半導体レーザ素子２２を移動ステージ２１から遠隔
した位置で支持する支持台６１と、半導体レーザ素子２
２から出射されたレーザ光２２を導光する光ファイバー
６２と、この光ファイバー６２を支持する光ファイバー
支持台６３とを備えた構成となっている。
について説明する。このレーザアニール装置６０は、複
数の半導体レーザ素子２２を移動ステージ２１から遠隔
した位置で支持する支持台６１と、半導体レーザ素子２
２から出射されたレーザ光２２を導光する光ファイバー
６２と、この光ファイバー６２を支持する光ファイバー
支持台６３とを備えた構成となっている。
【００７０】支持台６１は、レーザ光２８を出射する出
射部２９を所定の一方向に向けた複数の半導体レーザ素
子２２を所定の間隔で直列に並べて支持している。
射部２９を所定の一方向に向けた複数の半導体レーザ素
子２２を所定の間隔で直列に並べて支持している。
【００７１】光ファイバー６２は、可撓性を有する細線
状を呈しており、一端面側が複数の半導体レーザ素子２
２のレーザ光２８を出射する出射部２９にそれぞれ取り
付けられ、出射部２９から出射されたレーザ光２８を細
線内部で導光し、他端面側を出射口部６２ａとして導光
したレーザ光２８をこの出射口部６２ａから出射する。
この光ファイバー６２では、出射口部６２ａとなる他端
面を例えば凸型にすることにより、出射されたレーザ光
２８を所定のビーム形状に形成することもできる。
状を呈しており、一端面側が複数の半導体レーザ素子２
２のレーザ光２８を出射する出射部２９にそれぞれ取り
付けられ、出射部２９から出射されたレーザ光２８を細
線内部で導光し、他端面側を出射口部６２ａとして導光
したレーザ光２８をこの出射口部６２ａから出射する。
この光ファイバー６２では、出射口部６２ａとなる他端
面を例えば凸型にすることにより、出射されたレーザ光
２８を所定のビーム形状に形成することもできる。
【００７２】光ファイバー支持台６３は、光ファイバー
６２の出射口部６２ａとアモルファスシリコン膜の表面
とが平行に対向し、且つ光ファイバー６２の出射口部６
２ａがアモルファスシリコン膜の表面上に所定の間隔で
直列に並ぶように、光ファイバー６２の出射口部６１ａ
の近傍を支持している。また、光ファイバー支持台６３
は、支持された光ファイバー６２を、移動ステージ２１
に対して図中矢印Ｓで示す垂直方向に昇降させる図示し
ない昇降機構を有している。この昇降機構は、光ファイ
バー６２の出射口部６２ａとアモルファスシリコン膜の
表面との距離を調節することが可能なことから、光ファ
イバー６１の出射口部６１ａから出射されたレーザ光２
８のアモルファスシリコン膜の表面に照射される光強度
を変化させることが可能である。
６２の出射口部６２ａとアモルファスシリコン膜の表面
とが平行に対向し、且つ光ファイバー６２の出射口部６
２ａがアモルファスシリコン膜の表面上に所定の間隔で
直列に並ぶように、光ファイバー６２の出射口部６１ａ
の近傍を支持している。また、光ファイバー支持台６３
は、支持された光ファイバー６２を、移動ステージ２１
に対して図中矢印Ｓで示す垂直方向に昇降させる図示し
ない昇降機構を有している。この昇降機構は、光ファイ
バー６２の出射口部６２ａとアモルファスシリコン膜の
表面との距離を調節することが可能なことから、光ファ
イバー６１の出射口部６１ａから出射されたレーザ光２
８のアモルファスシリコン膜の表面に照射される光強度
を変化させることが可能である。
【００７３】このように構成されたレーザアニール装置
６０において、アモルファスシリコン膜の表面に照射さ
れるレーザ光２８の光強度を均一化させる際は、例えば
複数の半導体レーザ素子２２に取り付けられた光ファイ
バー６２の出射口部６２ａがアモルファスシリコン膜の
表面に対して平行となるように、光ファイバー６２の出
射口部６２ａの近傍を光ファイバー支持台６３に支持さ
せることにより、光ファイバー６２の出射口部６２ａと
アモルファスシリコン膜の表面との距離を一定にさせ
る。
６０において、アモルファスシリコン膜の表面に照射さ
れるレーザ光２８の光強度を均一化させる際は、例えば
複数の半導体レーザ素子２２に取り付けられた光ファイ
バー６２の出射口部６２ａがアモルファスシリコン膜の
表面に対して平行となるように、光ファイバー６２の出
射口部６２ａの近傍を光ファイバー支持台６３に支持さ
せることにより、光ファイバー６２の出射口部６２ａと
アモルファスシリコン膜の表面との距離を一定にさせ
る。
【００７４】これにより、レーザアニール装置６０で
は、安定した光強度のレーザ光２８をアモルファスシリ
コン膜の表面に照射することが可能になり、アモルファ
スシリコン膜をばらつきなく加熱溶融させるレーザアニ
ール処理を施すことができる。
は、安定した光強度のレーザ光２８をアモルファスシリ
コン膜の表面に照射することが可能になり、アモルファ
スシリコン膜をばらつきなく加熱溶融させるレーザアニ
ール処理を施すことができる。
【００７５】また、このレーザアニール装置６０では、
光ファイバー６２が可撓性を有しており、アモルファス
シリコン膜に対してレーザ光２８を照射する位置を容易
に変更することが可能なことから、アモルファスシリコ
ン膜のサイズに応じてレーザ光２８の照射範囲及び照射
位置の制御を容易に行うことができる。
光ファイバー６２が可撓性を有しており、アモルファス
シリコン膜に対してレーザ光２８を照射する位置を容易
に変更することが可能なことから、アモルファスシリコ
ン膜のサイズに応じてレーザ光２８の照射範囲及び照射
位置の制御を容易に行うことができる。
【００７６】さらに、レーザアニール装置６０では、図
７に示すように、光ファイバー６２を出射口部６２ａの
近傍でバンドル化させて光ファイバー支持台６３に支持
させることも可能である。この場合、レーザアニール装
置６０では、光ファイバー６２の出射口部６２ａから出
射されたレーザ光２８をアモルファスシリコン膜の所定
の領域だけに照射させることができ、無駄なレーザ光２
８の照射が省けることからＴＦＴ１の生産性を向上させ
ることができる。
７に示すように、光ファイバー６２を出射口部６２ａの
近傍でバンドル化させて光ファイバー支持台６３に支持
させることも可能である。この場合、レーザアニール装
置６０では、光ファイバー６２の出射口部６２ａから出
射されたレーザ光２８をアモルファスシリコン膜の所定
の領域だけに照射させることができ、無駄なレーザ光２
８の照射が省けることからＴＦＴ１の生産性を向上させ
ることができる。
【００７７】さらにまた、レーザアニール装置６０で
は、例えば半導体レーザ素子２２等をガラス基板２から
遠隔させることが可能であり、部品等の交換を容易に行
うことができる。
は、例えば半導体レーザ素子２２等をガラス基板２から
遠隔させることが可能であり、部品等の交換を容易に行
うことができる。
【００７８】次に、図８に示すレーザアニール装置７０
について説明する。このレーザアニール装置７０は、ガ
ラス基板２を置載する移動ステージ７１と、複数の半導
体レーザ素子２２を移動ステージ７１から遠隔した位置
で支持する支持台７２と、半導体レーザ素子２２から出
射されたレーザ光２８を通過させて所定のビーム形状に
成形する光学素子７３と、光学素子７３を経たレーザ光
２８をアモルファスシリコン膜の表面に反射させる反射
鏡７４とを備えた構成となっている。
について説明する。このレーザアニール装置７０は、ガ
ラス基板２を置載する移動ステージ７１と、複数の半導
体レーザ素子２２を移動ステージ７１から遠隔した位置
で支持する支持台７２と、半導体レーザ素子２２から出
射されたレーザ光２８を通過させて所定のビーム形状に
成形する光学素子７３と、光学素子７３を経たレーザ光
２８をアモルファスシリコン膜の表面に反射させる反射
鏡７４とを備えた構成となっている。
【００７９】移動ステージ７１は、ガラス基板２を置載
する主面が高い平坦性を有し、置載されたガラス基板２
をレーザアニール処理が施される位置に移動させる機能
と、ガラス基板２を固定する機能とを備えている。
する主面が高い平坦性を有し、置載されたガラス基板２
をレーザアニール処理が施される位置に移動させる機能
と、ガラス基板２を固定する機能とを備えている。
【００８０】具体的に、移動ステージ７１は、Ｘステー
ジ７５、Ｙステージ７６、Ｚステージ７７、図示しない
吸着機構を備えて構成されている。Ｘステージ７５及び
Ｙステージ７６は、移動ステージ７１をその主面の面内
方向で図中矢印Ｔ及び矢印Ｕで示す方向に水平移動させ
るステージであり、置載されたガラス基板２を互いに略
直交する方向に移動させてレーザアニール処理が施され
る位置へと導くようにする。Ｚステージ７７は、置載さ
れたガラス基板２に対して図中Ｖで示す垂直方向に移動
するステージであり、移動ステージ７１の高さを調節す
る。これにより、Ｚステージでは、反射鏡７４によって
反射されたレーザ光２８のアモルファスシリコン膜の表
面に照射される光強度を変化させることができる。吸着
機構は、ガラス基板２を移動ステージ７１の主面に吸着
することによって固定するためのものである。
ジ７５、Ｙステージ７６、Ｚステージ７７、図示しない
吸着機構を備えて構成されている。Ｘステージ７５及び
Ｙステージ７６は、移動ステージ７１をその主面の面内
方向で図中矢印Ｔ及び矢印Ｕで示す方向に水平移動させ
るステージであり、置載されたガラス基板２を互いに略
直交する方向に移動させてレーザアニール処理が施され
る位置へと導くようにする。Ｚステージ７７は、置載さ
れたガラス基板２に対して図中Ｖで示す垂直方向に移動
するステージであり、移動ステージ７１の高さを調節す
る。これにより、Ｚステージでは、反射鏡７４によって
反射されたレーザ光２８のアモルファスシリコン膜の表
面に照射される光強度を変化させることができる。吸着
機構は、ガラス基板２を移動ステージ７１の主面に吸着
することによって固定するためのものである。
【００８１】支持台７２は、レーザ光２８を出射する出
射部２９を所定の一方向に向けた複数の半導体レーザ素
子２２を所定の間隔で直列に並べて支持している。
射部２９を所定の一方向に向けた複数の半導体レーザ素
子２２を所定の間隔で直列に並べて支持している。
【００８２】光学素子７３は、例えばビームホモジナイ
ザー等の光学機構であり、複数の半導体レーザ素子２２
から出射されたレーザ光２８を一主面側から入射させ、
他主面側から所定のビーム形状に成形して出射させる。
ザー等の光学機構であり、複数の半導体レーザ素子２２
から出射されたレーザ光２８を一主面側から入射させ、
他主面側から所定のビーム形状に成形して出射させる。
【００８３】反射鏡７４は、光学素子７３によって所定
のビーム形状に成形されたレーザ光２８を反射させる反
射面７４ａを有している。この反射鏡７４は、反射面７
４ａのレーザ光２８が当たった位置とアモルファスシリ
コン膜の表面とが平行になるようにアモルファスシリコ
ン膜の表面上に配設されている。これにより、反射鏡７
４では、光学素子７３によって所定のビーム形状に成形
されたレーザ光２８を反射させ、アモルファスシリコン
膜の表面に照射させることが可能となる。
のビーム形状に成形されたレーザ光２８を反射させる反
射面７４ａを有している。この反射鏡７４は、反射面７
４ａのレーザ光２８が当たった位置とアモルファスシリ
コン膜の表面とが平行になるようにアモルファスシリコ
ン膜の表面上に配設されている。これにより、反射鏡７
４では、光学素子７３によって所定のビーム形状に成形
されたレーザ光２８を反射させ、アモルファスシリコン
膜の表面に照射させることが可能となる。
【００８４】このような構成のレーザアニール装置７０
において、アモルファスシリコン膜の表面に照射される
レーザ光２８の光強度を均一化させる際は、例えば反射
面７４ａのレーザ光２８が当たった位置とアモルファス
シリコン膜の表面とを平行にすることにより、反射面７
４ａのレーザ光２８が当たった位置とアモルファスシリ
コン膜の表面との距離を一定にさせる。
において、アモルファスシリコン膜の表面に照射される
レーザ光２８の光強度を均一化させる際は、例えば反射
面７４ａのレーザ光２８が当たった位置とアモルファス
シリコン膜の表面とを平行にすることにより、反射面７
４ａのレーザ光２８が当たった位置とアモルファスシリ
コン膜の表面との距離を一定にさせる。
【００８５】これにより、レーザアニール装置７０で
は、安定した光強度のレーザ光２８をアモルファスシリ
コン膜の表面に照射することが可能になり、アモルファ
スシリコン膜をばらつきなく加熱溶融させるレーザアニ
ール処理を施すことができる。
は、安定した光強度のレーザ光２８をアモルファスシリ
コン膜の表面に照射することが可能になり、アモルファ
スシリコン膜をばらつきなく加熱溶融させるレーザアニ
ール処理を施すことができる。
【００８６】また、このレーザアニール装置７０では、
例えば半導体レーザ素子２２及び光学素子７３等をガラ
ス基板２から遠隔させることが可能であり、これらの部
品の交換を容易に行うことができる。
例えば半導体レーザ素子２２及び光学素子７３等をガラ
ス基板２から遠隔させることが可能であり、これらの部
品の交換を容易に行うことができる。
【００８７】なお、本発明の実施の形態で説明した様々
な構成のレーザアニール装置は、上述した構成に限定さ
れることはなく、例えば光ファイバーと光学素子とを併
用した構成とされても良い。
な構成のレーザアニール装置は、上述した構成に限定さ
れることはなく、例えば光ファイバーと光学素子とを併
用した構成とされても良い。
【００８８】
【発明の効果】本発明によれば、レーザアニール装置
が、複数の半導体レーザ素子から出射されたレーザ光
を、均一化手段によって物質の表面に照射されるレーザ
光の光強度が均一化されて非晶質シリコン膜の表面に照
射することから、非晶質シリコン膜に対して安定したア
ニール処理を施すことができる。したがって、本発明に
よれば、複数の半導体レーザ素子が配置されたレーザア
ニール装置を用いることで非晶質シリコン膜に対して安
定したアニール処理を施すことが可能なことから、非晶
質シリコン膜の加熱溶融のばらつきを抑制でき、この非
晶質シリコン膜を再結晶化した多結晶シリコン膜の結晶
粒子の粒径が均一化され、この多結晶シリコン膜を活性
層とする薄膜トランジスタのトランジスタ特性を向上さ
せることができる。
が、複数の半導体レーザ素子から出射されたレーザ光
を、均一化手段によって物質の表面に照射されるレーザ
光の光強度が均一化されて非晶質シリコン膜の表面に照
射することから、非晶質シリコン膜に対して安定したア
ニール処理を施すことができる。したがって、本発明に
よれば、複数の半導体レーザ素子が配置されたレーザア
ニール装置を用いることで非晶質シリコン膜に対して安
定したアニール処理を施すことが可能なことから、非晶
質シリコン膜の加熱溶融のばらつきを抑制でき、この非
晶質シリコン膜を再結晶化した多結晶シリコン膜の結晶
粒子の粒径が均一化され、この多結晶シリコン膜を活性
層とする薄膜トランジスタのトランジスタ特性を向上さ
せることができる。
【００８９】また、本発明によれば、レーザアニール装
置が、複数の半導体レーザ素子が配置されたレーザアニ
ール装置を用いることで非晶質シリコン膜に対して安定
したアニール処理を施すことが可能なことから、非晶質
シリコン膜にアニール処理を施すことで得られる多結晶
シリコン膜の製造歩留まりを向上させて、薄膜トランジ
スタの生産性の向上及び薄膜トランジスタの製造コスト
の低減を図ることができる。
置が、複数の半導体レーザ素子が配置されたレーザアニ
ール装置を用いることで非晶質シリコン膜に対して安定
したアニール処理を施すことが可能なことから、非晶質
シリコン膜にアニール処理を施すことで得られる多結晶
シリコン膜の製造歩留まりを向上させて、薄膜トランジ
スタの生産性の向上及び薄膜トランジスタの製造コスト
の低減を図ることができる。
【図１】薄膜トランジスタの模式的な断面構成を説明す
る図である。
る図である。
【図２】本発明の実施の形態のレーザアニール装置の構
成を説明する概略斜視図である。
成を説明する概略斜視図である。
【図３】レーザ光の波長とポリシリコン及びアモルファ
スシリコンの吸収係数との関係を示す特性図である。
スシリコンの吸収係数との関係を示す特性図である。
【図４】本発明の実施の形態のレーザアニール装置の他
の構成を説明する概略斜視図である。
の構成を説明する概略斜視図である。
【図５】同レーザアニール装置の他の構成を説明する概
略斜視図である。
略斜視図である。
【図６】同レーザアニール装置の他の構成を説明する概
略斜視図である。
略斜視図である。
【図７】同レーザアニール装置の他の構成を説明する概
略斜視図である。
略斜視図である。
【図８】同レーザアニール装置の他の構成を説明する概
略斜視図である。
略斜視図である。
１ 薄膜トランジスタ、２ ガラス基板、３ゲート電
極、４ 第１のゲート絶縁膜、５ 第２のゲート絶縁
膜、６ ポリシリコン膜、７ ストッパ、８ 第１の層
間絶縁膜、９ 第２の層間絶縁膜、１０ 配線、１１
平坦化膜、１２ 透明導電膜、２０，４０，５０，６
０，７０ レーザアニール装置、２１ 移動ステージ、
２２ 半導体レーザ素子、２３ 支持台、２４ 制御用
コンピュータ、２５ 電源、２８ レーザ光、５１，７
３ 光学素子、６２ 光ファイバー、７４ 反射鏡
極、４ 第１のゲート絶縁膜、５ 第２のゲート絶縁
膜、６ ポリシリコン膜、７ ストッパ、８ 第１の層
間絶縁膜、９ 第２の層間絶縁膜、１０ 配線、１１
平坦化膜、１２ 透明導電膜、２０，４０，５０，６
０，７０ レーザアニール装置、２１ 移動ステージ、
２２ 半導体レーザ素子、２３ 支持台、２４ 制御用
コンピュータ、２５ 電源、２８ レーザ光、５１，７
３ 光学素子、６２ 光ファイバー、７４ 反射鏡
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 江口 直哉
東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ
ー株式会社内
Ｆターム(参考） 2H092 MA30 MA35
5F052 AA02 BA18 BB07 CA07 DA02
DB02 JA01
5F110 AA30 BB01 CC07 CC08 DD02
EE03 EE04 FF02 FF03 FF09
GG02 GG13 HJ12 HL03 HL04
HL07 NN02 NN03 NN23 NN24
NN27 PP03 PP07
Claims (10)
- 【請求項１】 物質の表面に対してレーザ光を照射する
ことで当該物質にアニール処理を施すレーザアニール装
置において、 上記物質に対してレーザ光を出射する複数の半導体レー
ザ素子と、 上記複数の半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の
上記物質の表面に照射される光強度を均一化する均一化
手段とを備えることを特徴とするレーザアニール装置。 - 【請求項２】 上記均一化手段は、上記複数の半導体
レーザ素子の上記レーザ光を出射する出射部と上記物質
の表面とを対向させながら、上記複数の半導体レーザ素
子を上記物質の表面の上方に並べることを特徴とする請
求項１記載のレーザアニール装置。 - 【請求項３】 上記均一化手段は、上記複数の半導体レ
ーザ素子から出射された上記レーザ光を導光し、導光さ
れた上記レーザ光を所定の方向に出射する出射口部を有
する光学素子を備え、 上記光学素子が、上記出射口部と上記物質の表面とを対
向させて配設されていることを特徴とするを特徴とする
請求項１記載のレーザアニール装置。 - 【請求項４】 上記均一化手段は、上記複数の半導体レ
ーザ素子から出射された上記レーザ光を通過させること
で上記レーザ光のビーム形状を所定の形状に成形し、所
定のビーム形状になった上記レーザ光を所定の方向に出
射する出射口部を有する光学素子を備え、 上記光学素子が、上記出射口部と上記物質の表面とを対
向させて配設されていることを特徴とする請求項１記載
のレーザアニール装置。 - 【請求項５】 上記均一化手段は、上記複数の半導体レ
ーザ素子から出射された上記レーザ光を所定の方向に反
射させる光学素子を備え、 上記光学素子が、上記物質の表面の上方に配設されてい
ることを特徴とする請求項１記載のレーザアニール装
置。 - 【請求項６】 基板上に非晶質シリコン膜を成膜する第
１の工程と、 上記非晶質シリコン膜に対してアニール処理を施すこと
により、上記非晶質シリコン膜を多結晶シリコン膜に転
換させる第２の工程と、 上記多結晶シリコン膜を活性層として所定の領域に薄膜
トランジスタを積層形成する第３の工程とを有し、 上記第２の工程において、レーザ光を出射する複数の半
導体レーザ素子が配置されたレーザアニール装置が、上
記非晶質シリコン膜の表面に照射される当該レーザ光の
光強度を均一化する均一化手段によって、上記非晶質シ
リコン膜の表面に照射される光強度が均一化された当該
レーザ光を、上記非晶質シリコン膜の表面に照射するア
ニール処理を施すことにより、上記非晶質シリコン膜を
加熱溶融し、再結晶化して上記多結晶シリコン膜に転換
させることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項７】 上記第２の工程において、上記均一化手
段は、上記複数の半導体レーザ素子の上記レーザ光を出
射する出射部と上記非晶質シリコン膜の表面とを対向さ
せながら、上記複数の半導体レーザ素子を上記非晶質シ
リコン膜の表面の上方に並べることを特徴とする請求項
６記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項８】 上記第２の工程において、上記均一化手
段は、上記複数の半導体レーザ素子から出射された上記
レーザ光を導光し、導光された上記レーザ光を所定の方
向に出射する出射口部を有する光学素子を備え、 上記光学素子を、上記出射口部と上記非晶質シリコン膜
の表面とが対向するように配設することを特徴とする請
求項６記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項９】 上記第２の工程において、上記均一化手
段は、上記複数の半導体レーザ素子から出射された上記
レーザ光を通過させることで上記レーザ光のビーム形状
を所定の形状に成形し、所定のビーム形状になった上記
レーザ光を所定の方向に出射する出射口部を有する光学
素子を備え、 上記光学素子を、上記出射口部と上記非晶質シリコン膜
の表面とが対向するように配設することを特徴とする請
求項６記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項１０】 上記第２の工程において、上記均一化
手段は、上記複数の半導体レーザ素子から出射された上
記レーザ光を所定の方向に反射させる光学素子を備え、 上記光学素子を、上記非晶質シリコン膜の表面の上方に
配設することを特徴とする請求項６記載の薄膜トランジ
スタの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001242774A JP2003059858A (ja) | 2001-08-09 | 2001-08-09 | レーザアニール装置及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| KR1020020046685A KR100894925B1 (ko) | 2001-08-09 | 2002-08-08 | 레이저 어닐 장치 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| US10/215,049 US6780692B2 (en) | 2001-08-09 | 2002-08-08 | Laser annealing apparatus and method of fabricating thin film transistor |
| US10/864,832 US20040232126A1 (en) | 2001-08-09 | 2004-06-09 | Laser annealing apparatus and method of fabricating thin film transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001242774A JP2003059858A (ja) | 2001-08-09 | 2001-08-09 | レーザアニール装置及び薄膜トランジスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003059858A true JP2003059858A (ja) | 2003-02-28 |
Family
ID=19072996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001242774A Pending JP2003059858A (ja) | 2001-08-09 | 2001-08-09 | レーザアニール装置及び薄膜トランジスタの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6780692B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003059858A (ja) |
| KR (1) | KR100894925B1 (ja) |
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